專(zhuān)利名稱(chēng)：襯底處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓等襯底處理，尤其是清洗及干燥處理時(shí)所使用 的替代襯底，與使用該替代襯底(dummy substrate)的襯底處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路器件的制造上，基本工序中有清洗工序與干燥工 序。清洗工序中向來(lái)廣泛使用槽式清洗方法。該方法是將半導(dǎo)體襯底浸泡 于放滿含酸或堿的清洗藥液的耐藥性清洗槽中，以去除半導(dǎo)體主面的污染 物質(zhì)。
在槽式而且是藥液循環(huán)式的清洗設(shè)備中，借助泵與過(guò)濾器將清洗槽中 的藥液加以循環(huán)進(jìn)行每批量(例如同時(shí)制造的半導(dǎo)體襯底25張等一單位、 lot)的清洗處理。由于該設(shè)備使用大量藥液，在節(jié)省資源的意義上產(chǎn)生問(wèn) 題。而且，由于是批式(batch)處理方法，因此出現(xiàn)了同制造批量?jī)?nèi)清洗程 度不一的問(wèn)題。
為了解決所述問(wèn)題，開(kāi)發(fā)出了使用滾筒的筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備。該設(shè)備 除了清洗處理藥液的使用量只需少量之外，還具有迅速且清洗后不殘留藥 液的穩(wěn)定清洗能力，能夠降低同批量?jī)?nèi)清洗不一的程度。因此，現(xiàn)在受到 廣泛使用。(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)l)
以下，參照


現(xiàn)有技術(shù)的筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備。
圖5為從側(cè)面所見(jiàn)筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備的內(nèi)部構(gòu)造的一例。
如圖5所示在圓筒形的處理反應(yīng)室(chamber)10內(nèi)部中設(shè)置旋轉(zhuǎn)臺(tái)11，
在旋轉(zhuǎn)臺(tái)11底面且為旋轉(zhuǎn)軸的位置連接軸12，軸12則連接到處理反應(yīng)室
10下方的馬達(dá)13。通過(guò)馬達(dá)13的旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)11借助軸12，能夠達(dá)到 如1000rpm以上的高速旋轉(zhuǎn)。
旋轉(zhuǎn)臺(tái)11上設(shè)置了固定卡盤(pán)(casstte) 14的棒狀導(dǎo)桿15?？ūP(pán)14中 收納了多個(gè)半導(dǎo)體襯底等的被處理襯底16與替代襯底17，使卡盤(pán)14借助 棒狀導(dǎo)桿15，以對(duì)稱(chēng)于旋轉(zhuǎn)臺(tái)11的旋轉(zhuǎn)軸的方式予以設(shè)置。下面參照?qǐng)D 6，進(jìn)一步說(shuō)明有關(guān)卡盤(pán)14及導(dǎo)桿15的設(shè)置。
在這里，替代襯底17為不具備成為實(shí)際制品的電子元件的襯底，例 如硅襯底或是硅襯底上形成氧化膜或氮化硅膜的襯底等。
在清洗設(shè)備上蓋18的中心部分，設(shè)置了與上蓋18垂直突出的噴灑管 (spray nozzle)19， 一旦關(guān)上上蓋18，噴灑管將位于旋轉(zhuǎn)臺(tái)11的旋轉(zhuǎn)軸上 方。進(jìn)行清洗時(shí)，從噴灑管19能夠朝著被處理襯底16及替代襯底17，橫 向噴灑含酸或堿等的清洗用藥液20。通過(guò)藥液供給管21，將清洗用藥液 20從清洗設(shè)備外部供應(yīng)到內(nèi)部。
進(jìn)行清洗時(shí)，將清洗用藥液20噴灑到被處理襯底16或替代襯底17， 同時(shí)使卡盤(pán)14與旋轉(zhuǎn)臺(tái)11 一起旋轉(zhuǎn)，通過(guò)這一過(guò)程能夠均勻清洗。
除了清洗用藥液之外，噴灑管19也能夠噴灑純水，在距離旋轉(zhuǎn)臺(tái)11 的周邊上設(shè)置了輔助用的噴灑純水的輔助噴灑管22。純水由純水供給管 23供給。
圖6為從上面所見(jiàn)筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備的內(nèi)部構(gòu)成的一例。 圖6顯示了旋轉(zhuǎn)臺(tái)11、設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)11上的卡盤(pán)14、固定卡盤(pán)14 的導(dǎo)桿15、以及卡盤(pán)中合計(jì)的多個(gè)被處理襯底16與替代襯底17，其他構(gòu) 成部分予以省略。如圖6所示，旋轉(zhuǎn)臺(tái)11上設(shè)置四組(8支)導(dǎo)桿15， 每一組導(dǎo)桿15固定了一個(gè)卡盤(pán)14。通過(guò)導(dǎo)桿15的使用，能夠?qū)蓚€(gè)或四 個(gè)卡盤(pán)14，對(duì)稱(chēng)于旋轉(zhuǎn)軸而設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)11上。
類(lèi)似上述使用筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備進(jìn)行清洗與干燥時(shí)，經(jīng)常使用替代襯 底17。使用替代襯底17主要有兩個(gè)目的。
其一在于防止微粒(particle)附著到被處理襯底16。 如圖5所見(jiàn)，在筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備的處理反應(yīng)室10內(nèi)部，縱向固定 了卡盤(pán)14。清洗后持續(xù)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥，但是，進(jìn)行干燥時(shí)隨著旋轉(zhuǎn)臺(tái)11
的旋轉(zhuǎn)，處理反應(yīng)室10內(nèi)部的一部分微粒也被巻起浮游于處理反應(yīng)室內(nèi)。 這些微粒有時(shí)會(huì)附著在卡盤(pán)14中的被處理襯底16，成為制造成品率下降
的原因。尤其是，卡盤(pán)14中多個(gè)被處理襯底16的最上部的被處理襯底16
容易附著微粒。
這里，在卡盤(pán)的最上部改為收納替代襯底17，取代形成有電子元件的 被處理襯底16。這樣一來(lái)，微粒將會(huì)優(yōu)先附著在替代襯底17上，附著在 被處理襯底16的情況變得極少，因此能夠防止制造成品率下降。
另一目的為取得旋轉(zhuǎn)時(shí)的平衡。
卡盤(pán)14與收納在卡盤(pán)14的多個(gè)被處理襯底16以及替代襯底17的總 質(zhì)量(以下稱(chēng)為卡盤(pán)總質(zhì)量)，所有的卡盤(pán)14均相同的話，由于卡盤(pán)14 對(duì)稱(chēng)于旋轉(zhuǎn)軸設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)11上，因此旋轉(zhuǎn)時(shí)能夠取得平衡。但是，如 果多個(gè)卡盤(pán)14的任一的卡盤(pán)總質(zhì)量不同于其他卡盤(pán)時(shí)，將造成旋轉(zhuǎn)時(shí)無(wú) 法取得平衡。為了防止這樣的情況，追加收納替代襯底17，使得所有的卡 盤(pán)14的卡盤(pán)總質(zhì)量一致。在這一目的下使用替代襯底'17。
有關(guān)這一點(diǎn)，以下舉出具體例子說(shuō)明。
在圖6所示的筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備中能夠設(shè)置四個(gè)卡盤(pán)14。因此，進(jìn)行 清洗與干燥處理時(shí)， 一次處理的被處理襯底16的數(shù)目若是4的倍數(shù)，四 個(gè)卡盤(pán)14中各自能夠收納相同數(shù)目的被處理襯底16。這時(shí)，在四個(gè)卡盤(pán) 14中的卡盤(pán)總質(zhì)量相等，因此能夠取得質(zhì)量平衡保持旋轉(zhuǎn)時(shí)的平衡。
但是，如果一次處理的被處理襯底16的數(shù)目不是4的倍數(shù)時(shí)，某個(gè) 或是某幾個(gè)卡盤(pán)14中收納的被處理襯底的數(shù)目，比其他卡盤(pán)14多。結(jié)果， 該卡盤(pán)14或某幾個(gè)卡盤(pán)14的卡盤(pán)總質(zhì)量不同于其他卡盤(pán)14，則旋轉(zhuǎn)卡盤(pán) 14進(jìn)行清洗干燥處理時(shí)將產(chǎn)生偏心狀態(tài)。
還有，如圖6所示的筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備中，也能夠只設(shè)置兩個(gè)卡盤(pán)14。 這時(shí)， 一次處理的被處理襯底16數(shù)目若為奇數(shù)，詞樣會(huì)產(chǎn)生偏心狀態(tài)。
在這樣偏心的狀態(tài)下使旋轉(zhuǎn)臺(tái)11進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)時(shí)，離心力將造成筒 式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備本身振動(dòng)。該振動(dòng)激烈時(shí)，有時(shí)可能造成筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè) 備本身、被處理襯底16及替代襯底17的破損。
通常筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備本身設(shè)有連鎖(interlock)機(jī)能， 一旦發(fā)生偏 心狀態(tài)時(shí)機(jī)器即停止運(yùn)轉(zhuǎn)。但是，為了進(jìn)行清洗有必要防止偏心這一狀態(tài)的發(fā)生，因此，必須使所有卡盤(pán)14的卡盤(pán)總質(zhì)量相同。為此，在被處理
襯底16數(shù)目較少的卡盤(pán)14中，追加收納替代襯底17。這樣一來(lái)，使每個(gè) 卡盤(pán)14收納的被處理襯底16與替代襯底17的總數(shù)(以下稱(chēng)為收納襯底 總數(shù))相同。這樣一來(lái)，由于被處理襯底16與替代襯底17幾乎在質(zhì)量上 相等，因此能夠取得質(zhì)量平衡。
由于每批量被處理襯底16的數(shù)目經(jīng)常不同，通過(guò)調(diào)節(jié)每批量替代襯 底17的使用張數(shù)將能夠取得旋轉(zhuǎn)平衡。
但是電子元件的工藝由100道以上的工序構(gòu)成，在上述的清洗干燥工 序以外，也使用沒(méi)有具備電子元件的襯底。本說(shuō)明書(shū)中，將這類(lèi)未具備電 子元件的襯底統(tǒng)稱(chēng)為替代襯底。具體的有，測(cè)試各工藝制造條件時(shí)使用的 「條件決定襯底」(測(cè)試襯底)，干式蝕刻及CVD工序中使半導(dǎo)體制造器件 的制造條件穩(wěn)定時(shí)使用的替代襯底等。
半導(dǎo)體器件等生產(chǎn)量愈大時(shí)，所需的替代襯底數(shù)目愈多，由于牽涉到 高成本化，因此，能夠重復(fù)使用而廉價(jià)的替代襯底將被受期待。(例如參 照專(zhuān)利文獻(xiàn)2)
專(zhuān)利文獻(xiàn)1 特開(kāi)2002-52358號(hào)公報(bào)
專(zhuān)利文獻(xiàn)2特開(kāi)2000-272910號(hào)公報(bào)
但是，現(xiàn)有的替代襯底有著以下所述課題。
半導(dǎo)體工藝過(guò)程中現(xiàn)有的替代襯底為硅襯底或是表面覆蓋氧化硅膜 或氮化硅膜等絕緣膜的硅襯底等。
在每項(xiàng)處理工藝中反覆使用的這些替代襯底具有高耐藥性。然而，在 使用高溫的NH40H及H202的混合溶液等蝕刻性藥液進(jìn)行清洗工序中， 隨著處理次數(shù)的增加，受到蝕刻而厚度逐漸減少。結(jié)果，機(jī)械強(qiáng)度劣化， 一定使用期限后必須予以交換。
持續(xù)使用強(qiáng)度劣化的替代襯底的話，在設(shè)備內(nèi)進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)處理時(shí)， 破損的可能性增大，破損時(shí)將從替代襯底材料產(chǎn)生碎片及粉末。產(chǎn)生的碎 片與粉末，將污染同批處理的形成電子元件制品的襯底成為制造成品率下 降的原因，并且也污染筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備的處理反應(yīng)室。
一旦成為這樣狀態(tài)時(shí)，將必須清洗處理反應(yīng)室，使其微粒分布恢復(fù)到 能夠制造集成電路的程度。但是這非常困難，因此通常不是進(jìn)行清洗而是
交換處理反應(yīng)室本身。這樣一來(lái)，筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備的修理成本高，而且 在修理中無(wú)法進(jìn)行生產(chǎn)。
由上述可知，現(xiàn)有的替代襯底使用方法有著生產(chǎn)成本上升的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于前，本發(fā)明的目的在于提供優(yōu)良耐久性的替代襯底，供半導(dǎo) 體器件工藝過(guò)程的各工序中、尤其是清洗及干燥工序中使用。同時(shí)通過(guò)該 替代襯底的使用，減少替代襯底的交換次數(shù)與損壞率，以提供一種襯底處 理方法，能夠降低筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備等處理設(shè)備的停工頻率與生產(chǎn)成本。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明所涉及的替代襯底為與被處理襯底實(shí)質(zhì)上 有著相等質(zhì)量的替代襯底，而且，由至少在周緣部分為樹(shù)脂覆蓋的板狀構(gòu)
件(member)構(gòu)成。
這樣一來(lái)，覆蓋樹(shù)脂提高了替代襯底的強(qiáng)度，同時(shí)能夠抑制破損，并
且減輕破損時(shí)碎片的飛散。而且，由于替代襯底與被處理襯底的質(zhì)量實(shí)質(zhì)
上相等，通過(guò)調(diào)整替代襯底與被處理襯底的數(shù)目，能夠調(diào)整替代襯底與被
處理襯底的總計(jì)質(zhì)量。
并且，最好是，本發(fā)明中的替代襯底的板狀構(gòu)件整面為樹(shù)脂所覆蓋。 這樣一來(lái)，通過(guò)樹(shù)脂的覆蓋，能夠確實(shí)獲得抑制替代襯底破損并且減
輕破損時(shí)碎片飛散的效果。
而且，最好是，與被處理襯底實(shí)質(zhì)上有著相同形狀與尺寸。 這樣一來(lái)，為了制造電子元件的清洗等各種處理時(shí)，能夠?qū)μ娲r底
和被處理襯底做同樣的處理。
而且，最好是，覆蓋替代襯底的樹(shù)脂為耐藥性樹(shù)脂。
這樣一來(lái)，能夠減輕以藥液處理被處理襯底時(shí)，替代襯底所受到的蝕
刻等的影響，增加替代襯底的可能重復(fù)使用次數(shù)。
而且，最好是，覆蓋替代襯底的樹(shù)脂為導(dǎo)電性樹(shù)脂。
這樣一來(lái)，能夠防止旋轉(zhuǎn)收納被處理襯底的卡盤(pán)進(jìn)行清洗或干燥等處
理時(shí)處理的氣體與樹(shù)脂摩擦產(chǎn)生的靜電。而能夠抑制靜電造成微粒附著在
替代襯底上。
而且，最好是，替代襯底的兩個(gè)主面中的一個(gè)面作上記號(hào)。
這樣一來(lái)，能夠容易區(qū)別替代襯底的兩個(gè)主面。此外，也能夠用來(lái)區(qū) 別替代襯底與被處理襯底。
而且，最好是，板狀構(gòu)件為單結(jié)晶硅襯底或是包含單結(jié)晶硅的襯底。
這樣一來(lái)，由于單結(jié)晶硅對(duì)含酸或堿等藥液穩(wěn)定，能夠增加替代襯底 的可能重復(fù)使用次數(shù)。同時(shí)，從替代襯底中不會(huì)溶化出成為污染原因的物 質(zhì)，因此，能夠防止對(duì)被處理襯底等的污染。
這里，包含單結(jié)晶硅的襯底意味著由單結(jié)晶硅的部分與單結(jié)晶硅以外
的材料的部分所構(gòu)成的襯底，例如SOI (Silicon On Insulator)等。
為了解決上述課題，本發(fā)明的第一襯底處理方法包括在多個(gè)容器各 自收納多個(gè)被處理襯底的工序；在多個(gè)容器收納所需的本發(fā)明的替代襯 底，使得在所有多個(gè)容器中收納的被處理襯底與替代襯底的總數(shù)均相同的 工序；以及，使收納替代襯底的多個(gè)容器以對(duì)稱(chēng)于旋轉(zhuǎn)軸予以設(shè)置，并以 旋轉(zhuǎn)軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)而處理被處理襯底的工序。
這樣一來(lái)，由于被處理襯底與本發(fā)明的替代襯底實(shí)質(zhì)上質(zhì)量相同，因 此，通過(guò)使容器內(nèi)(例如卡盤(pán))收納的被處理襯底與替代襯底的合計(jì)張數(shù) (收納襯底總數(shù))相同，能夠使得所有卡盤(pán)中，卡盤(pán)、被處理襯底及替代 襯底的總計(jì)質(zhì)量(卡盤(pán)總質(zhì)量)相同。因此，在進(jìn)行旋轉(zhuǎn)處理時(shí)能夠取得 質(zhì)量平衡。同時(shí)能夠利用本發(fā)明中的替代襯底所具備的種種效果。
而且，最好是，在本發(fā)明的第一襯底處理方法中，進(jìn)行清洗時(shí)，在處 理被處理襯底的工序中，邊使多個(gè)容器旋轉(zhuǎn)邊對(duì)被處理襯底噴灑藥液清洗 被處理襯底。
而且，最好是，噴灑的藥液為含酸或堿的藥液。
這樣一來(lái)，能夠在清洗工序中，達(dá)到本發(fā)明減少替代襯底交換次數(shù)的 效果。
而且，最好是，在本發(fā)明的第一襯底處理方法中，進(jìn)行干燥時(shí)，在處 理被處理襯底的工序中，邊使多個(gè)容器旋轉(zhuǎn)邊進(jìn)行被處理襯底的干燥。
這樣一來(lái)，在干燥工序中，能夠達(dá)到本發(fā)明減少替代襯底交換次數(shù)之 效果。這里，覆蓋替代襯底的樹(shù)脂若為導(dǎo)電性樹(shù)脂能夠獲得防止靜電發(fā)生 的效果。
本發(fā)明的第二襯底處理方法，包括使多個(gè)被處理襯底主面各自相向
排列而收納于容器的工序；使本發(fā)明替代襯底的主面與位于排列最上部的 被處理襯底的主面相向收納于容器的工序；以及，同時(shí)處理收納替代襯底 的容器與被處理襯底的工序。
這樣一來(lái)，在旋轉(zhuǎn)進(jìn)行處理時(shí)，巻起而上的微粒將會(huì)優(yōu)先附著于替代 襯底上，因此能夠防止微粒附著在被處理襯底。同時(shí)，能夠利用本發(fā)明所 涉及的替代襯底具備的、減少替代襯底交換次數(shù)等的種種效果。
本發(fā)明的第三襯底處理方法，包括使多個(gè)被處理襯底各自以主面相 向排列的方式收納于容器的工序；將本發(fā)明的替代襯底收納于容器，使其 兩主面其中一面予以保持(hold)，另一主面與位在排列最上部的被處理襯 底主面相向的工序；以及，同時(shí)處理收納替代襯底的容器與被處理襯底的 工序。
這樣一來(lái)，由于旋轉(zhuǎn)進(jìn)行處理時(shí)等巻起上升的微粒優(yōu)先附著在替代襯 底上，因此能夠防止微粒附著在被處理襯底。
另外，操作替代襯底時(shí)，能夠防止附著在替代襯底的微粒轉(zhuǎn)印被處理 襯底上。這是由于在排列上微粒附著的主面沒(méi)有和被處理襯底的主面相 向。
進(jìn)一步的，能夠利用本發(fā)明所涉及的替代襯底具備的減少替代襯底交 換次數(shù)等的種種效果。
并且，最好是，在本發(fā)明的第三襯底處理方法中，替代襯底為兩主面 其中一面作上記號(hào)的襯底，在使用兩主面其中一面保持時(shí)，使用作上記號(hào) 的主面，與保持主面不同的另一主面為沒(méi)有作上記號(hào)的主面。
這樣一來(lái)，能夠根據(jù)記號(hào)容易區(qū)別替代襯底的兩面，使得與保持主面 相反的主面容易與被處理襯底相向。
本發(fā)明的第四處理方法包括收納多個(gè)被處理襯底及一個(gè)或多個(gè)替代 襯底的工序；以及，將收納替代襯底的容器與被處理襯底同時(shí)浸泡于藥液
中加以處理的工序。
這樣一來(lái)，將被處理襯底浸泡于藥液處理時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的替代 襯底的效果。
本發(fā)明所涉及的替代襯底為在板狀構(gòu)件上樹(shù)脂覆蓋、使其與被處理襯 底實(shí)質(zhì)上有著相等質(zhì)量的替代襯底。由于替代襯底與被處理襯底實(shí)質(zhì)上質(zhì)
量相等，能夠通過(guò)合計(jì)張數(shù)調(diào)整替代襯底與被處理襯底的合計(jì)質(zhì)量。另外， 覆蓋的樹(shù)脂層能夠減輕在使用腐蝕性藥液進(jìn)行清洗處理時(shí)逐漸受到蝕刻 等而造成的替代襯底的劣化、以及該劣化造成的替代襯底的機(jī)械強(qiáng)度下 降。并且，能夠借助覆蓋的樹(shù)脂防止替代襯底破損時(shí)產(chǎn)生的碎片與粉末飛 散，因此將沒(méi)有必要交換處理設(shè)備的處理反應(yīng)室，同時(shí)，也抑制了對(duì)被處 理襯底的污染。
通過(guò)使用這樣的替代襯底的襯底處理方法，能夠減輕筒式旋轉(zhuǎn)清洗機(jī) 清洗時(shí)高速旋轉(zhuǎn)造成的破損，增加可能的重復(fù)使用次數(shù)。因此，能夠降低 替代襯底的交換頻率。
從上可知，能夠降低半導(dǎo)體器件的制造成本。
本發(fā)明的技術(shù)方案為
1. 一種襯底處理方法，其包括將多個(gè)被處理襯底及與被處理襯底實(shí) 質(zhì)上有著相等質(zhì)量，且由至少包含側(cè)面的兩個(gè)主面的周緣部分被耐藥性樹(shù) 脂所覆蓋的板狀構(gòu)件構(gòu)成的替代襯底收納于容器的工序；以及將收納所述 替代襯底的所述容器與所述多個(gè)被處理襯底同時(shí)浸泡于藥液中加以處理 的工序。
2. 根據(jù)1所述的襯底處理方法，所述板狀構(gòu)件整面為耐藥性樹(shù)脂所覆
芏 rm 。
3. 根據(jù)2所述的襯底處理方法，所述耐藥性樹(shù)脂由氟系樹(shù)脂構(gòu)成。
4. 根據(jù)2所述的襯底處理方法，所述耐藥性樹(shù)脂為導(dǎo)電性樹(shù)脂。
5. 根據(jù)2所述的襯底處理方法，所述板狀構(gòu)件為單結(jié)晶硅襯底或是含 有單結(jié)晶硅的襯底

圖l(a)及圖l(b)示出本發(fā)明實(shí)施形態(tài)所涉及的替代襯底構(gòu)造圖，(a)為 側(cè)面圖，(b)為平面圖。
圖2示出收納本發(fā)明實(shí)施形態(tài)所涉及的替代襯底100及被處理襯底 104的卡盤(pán)204的收納方法。
圖3為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)所涉及的襯底處理方法中使用的筒式旋轉(zhuǎn)清洗 設(shè)備的內(nèi)部構(gòu)成側(cè)面圖。
圖4為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)所涉及的襯底處理方法中使用的筒式旋轉(zhuǎn)清洗 設(shè)備的內(nèi)部構(gòu)成上面圖。
圖5示出現(xiàn)有的筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備內(nèi)部設(shè)備的側(cè)面圖。 圖6示出現(xiàn)有的筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備內(nèi)部設(shè)備的上面圖。 符號(hào)說(shuō)明
100一替代襯底；
101一硅襯底；
102一樹(shù)脂涂層；
103一主面；
04--被處理襯底；
105-保持面；
106-非保持面；
200一處理反應(yīng)室;
201一旋轉(zhuǎn)臺(tái)；
202—軸；
203一馬達(dá)；
204一卡盤(pán)；
205一導(dǎo)桿；
206—上蓋；
207一噴灑管；
208一清洗用藥液;
209一藥液供給管;
210一輔助噴灑管;
211-純水供給管。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的一種實(shí)施形態(tài)所涉及的替代襯底。
圖l(a)及圖l(b)為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)所涉及的替代襯底100的構(gòu)造圖; (a)為替代襯底100的側(cè)面圖，(b)為替代襯底100的平面圖。
替代襯底100為，對(duì)于例如通常形成電子元件的單結(jié)晶硅襯底101，
在包含側(cè)面的整面施加樹(shù)脂涂層102。這時(shí)，對(duì)于鏡面部分的兩個(gè)主面103
事先加以切削，使其表面粗糙度(Ra)達(dá)到2um以上，這樣形成主面103的 凹凸，使得樹(shù)脂涂層102容易與硅襯底101密接。
樹(shù)脂涂層102使用的樹(shù)脂，最好是選擇能夠耐的住半導(dǎo)體工藝過(guò)程中 清洗處理藥液(溫度5(TC 160'C左右的H2S04與H202的混合溶液或是 NH40H與H202的混合溶液等)的材料。例如氟系樹(shù)脂構(gòu)成的全氟化垸 氧基(perfluoroalkoxy)聚合物等，為具有優(yōu)良耐藥性的聚合物。最好是，該 聚合物具備優(yōu)良耐熱性。
樹(shù)脂涂層102為，將準(zhǔn)備施加涂層的、例如硅襯底101之類(lèi)的板狀構(gòu) 件置于基臺(tái)，用噴灑器涂上樹(shù)脂粉，再用熔爐將樹(shù)脂硬化形成。反面也同 樣的涂上樹(shù)脂與硬化。
這里，批式且為筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備(圖3及圖4所示設(shè)備，后面將做 詳細(xì)說(shuō)明)進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)時(shí)使半導(dǎo)體襯底卡盤(pán)204 (圖2所示容器，后面 將說(shuō)明)之間的質(zhì)量平衡，為替代襯底100的使用目的的一例；為了容易 達(dá)成這一目的，使替代襯底100重量實(shí)質(zhì)上與被處理襯底的重量相同。具 體來(lái)說(shuō)，使替代襯底100的重量為被處理襯底的95%以上，且為105%以 下。
作為一個(gè)例子，8英寸或是直徑200mm的晶圓制品的情況，由于例如 重量在51g以上且在55g以下，也使得替代襯底100的重量在51g以上且 在55g以下。
為此，調(diào)節(jié)對(duì)主面103切削的量與樹(shù)脂涂層102的厚度。由于樹(shù)脂重 量因種類(lèi)而不同，樹(shù)脂涂層102的厚度根據(jù)樹(shù)脂種類(lèi)決定。
而且，最好是，替代襯底100與被處理襯底實(shí)質(zhì)上有著相同形狀及尺 寸。例如替代襯底100的直徑及厚度配合被處理襯底直徑為200mm，同時(shí)， 厚度在545um以上且在555um范圍以內(nèi)。
這樣一來(lái)，以真空鉗等進(jìn)行操作時(shí)，能夠?qū)μ娲r底100與被處理襯 底做同樣處理。
如上所述，本實(shí)施形態(tài)的替代襯底100為以硅襯底101為底材，在 整面上施加樹(shù)脂涂層102，與形成電子元件的硅襯底為同形狀且同尺寸。 為此，樹(shù)脂涂層102提高了強(qiáng)度，同時(shí)在清洗工序等，幾乎不會(huì)受到藥液侵蝕，內(nèi)部的硅襯底厚度也不會(huì)減少。結(jié)果，替代襯底100的強(qiáng)度將非常 不容易劣化，因此，在筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備的清洗處理中，替代襯底ioo破 損的可能性非常小。
從上可知，與現(xiàn)有的替代襯底相比下，本實(shí)施形態(tài)涉及的替代襯底100 能夠大幅度地增加使用次數(shù)。結(jié)果，能夠減少替代襯底的交換次數(shù)，降低 半導(dǎo)體器件的制造成本。
另外，由于樹(shù)脂涂層102具有粘性，即使替代襯底100內(nèi)部的硅襯底 101破損，也能夠防止該硅襯底101的碎片飛散到清洗設(shè)備的處理反應(yīng)室 內(nèi)。因此，替代襯底每次破損時(shí)必須交換處理反應(yīng)室的必要性也消失，這 也有助于降低半導(dǎo)體器件的制造成本。
另外，在本實(shí)施形態(tài)替代襯底IOO上，如圖1的作為底材的硅襯底101 的整面上施加樹(shù)脂涂層102。這樣一來(lái)，形成的替代襯底100能夠防止藥 液的浸透與藥液對(duì)硅襯底101的蝕刻，作為本實(shí)施形態(tài)的替代襯底最為合 適。但是，有關(guān)這一點(diǎn)，也能夠使用只在襯底101的兩個(gè)主面的周緣部分 施加耐藥性的樹(shù)脂涂層102的襯底101。
像這樣的，只在周緣部分施加樹(shù)脂涂層102的替代襯底100，容易從 樹(shù)脂涂層102加工與沒(méi)有加工的界線開(kāi)始劣化。換句話說(shuō)，容易從該界線 產(chǎn)生藥液的浸透與藥液浸透造成的樹(shù)脂剝離等。
雖然有著這樣的問(wèn)題，但是在形成半導(dǎo)體集成電路的襯底的旋轉(zhuǎn)干燥 等工藝過(guò)程中，只在周緣部分施加樹(shù)脂涂層102的替代襯底101也是可以 毫無(wú)問(wèn)題的加以使用。為了干燥進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)時(shí)，在包含替代襯底101側(cè) 面的周緣部與卡盤(pán)的接觸部分，離心力造成力作用，但是這一部分由于樹(shù) 脂涂層102而強(qiáng)度增強(qiáng)，能夠抑制替代襯底100的破損。另外，只在周緣 部分施加樹(shù)脂涂層102的替代襯底101，由于樹(shù)脂涂層102中使用的樹(shù)脂 量少，相較于硅襯底101整面施加樹(shù)脂涂層102的替代襯底100，有著能 夠廉價(jià)制造的優(yōu)點(diǎn)。
而且，在替代襯底100，并不容易區(qū)別表面與背面。這里，例如施加 樹(shù)脂涂層102之前，在硅襯底101的背面以激光等事先作上記號(hào)，如"背 "、"背面"、"backside "等。
這樣一來(lái)，除了容易區(qū)別替代襯底100的表面與背面之外，同時(shí)容易
區(qū)別替代襯底ioo與被處理襯底。但是有關(guān)作記號(hào)的方法與具體的記號(hào)內(nèi) 容并不特別限定。而且，不是在替代襯底ioo背面，也可以在其表面施加 記號(hào)，必要的話，也可以表背兩面都作上記號(hào)。..
而且，最好是，樹(shù)脂涂層102為通過(guò)導(dǎo)電性粒子或纖維(例如碳等、
由抑制樹(shù)脂帶電量的物質(zhì)構(gòu)成的粒子或纖維)混合等方法，使其具導(dǎo)電性。
以這樣具導(dǎo)電性的樹(shù)脂施加樹(shù)脂涂層102的話，由于能夠抑制替代襯底 100發(fā)生的靜電量，因此能夠抑制微粒在靜電作用下附著在替代襯底100 上。因此，如后說(shuō)明的，使替代襯底100與被處理襯底104相向排列收納 于卡盤(pán)204的情況下，能夠防止該微粒轉(zhuǎn)印于被處理襯底104上。因此，
能夠提高半導(dǎo)體器件制造成品率。
而且，作為上述替代襯底IOO底材的板狀構(gòu)件，使用了硅單結(jié)晶襯底。 但是，只要是能夠形成與一起處理的形成電子元件的硅襯底為同形狀且同 尺寸的替代襯底100的話，也可以使用含硅單結(jié)晶的襯底、石英玻璃襯底 等取代硅單結(jié)晶襯底。
并且，整面施加耐藥性樹(shù)脂涂層時(shí)，由于底材并不暴露于表面，更能 夠使用各種材料取代硅單結(jié)晶襯底，例如金屬、合金、金屬化合物、或陶 瓷、或是這些材料的復(fù)合材料等都能夠使用，只要是質(zhì)量上近于形成有電 子元件的襯底都可以使用。這時(shí)，也能夠選擇比硅襯底低廉的材料，使替 代襯底IOO價(jià)格降低的話，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)電子元件制造低成本化。
其次，有關(guān)使用本實(shí)施形態(tài)所涉及的替代襯底的半導(dǎo)體器件的處理方 法，以清洗處理為例參照附圖予以說(shuō)明。
首先，如圖2，將替代襯底100與多個(gè)被處理襯底104收納于卡盤(pán)204。 但圖2省略了卡盤(pán)的高度與方向。
首先，考慮一次處理的被處理襯底104的數(shù)目，在多個(gè)卡盤(pán)204的任 一當(dāng)中收納相同數(shù)目的被處理襯底104的情況。換句話說(shuō)， 一批量被處理 襯底104的數(shù)目為使用的卡盤(pán)204個(gè)數(shù)的倍數(shù)。
這種情況下，在每個(gè)卡盤(pán)204的最上部放入一張?zhí)娲r底100。也就 是如圖2所示，將被處理襯底104從下或從上依序排列放入卡盤(pán)204，并 且在該排列的最上部放入替代襯底100。這里，圖2顯示出，卡盤(pán)204的 最上部收納一張?zhí)娲r底100的情況，同時(shí)顯示了被處理襯底104的最大可能收納張數(shù)的情況。
其次，考慮一次處理的被處理襯底104的數(shù)目不能使任一的多個(gè)卡盤(pán)
204收納的被處理襯底104數(shù)目均相同的情況。換句話說(shuō)， 一批量的被處 理襯底104的數(shù)目并非使用的卡盤(pán)204個(gè)數(shù)的倍數(shù)。
這種情況時(shí)，追加收納替代襯底IOO，使得在所有使用的卡盤(pán)204中 收納的替代襯底IOO與被處理襯底104的總數(shù)(收納襯底總數(shù))相同。結(jié) 果，在某幾個(gè)卡盤(pán)中，將收納追加的替代襯底100。
有關(guān)追加收納的替代襯底100，例如從卡盤(pán)204的下部或上部依序收 納被處理襯底104后，再收納于其上即可。也就是被處理襯底104的排列 上面，排列多個(gè)替代襯底IOO予以收納即可。但是收納方法并不限于此。
也可以先將替代襯底100收納于卡盤(pán)204后，再將被處理襯底104收 納于卡盤(pán)204中。
如上所述，若是在所有的卡盤(pán)204中收納的襯底總數(shù)相同的話，卡盤(pán) 204與替代襯底IOO及被處理襯底104的總質(zhì)量(卡盤(pán)總質(zhì)量)能夠完全 相等。這是由于替代襯底100與被處理襯底104在實(shí)質(zhì)上有著相等質(zhì)量。
這樣一來(lái)，能夠防止進(jìn)行旋轉(zhuǎn)清洗時(shí)產(chǎn)生偏心狀態(tài)。 一旦在偏心狀態(tài)
下旋轉(zhuǎn)時(shí)將會(huì)產(chǎn)生激烈振動(dòng)等，有時(shí)造成替代襯底IOO及被處理襯底104
破損；由于能夠防止偏心現(xiàn)象產(chǎn)生，因此能夠防止這類(lèi)的破損。因此，除
了能夠增加替代襯底100的可能重復(fù)使用次數(shù)之外，也能夠提高半導(dǎo)體器
件的制造成品率。同時(shí)，能夠利用本實(shí)施形態(tài)的替代襯底的效果。這有助 于半導(dǎo)體器件制造的低成本化。
這里，收納被處理襯底104時(shí)，表面與背面的哪一面都可以。但是， 最好是，收納替代襯底IOO時(shí)予以區(qū)別表面與背面。這有以下的理由。
將替代襯底100收納于卡盤(pán)204時(shí)，以真空鉗(圖未示)等使替代襯 底100的兩個(gè)主面中的一個(gè)面予以保持進(jìn)行操作。像這樣保持的主面稱(chēng)為 保持面105。操作替代襯底100時(shí)，有時(shí)微粒會(huì)從真空鉗轉(zhuǎn)印到保持面105。 這樣的狀態(tài)下，收納替代襯底100時(shí)，若將保持面105與被處理襯底104 相向的話，可能會(huì)造成將微粒從保持面105轉(zhuǎn)印到被處理襯底104。為了 避免這一點(diǎn)，收納替代襯底100時(shí)，使保持面105的反面、即非保持面106 和被處理襯底104相向。
這樣一來(lái)，能夠防止微粒轉(zhuǎn)印到被處理襯底104，避免微粒造成半導(dǎo) 體器件品質(zhì)低下與成品率下降。
這里，為了容易區(qū)別替代襯底ioo的表面與背面，最好是，使用施加 表背記號(hào)的替代襯底100。
這樣一來(lái)，由于收納替代襯底100時(shí)能夠確賣(mài)的使非保持面106和被 處理襯底104相向，能夠容易防止微粒從替代襯底100轉(zhuǎn)印到被處理襯底 104上。
其次，參照?qǐng)D3及圖4說(shuō)明上述的、設(shè)置了收納替代襯底100及被處 理襯底104的卡盤(pán)以進(jìn)行清洗等處理的筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備。
圖3為從側(cè)面所見(jiàn)本實(shí)施形態(tài)中使用的筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備的內(nèi)部構(gòu)造 的一例。
如圖3所示，在圓筒形的處理反應(yīng)室200內(nèi)部中設(shè)置旋轉(zhuǎn)臺(tái)201，在 旋轉(zhuǎn)臺(tái)201的底面且為旋轉(zhuǎn)軸的位置連接軸202，軸202則連接到處理反 應(yīng)室200下方的馬達(dá)203。通過(guò)馬達(dá)203的旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)201借助軸202， 能夠達(dá)到如1000rpm以上的高速旋轉(zhuǎn)。
旋轉(zhuǎn)臺(tái)201上設(shè)置了固定卡盤(pán)204的棒狀導(dǎo)桿205?？ūP(pán)204中收納 了多個(gè)半導(dǎo)體襯底等被處理襯底104及替代襯底100，使卡盤(pán)204借助棒 狀導(dǎo)桿205，對(duì)稱(chēng)于旋轉(zhuǎn)臺(tái)201的旋轉(zhuǎn)軸予以設(shè)置。下面參照?qǐng)D4進(jìn)一步 說(shuō)明有關(guān)卡盤(pán)204及導(dǎo)桿205的設(shè)置。
從清洗設(shè)備上蓋206的中心部分，設(shè)置了與上蓋206垂直突出的噴灑 管207， 一旦關(guān)閉上蓋206，噴灑管207將位于旋轉(zhuǎn)臺(tái)201的旋轉(zhuǎn)軸上方。 清洗時(shí)，從噴灑管207能夠朝被處理襯底104與替代襯底100，橫向噴灑 含酸或堿的清洗用藥液208。通過(guò)藥液供給管209，將清洗用藥液208從 清洗設(shè)備外部供應(yīng)到噴灑管207。
進(jìn)行清洗時(shí)，將清洗用藥液噴灑在被處理襯底104與替代襯底100， 同時(shí)使卡盤(pán)204與旋轉(zhuǎn)臺(tái)201 —起旋轉(zhuǎn)，通過(guò)這一過(guò)程能夠均勻清洗。
除了清洗用藥液之外，噴灑管207也能夠噴灑純水，在距離旋轉(zhuǎn)臺(tái)201 的周邊上設(shè)置了輔助用的噴灑純水的輔助噴灑管'210。純水由純水供給管 211供給。
圖4為從上面所見(jiàn)筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備的內(nèi)部構(gòu)成的一例。
圖4顯示了旋轉(zhuǎn)臺(tái)201、設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)201上的卡盤(pán)204、與固定卡 盤(pán)204的導(dǎo)桿205、以及卡盤(pán)中多個(gè)被處理襯底104與替代襯底100，其 他構(gòu)成部分予以省略。如圖4所示，旋轉(zhuǎn)臺(tái)201上設(shè)置四組(8支)導(dǎo)管 205，每一組導(dǎo)桿固定了一個(gè)卡盤(pán)204。通過(guò)使用這些導(dǎo)桿205，能夠使兩 個(gè)或是四個(gè)卡盤(pán)204對(duì)稱(chēng)于旋轉(zhuǎn)軸而設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)201上。
其次，說(shuō)明使用圖3及圖4所示的筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備的清洗方法。 首先，如以上所說(shuō)明，在圖3及圖4所示的筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備處理反 應(yīng)室200內(nèi)，使用導(dǎo)桿205設(shè)置收納替代襯底100及被處理襯底104的卡 盤(pán)204。這時(shí)，使卡盤(pán)204對(duì)稱(chēng)于旋轉(zhuǎn)臺(tái)201的旋轉(zhuǎn)軸予以設(shè)置。例如圖 3及圖4所示的筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備中， 一次能夠處理兩個(gè)或四個(gè)卡盤(pán)204。 這里，使用四個(gè)卡盤(pán)204的話，通過(guò)分別設(shè)置四組導(dǎo)桿205，能夠使其對(duì) 稱(chēng)于旋轉(zhuǎn)軸予以設(shè)置。另外，只使用兩個(gè)卡盤(pán)時(shí)，在隔著旋轉(zhuǎn)軸的相向位 置設(shè)置導(dǎo)桿205。
這樣一來(lái)，由于每個(gè)卡盤(pán)204的卡盤(pán)總質(zhì)量相等，因此旋轉(zhuǎn)時(shí)能夠取 得平衡。
其次，關(guān)閉上蓋206，借助旋轉(zhuǎn)臺(tái)201使卡盤(pán)204高速旋轉(zhuǎn)，同時(shí)朝 卡盤(pán)204方向，從噴灑管207噴灑清洗用藥液208進(jìn)行清洗。
這里，最好是，上述清洗處理時(shí)的清洗用藥液208為含酸或堿的藥液。 具體來(lái)說(shuō)，例如使用H2S04與H202的混合溶液(大約IO(TC時(shí)使用)， 或是NH40H與H202的混合溶液(大約70。C 80。C時(shí)使用)。這些藥液 主要使用在抗蝕灰化前、氧化前或CVD膜沉積前的清洗中。若是選擇適 當(dāng)?shù)那逑从盟幰?08，除了所述之外，也能夠使用在接觸蝕刻與通孔蝕刻 后去除清洗蝕刻有機(jī)反應(yīng)生成物或是去除金屬配線蝕刻時(shí)的反應(yīng)生成物 等的清洗處理中。
而且，若是使用施加耐藥性樹(shù)脂涂層102的替代襯底100，能夠防止 清洗過(guò)程中替代襯底IOO遭受蝕刻。因此能夠增加替代襯底100的可能重 復(fù)使用次數(shù)，有助于降低半導(dǎo)體制造成本。
但是，旋轉(zhuǎn)臺(tái)201高速旋轉(zhuǎn)時(shí)，處理反應(yīng)室200內(nèi)部微粒將被巻起上 升。這些微粒一旦附著到被處理襯底104時(shí)，將成為制造的半導(dǎo)體器件品 質(zhì)下降等的原因。但是，如先前所述，通過(guò)將替代襯底100收納于卡盤(pán)204
中被處理襯底104排列的最上部，微粒將主要附著在替代襯底100，而能 夠防止微粒附著在被處理襯底104上。
而且，筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備清洗處理被處理襯底104后，在該處理反應(yīng) 室200內(nèi)進(jìn)行被處理襯底104的旋轉(zhuǎn)干燥。這時(shí)，由于是旋轉(zhuǎn)方式，處理 反應(yīng)室內(nèi)部的氣體與替代襯底100之間有時(shí)會(huì)因摩擦產(chǎn)生靜電。
這樣一來(lái)，發(fā)生靜電時(shí)，微粒容易附著在替代襯底100。因此，如圖 2般，緊鄰替代襯底100的下面收納的被處理襯底104將容易產(chǎn)生微粒的 二次污染。
但是，若是使用以導(dǎo)電性樹(shù)脂涂層加工的替代襯底100的話，能夠抑 制干燥時(shí)產(chǎn)生靜電。防止微粒附著在被處理襯底104減輕二次污染。
而且，即使不是在筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備處理反應(yīng)室200內(nèi)進(jìn)行干燥，而 是另外以甩干機(jī)(spin dryer)對(duì)被處理襯底104進(jìn)行干燥處理時(shí)，使用與 所述相同的施加導(dǎo)電性樹(shù)脂涂層102的替代襯底100，也能夠獲得抑制靜 電的效果。
并且，在本實(shí)施形態(tài)中，使用筒式旋轉(zhuǎn)清洗設(shè)備及筒式干燥設(shè)備(包 括可兼用的設(shè)備)說(shuō)明處理方式，在其他種類(lèi)的設(shè)備里頭也能夠使用本實(shí) 施形態(tài)的替代襯底IOO。例如前面說(shuō)明的，將替代襯底100與被處理襯底 104收納于卡盤(pán)204，與卡盤(pán)204共同浸泡在放滿藥液的清洗槽進(jìn)行被處 理襯底104的清洗處理等的處理方法，也能夠使用。這一狀況時(shí)，也能夠 利用本實(shí)施形態(tài)替代襯底100的效果。例如，通過(guò)在替代襯底100上施加 樹(shù)脂涂層102，使得可能的重復(fù)使用次數(shù)比現(xiàn)在增加。因此，能夠降低半 導(dǎo)體器件的制造成本。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性
如上所述，本發(fā)明的替代襯底及使用該替代襯底的襯底處理方法，能 夠增加替代襯底的重復(fù)可能使用次數(shù)，降低半導(dǎo)體制造成本。
權(quán)利要求
1.一種襯底處理方法，其特征在于，包括將多個(gè)被處理襯底及與被處理襯底實(shí)質(zhì)上有著相等質(zhì)量，且由至少包含側(cè)面的兩個(gè)主面的周緣部分被耐藥性樹(shù)脂所覆蓋的板狀構(gòu)件構(gòu)成的替代襯底收納于容器的工序；以及將收納所述替代襯底的所述容器與所述多個(gè)被處理襯底同時(shí)浸泡于藥液中加以處理的工序。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理方法，其特征在于 所述板狀構(gòu)件整面為耐藥性樹(shù)脂所覆蓋。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理方法，其特征在于-所述耐藥性樹(shù)脂由氟系樹(shù)脂構(gòu)成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理方法，其特征在于所述耐藥性樹(shù)脂為導(dǎo)電性樹(shù)脂。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理方法，其特征在于所述板狀構(gòu)件為單結(jié)晶硅襯底或是含有單結(jié)晶硅的襯底。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種襯底處理方法，其包括將多個(gè)被處理襯底及與被處理襯底實(shí)質(zhì)上有著相等質(zhì)量，且由至少包含側(cè)面的兩個(gè)主面的周緣部分被耐藥性樹(shù)脂所覆蓋的板狀構(gòu)件構(gòu)成的替代襯底收納于容器的工序；以及將收納所述替代襯底的所述容器與所述多個(gè)被處理襯底同時(shí)浸泡于藥液中加以處理的工序。
文檔編號(hào)F26B19/00GK101202216SQ20071030559
公開(kāi)日2008年6月18日 申請(qǐng)日期2005年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月23日
發(fā)明者石原憲一 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社