專利名稱：：電絕緣用雙軸取向薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及適合電絕緣用的雙軸取向薄膜。更具體地說，涉及具有由室溫至高溫范圍的高耐電壓特性、且長期熱處理后仍可保持高耐電壓特性、適合電絕緣用途的雙軸取向薄膜。
背景技術(shù)：
：以往，已知含有結(jié)晶性熱塑性樹脂的電絕緣用薄膜例如有含有聚丙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚苯硫醚樹脂的薄膜，其作為薄膜電容器用薄膜、柔性印刷線路基板用薄膜、馬達(dá)絕緣用薄膜等使用。薄膜電容器是將上述結(jié)晶性熱塑性樹脂薄膜與鋁箔等金屬薄膜疊合，通過巻曲或?qū)雍系姆椒ㄖ苽?。柔性印刷線路基板是通過在結(jié)晶性熱塑性樹脂薄膜的至少一面上層合金屬薄膜以形成電路等的方法制備。馬達(dá)絕緣用薄膜例如是以進(jìn)行馬達(dá)的線圈和定子的絕緣的槽楔件和槽隙件使用。近年來，伴隨著電氣或電子部件的小型化的要求，對這些薄膜電容器或馬達(dá)等也進(jìn)一步要求小型化或封裝化，除以往的室溫范圍的耐電壓特性之外，還進(jìn)一步要求高溫范圍的耐電壓特性。特別是在汽車用途中，不僅在駕駛室內(nèi)使用，使用范圍也擴(kuò)大到發(fā)動機(jī)室，同樣要求高溫范圍的耐電壓特性優(yōu)異的薄膜電容器。曰本特開2000-173855號公報中公開了使用在特性粘度或結(jié)晶度在特定范圍的聚2,6-萘二曱酸乙二醇酯薄膜作為可在汽車發(fā)動機(jī)室內(nèi)使用的耐熱性、耐濕性、電氣特性優(yōu)異的電容器用聚酯薄膜。另外，曰本特開2005-289065號公報中提出了相對于薄膜的重量含有50~15,000ppm的至少一種穩(wěn)定劑的熱塑性樹脂薄膜，以此作為介電特性或室溫下的耐電壓特性優(yōu)異的電容器用薄膜，其具體公開了在熱塑性樹脂制備中添加穩(wěn)定劑。同樣，日本特開2003-301039號公報中公開了相對于結(jié)晶性聚酯，以10010,000ppm的濃度存在具有抗氧化分解能力的至少一種穩(wěn)定劑。該文獻(xiàn)強調(diào)，穩(wěn)定劑以與結(jié)晶性聚酯化學(xué)鍵合的狀態(tài)存在，由此可以減少表面缺陷的發(fā)生，制備時可減少薄膜制備裝置的污染。其還公開為了使聚酯與穩(wěn)定劑處于化學(xué)鍵合的狀態(tài)，優(yōu)選在聚酯縮聚反應(yīng)時混合使用具有共友基和/或酯基的受阻酚。另一方面，伴隨著電氣、電子部件的小型化或汽車的電子化，不僅是室溫附近，室溫至15(TC附近的更廣的溫度范圍內(nèi)具有比以往更高的耐電壓特性、同時所述部件的使用環(huán)境長時間在高溫下使用，因此，目前的現(xiàn)狀是人們希望能夠開發(fā)出可長時間保持上述耐電壓特性的耐絕緣性的薄膜。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供在室溫至高溫范圍具有高耐電壓特性、且長期熱處理后仍可保持高耐電壓特性、適合電絕緣用途的雙軸取向薄膜。本發(fā)明人為解決上述課題進(jìn)行了深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在薄膜領(lǐng)域中，與樹脂成型品領(lǐng)域等其它
技術(shù)領(lǐng)域：
不同，在將各種添加劑添加到薄膜中時，為了提高在薄膜中的分散性，主要采取在樹脂的縮聚反應(yīng)的任意時間點添加添加劑的方法，對于受阻酚等自由基捕捉型穩(wěn)定劑也提出了在縮聚反應(yīng)時添加的方案，而本發(fā)明通過在制備薄膜時添加自由基捕捉型穩(wěn)定劑來替代所述以往的方法，由此，在所得的薄膜中，聚酯樹脂與自由基捕捉型穩(wěn)定劑不反應(yīng)，結(jié)果自由基捕捉型穩(wěn)定劑的自由基捕捉能力提高，且由于催化劑為鈦化合物，因此發(fā)現(xiàn)其協(xié)同效果，可獲得由室溫至高溫范圍比以往更高的耐電壓特性，并且長期熱處理后仍可保持其高耐電壓特性，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明的上述目的通過電絕緣用雙軸取向聚酯薄膜實現(xiàn)，薄膜含有至少一層含聚酯的層，其特征在于所述至少一層的聚酯含有作為催化劑的鈥化合物和自由基捕捉型穩(wěn)定劑，相對于聚酯以重量計，該自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量為1，000~50,000ppm，其中，與聚酯化學(xué)鍵合的比例不超過200ppm。本發(fā)明的電絕緣用雙軸取向薄膜的優(yōu)選方案是具備以下的至少一種自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量為16,000-50,000ppm;自由基捕捉型穩(wěn)定劑是選自酚系穩(wěn)定劑、胺系穩(wěn)定劑的至少一種；自由基捕捉型穩(wěn)定劑的熔點為200。C以上；聚酯樹脂為聚2，6-萘二曱酸乙二醇酯；下式(1)所示的絕緣^^壞電壓差為50-110V/^m,且15(TC下的絕緣石皮壞電壓(BDVd5o)為280V/(im以上；絕緣破壞電壓差二BDVt25-BDVu50...(l)(式中，BDVt25表示25。C下的絕緣破壞電壓(V/^m)，BDVuso表示150°C下的絕緣破壞電壓(V/pm));在150。C下加熱處理300小時后、在25。C下的絕緣破壞電壓為380V4im以上；含有0.00010.1重量％惰性顆粒。本發(fā)明的電絕緣用雙軸取向薄膜可用作薄膜電容器用或馬達(dá)絕緣用。'本發(fā)明還包含在本發(fā)明的電絕緣用雙軸取向薄膜的至少一面上層合金屬層所得的雙軸取向?qū)雍媳∧?。實施發(fā)明的最佳方式以下詳細(xì)說明本發(fā)明。<聚酯>本發(fā)明的聚酯是二元醇和二羧酸的縮聚得到的聚合物。所述二羧酸例如有對苯二曱酸、間苯二曱酸、2,6-萘二曱酸、4,4'-二苯基二曱酸、己二酸和癸二酸。二元醇例如有乙二醇、1,4-丁二醇、1,4-環(huán)己烷二曱醇、1,6-己烷二醇。由這些二羧酸和二元醇得到的聚酯中，優(yōu)選聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚2,6-萘二曱酸乙二醇酯(以下筒稱為PEN),其中，從高溫的耐電壓特性角度考慮，特別優(yōu)選聚2,6-萘二曱酸乙二醇酯。本發(fā)明的聚酯可以是均聚物，也可以是與其它聚酯形成共聚物、或與2種以上聚酯的混合物。共聚物或混合物中的其它成分是以重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的摩爾數(shù)為基準(zhǔn)，優(yōu)選10%mol以下，進(jìn)一步優(yōu)選5%mol以下。作為共聚成分，可列舉二甘醇、新戊二醇、聚亞烷基二醇等二元醇成分，己二酸、癸二酸、鄰苯二曱酸、間苯二甲酸、對苯二曱酸、萘二曱酸、間苯二曱酸5-磺酸鈉等二羧酸成分，其中，可以將上述主要成分以外的不同成分作為共聚成分使用。本發(fā)明的聚酯可按照以往公知的方法、例如通過二羧酸與二元醇的反應(yīng)直接獲得低聚合度聚酯的方法；或者是使用酯交換催化劑，使二羧酸的低級烷基酯與二醇反應(yīng)，然后在聚合催化劑的存在下進(jìn)行聚合反應(yīng)的方法獲得。本發(fā)明的薄膜中使用聚酯，該聚酯使用鈦化合物作為聚酯制備時的催化劑。通過自由基捕捉型穩(wěn)定劑和使用鈦化合物作為聚酯制備時的催化劑的協(xié)同效果，可以進(jìn)一步提高本發(fā)明的薄膜的耐電壓特性。鈦化合物優(yōu)選為可溶解于聚酯中的鈦化合物。這里，可溶解于聚酯的鈦化合物是有機(jī)鈦化合物，具體來說有鈦酸四乙酯、鈦酸四丙酯、鈦酸四丁酯、鈦酸四苯酯或它們的部分水解物，草酸鈥銨、草酸鈦鉀、三乙酰丙酮合鈦以及這些鈦化合物與偏苯三酸酐等芳族多元羧酸或其酸酐反應(yīng)得到的產(chǎn)物。其中，優(yōu)逸鈦酸四丁酯和偏苯三酸鈦。偏苯三酸鈦可通過使偏苯三酸酐與鈦酸四丁酯反應(yīng)獲得。在酯交換法中，上述鈦化合物在酯交換反應(yīng)開始前添加、或者在酯交換反應(yīng)中添加、或者在酯交換反應(yīng)結(jié)束后在縮聚反應(yīng)之前添加均可。在酯化法中，在酯化反應(yīng)結(jié)束后添加、或在縮聚反應(yīng)之前添加均可。聚酯中所含的鈦化合物的含量是以聚酯的重量為基準(zhǔn)，換算為鈦原子優(yōu)選520ppm的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選718ppm,特別優(yōu)選8~177ppm。鈦化合物的含量未達(dá)到下限，則聚酯制備時的生產(chǎn)緩慢，而超過上限，則所得聚酯的耐熱穩(wěn)定性變差，由于鈦化合物的析出物而導(dǎo)致耐電壓特性降低。通常，作為聚酯的聚合催化劑使用的銻化合物容易形成析出物，使用的催化劑量也多，因此來自銻化合物的析出物成為使耐電壓特性降低的原因，即使在該聚酯中含有自由基捕捉型穩(wěn)定劑也存在無法獲得具有足夠的耐電壓特性的薄膜的情況。而使用鈦化合物時，可以在可保持縮聚反應(yīng)的范圍內(nèi)使催化劑量為^:量，可以使阻礙耐電壓特性的因素一析出物減少，因此可以在制成薄膜時體現(xiàn)優(yōu)異的耐電壓特性。另外，鈦化合物使用可溶解于聚酯樹脂的鈦化合物，則可進(jìn)一步減少析出物，耐電壓特性更為提高。本發(fā)明的聚酯的特性粘度優(yōu)選在鄰氯苯酚中、在35。C下為0.40dl/g以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.400.80dl/g。特性粘度低于0.4dl/g，則在薄膜成膜時較多發(fā)生斷裂，成型加工后的產(chǎn)品強度不足。而特性粘度超過0.8dl/g時，聚合時的生產(chǎn)性降低。<自由基捕捉型穩(wěn)定劑>本發(fā)明的電絕緣用雙軸取向聚酯薄膜中添加自由基捕捉型穩(wěn)定劑作為必須成分。所述自由基捕捉型穩(wěn)定劑是在添加了自由基捕捉型穩(wěn)定劑的材料中，使由于某些原因產(chǎn)生的自由基接受來自自由基捕捉型穩(wěn)定劑分子中的1個電子，形成反應(yīng)性低的、沒有不成對電子的狀態(tài)，具有停止自動氧化的鏈鎖反應(yīng)的功能。自由基捕捉型穩(wěn)定劑本身在捕捉自由基后形成反應(yīng)性低的穩(wěn)定的自由基。自由基捕捉型穩(wěn)定劑的具體的優(yōu)選種類例如有酚系穩(wěn)定劑、胺系穩(wěn)定劑。酚系穩(wěn)定劑有受阻酚，其中優(yōu)選高分子量型的丙酸羥基苯基酯、羥基千基苯。具體有四[3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸]季戊四醇酯、3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯、3,3'，3〃,5,5',5〃-六叔丁基-a,a'，a"-(l,3,5-三曱基苯-2,4，6-三基)三對曱酚、1,3,5-三(3,5-二叔丁基-4-羥基千基)-l，3,5-三嗪-2,4，6(lH,3H，5H)-三酮、雙(氧乙烯)雙[3-(5-叔丁基-4-羥基-間曱苯基)丙酸]乙烯基酯。其中優(yōu)選四[3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸]季戊四醇酯、3-(3,5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯、3,3',3",5，5'，5"-六叔丁基-a，a',a"-(l，3,5-三曱基苯-2,4，6-三基)三對曱酚、1,3,5-三(3,5-二叔丁基-4-羥基千基)-l,3,5-三嗪-2，4，6(lH,3H,5H)-三酮。這些受阻酚中，考慮到薄膜成膜時的模頭污損，優(yōu)選熔點為200。C以上的受阻酚，例如有3，3',3〃，5,5',5〃-六叔丁基-^^1,3,5-三曱基苯-2，4,6-三基)三對曱酚、1,3，5-三(3,5-二叔丁基-4-羥基芐基)-l，3,5-三。秦-2,4，6(lH，3H，5H)-三酮。胺系穩(wěn)定劑有受阻胺，可例舉基本結(jié)構(gòu)具有癸二酸雙(2，2,6,6-四曱基-4-哌啶基)酯的稱為HALS的化合物。需說明的是，這些化合物可以單獨使用，也可以將2種以上結(jié)合使用。但是，如果將酚系穩(wěn)定劑和胺系穩(wěn)定劑組合使用，則常發(fā)生反應(yīng)，失去活性。使用多種時，優(yōu)選將同種類穩(wěn)定劑之間組合使用。相對于聚酯以重量計，本發(fā)明的自由基捕捉型穩(wěn)定劑在薄膜中與聚酯化學(xué)鍵合的量不超過200ppm。由于自由基捕捉型穩(wěn)定劑不與聚酯反應(yīng)、或者即使反應(yīng)也是大部分不反應(yīng)，因此比與聚酯化學(xué)4定合的自由基捕捉型穩(wěn)定劑的自由基捕捉性能更高。并且，作為對薄膜的耐電壓性產(chǎn)生影響的因素之一的催化劑，通過使用耐電壓性降低少的鈦化合物，可以充分發(fā)揮自由基捕捉型穩(wěn)定劑的效果，可以在室溫至高溫范圍獲得比以往高的耐電壓特性，即使長期熱處理后也可表現(xiàn)保持其高耐電壓特性的效果。而且，自由基捕捉型穩(wěn)定劑與聚酯化學(xué)鍵合的量不超過200ppm,因此可以大幅增加薄膜中未化學(xué)鍵合的自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量，可得到獲得更高的耐電壓特性的優(yōu)點。在聚酯縮聚時添加自由基捕捉型穩(wěn)定劑，則自由基捕捉型穩(wěn)定劑與聚酯化學(xué)鍵合，縮聚反應(yīng)中的熔融粘度升高，難以添加一定量以上、具體來說是16,000ppm以上的自由基捕捉型穩(wěn)定劑，自由基捕捉性能降低。聚酯與自由基捕捉型穩(wěn)定劑化學(xué)鍵合的比例可按照以下測定方法求出。將薄膜溶解于六氟異丙醇和氯仿的混合溶劑中，然后加入甲醇進(jìn)行再沉淀，分離沉淀的聚合物，加入曱醇，進(jìn)行超聲波洗滌，除去殘留的低分子成分。將所得試樣減壓干燥，進(jìn)行'H-NMR測定，可以求出自由基捕捉型穩(wěn)定劑與聚酯化學(xué)鍵合的比例。這里，自由基捕捉型穩(wěn)定劑與聚酯化學(xué)鍵合的量超過200ppm時，則超過了NMR測定裝置的檢測限值，因此可進(jìn)行定量。為了使自由基捕捉型穩(wěn)定劑在薄膜中與聚酯化學(xué)鍵合的量為200ppm以下，必須在聚酯的縮聚反應(yīng)完全結(jié)束之后加入自由基捕捉型穩(wěn)定劑，并且優(yōu)選使它們的熔融混合時間縮短。具體來說，優(yōu)選在聚酯的縮聚反應(yīng)結(jié)束后至薄膜成膜時的期間添加自由基捕捉型穩(wěn)定劑的方法，其中優(yōu)選采用后述的制備方法。以聚酯的重量為基準(zhǔn)，自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量為1,000~50，000ppm。自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量的下限優(yōu)選3,000ppm，更優(yōu)選5,000ppm,進(jìn)一步優(yōu)選10,000ppm，特別優(yōu)選16,000ppm，最優(yōu)選20,000ppm。自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量的上限優(yōu)選45,000ppm,進(jìn)一步優(yōu)選40,000ppm。自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量未達(dá)到下限時，150。C下的耐電壓特性或長期加熱后的耐電壓特性不足。而自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量超過上限時，并不能獲得與其增量相對應(yīng)的耐電壓特性的改善，并且由于大量添加而發(fā)生分散不良，導(dǎo)致薄膜斷裂或表面粗糙。<惰性顆粒>本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜中，為了具有成膜時的巻取性，可以含有惰性顆粒。作為惰性顆粒，例如可以使用碳酸鈣、二氧化硅、滑石粉、粘土等無機(jī)顆粒，包含有機(jī)硅、丙烯酸樹酯(7夕U,")等熱塑性樹脂和熱固化性樹脂的任意一種的有機(jī)顆粒，硫酸鋇、氧化鈦等無機(jī)顏料顆粒的至少一種。所述惰性顆粒在不損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)使用。例如以薄膜重量為基準(zhǔn)，可在0.0001-1重量％的范圍內(nèi)含有平均粒徑為0.0015,的惰性顆粒。惰性顆粒的平均粒徑更優(yōu)選0.01-3,。惰性顆粒的含量可以是選擇溶解聚酯、但不溶解惰性顆粒的溶劑，溶解薄膜，然后通過離心分離顆粒，以相對于薄膜重量的顆粒的比例(重量％)作為含量。<其它添力口劑>本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜中，可以進(jìn)一步少量添加選自硫系穩(wěn)定和磷系穩(wěn)定劑的至少一種。通過將這些穩(wěn)定劑與自由基捕捉型穩(wěn)定劑結(jié)合使用，可以進(jìn)一步提高耐電壓特性。上述硫系穩(wěn)定劑例如有硫醚系化合物，具體有四酯型高分子量的硫醚化合物等。磷系穩(wěn)定劑例如有膦酸、磷酸酯系化合物、亞磷酸酯系化合物等。其中優(yōu)選使用亞磷酸酯系化合物。這些硫系穩(wěn)定劑、磷系穩(wěn)定劑在與自由基捕捉型穩(wěn)定劑結(jié)合使用時，對于進(jìn)一步提高薄膜的耐電壓特性有效。但是，即使大量添加也不能表現(xiàn)與添加量相應(yīng)的協(xié)同效果，因此優(yōu)選只在盡量發(fā)揮效果的少量范圍內(nèi)添加。以聚酯的重量為基準(zhǔn)，這些穩(wěn)定劑的含量優(yōu)選為卜10，000ppm，進(jìn)一步優(yōu)選5~5,000ppm。該穩(wěn)定劑的含量未達(dá)到下限時，未充分表現(xiàn)耐電壓特性的協(xié)同效果。而即使超過含量的上限添加該穩(wěn)定劑，不僅不會表現(xiàn)與添加量相應(yīng)的協(xié)同效果，反而使聚酯原本具有的耐熱性降低。<耐電壓特性>本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜的耐電壓特性通過絕緣破壞電壓評價。本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜優(yōu)選下式(l)所示的絕緣破壞電壓差(以下簡稱為BDVt25-u5o)為50~110V/[im，且150。C下的絕緣破壞電壓(BDV"5o)為280V/|im以上。絕緣破壞電壓差-BDVt25-BDVu50...(1)(式中，BDVw表示25。C下的絕緣破壞電壓(V/iim)，BDVt，表示150°C卞的絕緣破壞電壓(V/jxm));該絕緣破壞電壓差的上限更優(yōu)選105V/pm以下，進(jìn)一步優(yōu)選100V/)im以下。絕緣破壞電壓差超過上限時，在電容器中應(yīng)用時的電氣特性、特別是高溫下的特性不足，無法應(yīng)用于使用環(huán)境包含達(dá)到高溫范圍的用途中。所述絕緣破壞電壓差通過如下方法實現(xiàn)使用聚酯，在雙軸取向聚酯薄膜中以本發(fā)明規(guī)定的范圍含有自由基捕捉型穩(wěn)定劑，且使催化劑為鈦化合物。所述絕緣破壞電壓差通過使用聚2，6-萘二曱酸乙二醇酯作為聚酯，可以進(jìn)一步減小絕緣破壞電壓差，并且以聚酯的重量為基準(zhǔn)，通過含有15,000ppm以上自由基捕捉型穩(wěn)定劑，可以達(dá)到100V/|am以下。25。C下的雙軸取向聚酯薄膜的絕緣破壞電壓優(yōu)選為370V/)im以上，更優(yōu)選380V/pm以上，進(jìn)一步優(yōu)選390V/pm以上，特別優(yōu)選400V/]Lim以上。所述絕緣破壞電壓通過如下方法實現(xiàn)使用聚酯，在雙軸取向聚酯薄膜中以本發(fā)明規(guī)定的范圍含有自由基捕捉型穩(wěn)定劑，且使催化劑為鈦化合物。150。C下的雙軸取向聚酯薄膜的絕緣破壞電壓優(yōu)選為280V/[im以上，更優(yōu)選290V/pm以上，進(jìn)一步優(yōu)選295V/pm以上，特別優(yōu)選300V/|im以上。所述絕緣破壞電壓通過如下方法實現(xiàn)使用聚酯，且在雙軸取向聚酯薄膜中以本發(fā)明規(guī)定的范圍含有自由基捕捉型穩(wěn)定劑，使自由基捕捉型穩(wěn)定劑與聚酯化學(xué)鍵合的量不超過200ppm，且使催化劑為鈦化合物。特別是在該150。C的高溫范圍的絕緣破壞電壓提高方面，如果催化劑為鈦化合物，則自由基捕捉型穩(wěn)定劑與聚酯化學(xué)鍵合的量不超過200ppm的效果顯著。這里，如測定方法中詳述的，25。C下的絕緣破壞電壓是按照J(rèn)IS標(biāo)準(zhǔn)C2151所述的平板電極法，使用東京精電(林)制備的ITS-6003(裝置名)，在直流電流、0.1kV/s的升壓條件下測定的值。如測定方法中詳述的，150。C下的絕緣破壞電壓是按照J(rèn)IS標(biāo)準(zhǔn)K6911,使用耐電壓試驗器TOS5101(菊水電子工業(yè)(林)制備)，在試驗氣氛硅油中、在150。C的溫度下以直流電流、0.1kV/s的升壓條件下測定的值。絕緣破壞電壓差(BDVt25，o)由25。C下的絕緣破壞電壓減去150。C下的絕續(xù)J皮i不電壓,jt出。需說明的是，本發(fā)明中作為用于評價室溫至高溫范圍的耐電壓特性的指標(biāo)，評價25°C、150。C兩點的絕緣破壞電壓值，樹脂薄膜的絕緣破壞電壓值隨著溫度的升高而連續(xù)降低，在某一溫度下絕緣破壞電壓急劇降低。因此，本發(fā)明的25。C和150。C下的絕緣破壞電壓差的值所表達(dá)的技術(shù)性意義是指伴隨著溫度升高，絕緣破壞電壓值的降低比單獨樹脂的薄膜小，且25。C150。C期間未發(fā)生劇烈的絕緣破壞電壓降低。本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜還優(yōu)選在150。C下加熱處理300小時后的25。C下的絕緣破壞電壓為380V/pm以上，更優(yōu)選390V/>m以上，進(jìn)一步優(yōu)選395V/pm以上，特別優(yōu)選400V/Vm以上。通過保持長期加熱后的薄膜的耐電壓特性，即使類似汽車發(fā)動機(jī)室內(nèi)等的使用環(huán)境為高溫，也可以確保電容器絕緣薄膜的長期可靠性。所述絕緣破壞電壓通過如下方法實現(xiàn)使用聚酯，且在雙軸取向聚酯薄膜中以本發(fā)明規(guī)定的范圍含有自由基捕捉^穩(wěn)定劑，使所述自由基捕捉型穩(wěn)定劑與聚酯化學(xué)鍵合的量不超過200卯m,且使催化劑為鈦化合物。如果催化劑為鈦化合物，特別是在15(TC的高溫下進(jìn)行長期熱處理后,自由基捕捉型穩(wěn)定劑與聚酯化學(xué)4定合的量不超過200ppm的效果可表現(xiàn)為絕緣破壞電壓與初期的絕緣破壞電壓同等以上的極為顯著的效果。本發(fā)明的長期加熱后的絕緣破壞電壓是在15(TC下加熱處理300小時后，將薄膜靜置在室溫中,然后測定25。C下的絕纟^皮壞電壓所得的電壓。所述絕緣破壞電壓的測定方法按照上述的加熱處理后25'C下的絕緣破壞電壓進(jìn)行。<層合構(gòu)成>本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜也包含單層、兩層以上的層合的任意構(gòu)成。為兩層以上的層合時，必須包含至少一層含有作為催化劑的鈦化合物和自由基捕捉型穩(wěn)定劑的聚酯層。為三層以上的層合時，優(yōu)選具有多層上述層。<薄膜厚度>本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜的總厚度優(yōu)選0.120|Lim，進(jìn)一步優(yōu)選0.5~15^im，特別優(yōu)選1.010pm。薄膜厚度未滿足下限時成膜困難，并且耐電壓特性低。而若薄膜厚度超過上限，則難以使薄膜電容器、馬達(dá)絕緣部件等實現(xiàn)小型化。<涂膜層>本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜可以在最外層的至少一面上具有涂膜層。所述涂膜層可通過在雙軸取向薄膜上涂布包含粘結(jié)樹脂和溶劑的涂覆涂劑來獲得。作為粘結(jié)樹脂，可使用熱塑性樹脂或熱固化性樹脂等各種樹脂，例如有聚酯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酯酰胺、聚烯烴、聚氯乙烯、聚(曱基)丙烯酸酯、聚氨酯和聚苯乙烯以及它們的共聚物或混合物。這些粘結(jié)樹脂中，特別優(yōu)選使用聚酯共聚物。作為溶劑，例如有曱苯、乙酸乙酯、曱基乙基酮等有機(jī)溶劑、它們的混合物以及水。本發(fā)明的涂膜層可以進(jìn)一步含有交聯(lián)劑、表面活性劑和惰性顆粒作為形成涂膜的成分。作為所述表面活性劑，可例舉聚環(huán)氧烷。本發(fā)明中，作為使涂膜層層合的方法，例如有在經(jīng)雙軸拉伸的薄膜的至少一面上涂布涂劑并干燥的方法；在可^i伸的該薄膜上涂布涂劑，然后干燥、拉抻，根據(jù)需要進(jìn)行熱處理的方法?？衫斓谋∧な俏蠢毂∧?、單軸拉伸薄膜或雙軸拉伸薄膜，其中，特別優(yōu)選例示在薄膜擠出方向(縱向)經(jīng)單軸拉伸的縱向拉伸薄膜。在本發(fā)明的薄膜上涂布涂劑時，優(yōu)選清潔氣氛下的涂布，即在薄膜成膜工序中的涂布，這可提高涂膜的貼合性。若在通常的涂布工序，即在雙軸拉伸后熱定型的薄膜的制備工序分離的工序中對該薄膜進(jìn)行涂布，則容易巻入灰塵、塵埃等。作為在薄膜上涂布涂劑的方法，可使用公知的任意的涂布方法，例如可將輥涂法、凹版涂布法、輥刷法、噴涂法、氣刀涂布法、含浸14法和幕涂法單獨或組合使用。<雙軸取向聚酯薄膜的制備方法>本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜通過如下方法獲得制備以聚酯和自由基捕捉型穩(wěn)定劑作為必須成分的聚酯樹脂組合物，將所述組合物進(jìn)行雙軸拉伸。需說明的是，為了使與聚酯化學(xué)鍵合的自由基捕捉型穩(wěn)定劑的量為200ppm以下，優(yōu)選通過以下的任意方法制備聚酯樹脂組合物。1)使用雙軸混煉機(jī)，將聚酯和自由基捕捉型穩(wěn)定劑熔融混煉的方法。2)將聚酯片和自由基捕捉型穩(wěn)定劑的粉體預(yù)先摻混，在薄膜成膜擠出時以固體狀態(tài)供給的方法。以下，對于l)、2)的各聚酯樹脂組合物的制備方法進(jìn)行詳述。1)的聚酯樹脂組合物的制備方法是使用雙軸混煉機(jī)，將聚合的聚酯片和自由基捕捉型穩(wěn)定劑熔融混煉的方法。作為具體的方法，可列舉在固體狀的樹脂中添加規(guī)定量的自由基捕捉型穩(wěn)定劑，將其混合，然后用雙軸混煉機(jī)熔融混煉的方法；將樹脂熔融，然后添加規(guī)定量的自由基捕捉型穩(wěn)定劑，通過雙軸混煉機(jī)熔融混煉的方法等。這種情況下，自由基捕捉型穩(wěn)定劑可以直接添加，也可以預(yù)先制備母料聚合物(77夕一水'j7一)，然后添加。母料聚合物中的自由基捕捉型穩(wěn)定劑濃度優(yōu)選0.55重量％。該濃度未達(dá)到下限時，母料聚合物的配合量增加，效率不高。另一方面，在該濃度超過上限的范圍下的母料聚合物制備在制備上困難。2)的方法是將聚合的聚酯片與自由基捕捉型穩(wěn)定劑粉末預(yù)先摻混、添加到用于薄膜成膜的擠出機(jī)的加料口中，在該擠出機(jī)中熔融混煉的方法。這種情況下，自由基捕捉型穩(wěn)定劑與l)的方法同樣，可以直接添加，也可以預(yù)先制備母料聚合物，然后添加。母料聚合物中的自由基捕捉型穩(wěn)定劑濃度優(yōu)選0.5-5重量％。該濃度未達(dá)到下限時，聚合物母料的配合量增加，效率不高。而在該濃度超過上限的范圍下的聚合物母料制備在制備上困難。本發(fā)明中，通過在聚合結(jié)束后的聚酯中添加自由基捕捉型穩(wěn)定劑，可以將與聚酯化學(xué)鍵合的自由基捕捉型穩(wěn)定劑的量控制在200ppm以下。在聚酯的聚合階段添加自由基捕捉型穩(wěn)定劑時，自由基捕捉型穩(wěn)定劑的反應(yīng)性官能基團(tuán)與聚酯原料或低分子量物質(zhì)反應(yīng)，易于作為共聚成分或末端基團(tuán)封端劑摻入到聚酯中，造成化學(xué)鍵合量超過200ppm。需說明的是，可以使用1)或2)的方法作為添加自由基捕捉型穩(wěn)定劑的主要方法，再以在聚酯樹脂的聚合階段添加自由基捕捉型穩(wěn)定劑的方法作為輔助方法，將二者結(jié)合使用，這種情況下，輔助的方法的添加量僅限于在全部自由基捕捉型穩(wěn)定劑添加量的30%以下、進(jìn)一步在10%以下的盡量少的添加量范圍內(nèi)組合。超過所述范圍結(jié)合使用時，與聚酯化學(xué)鍵合的自由基捕捉型穩(wěn)定劑的量超過200ppm，長期加熱后的耐電壓特性降低。除此之外，還可以使用由1)或2)的方法獲得的含自由基捕捉型穩(wěn)定劑的聚合物作為母料聚合物，將其與不含有自由基捕捉型穩(wěn)定劑的聚合物用雙軸混煉機(jī)熔融混煉的方法，由此可以調(diào)節(jié)自由基捕捉型穩(wěn)定劑的添加量。聚酯樹脂組合物中進(jìn)一步含有選自惰性顆粒和/或石克系穩(wěn)定劑、磷系穩(wěn)定劑的至少一種時，這些添加劑可以按照與自由基捕捉型穩(wěn)定劑同才羊的方法添加。<薄膜成膜方法>以下具體描述獲得本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜的方法，但并不限定為以下的實例。由上述方法得到的樹脂組合物可以根據(jù)需要在干燥后供給于擠出機(jī),由T模頭成型為片狀。由T模頭擠出的片狀成型物在表面溫度1060。C的冷卻轉(zhuǎn)鼓上冷卻固化，將該未拉伸薄膜例如通過輥加熱或紅外線加熱進(jìn)行加熱，然后縱向拉伸，獲得縱向拉伸薄膜。所迷縱向拉伸優(yōu)選利用兩個以上輥的轉(zhuǎn)速差(周速差)進(jìn)行?？v向拉伸溫度優(yōu)選比聚酯樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)高的溫度，進(jìn)一步優(yōu)選比Tg高2040。C的溫度?？v向拉伸倍率可根據(jù)所使用的用途的要求來適當(dāng)調(diào)節(jié)，優(yōu)選2.5倍以上5.0倍以下，進(jìn)一步優(yōu)選3.0倍以上4.5倍以下?？v向4i伸倍率未達(dá)到下限時，薄膜的厚度均勻性變差，無法獲得良好的薄膜。縱向拉伸倍率超過上限時，成膜中容易發(fā)生斷裂。將所得縱向拉伸薄膜接著進(jìn)行橫向拉伸，然后根據(jù)需要依次進(jìn)行熱定型、熱弛豫處理，制成雙軸取向薄膜，所述處理是邊使薄膜移動邊進(jìn)行。橫向拉伸處理在升溫的同時進(jìn)行，所述升溫自比樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)高20。C的溫度開始直至低于樹脂熔點(Tm)(12030)°C的溫度。所述橫向拉伸起始溫度優(yōu)選為(Tg+40)。C以下。橫向拉伸最高溫度優(yōu)選為比Tm低(10040)。C的溫度。若橫向拉伸起始溫度過低，則薄膜容易發(fā)生破裂。若橫向拉伸最高溫度比(Tm-120)。C低，則所得薄膜的熱收縮率增大，作為寬度方向的物性的均勻性容易降低。而若橫向拉伸最高溫度比(Tm-30)。C高，則薄膜過于柔軟，成膜中容易發(fā)生薄膜的破裂。橫向拉伸過程的升溫可以是連續(xù)性也可以是階段性(依次)，通常是階段性升溫。例如，沿著薄膜的移動方向，將拉幅機(jī)的橫向拉伸區(qū)域分成多個，在每個區(qū)域通入規(guī)定溫度的加熱介質(zhì)來升溫。橫向拉伸倍率可根據(jù)所使用的用途的要求適當(dāng)調(diào)節(jié)，優(yōu)選2.5倍以上5.0倍以下，進(jìn)一步優(yōu)選3.0倍以上4.5倍以下。橫向拉伸倍率未達(dá)到下限時，薄膜的厚度不均增大，無法獲得良好的薄膜。橫向拉伸倍率超過上限時，成膜中容易發(fā)生斷裂。雙軸拉伸的薄膜在之后可根據(jù)需要實施熱定型處理。通過實施熱定型處理，可以提高所得薄膜在高溫條件下的尺寸穩(wěn)定性。本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜為聚2,6-萘二曱酸乙二醇酯薄膜時，200。C的熱收縮率優(yōu)選為-33。/。，進(jìn)一步優(yōu)選-22%，特別優(yōu)選-11%。20(TC下的熱收縮率未達(dá)到上述范圍時，在該薄膜上蒸鍍金屬膜、制備層合薄膜，由此制備薄膜電容器時，基底薄膜或金屬膜上均會產(chǎn)生鈹褶。為了使200。C下的熱收縮率在上述范圍內(nèi)，優(yōu)選在(Tm-lOO)°C以上、進(jìn)一步優(yōu)選(Tm-70;TC(Tm-40)。C的范圍內(nèi)進(jìn)行熱定型處理。為了抑制熱收縮，本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜可進(jìn)一步在生產(chǎn)線下工序中、在150~220°C下進(jìn)行160秒的熱處理，然后實施在50~80°C的溫度氣氛下緩慢冷卻的退火處理。就本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜而言，為了提高自由基捕捉型穩(wěn)定劑在薄膜中的分散性，可以以l)的方法作為主要方法制備聚酯樹脂組合物，然后進(jìn)一步進(jìn)行熔融混煉處理?；鞜挿椒]有特別限定?；鞜捓缈墒褂脝屋S混煉機(jī)、雙軸混煉機(jī)和捏合機(jī)進(jìn)行。熔融混煉處理溫度為比樹脂成分熔融的溫度高5100。C的溫度，特別優(yōu)選比樹脂熔點高1060。C的溫度。過于高溫，則發(fā)生樹脂的分解或異常反應(yīng)?；鞜捥幚頃r間至少在30秒以上15分鐘以內(nèi)，優(yōu)選110分鐘。<功能層>本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜是為了具有其它功能而在至少一面上進(jìn)一步層合有其它層的雙軸取向?qū)雍媳∧?。例如，為了改善自動強化?七凡7匕一)j>夕"性)，可以在雙軸取向薄膜的至少一面上進(jìn)一步具有含有含氧原子的化合物的層。在該層的表面，通過X射線光電子分光法測定的氧原子與碳原子的比例優(yōu)選10%以上、進(jìn)一步優(yōu)選15%以上。作為含氧原子化合物例如有纖維素、Si02。為Si02時，可以通過真空蒸鍍、離子噴鍍或濺射等任意方法層合。該功能層可以是金屬層。金屬層的材質(zhì)沒有特別限定，例如有鋁、鋅、鎳、鉻、錫、銅和它們的合金。金屬層可以是真空蒸鍍、濺射、經(jīng)由粘合劑的涂布的任意方法層合。<用途>本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜在從室溫到高溫范圍都具有優(yōu)異的耐電壓特性，因此適合用作電絕緣薄膜，特別優(yōu)選用作使用環(huán)境涉及高溫的電絕緣用途的電絕緣薄膜。具體來說，可作為薄膜電容器、槽楔件或槽隙件等的馬達(dá)絕緣部件、柔性印刷線路基板、扁型電纜等電絕緣用途的基底薄膜。這些電絕緣用途中，例如薄膜電容器可通過如下方法獲得在本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜的一面上層合金屬層，將所得的層合薄膜進(jìn)行巻曲或?qū)雍?。柔性印刷線路基板可通過如下方法獲得在本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜的至少一面上層合含有銅箔或?qū)щ姖{的金屬層、在金屬層上形成^[敞細(xì)的電路圖案。槽楔件或槽隙件等馬達(dá)絕緣材料可以通過如下方法獲得使用帶R的沖壓床將本發(fā)明的雙軸取向聚酯薄膜進(jìn)行變形加工。上述電絕緣用途中，特別適合在薄膜上設(shè)置金屬層的電絕緣用途，適合用作薄膜電容器、柔性印刷線路基板等電絕緣用途。實施例以下使用實施例詳細(xì)說明本發(fā)明，本發(fā)明的范圍并不受這些實施例的限定。此外，實施例中的各評價項目按照下述方法測定和評價。如無特別限定，實施例中的份和％分別指重量份和重量％。(1)自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量將20mg薄膜樣品溶解于氘代三氟乙酸:氘代氯仿=1:1的混合溶劑中，使用600M的'H-NMR裝置、以累積次數(shù)256次測定求出。(2)與聚酯化學(xué)鍵合的自由基捕捉型穩(wěn)定劑的比例將薄膜樣品溶解于六氟異丙醇和氯仿的混合溶劑中，然后加入甲醇再沉淀，分離沉淀的聚合物，加入曱醇進(jìn)行超聲波清洗，除去殘留的低分子成分。將所得^f羊品減壓干燥，將20mg樣品溶解于氘代三氟乙酸:氘代氯仿=1:1的混合溶劑中，使用600M的'H-NMR裝置、以累積次數(shù)256次進(jìn)行測定，求出自由基捕捉型穩(wěn)定劑與聚酯化學(xué)鍵合的量。需說明的是，自由基捕捉型穩(wěn)定劑量的檢測限值為200ppm。(3)室溫下的絕緣破壞電壓使用所得雙軸取向聚酯薄膜，按照J(rèn)IS標(biāo)準(zhǔn)C2151所述的DC試驗中的平板電極法，使用東京精電(林)制備的ITS-6003,以0.1kV/秒的升壓速度測定，以破壞時的電壓作為絕緣破壞電壓測定。測定按照n=50進(jìn)行，將平均值作為絕緣破壞電壓。需說明的是，測定在25°C的室溫下實施。(4)高溫下的絕緣破壞電壓按照J(rèn)IS標(biāo)準(zhǔn)K6911,使用所得雙軸取向聚酯薄膜，使用如下條件試驗片尺寸10cmxlOcm，電極形狀上部電極020mm的球狀、下部電極lOOmmxlOOmmxlOOpm厚(不銹鋼制)，升壓速度DCO.lkV/秒，實驗氣氛硅油中(JISc2320絕緣油適用品)，實驗裝置耐電壓試驗器TOS5101(菊水電子工業(yè)(株)制備)，在150。C的溫度下以n=3測定，求出各平均值。(5)絕緣破壞電壓差(BDVt25^50)使用按照(3)、(4)的方法求出的各溫度的絕緣破壞電壓值，由25°C下的絕緣破壞電壓減去150。C下的絕緣破壞電壓，求出絕緣破壞電壓差。.(6)長期加熱后的絕緣破壞電壓將所得雙軸取向聚酯薄膜在吉爾烘箱中靜置，在150°C下進(jìn)行300小時加熱處理，然后將從烘箱中取出的薄膜在室溫下靜置，之后測定25°C下的絕緣破壞電壓。所述絕緣破壞電壓的測定方法按照(3)的方法。(7)薄膜厚度使用電子測微計(ANRITSU公司制備的商品名"K-312A型")，以針壓30g測定薄膜厚度。(8)薄膜中的金屬元素的測定.將5g薄膜在熱板上加熱至310°C,熔解，制備平板狀的盤。4吏用理學(xué)電氣(抹)制備的熒光X射線3270E型測定該盤，測定該盤中所含的各元素量。20<鈥催化劑PEN聚合物的制備方法〉Pl:將100份2,6-萘二曱酸二曱S旨(以下稱為NDC)、60份乙二醇(以下稱為EG)和鈦化合物(添加偏苯三酸鈦，以使鈦元素量為15。/。mmol)加入到SUS制容器中，由140。C升溫至240°C，同時進(jìn)行酯交換反應(yīng)，然后將反應(yīng)混合物轉(zhuǎn)移至聚合反應(yīng)器中，升溫至295°C,在30Pa以下的高真空下進(jìn)行縮聚反應(yīng)，得到固有粘度0.6dl/g的聚酯(聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯)。<含自由基捕捉型穩(wěn)定劑的PEN聚合物的制備方法>P2:將由Pl的方法得到的聚酯、以及作為自由基捕捉型穩(wěn)定劑的酚系穩(wěn)定劑"Irganox(注冊商標(biāo))IOIO"加入到設(shè)定溫度300。C的雙軸擠出機(jī)中，進(jìn)行熔融混煉，得到聚酯樹脂組合物。使用酚系穩(wěn)定劑，以使其含量相對于聚酯的重量為2ff%(20xl03ppm)。<含自由基捕捉型穩(wěn)定劑的PEN聚合物的制備方法>P3:將由Pl的方法得到的聚酯、以及作為自由基捕捉型穩(wěn)定劑的酴系穩(wěn)定劑"Irganox(注冊商標(biāo))1330"加入到設(shè)定溫度300。C的雙軸擠出機(jī)中，進(jìn)行熔融混煉，得到聚酯樹脂組合物。使用酚系穩(wěn)定劑，以使其含量相對于聚酯的重量為2.8重量。/。(28xioSppm)。<銻催化劑PEN聚合物的制備方法>P4:在乙酸錳的存在下，將100份萘-2,6-二曱酸二曱酯和60份乙二醇按照常規(guī)方法進(jìn)行酯交換反應(yīng)，然后添加三氧化銻，以使銻元素量為300ppm，按照常規(guī)方法進(jìn)行縮聚，得到聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯。本聚酯中各原子的濃度是Mn-50ppm,Sb=300ppm。<含自由基捕捉型穩(wěn)定劑的PEN聚合物的制備方法〉P5:將按照P4的方法使用銻催化劑得到的聚酯和作為自由基捕捉型穩(wěn)定劑的酚系穩(wěn)定劑"Irganox(注冊商標(biāo))IOIO，，加入到設(shè)定溫度300。C的雙軸擠出機(jī)中，進(jìn)行熔融混煉，得到聚酯樹脂組合物。使用酚系穩(wěn)定劑，以使其含量相對于聚酯的重量為0.5fi%(5xl03ppm)。<含自由基捕捉型穩(wěn)定劑的PEN聚合物的制備方法〉P6:使用按照Pl的方法得到的聚酯和作為自由基捕捉型穩(wěn)定劑的酚系穩(wěn)定劑"Irganox(注冊商標(biāo))1010"，加入到設(shè)定溫度300。C的雙軸擠出機(jī)中，進(jìn)行熔融混煉，得到聚酯樹脂組合物。使用酚系穩(wěn)定劑，以使其含量相對于聚酯的重量為6重量Q/Q(60xlOpm)。<含自由基捕捉型穩(wěn)定劑的PEN聚合物的制備方法>P7:將100份2,6-萘二曱酸二曱酯、60份乙二醇、鈦化合物(添加偏苯三酸鈥，以使鈦原子的量為15%mmol)、以及相對于聚合物重量為8xl03ppm的酚系穩(wěn)定劑"Irganox(注冊商標(biāo))IOIO，，加入到SUS制容器中，由140。C升溫至240°C，同時進(jìn)行酯交換反應(yīng)，然后將反應(yīng)混合物轉(zhuǎn)移至聚合反應(yīng)器中，升溫至295。C，在30Pa以下的高真空下進(jìn)行縮聚反應(yīng)，得到固有粘度為0.6dl/g的聚2，6-萘二曱酸乙二醇酯。P8:將100份2,6-萘二曱酸二曱酯、60份乙二醇、鈦化合物(添加偏苯三酸鈥，以使鈦原子的量為15%mmol)、以及相對于聚合物重量為20xlOpm的酚系穩(wěn)定劑"Irganox(注冊商標(biāo))IOIO"加入到SUS制容器中，由140。C升溫至240°C,同時進(jìn)行酯交換反應(yīng)，然后將反應(yīng)混合物轉(zhuǎn)移至聚合反應(yīng)器中，升溫至295。C,在30Pa以下的高真空下進(jìn)行縮聚反應(yīng)，但中途熔融粘度過高，超過了聚合裝置的熔融攪拌的上限。實施例1將P2的聚合物在180。C下干燥6小時，然后供給加熱至300。C的擠出機(jī)，由290。C的模頭成型為片狀。進(jìn)一步將用表面溫度60。C的冷卻轉(zhuǎn)鼓冷卻固化該片材而獲得的未拉伸薄膜導(dǎo)入加熱至140。C的輥組中，以3.6倍沿長度方向(縱向)拉伸，然后用60。C的輥組冷卻。接著，將經(jīng)縱向拉伸的薄膜兩端用夾具保持，同時導(dǎo)入拉幅機(jī)中，在橫向拉伸最高溫度加熱至150。C的氣氛中，以4.0倍沿與長度方向垂直的方向(橫向)拉伸。然后在拉幅機(jī)內(nèi)、在210°C下進(jìn)行5秒熱定型，進(jìn)一步在200。C下進(jìn)行l(wèi)。/。熱弛豫，然后均勻緩慢冷卻，冷卻至室溫，得到3pm厚度的雙軸取向聚酯薄膜。實施例2-4和比較例1-5除變更為表1所述的聚合物之外，進(jìn)行與實施例1同樣的操作，得到3pm厚的雙軸取向聚酯薄膜。由表l可知，隨著自由基捕捉型穩(wěn)定劑含量增多，25。C和150°C下的絕緣破壞電壓均提高。而且，含有自由基捕捉型穩(wěn)定劑的薄膜與不含有自由基捕捉型穩(wěn)定劑的薄膜相比，25。C和150。C下的絕緣破壞電壓差減小，高溫范圍的絕緣破壞電壓特性提高。并且，這些耐電壓特性由于使用鈦化合物作為催化劑而進(jìn)一步提高。自由基捕捉型穩(wěn)定劑中與聚酯化學(xué)鍵合的量為200卯m以下，由此，同自由基捕捉型穩(wěn)定劑與聚酯樹脂化學(xué)鍵合的量超過200ppm的比較例相比，可良好地保持長期加熱后的耐電壓特性。<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>如上所述，本發(fā)明的薄膜在室溫至高溫范圍均具有高的耐電壓特性，且長期加熱處理后仍可保持高耐電壓特性，因此適合作為電絕緣用薄膜。例如可用作薄膜電容器或馬達(dá)絕緣、柔性印刷線路基板的絕緣薄膜等。特別適合用作在需要高溫環(huán)境下的長期可靠性的汽車發(fā)動機(jī)室內(nèi)使用的電容器的絕緣薄膜。2權(quán)利要求1.電絕緣用雙軸取向聚酯薄膜，其特征在于該薄膜由至少一層含聚酯的層形成，該至少一層的聚酯含有作為催化劑的鈦化合物和自由基捕捉型穩(wěn)定劑，相對于聚酯以重量計，該自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量為1,000～50,000ppm，其中，與聚酯化學(xué)鍵合的比例不超過200ppm。2.權(quán)利要求1的電絕緣用雙軸取向聚酯薄膜，其中，自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量為16,000-50,000卯m。3.權(quán)利要求1或2的雙軸取向聚酯薄膜，其中，自由基捕捉型穩(wěn)定劑為選自酚系穩(wěn)定劑和胺系穩(wěn)定劑的至少一種。4.權(quán)利要求1~3中任一項的雙軸取向聚酯薄膜，其中，自由基捕捉型穩(wěn)定劑的熔點為200°C以上。5.權(quán)利要求14中任一項的雙軸取向聚酯薄膜，其中，上述至少一層聚酯是聚2，6-萘二曱酸乙二醇酯。6.權(quán)利要求1~5中任一項的雙軸取向聚酯薄膜，其中，下式(l)所示的絕緣破壞電壓差為50~110V/nm，且150。C下的絕縛-破壞電壓BDVt!5o為280V/,以上，絕緣破壞電壓差BDVt25-BDVuso…(l)式中，BDVt25表示25。C下的絕緣破壞電壓，單位為V/pm，BDVtl50表示150。C下的絕緣破壞電壓，單位為V/(im。7.權(quán)利要求1~6中任一項的雙軸取向聚酯薄膜，其中，150。C下加熱處理300小時后的25。C下的絕緣破壞電壓為380V/|im以上。8.權(quán)利要求1~7中任一項的雙軸取向聚酯薄膜，其中，上述至少一層聚酯含有0.0001~1重量％的惰性顆粒。9.權(quán)利要求18中任一項的雙軸取向聚酯薄膜，該薄膜為薄膜電容器用或馬達(dá)絕緣用。10.雙軸取向?qū)雍媳∧?，該層合薄膜在?quán)利要求1~9中任一項的雙軸取向聚酯薄膜的至少一面上層合有金屬層。11.電絕緣薄膜，該電絕緣薄膜含有權(quán)利要求1~9中任一項的雙軸取向聚酯薄膜。全文摘要本發(fā)明提供在室溫至高溫范圍具有高耐電壓特性、且長期熱處理后仍可保持高耐電壓特性、適合電絕緣用途的雙軸取向聚酯薄膜。本發(fā)明的電絕緣用雙軸取向聚酯薄膜是由至少一層含聚酯的層形成的薄膜，該至少一層的聚酯含有作為催化劑的鈦化合物和自由基捕捉型穩(wěn)定劑，相對于聚酯以重量計，該自由基捕捉型穩(wěn)定劑的含量為1,000～50,000ppm，其中，與聚酯化學(xué)鍵合的比例不超過200ppm。文檔編號B29K67/00GK101681701SQ20088001871公開日2010年3月24日申請日期2008年5月28日優(yōu)先權(quán)日2007年6月4日發(fā)明者吉田哲男申請人:帝人杜邦薄膜日本有限公司