本實(shí)用新型涉及的是廢料離解設(shè)備，具體涉及一種利用渦旋狀高溫區(qū)離解廢料的設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著科技的發(fā)展，越來越多的工業(yè)垃圾和生活垃圾已經(jīng)成為嚴(yán)重影響生態(tài)環(huán)境的重大因素，在廢料處理的方法上，人們采用過填埋的方法和焚燒的方法，但是都各有弊端，填埋法容易造成土壤和地下水污染，焚燒法容易造成大氣污染。因此人們更多的開始考慮離解廢料的方法來處理工業(yè)垃圾和生活垃圾。離解是將廢料直接離解成離子狀態(tài)，并在高溫環(huán)境中進(jìn)行離子重組形成可回收利用的其他物質(zhì)。因此，離解廢料的方法對離解高溫設(shè)備的結(jié)構(gòu)有很高的要求。

現(xiàn)在的工業(yè)垃圾和生活垃圾開始采用等離子氣化爐的方法進(jìn)行處理，在使用氣化爐時，一般是利用微波激發(fā)的等離子體對廢料進(jìn)行離解處理或者采用電弧等離子體發(fā)生器產(chǎn)生等離子體對廢料進(jìn)行離解，但是單純的微波等離子或者電弧等離子的離解效率往往不是很高，廢料離解的程度也不是很徹底，且各有缺陷，使用電弧等離子體雖然可形成局部高溫，能氣化較難氣化的固體廢物，對進(jìn)料尺寸要求較寬，但耗電較高，且溫度不均勻；而微波等離子體雖然分布溫度均勻，但進(jìn)料尺寸要求較嚴(yán)，才能產(chǎn)生較好的離解效果，或者是將微波等離子體或電弧等離子體采用對心噴射的方式組裝使用，但是都不能達(dá)到更好的處理效果，技術(shù)的發(fā)展要求在氣化爐上設(shè)計出更好的結(jié)構(gòu)，以達(dá)到更好的處理效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足和現(xiàn)實(shí)的市場需求，本實(shí)用新型提供一種利用微波和電弧相結(jié)合的方法產(chǎn)生旋渦狀高溫區(qū)的設(shè)備，在設(shè)備的中心區(qū)域形成一個1500℃以上的旋渦狀高溫區(qū)，使得經(jīng)過高溫離解形成的離子在渦旋狀結(jié)構(gòu)中能夠充分重組，讓廢料離解的更加徹底。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：

一種渦旋高溫生成設(shè)備，包括柱體框架，微波發(fā)生器，電弧等離子體發(fā)生器，其中，所述的微波發(fā)生器和電弧等離子體發(fā)生器按上下結(jié)構(gòu)分兩層分別偏心安裝在爐柱體框架上，且每層微波發(fā)生器和電弧等離子體發(fā)生器安裝數(shù)量為3至12 個。

作為優(yōu)選方案，所述的微波發(fā)生器為4個并且安裝孔軸線相對于爐柱體框架的中心徑線順時針方向或逆時針方向偏轉(zhuǎn)度數(shù)大于0度小于等于30度。

作為優(yōu)選方案，所述的微波發(fā)生器安裝孔軸線相對于爐柱體框架中心徑線順時針方向或逆時針方向偏轉(zhuǎn)度數(shù)大于等于5度小于等于20度。

作為優(yōu)選方案，所述的微波發(fā)生器安裝孔軸線相對于爐柱體框架中心徑線順時針方向或逆時針方向偏轉(zhuǎn)度數(shù)大于等于8.5度小于等于16.7度。

作為優(yōu)選方案，所述的電弧等離子體發(fā)生器為4個且安裝孔軸線與爐柱體框架中心徑線順時針方向或逆時針方向偏轉(zhuǎn)度數(shù)大于0度小于等于30度。

作為優(yōu)選方案，所述的電弧等離子體發(fā)生器安裝孔軸線相對于爐柱體框架中心徑線順時針方向或逆時針方向偏轉(zhuǎn)度數(shù)大于等于5度小于等于20度。

作為優(yōu)選方案，所述的電弧等離子體發(fā)生器安裝孔軸線相對于爐柱體框架中心徑線順時針方向或逆時針方向偏轉(zhuǎn)度數(shù)大于等于8.5度小于等于16.7度。

本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型能夠在柱體框架中心形成一個渦旋狀高溫區(qū)，使得經(jīng)過高溫離解形成的離子在渦旋狀結(jié)構(gòu)中能夠充分重組，讓廢料離解的更加徹底，尤其是在微波發(fā)生器和電弧等離子體發(fā)生器采取反向偏轉(zhuǎn)的情況下，柱體框架中心會形成兩個反向的渦旋高溫區(qū)，從而達(dá)到更好的離解效果。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型微波發(fā)生器和電弧等離子發(fā)生器在爐柱體的安裝示意圖

圖2是本實(shí)用新型微波發(fā)生器安裝示意圖

圖3是本實(shí)用新型電弧等離子體發(fā)生器安裝示意圖

具體實(shí)施方式

為了更加清楚地理解本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及有益效果，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說明，但并不將本實(shí)用新型的保護(hù)范圍限定在以下實(shí)施例中。

如圖1所示，渦旋高溫生成設(shè)備包括了兩套高溫生成器件，分別是微波發(fā)生器2和電弧等離子體發(fā)生器3，并按上下結(jié)構(gòu)分兩層分別安裝在爐柱體框架上。其中的微波發(fā)生器2和電弧等離子體發(fā)生器3的數(shù)目最少是3個最多是12個，3個是形成渦旋狀高溫區(qū)的最低數(shù)目，同時為了避免安裝過程的復(fù)雜化和實(shí)現(xiàn)更好的渦旋高溫結(jié)構(gòu)，微波發(fā)生器2和電弧等離子體發(fā)生器3的最大數(shù)目限制在12 個為宜，一般安裝4個或8個。如圖2所示，可在設(shè)備的爐柱體框架1上面安裝四個逆時針偏轉(zhuǎn)的微波發(fā)生器2，其中，微波發(fā)生器2的軸線相對于爐柱體框架1的中心徑線順時針偏轉(zhuǎn)合理的角度，這樣就保證了在爐柱體框架的中心位置形成一個圖示的渦旋狀微波輻射高溫區(qū)。如圖3所示，在微波發(fā)生器2的下面安裝四個順時針偏轉(zhuǎn)的電弧等離子體發(fā)生器3，其中，電弧等離子體發(fā)生器3的軸線相對于爐柱體框架1的中心徑線逆時針偏轉(zhuǎn)合理的角度，同樣能夠保證在柱體框架的中心位置形成一個圖示的渦旋狀等離子體高溫區(qū)。對于每個器件的安裝口軸線偏離爐柱體框架1的中心徑線度數(shù)θ，一般在(0°，30°]的左開右閉區(qū)間范圍之內(nèi)，較好的是在[5°,20°]的閉區(qū)間，最好是將偏轉(zhuǎn)度θ限制在[8.5°，16.7°]的閉區(qū)間內(nèi)，由微波發(fā)生器所發(fā)出的頻率以及振動方向相同，并且存在固定相位差的幾列微波相互干涉，產(chǎn)生一個渦旋狀高溫區(qū)域，所述的電弧等離子發(fā)生器激發(fā)的等離子體也以渦旋狀形態(tài)生成一個高溫區(qū)域，這樣就在爐柱體框架中形成了兩個渦旋高溫區(qū)，渦旋高溫的效果如圖1和圖2中的中心位置虛線所示，圖中的虛線僅僅顯示一種渦旋狀的效果示意，并不代表任何的實(shí)體結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型還包括其他多種實(shí)施方案，比如所述的微波發(fā)生器2和電弧等離子體發(fā)生器3都采用順時針方向安裝相同的偏轉(zhuǎn)度或者不同的偏轉(zhuǎn)度，或者都采用逆時針方向安裝相同或者不同的偏轉(zhuǎn)度，或者微波發(fā)生器2按照一定偏轉(zhuǎn)度順時針或逆時針安裝而電弧等離子體發(fā)生器3按照一定偏轉(zhuǎn)度逆時針或順時針安裝。上述實(shí)施例所述的微波發(fā)生器2和電弧等離子體發(fā)生器3按上下結(jié)構(gòu)分兩層分別安裝在爐柱體框架上包括了微波發(fā)生器2安裝在電弧等離子體發(fā)生器上面和下面兩種情況?？傊?，在不違背本實(shí)用新型的發(fā)明構(gòu)思前題下所作的任何變動，均在本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。