一種電磁加熱功率集成模塊的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種電磁加熱功率集成模塊，該集成模塊將電磁爐IGBT、整流橋堆、交流金屬化聚丙烯膜濾波電容、直流金屬化聚丙烯膜濾波電容、MKP諧振電容、電感線圈、散熱片、驅(qū)動(dòng)芯片塑封集成于同一模塊內(nèi)，交流金屬化聚丙烯膜濾波電容設(shè)于整流橋堆的1腳、2腳之間，整流橋堆的3腳接有電感線圈,所述電磁爐IGBT的C極接有MKP諧振電容，電感線路與電磁爐IGBT的E極之間設(shè)有直流金屬化聚丙烯膜濾波電容，模塊的1腳接于電磁爐IGBT的B極；模塊的2腳接于電磁爐IGBT的E極；模塊的3腳接于電磁爐IGBT的C極；模塊的4腳接于MKP諧振電容；模塊的5-6腳分別接于整流橋堆的2腳、1腳；模塊的7腳接于整流橋堆的4腳。該模塊安裝方便、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，可直接安裝在線路板內(nèi)，方便散熱。
【專利說明】一種電磁加熱功率集成模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種電磁加熱功率集成模塊。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，隨著電磁爐等電磁加熱產(chǎn)品的發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品的方便、簡(jiǎn)潔更加需求，對(duì)產(chǎn)品性能要求也越來越嚴(yán)格。在現(xiàn)有的產(chǎn)品控制板中，IGBT、整流橋堆是分散安裝在散熱片上進(jìn)行散熱，IGBT、整流橋堆、諧振電容、交流濾波電容、直流濾波電容、電感線圈這些器件所占空間都特別大，并且對(duì)IGBT、整流橋堆的溫升要求特別嚴(yán)格，直接影響整個(gè)電磁爐工作的性能，同時(shí)在電磁爐線路板生產(chǎn)的過程中元器件分散安裝造成的工藝問題更是數(shù)不勝數(shù)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的就是為了解決上述問題，提供一種電磁加熱功率集成模塊。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0005]一種電磁加熱功率集成模塊，該集成模塊將電磁爐IGBT(I)、整流橋堆(2)、交流金屬化聚丙烯膜濾波電容(Cl)、直流金屬化聚丙烯膜濾波電容(C3)、MKP諧振電容(C4)、電感線圈(LI)、散熱片、驅(qū)動(dòng)芯片塑封集成于同一模塊(M)內(nèi)，所述交流金屬化聚丙烯膜濾波電容(Cl)設(shè)于整流橋堆(2)的I腳、2腳之間，所述整流橋堆⑵的3腳接有電感線圈(LI),所述電磁爐IGBT(I)的C極接有MKP諧振電容(C4)，所述電感線路(LI)與電磁爐IGBT(I)的E極之間設(shè)有直流金屬化聚丙烯膜濾波電容(C3)，其中:
[0006]所述模塊(M)的I腳接于電磁爐IGBT (I)的B極；
[0007]所述模塊(M)的2腳接于電磁爐IGBT (I)的E極；
[0008]所述模塊(M)的3腳接于電磁爐IGBT (I)的C極；
[0009]所述模塊(M)的4腳接于MKP諧振電容(C4)；
[0010]所述模塊(M)的5-6腳分別接于整流橋堆(2)的2腳、I腳；
[0011 ] 所述模塊(M)的7腳接于整流橋堆(2)的4腳。
[0012]進(jìn)一步，所述模塊中，電磁爐IGBT(I)、MKP諧振電容(C4)、交流金屬化聚丙烯膜濾波電容(Cl)、直流金屬化聚丙烯膜濾波電容(C3)采用緊貼固定于散熱片，且各元器件通過絕緣導(dǎo)熱膠而封裝于模塊中。
[0013]進(jìn)一步，所述模塊中，整流橋堆采用銅架構(gòu)的形式。
[0014]進(jìn)一步，所述模塊中設(shè)置有溫度保護(hù)器。
[0015]本實(shí)用新型具有如下有益效果:該模塊安裝方便，模塊結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，可直接將模塊安裝在線路板內(nèi)，散熱方便。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為一種電磁加熱功率集成模塊電路圖。
[0017]圖2為一種電磁加熱功率集成模塊結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖3為一種電磁加熱功率集成模塊內(nèi)部元件分布圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0020]如圖1-3所示，一種電磁加熱功率集成模塊，該集成模塊將電磁爐IGBTl (固定在散熱片內(nèi)表面)、整流橋堆2 (以銅架構(gòu)的形式)、交流金屬化聚丙烯膜濾波電容Cl (電容太大的情況下并聯(lián)2個(gè)相同小容值電容)、直流金屬化聚丙烯膜濾波電容C3、MKP諧振電容C4、電感線圈L1、散熱片E、驅(qū)動(dòng)芯片G塑封集成于同一模塊M內(nèi)，該整體結(jié)構(gòu)大大減少了線路板元器件所占空間，方便線路板布局，所述交流金屬化聚丙烯膜濾波電容Cl設(shè)于整流橋堆2的I腳、2腳之間，所述整流橋堆2的3腳接有電感線圈LI,所述電磁爐IGBTl的C極接有MKP諧振電容C4，所述電感線路LI與電磁爐IGBTl的E極之間設(shè)有直流金屬化聚丙烯膜濾波電容C3。
[0021 ] 所述模塊M直接引出引腳，引腳V的連接關(guān)系如下:所述模塊M的I腳接于電磁爐IGBTl的B極；所述模塊M的2腳接于電磁爐IGBTl的E極；所述模塊M的3腳接于電磁爐IGBTl的C極；所述模塊M的4腳接于MKP諧振電容C4 ;所述模塊M的5_6腳分別接于整流橋堆2的2腳、I腳；所述模塊M的7腳接于整流橋堆2的4腳。
[0022]所述模塊中，電磁爐IGBTUMKP諧振電容C4、交流金屬化聚丙烯膜濾波電容Cl、直流金屬化聚丙烯膜濾波電容C3采用緊貼固定于散熱片(電容包有錫紙)，且各元器件通過絕緣導(dǎo)熱膠而封裝于模塊中，該結(jié)構(gòu)能夠有效降低成本，方便散熱。
[0023]所述模塊中，整流橋堆采用銅架構(gòu)的形式。
[0024]所述模塊中設(shè)置有溫度保護(hù)器(溫度保護(hù)芯片)Z，整合該器件而不需要外加散熱片，散熱效果更佳。
[0025]參見圖3，該圖示出了線路板N上所承載的各元器件的分布圖，各元器件的內(nèi)部間隙部分設(shè)置絕熱導(dǎo)熱膠。
[0026]全文略去了對(duì)于公知技術(shù)的描述。
[0027]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不僅限于上述實(shí)施方式，凡是屬于本實(shí)用新型原理的技術(shù)方案均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的原理的前提下進(jìn)行的若干改進(jìn)，這些改進(jìn)也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電磁加熱功率集成模塊，其特征在于，該集成模塊將電磁爐IGBT (I)、整流橋堆(2)、交流金屬化聚丙烯膜濾波電容(Cl)、直流金屬化聚丙烯膜濾波電容(C3)、MKP諧振電容(C4)、電感線圈(LI)、散熱片、驅(qū)動(dòng)芯片塑封集成于同一模塊(M)內(nèi)，所述交流金屬化聚丙烯膜濾波電容(Cl)設(shè)于整流橋堆(2)的I腳、2腳之間，所述整流橋堆(2)的3腳接有電感線圈(LI)，所述電磁爐IGBT(I)的C極接有MKP諧振電容(C4)，所述電感線路(LI)與電磁爐IGBT(I)的E極之間設(shè)有直流金屬化聚丙烯膜濾波電容(C3)，其中: 所述模塊(M)的I腳接于電磁爐IGBT(I)的B極； 所述模塊(M)的2腳接于電磁爐IGBT(I)的E極； 所述模塊(M)的3腳接于電磁爐IGBT(I)的C極； 所述模塊(M)的4腳接于MKP諧振電容(C4)； 所述模塊(M)的5-6腳分別接于整流橋堆(2)的2腳、I腳； 所述模塊(M)的7腳接于整流橋堆(2)的4腳。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁加熱功率集成模塊，其特征在于，所述模塊中，電磁爐IGBT(I)、MKP諧振電容(C4)、交流金屬化聚丙烯膜濾波電容(Cl)、直流金屬化聚丙烯膜濾波電容(C3)采用緊貼固定于散熱片，且各元器件通過絕緣導(dǎo)熱膠而封裝于模塊中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁加熱功率集成模塊，其特征在于，所述模塊中，整流橋堆采用銅架構(gòu)的形式。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁加熱功率集成模塊，其特征在于，所述模塊中設(shè)置有溫度保護(hù)器。
【文檔編號(hào)】F24C7/00GK203928035SQ201420274966
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年5月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月26日
【發(fā)明者】高新忠, 甘嵩, 馮祥遠(yuǎn), 周定鋒 申請(qǐng)人:杭州信多達(dá)電器有限公司