專利名稱：一種單晶硅熱場二次加料裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種加料裝置，尤其是涉及一種單晶硅熱場中，高溫作業(yè)下的第二次加 入硅砂原材料的二次加料裝置。
背景技術(shù)：
加料裝置一般都是針對具體的工作要求而設(shè)計的，常溫下的加料與高溫下的加料不同， 加料多與加料少的方式也不同。
如專利號為94194806. 4—種用于向帶有爐體的電爐中兌入液體金屬的加料裝置，包括由 沿電爐的爐體側(cè)面延伸出來并和電爐的爐底相聯(lián)接的加料懸臺。如專利號為200680029797的 發(fā)明提出了一種為豎爐加料的加料裝置，該加料裝置包括旋轉(zhuǎn)布料器，以及可變驅(qū)動裝置， 用于使旋轉(zhuǎn)布料器繞基本豎直的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。又如專利號為99107312.6豎爐加料裝置，包括 帶有進料口和出料口的料斗， 一個布料組件，各包括第一段和第二段的兩個導(dǎo)向元件，第一 段位于靠近布料組件的水平部件，第二段至少包括兩個平面，由于其形狀使得在爐子的爐喉 區(qū)裝入的爐料具有要求的堆積形狀。
再如專利號為01225665. X實用新型的一種加料器，用于向粉末材料如稀土金屬合金粉末 壓制成型設(shè)備的壓制模槽加料的加料器。包含可盛放粉末的容器，位于容器內(nèi)的攪動部件和 攪動部件的驅(qū)動機構(gòu)，在容器底部設(shè)有篩網(wǎng)，在容器底部篩網(wǎng)下面還設(shè)有用于防止容器內(nèi)粉 末材料撒漏的托板。還有如專利號為00240483.4實用新型的一種密閉性固體加料裝置，包括 反應(yīng)瓶、加料瓶和兩個彎形轉(zhuǎn)換接頭，彎形轉(zhuǎn)換接頭所呈的彎曲角度為110 170度，加料瓶 的瓶口依次通過兩個彎形轉(zhuǎn)換接頭與反應(yīng)瓶的進料口連接，各部件之間的連接處通過玻璃磨 口相連接。
對于高溫下的單晶硅熱場中，由于第一次加料即使加滿硅砂，熔解之后也只占坩堝容積 的小部分，如果不進行二次加料，單次坩堝中的結(jié)晶體小，產(chǎn)量低，而且耗能。 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是為了解決單晶硅熱場中的在高溫下第二次加料的問題，提供一種安 全，操作方便，使單晶硅單次結(jié)晶量大增的單晶硅熱場二次加料裝置。
本實用新型的上述技術(shù)問題主要是通過下述技術(shù)方案得以解決的這種單晶硅熱場二次
3加料裝置，包括單晶硅熱場爐、夾頭、推桿、料筒，在推桿的下端設(shè)一圓錐體，推桿穿過料 筒，圓錐體的大端直徑大于料筒的直徑，料筒內(nèi)加入硅砂，由起吊輸送裝置中的夾頭自動把 料筒送進單晶硅熱場爐中，繼續(xù)下壓推桿，硅砂在自重作用下流入石墨坩堝中，與前一次加 入的已熔化的硅砂一道熔融，達到單次結(jié)晶體大增的目的。
作為優(yōu)選，所述的料筒的上端設(shè)有一邊沿，邊沿的直徑大于單晶硅熱場爐頂蓋中部設(shè)有 的通孔的直徑，這里的單晶硅熱場爐頂蓋在設(shè)計時，與二次加料裝置相互配合才能使用，料 筒的長度上從單晶硅熱場爐頂蓋中部的通孔，下至單晶硅熱場爐內(nèi)的導(dǎo)流筒的底部位置，在 第一次加料后，由于硅砂散裝體積較大，加滿的硅砂經(jīng)熔化之后體積一般只占石墨坩堝的三 分之一以下，這時再加入一次原材料，單次結(jié)晶產(chǎn)品就增大了。
作為優(yōu)選，所述的推桿的上端與夾頭連接，由于是高溫作業(yè)，這里的夾頭一般是與起吊 輸送裝置結(jié)合在一起的，推桿上部設(shè)一導(dǎo)向環(huán)，導(dǎo)向環(huán)在工作時在料筒軸向起定向作用，導(dǎo) 向環(huán)包括外圈和撐條，外圈的外徑比料筒的內(nèi)徑小，撐條與推桿連接，外圈與撐條之間構(gòu)成 空隙，向料筒內(nèi)加料就從空隙中加入。
作為優(yōu)選，所述的推桿下端的圓錐體其頂錐角小于90度，當推桿下移時，硅砂就從錐體 表面滑入石墨坩堝內(nèi)，頂錐角度太小，也不行，其推桿行程會減小，加料量也會減小。
因此，本實用新型是一種結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，能自動加料，使單次結(jié)晶產(chǎn)品產(chǎn)量增大的單晶 硅熱場二次加料裝置。


圖l是本實用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實用新型在單晶硅熱場中位置示意圖。
圖3是本實用新型圖1的俯視示意圖。
圖中1.夾頭，2.推桿，21.導(dǎo)向環(huán)，22.圓錐體，23.撐條，24.外圈，3.料筒， 4.熱場爐頂蓋，5.石墨坩堝，6.導(dǎo)流筒，7.硅砂。
具體實施方式

下面通過實施例，并結(jié)合附圖，對本實用新型的技術(shù)方案作進一步具體的說明。 參見圖l、 2、 3，設(shè)一料筒3，其長度為單晶硅熱場的熱場爐頂蓋4上通孔至爐內(nèi)導(dǎo)流筒6 的底部位置距離，在推桿2上，設(shè)一導(dǎo)向環(huán)21，下端部設(shè)一圓錐體22，圓錐體22的大端直徑 比料筒3的直徑稍大，圓錐體22大端與導(dǎo)向環(huán)21之間距離小于料筒3的長度。
導(dǎo)向環(huán)21有一外圈24和撐條23，外圈24的外徑比料筒3的內(nèi)徑小，外圈可在料筒3內(nèi)滑動 ，設(shè)三根撐條23與推桿2焊接成一體，外圈24與三根撐條23之間構(gòu)成空間，這個空間是用于
4把硅砂7加入料筒3內(nèi)用的。
圓錐體22其頂錐角設(shè)計成80度角。
工作時，先把硅砂7加入料筒3內(nèi)，由夾頭1夾緊推桿2，連同料筒3—起提起，硅砂因圓 錐體22托住不會流出，當送到已有第一次加料已熔融成液態(tài)單晶硅的熱場爐內(nèi)時，料筒3的 上邊沿擱在熱場爐頂蓋4的頂部上通孔口上，夾頭再向下推動推桿2，硅砂7從圓錐體22的表 面滑入石墨坩堝5內(nèi)，加完后提起推桿2，連同料筒3—道移出。
權(quán)利要求1.一種單晶硅熱場二次加料裝置，包括單晶硅熱場爐、夾頭、推桿、料筒，其特征是所述的推桿(2)下端設(shè)一圓錐體(22)，推桿穿過料筒(3)，圓錐體(22)的大端直徑大于料筒(3)的直徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種單晶硅熱場二次加料裝置，其特征在于 所述的料筒(3)的上端設(shè)有一邊沿，邊沿的直徑大于單晶硅熱場爐頂蓋(4)中部設(shè)有的通 孔的直徑，料筒(3)的長度上自單晶硅熱場爐頂蓋(4)中部的通孔，下到單晶硅熱場爐內(nèi) 的導(dǎo)流筒(6)的底部位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種單晶硅熱場二次加料裝置，其特征在于 所述的推桿(2)的上端與夾頭(1)連接，推桿上部設(shè)一導(dǎo)向環(huán)(21)，導(dǎo)向環(huán)(21)包括 外圈(24)和撐條(23)，外圈(24)的外徑比料筒(3)的內(nèi)徑小，撐條(23)與推桿(2 )連接，外圈(24)與撐條(23)之間構(gòu)成空隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種單晶硅熱場二次加料裝置，其特征 在于所述的推桿(2)下端的圓錐體(22)其頂錐角小于90度。
專利摘要本實用新型涉及一種加料裝置，尤其是涉及一種單晶硅熱場中，高溫作業(yè)下的第二次加入硅砂原材料的二次加料裝置，包括單晶硅熱場爐、夾頭、推桿、料筒，在推桿的下端設(shè)一圓錐體，推桿穿過料筒，圓錐體的大端直徑大于料筒的直徑，料筒內(nèi)加入硅砂，由起吊輸送裝置中的夾頭自動把料筒送進單晶硅熱場爐中，繼續(xù)下壓推桿，硅砂在自重作用下流入坩堝中，與前一次加入的已熔化的硅砂一道熔融，以達到單次結(jié)晶體大增的目的。
文檔編號F27B17/00GK201331263SQ200820303350
公開日2009年10月21日 申請日期2008年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月12日
發(fā)明者田黨軍, 鐘小平 申請人:浙江舒奇蒙能源科技有限公司