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      納米催化電解絮凝裝置的制作方法

      文檔序號(hào):4809466閱讀:237來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):納米催化電解絮凝裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種電解絮凝裝置,特別是涉及一種以表面覆蓋有納米催化材料的鈦電極為陽(yáng)極的納米催化電解絮凝裝置。
      背景技術(shù)
      目前,水和廢水的殺菌消毒、沉淀凈化多采用化學(xué)方法和生化方法,在處理過(guò)程中需要添加大量的化學(xué)藥劑并產(chǎn)生大量的污泥。如在自來(lái)水生產(chǎn)中,大多采用氯氣或次氯酸鈉對(duì)水體消毒,再經(jīng)絮凝沉淀和過(guò)濾。廢水處理時(shí),通常加入絮凝劑進(jìn)行絮凝反應(yīng)后,進(jìn)行沉淀或氣浮分離,再經(jīng)生化處理。雖然這種處理方法可以起到一定的作用,但是都存在運(yùn)行成本較高、產(chǎn)生污泥量大、存在對(duì)環(huán)境造成二次污染等不足。此外,隨著工業(yè)的發(fā)展、人們活動(dòng)的加劇,對(duì)環(huán)境的污染日益嚴(yán)重,已嚴(yán)重威脅到社會(huì)的發(fā)展和人類(lèi)的安全。環(huán)境污染主要包括廢水污染、土壤污染、大氣污染、噪聲污染和電磁污染等。其中,廢水污染尤其嚴(yán)重,已到了非治不可的地步。目前,治理廢水的技術(shù)可分為物理處理法、物化處理法和生化處理化三大類(lèi)。物理處理法主要是采用沉淀、過(guò)濾、浮選、蒸發(fā)等方法去除較大顆粒的雜質(zhì)等,其中過(guò)濾包括常規(guī)過(guò)濾、減壓過(guò)濾、壓濾、離心過(guò)濾、微濾、超濾、納濾和反滲透過(guò)濾。物化處理法主要是采用氧化還原、萃取、吸附、離子交換、混凝沉淀、中和、電滲析等方法去除細(xì)小懸浮物、膠體和水溶解物質(zhì),或者將有毒物質(zhì)改性成為無(wú)毒物質(zhì)。生化處理法主要是通過(guò)生物作用將廢水中膠體的和溶解的有機(jī)物質(zhì)分解破壞而分離去除,主要有厭氧、好氧、兼氧發(fā)酵寸。近年來(lái),電化學(xué)處理是物化處理技術(shù)中發(fā)展較為活躍的廢水處理技術(shù),它主要是利用原電池原理或電解原理對(duì)廢水進(jìn)行處理。當(dāng)前,有各種類(lèi)型的微電解裝置和電解裝置, 已應(yīng)用于生活廢水、工業(yè)有機(jī)廢水、電鍍廢水、油田廢水等的處理中。但是,現(xiàn)有的電解裝置在運(yùn)行過(guò)程中暴露出一些問(wèn)題,一是固定填料微電解處理裝置經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的運(yùn)行后,填料易結(jié)塊,出現(xiàn)溝流等現(xiàn)象,大大降低處理效果;二是流化床雖然解決了結(jié)塊問(wèn)題,但為確保流化態(tài),填料需要不斷循環(huán),動(dòng)力消耗較大,并且填料容易流失?,F(xiàn)有的電解裝置在運(yùn)行過(guò)程中同樣暴露出一些問(wèn)題,一是電極消耗大,電極材料污染水體;二是電極的電密度小, 過(guò)電位高,工作電壓較高,電能應(yīng)用效率不高,能耗大;三是電解后,固液分離效果不理想, 需要進(jìn)行二次固液分離,流程長(zhǎng)。中國(guó)專(zhuān)利CN1283595公開(kāi)一種催化微電解裝置,由筒體、充填活化了的鑄鐵屑活性炭和催化劑的床層、加料口、卸料口、進(jìn)出水管、高壓空氣管等所構(gòu)成。該裝置在處理廢水過(guò)程中具有催化、氧化還原、吸附、脫色、絮凝以及微濾等多種功能,可處理多種工業(yè)廢水, 效果好,裝置的造價(jià)和運(yùn)行費(fèi)用低,操作方便,安全可靠。中國(guó)專(zhuān)利CN101544415公開(kāi)一種用于水相有機(jī)物分解的膨化床電解裝置及處理工藝。所述一種膨化床電解裝置包括電解槽、設(shè)置于電解槽內(nèi)的陰陽(yáng)電極和顆粒電極,以及循環(huán)水泵和電源,所述電解槽為圓筒狀,所述陰極為圓筒狀不銹鋼網(wǎng)、沿所述電解槽的內(nèi)壁與電解槽同軸設(shè)置,所述陽(yáng)極為棒狀Ti/Sn02+Sb204復(fù)合電極、設(shè)置在所述電解槽軸心位置,所述顆粒電極為Y -Al203/Sn02+Sb204球形顆粒催化電極、位于所述陰極和陽(yáng)極之間形成的電解反應(yīng)區(qū);所述循環(huán)水泵通過(guò)設(shè)置在電解槽頂端和底部的出水管和進(jìn)水管與電解反應(yīng)區(qū)組成水循環(huán)系統(tǒng)。
      發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有的微電解裝置和電解裝置存在的不足,提供一種相鄰兩極工作電壓極低、電流密度大、能耗較小、電效率較高、沒(méi)有電極消耗集電解、固液分離和氣液分離功能為一體的納米催化電解絮凝裝置。本實(shí)用新型設(shè)有殼體,在殼體底部設(shè)有廢水進(jìn)水口,所述廢水進(jìn)水口通過(guò)管道與進(jìn)水管道連接,在殼體內(nèi)設(shè)有浮渣擋板和擋水板,浮渣擋板與殼體內(nèi)一側(cè)構(gòu)成排水室,浮渣擋板的底部與殼體底部留有間隙,排水室設(shè)有排水口,擋水板與殼體內(nèi)另一側(cè)構(gòu)成排渣室, 擋水板頂部與殼體頂部留有間隙,排渣室設(shè)排渣口 ;在殼體頂部靠排渣口一端設(shè)有排氫口, 在浮渣擋板與擋水板之間設(shè)有至少1個(gè)電解槽,電解槽的底部固定在殼體內(nèi)底部,電解槽的頂部敞開(kāi)并與殼體頂部留有間隙,電解槽內(nèi)安裝有電極,電極包括陽(yáng)極和陰極,所述陽(yáng)極與直流電源的陽(yáng)極聯(lián)接,所述陰極與直流電源的陰極聯(lián)接;在電解槽上方的殼體內(nèi)構(gòu)成氣液分離室。排污口設(shè)置在殼體底部,位于擋水板與其相鄰電解槽之間。所述殼體可設(shè)有內(nèi)層和外層,內(nèi)層可采用工程塑料內(nèi)層,外層可采用鋼板外層。所述電解槽為圓柱體電解槽、正方體電解槽或長(zhǎng)方體電解槽等。所述電解槽頂部敞開(kāi)并與殼體頂部留有1/5 1/4高度的間隙。所述擋水板頂部留有比電解槽高出30 50mm的間隙。所述陽(yáng)極可采用表面覆蓋有晶粒為10 35nm的金屬氧化物涂層的鈦基板陽(yáng)極, 所述陽(yáng)極可為平板狀陽(yáng)極、圓弧狀陽(yáng)極、圓筒狀陽(yáng)極或網(wǎng)狀陽(yáng)極等。所述陽(yáng)極可為表面覆蓋有晶粒金屬氧化物涂層的鈦基板陽(yáng)極,所述陰極可為鈦陰極、鐵陰極、鋁陰極、不銹鋼陰極、鋅陰極、銅陰極、鎳陰極、鉛陰極或石墨陰極等,所述陰極可為圓弧狀陰極、圓筒狀陰極或網(wǎng)狀陰極等。所述出水口可設(shè)置在排水室的高度的3/4 4/5處。所述陽(yáng)極與陰極間的工作電壓可為2 8V,電流密度可為10 300mA/cm2,陽(yáng)極與陰極間的工作電壓最好為3 6V,電流密度最好為150 230mA/cm2。在對(duì)水電解消毒凈化時(shí),通過(guò)覆蓋于陽(yáng)極表層的納米涂層的電催化作用,降低電解的過(guò)電位,從而使水在較低的電壓條件下電解,產(chǎn)生初生態(tài)的氧、羥基和初生態(tài)的氫。并發(fā)生以下四個(gè)作用1、電解產(chǎn)生的初生態(tài)的氧和初生態(tài)的羥基等強(qiáng)氧化物質(zhì)殺滅水中的微生物、細(xì)菌、藻類(lèi)和浮游生物。2、電解產(chǎn)生的初生態(tài)的氧和初生態(tài)的羥基氧化分解水中的有機(jī)物,降低水中的 COD。3、在電場(chǎng)作用下,使水體脫穩(wěn),促使存在于水中的固體懸浮物、水中殺滅的微生物、細(xì)菌、藻類(lèi)、浮游生物尸體和溶解在水中的膠體產(chǎn)生絮凝沉淀。4、陰極產(chǎn)生的新生態(tài)氫能形成大量的氣泡,隨著氣體的上浮,會(huì)帶出大量的固體懸浮物,達(dá)到固液分離的效果,從而進(jìn)一步降低水中的COD、色度、濁度等污染指數(shù)。[0021]通過(guò)以上四個(gè)作用,從而實(shí)現(xiàn)水的消毒凈化。在對(duì)海水和苦咸水凈化消毒時(shí),是通過(guò)覆蓋于陽(yáng)極表層的涂層的電催化作用,降低電解的過(guò)電位,從而使海水、苦咸水在較低的電壓條件下電解,產(chǎn)生初生態(tài)的氯[Cl]和初生態(tài)的氫[H],并發(fā)生以下三個(gè)作用1、電解產(chǎn)生的初生態(tài)的氯[Cl]殺滅水中的微生物、藻類(lèi)和浮游生物,消除微生物、藻類(lèi)和浮游生物對(duì)膜的污染。2、電解產(chǎn)生的初生態(tài)的氯[Cl]氧化水中的有機(jī)物,降低水中的COD。3、在電解的電場(chǎng)作用下,使水體脫穩(wěn),促使存在于水中的固體懸浮物、水中殺滅的微生物、細(xì)菌、藻類(lèi)、浮游生物尸體和溶解在水中的膠體產(chǎn)生絮凝沉淀。通過(guò)以上三個(gè)作用,從而實(shí)現(xiàn)海水、苦咸水的消毒凈化消毒。在對(duì)廢水進(jìn)行處理時(shí),是通過(guò)覆蓋于陽(yáng)極表層的涂層的電催化作用,降低電解的過(guò)電位,從而使廢水在較低的電壓條件下電解,產(chǎn)生初生態(tài)的強(qiáng)氧化性物質(zhì),在有大量氯離子存在時(shí),產(chǎn)生的是初生態(tài)的氯[Cl]和初生態(tài)的氫[H];在沒(méi)有氯離子存在時(shí),產(chǎn)生的是初生態(tài)的氧[0]、羥基[0H]和初生態(tài)的氫[H],并發(fā)生以下六個(gè)作用1、電解產(chǎn)生的初生態(tài)的強(qiáng)氧化性物質(zhì)殺滅水中的微生物、細(xì)菌、藻類(lèi)和浮游生物。2、電解產(chǎn)生的初生態(tài)的強(qiáng)氧化性物質(zhì)快速氧化分解廢水中的有機(jī)物,降低廢水中的 COD。3、電解產(chǎn)生的初生態(tài)的強(qiáng)氧化性物質(zhì)快速氧化分解廢水中的有色物質(zhì)的發(fā)色基團(tuán)發(fā)生斷鏈或開(kāi)環(huán),使廢水脫色。4、電解產(chǎn)生的初生態(tài)的強(qiáng)氧化性物質(zhì)快速氧化分解廢水中的氨氮。5、電解過(guò)程中產(chǎn)生的0H_可以與一些金屬離子作用(如1 3+)產(chǎn)生沉淀沉降下來(lái), 這些沉淀小顆??善鹬齽┑淖饔?,促進(jìn)溶液中的懸浮物質(zhì)聚集沉降。另外電解過(guò)程中,電場(chǎng)可以迅速破壞水體中的膠體結(jié)構(gòu),使水體脫穩(wěn),促使存在于廢水中的固體懸浮物、水中殺滅的微生物、細(xì)菌、藻類(lèi)和浮游生物尸體、被溶解在水中的膠體長(zhǎng)產(chǎn)生絮凝沉淀,極大限度降低投加的絮凝劑的用量。6、陰極產(chǎn)生的新生態(tài)氫能形成大量的氣泡,隨著氣體的上浮,會(huì)帶出大量的固體懸浮物,達(dá)到固液分離的效果,從而進(jìn)一步降低廢水中的COD、色度、濁度等污染指數(shù)。通過(guò)以上六個(gè)作用,從而實(shí)現(xiàn)廢水的凈化處理。綜上所述,本實(shí)用新型是集納米技術(shù)、催化技術(shù)和電化學(xué)技術(shù)為一體的新型水處理裝置,其納米電極具有較高的電催化活性,電解過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量具有強(qiáng)氧化性的自由基,能快速有效氧化分解水中的還原性物質(zhì)(包括染料等有機(jī)物),此外,還有以下作用1、絮凝作用電解過(guò)程中產(chǎn)生的0H_可以與一些金屬離子作用(如1 3+)產(chǎn)生沉淀沉降下來(lái),這些沉淀小顆??善鹬齽┑淖饔?,促進(jìn)溶液中的懸浮物質(zhì)聚集沉降。另外電解過(guò)程中,電場(chǎng)可以迅速破壞水體中的膠體結(jié)構(gòu),使其絮凝沉降,極大限度降低投加的絮凝劑的用量。2、脫色作用電解過(guò)程產(chǎn)生的具有強(qiáng)氧化性的自由基可以快速降解水中的染料的分子結(jié)構(gòu),減少有色物質(zhì)對(duì)水質(zhì)色度的影響。3、降低氨氮作用[0041]電解產(chǎn)生的初生態(tài)的強(qiáng)氧化性物質(zhì)快速氧化分解廢水中的氨氮。4、殺菌消毒作用電解過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量具有強(qiáng)氧化性的自由基,能快速殺滅水中的細(xì)菌等微生物和病毒,具有強(qiáng)大的殺菌消毒作用。5、抑制水中藻類(lèi)生長(zhǎng)作用電解過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量具有強(qiáng)氧化性的自由基,能快速氧化分解細(xì)胞壁,破壞藻類(lèi)的細(xì)胞結(jié)構(gòu),阻斷藻類(lèi)的DNA復(fù)制,抑制水中藻類(lèi)生長(zhǎng)。6、氣浮作用陰極產(chǎn)生的新生態(tài)氫能形成大量的氣泡,隨著氣體的上浮,會(huì)帶出大量的固體懸浮物,達(dá)到固液分離的效果,從而進(jìn)一步降低廢水中的COD、色度、濁度等污染指數(shù)。采用納米催化電解絮凝裝置對(duì)水進(jìn)行凈化處理,具有如下顯著優(yōu)點(diǎn)1、加入絮凝劑和氣浮劑等化學(xué)物質(zhì)只有傳統(tǒng)工藝的三分之一,不僅節(jié)省水處理成本,而且大幅度降低物料消耗并且不產(chǎn)生二次污染;2、加入絮凝劑和氣浮劑等化學(xué)物質(zhì)只有傳統(tǒng)工藝的三分之一,污泥只有傳統(tǒng)技術(shù)的三分之一,大幅度降低污泥排放,減少固體廢物處理成本;3、納米催化電解可以降解生化難以降解的大分子物質(zhì),改善后續(xù)的A/0條件,提
      高A/0效果。

      圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)組成示意圖。圖2為圖1的B-B剖視結(jié)構(gòu)組成示意圖。圖3為圖1的A-A剖視結(jié)構(gòu)組成示意圖。
      具體實(shí)施方式
      以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的作進(jìn)一步的說(shuō)明。如圖1 3所示,本實(shí)用新型實(shí)施例設(shè)有殼體1、進(jìn)水口 2、電解槽3、電極4、排氫口 5、浮渣擋板6、擋水板7、排水室8、氣液分離室9、排渣室10、出水口 11、排渣口 12、陽(yáng)極接線(xiàn)柱13、陰極接線(xiàn)柱14和排污口 15。在殼體1底部設(shè)有廢水進(jìn)水口 2,廢水進(jìn)水口經(jīng)管道接進(jìn)水管道,在殼體1內(nèi)設(shè)有浮渣擋板6和擋水板7,浮渣擋板6與殼體內(nèi)一側(cè)構(gòu)成排水室8,浮渣擋板6的底部與殼體 1底部留有間隙,排水室8設(shè)有排水口 11,擋水板7與殼體內(nèi)另一側(cè)構(gòu)成排渣室10,擋水板 7頂部與殼體1頂部留有間隙,排渣室10設(shè)排渣口 12 ;在殼體1頂部靠排渣口 12 —端設(shè)有排氫口 5,在浮渣擋板6與擋水板7之間設(shè)有至少1個(gè)電解槽3,電解槽3的底部固定在殼體1內(nèi)底部,電解槽3的頂部敞開(kāi)并與殼體1頂部留有間隙,電解槽3內(nèi)安裝有電極4,電極4包括陽(yáng)極和陰極,所述陽(yáng)極與直流電源的陽(yáng)極聯(lián)接,所述陰極與直流電源的陰極聯(lián)接; 在電解槽3上方的殼體內(nèi)構(gòu)成氣液分離室9。排污口設(shè)在殼體底部,位于擋水板與其相鄰電解槽之間。殼體1由內(nèi)外兩層構(gòu)成,外層為鋼板,內(nèi)層為工程塑料加工而成。進(jìn)水口 2設(shè)在殼體1底部,通過(guò)閥門(mén)和管道與進(jìn)水管道聯(lián)接。電解槽3的底部固定在殼體1底部,電解槽3頂部為敞開(kāi)并與殼體1頂部有1/5 1/4高度的間隙,電解槽3設(shè)至少一個(gè)電解槽,電解槽 3為圓柱形;電解槽3內(nèi)安裝有電極4,以鈦為基板,表面覆蓋有晶粒為10 35nm的金屬氧化物涂層的形穩(wěn)陽(yáng)極,陽(yáng)極為平板狀、圓弧狀、圓筒狀或網(wǎng)狀的一種形狀;電解槽3內(nèi)安裝有以鈦、鐵、鋁、不銹鋼、鋅、銅、鎳、鉛、石墨為材料的陰極,陰極為圓弧狀、圓筒狀或網(wǎng)狀的一種形狀;納米催化電解絮凝裝置的進(jìn)水口 2和排渣口 12設(shè)置在納米催化電解絮凝裝置的底部,出水口 11設(shè)置在排水室8的高度的3/4 4/5處,電解產(chǎn)生的污泥經(jīng)過(guò)排污口 15排出;排氫口 5設(shè)置在頂部靠排渣口 12—端,電解產(chǎn)生的氫氣經(jīng)排氫口 5排出;擋水板7固定安裝在殼體1底部并位于裝置長(zhǎng)度的6/7處,與殼體1構(gòu)成排渣室10,上部與殼體1頂部有 1/5 1/4的間隙并比電解槽2高出30 50mm,電解產(chǎn)生的氣泡、浮渣越過(guò)擋水板進(jìn)入排渣室10,經(jīng)排渣口 12排出;浮渣擋板6固定安裝在殼體1頂部并位于裝置長(zhǎng)度的1/7處, 構(gòu)成排水室8,下部與殼體1底部有1/5 1/4的間隙,電解后的廢水經(jīng)過(guò)浮渣擋板6的下部的間隙進(jìn)入排水室8,經(jīng)排水口 11排出;浮渣擋板6將殼體1內(nèi)上部分隔成氣液分離室 9,電解產(chǎn)生的氫氣在氣液分離室9進(jìn)行氣液分離后從經(jīng)排氫口 5排出;陽(yáng)極接線(xiàn)柱13與直流電源的陽(yáng)極聯(lián)接,陰極接線(xiàn)柱14與直流電源的陰極聯(lián)接。所述納米催化電解絮凝裝置工作時(shí)的陽(yáng)極與陰極間的工作電壓為2 8V,電流密度為10 300mA/cm2,兩極間的最佳工作電壓為3 6V,最佳電流密度為150 230mA/cm2。以下給出所述納米催化電解絮凝裝置的具體實(shí)施例。實(shí)施例1對(duì)淡水的凈化消毒的處理效果將淡水泵入納米催化電解絮凝裝置電解,兩極間的電壓為5 8V,電解密度為 10 200mA/cm2的催化電解機(jī),保持淡水在納米催化電解絮凝裝置中的停留時(shí)間為0. 5 lmin,淡水的電解的用電量控制為0. 009 0. 010度/m3。處理前后的效果見(jiàn)表1 (未經(jīng)處理的淡水指標(biāo))和表2 (經(jīng)過(guò)納米催化電解絮凝裝置處理后的淡水指標(biāo))。表3[0080]序號(hào)項(xiàng)目指標(biāo)序號(hào)項(xiàng)目指標(biāo)[0081]1臭和味無(wú)異臭異味5COD(mg/L)7[0082]2PH8. 16氨氮(mg/L)0. 3[0083]3SS(mg/L)197藻類(lèi)(個(gè)/L)1. 5 X IO2[0084]4渾濁度/NTU 3. 58細(xì)菌總數(shù)(個(gè)/L)1. 9E+03[0085]表4[0086]序號(hào)項(xiàng)目指標(biāo)序號(hào)項(xiàng)目指標(biāo)[0087]1臭和味無(wú)異臭異味5COD(mg/L)^ 1[0088]2PH8. 16氨氮(mg/L)<未檢出[0089]3SS(mg/L)^ 17藻類(lèi)(個(gè)/L)未檢出[0090]4渾濁度/NTU^ 18細(xì)菌總數(shù)(個(gè)/L) ( 1[0091]實(shí)施例3[0092]對(duì)印染深度處理廢水的處理效果[0093]將經(jīng)過(guò)A/0處理的二.沉池印染深度處理廢水流入納米催化電解絮凝裝置電解,兩
      極間的電壓為3 6V,電解密度為10 300mA/cm2的催化電解,保持廢水在納米催化電解絮凝裝置中的停留時(shí)間為2 5min,廢水的電解的用電量控制為0. 8 1. 0度/m3。處理前后的效果見(jiàn)表5 (未經(jīng)處理的混合池的印染綜合廢水指標(biāo))和表6 (經(jīng)過(guò)納米催化電解處理后印染廢水指標(biāo))。
      0094]表50095]序號(hào)項(xiàng)目單位測(cè)定值序號(hào)項(xiàng)目單位測(cè)定值0096]1CODcrmg/L3165S2-mg/L20097]2SSmg/L806色度2000098]3氨氮mg/L3. 57PH7. 30099]4BOD5mg/L128氯化鈉 %。2. 30100]表60101]序號(hào)項(xiàng)目單位測(cè)定值序號(hào)項(xiàng)目單位測(cè)定值0102]1CODcrmg/L2535S2-mg/L20103]2SSmg/L2116色度300104]3氨氮mg/L07PH7. 30105]4BOD5mg/L788氯化鈉%o2. 30106]實(shí)施例10107]對(duì)制革廢水的處理效果0108]制革廢水進(jìn)入粗格柵過(guò)濾機(jī)過(guò)濾除去大顆粒固體物后流入調(diào)節(jié)池混合,再將調(diào)
      池的廢水泵入水力篩過(guò)濾脫毛發(fā)等雜質(zhì)后流入脫硫反應(yīng)池,脫硫廢水流入納米催化電解絮凝裝置電解,電解的工作電壓為2 500V,兩極間的電壓為3 6V,電解密度為10 300mA/ cm2,保持廢水在納米催化電解絮凝裝置中的停留時(shí)間為5 15min,廢水的電解的用電量控制為0. 8 1. 2度An30處理前后的效果見(jiàn)表7(制革綜合廢水經(jīng)過(guò)脫硫后的指標(biāo))和表 8 (制革綜合廢水經(jīng)過(guò)納米催化電解后的指標(biāo))。表7[0110] 佶序號(hào)項(xiàng)目單位測(cè)定值序號(hào)項(xiàng)目單位測(cè)定但1CODcrmg/L35606S2-mg/L2[0112]2SSmg/L31107色度3200[0113]3氨氮mg/L2658PH9. 3[0114]4Crmg/L1209電導(dǎo)率μ S/cm3200[0115]5BOD5mg/L173010氯化鈉%o1. 6[0116]表8[0117]序號(hào)項(xiàng)目單位測(cè)定值序號(hào)項(xiàng)目單位測(cè)定值[0118]1CODcrmg/L8206S2-mg/L2[0119]2SSmg/L13107色度30[0120]3NH3-Nmg/L958PH9. 3[0121]4Crmg/L939電導(dǎo)率μ S/cm3200[0122]5BOD5mg/L79010氯化鈉%o1. 3[0123]實(shí)施例5[0124]對(duì)制革廢水生化后二沉池的制革深度處理廢水的處理效果[0125]將經(jīng)過(guò)A/0處理的二沉池制革深度處理廢水流入納米催化電解絮凝裝置電解,電
      解的工作電壓為2 500V,兩極間的電壓為3 6V,電解密度為10 300mA/cm2,保持廢水在納米催化電解裝置中的停留時(shí)間為5 15min,廢水的電解的用電量控制為0. 8 1. 2度 /m3。處理前后的效果見(jiàn)表9 (制革生化后二沉池廢水指標(biāo))和表10 (生化后二沉池廢水經(jīng)過(guò)納米催化電解處理后的指標(biāo))。 表 9序號(hào)項(xiàng)目單位測(cè)定值序號(hào)項(xiàng)目單位測(cè)定值[0128]1CODcrmg/11654BOD5mg/110[0129]2SSmg/1225色度120[0130]3氨氮mg/12. 96PH9. 3[0131]表10[0132]項(xiàng)目單位測(cè)定值序號(hào)項(xiàng)目單位測(cè)定值[0133]序號(hào)[0134]1CODcrmg/11084BOD5mg/193[0135]2SSmg/1555色度8[0136]3氨氮mg/11. 26PH9. 權(quán)利要求1.納米催化電解絮凝裝置,其特征在于設(shè)有殼體,在殼體底部設(shè)有廢水進(jìn)水口,所述廢水進(jìn)水口通過(guò)管道與進(jìn)水管道連接,在殼體內(nèi)設(shè)有浮渣擋板和擋水板,浮渣擋板與殼體內(nèi)一側(cè)構(gòu)成排水室,浮渣擋板的底部與殼體底部留有間隙,排水室設(shè)有排水口,擋水板與殼體內(nèi)另一側(cè)構(gòu)成排渣室,擋水板頂部與殼體頂部留有間隙,排渣室設(shè)排渣口 ;在殼體頂部靠排渣口一端設(shè)有排氫口,在浮渣擋板與擋水板之間設(shè)有至少1個(gè)電解槽,電解槽的底部固定在殼體內(nèi)底部,電解槽的頂部敞開(kāi)并與殼體頂部留有間隙,電解槽內(nèi)安裝有電極,電極包括陽(yáng)極和陰極,所述陽(yáng)極與直流電源的陽(yáng)極聯(lián)接,所述陰極與直流電源的陰極聯(lián)接;在電解槽上方的殼體內(nèi)構(gòu)成氣液分離室,排污口設(shè)置在殼體底部,位于擋水板與其相鄰電解槽之間。
      2.如權(quán)利要求1所述的納米催化電解絮凝裝置,其特征在于所述殼體設(shè)有內(nèi)層和外層。
      3.如權(quán)利要求1所述的納米催化電解絮凝裝置,其特征在于所述電解槽為圓柱體電解槽、正方體電解槽或長(zhǎng)方體電解槽。
      4.如權(quán)利要求1所述的納米催化電解絮凝裝置,其特征在于所述電解槽頂部敞開(kāi)并與殼體頂部留有1/5 1/4高度的間隙。
      5.如權(quán)利要求1所述的納米催化電解絮凝裝置,其特征在于所述擋水板頂部與殼體頂部留有比電解槽高出30 50mm的間隙。
      6.如權(quán)利要求1所述的納米催化電解絮凝裝置,其特征在于所述陽(yáng)極采用表面覆蓋有晶粒為10 35nm的金屬氧化物涂層的鈦基板陽(yáng)極,所述陽(yáng)極為平板狀陽(yáng)極、圓弧狀陽(yáng)極、 圓筒狀陽(yáng)極或網(wǎng)狀陽(yáng)極。
      7.如權(quán)利要求1所述的納米催化電解絮凝裝置,其特征在于所述陽(yáng)極為表面覆蓋有晶粒金屬氧化物涂層的鈦基板陽(yáng)極,所述陰極為圓弧狀陰極、圓筒狀陰極或網(wǎng)狀陰極。
      8.如權(quán)利要求1所述的納米催化電解絮凝裝置,其特征在于所述出水口設(shè)置在排水室的高度的3/4 4/5處。
      專(zhuān)利摘要納米催化電解絮凝裝置,涉及一種電解絮凝裝置。提供一種相鄰兩極工作電壓極低、電流密度大、能耗較小、電效率較高、沒(méi)有電極消耗集電解、固液分離和氣液分離功能為一體的納米催化電解絮凝裝置。在殼體底部設(shè)有進(jìn)水口,在殼體內(nèi)設(shè)有浮渣擋板和擋水板,浮渣擋板與殼體內(nèi)一側(cè)構(gòu)成排水室,浮渣擋板底部與殼體底部留間隙,擋水板與殼體內(nèi)另一側(cè)構(gòu)成排渣室,擋水板頂部與殼體頂部留間隙;在殼體頂部設(shè)排氫口,在浮渣擋板與擋水板之間設(shè)有電解槽,電解槽頂部敞開(kāi)并與殼體頂部留間隙,電解槽內(nèi)安裝有電極,在電解槽上方的殼體內(nèi)構(gòu)成氣液分離室。排污口設(shè)置在殼體底部,位于擋水板與其相鄰電解槽之間。
      文檔編號(hào)C02F1/463GK201990524SQ20102069064
      公開(kāi)日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2010年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月30日
      發(fā)明者庹孝軍, 張世文, 潘美平 申請(qǐng)人:波鷹(廈門(mén))科技有限公司
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