專利名稱：一種新型匣缽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種新型匣缽技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種用于工業(yè)窯爐內(nèi)裝載煅燒物質(zhì)的匣缽。背景技術(shù)：
目前，人們制造鎳鋅磁芯所采用的匣缽， 一般是由耐高溫的剛玉 -莫來石或莫來石-堇青石制成。使用時將鎳鋅磁芯裝載于匣缽中，然后放入在推板窯中燒制。這種匣缽因含有Si02成分，在燒制時會嚴(yán) 重影響磁芯的電學(xué)和磁學(xué)性能。因此，人們在使用時在匣缽內(nèi)鋪墊氧 化鋁片，以避免磁芯與匣缽的直接接觸而引起的不良反應(yīng)。然而在實踐應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，鋪墊的氧化鋁片在使用時，極易開裂損 壞，使燒制的鎳鋅磁芯性能不夠穩(wěn)定，也使匣缽的使用壽命縮短，頻 繁地更換氧化鋁片更是提高了制造成本。因此，本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，對匣缽作進(jìn)一步的改進(jìn)。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種使用壽命 長，性能穩(wěn)定的新型匣缽。為達(dá)到上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案-一種新型匣缽，包括有缽體，其特征在于所述缽體包括有碳化硅 層與氧化鋁層，所述碳化硅層與氧化鋁層壓制為一體，且所述氧化鋁 層設(shè)在缽體的最外層。如上所述的一種新型匣缽，其特征在于所述氧化鋁層設(shè)為一層， 所述氧化鋁層設(shè)置在碳化硅層的上層。如上所述的一種新型匣缽，其特征在于所述氧化鋁層設(shè)為二層， 所述碳化硅層夾在上、下氧化鋁層之間。本實用新型采用上述方案的優(yōu)點有1、匣體是由碳化硅層與氧 化鋁層壓制而成，使匣體的導(dǎo)熱性和抗熱震穩(wěn)定性更好；2、溫度均 勻，反復(fù)使用不會開裂損壞，使匣缽的使用壽命增長；3、節(jié)省了使 用成本。
圖l為本實用新型示意圖； 圖2為本實用新型的A——A剖視圖； 圖3為本實用新型的使用狀態(tài)圖。
具體實施方式
如圖l、 2所示，本實用新型所指的一種新型匣缽，主要是用于 窯爐內(nèi)燒制鎳鋅磁芯，它包括有缽體l，所述缽體l包括有碳化硅層 2與氧化鋁層3，所述碳化硅層2與氧化鋁層3壓制為一體，且所述 氧化鋁層3設(shè)在缽體1的最外層。所述氧化鋁層3上可以擺放用于燒 制的磁芯4，如圖3所示。本實用新型所述的氧化鋁層3可以只設(shè)為一層，所述氧化鋁層3 設(shè)置在碳化硅層1的上層。所述氧化鋁層3還可以設(shè)為二層，將所述 碳化硅層2夾在上、下氧化鋁層3之間。本實用新型將碳化硅層2與氧化鋁層3設(shè)為一體構(gòu)成匣體，使匣 體在磁芯的燒制溫度下有較高的抗折強(qiáng)度，并具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性和抗 熱震穩(wěn)定性。使匣缽內(nèi)溫度均勻分布，使磁芯在一致的溫度下燒成， 避免了因溫度不均勻帶來的磁芯變形，性能差異等缺陷?？墒瓜焕彸?受頻繁的升降溫過程，反復(fù)使用不開裂損壞。有較長的使用壽命，節(jié) 省了使用成本。
權(quán)利要求1、一種新型匣缽，包括有缽體(1)，其特征在于所述缽體(1)包括有碳化硅層(2)與氧化鋁層(3)，所述碳化硅層(2)與氧化鋁層(3)壓制為一體，且所述氧化鋁層(3)設(shè)在缽體(1)的最外層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型匣缽，其特征在于所述氧化 鋁層(3)設(shè)為一層，所述氧化鋁層(3)設(shè)置在碳化硅層(2)的上 層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型匣缽，其特征在于所述氧化 鋁層(3)設(shè)為二層，所述碳化硅層(2)夾在上、下氧化鋁層(3) 之間。
專利摘要一種新型匣缽，包括有缽體，其特征在于所述缽體包括有碳化硅層與氧化鋁層，所述碳化硅層與氧化鋁層壓制為一體，且所述氧化鋁層設(shè)在缽體的最外層。其優(yōu)點在于1.匣體是由碳化硅層與氧化鋁層壓制而成，使匣體的導(dǎo)熱性和抗熱震穩(wěn)定性更好；2.溫度均勻，反復(fù)使用不會開裂損壞，使匣缽的使用壽命增長；3.節(jié)省了使用成本。
文檔編號F27D5/00GK201116838SQ200720058530
公開日2008年9月17日 申請日期2007年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月16日
發(fā)明者紅 段 申請人:紅 段