.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述預(yù)處理清洗百分比在50%-99%的范圍中。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述預(yù)處理第一工藝時(shí)間小于120秒。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述預(yù)處理清洗百分比在50%-99%的范圍中，并且預(yù)處理照射持續(xù)時(shí)間小于120秒。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述兩個(gè)或更多個(gè)預(yù)處理目標(biāo)包括所述預(yù)處理系統(tǒng)和濕清洗系統(tǒng)的目標(biāo)總體擁有成本、所述第一工藝時(shí)間以及所述下面的電介質(zhì)層的k值的變化。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中， 組合的預(yù)處理系統(tǒng)和濕清洗系統(tǒng)的所述目標(biāo)總體擁有成本小于僅使用濕清洗系統(tǒng)清洗所述基板的成本； 所述第一工藝時(shí)間小于120秒；以及 所述下面的電介質(zhì)層的k值的變化是0.2或更小。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，傳送所述預(yù)處理氣體利用了從空氣中產(chǎn)生的氧原子和臭氧，或者利用了具有臭氧的間接源的氧，其中，所述臭氧通過真空UV源或電暈放電產(chǎn)生。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，通過在所述基板處于僅254nm輻射的照射下時(shí)、具有240nm以下波長的UV源被饋入到所述處理室，來產(chǎn)生臭氧。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述UV裝置是一個(gè)或更多個(gè)低壓汞燈。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述UV裝置具有兩個(gè)光波長范圍，包括185nm的第一主光波長和254nm的第二主光波長。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述UV裝置利用擴(kuò)散板來吸收185nm照射。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述下面的電介質(zhì)層的k值在2.0-2.6的范圍中，并且基板溫度在25°C _150°C的范圍中。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述氧分壓強(qiáng)在15Torr-159Torr的范圍中，并且所述工藝氣體總壓強(qiáng)在80Torr-760Torr的范圍中。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述UV劑量在0.lJ/cm2-20.0J/cm2的范圍中。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述預(yù)處理第一工藝時(shí)間結(jié)束之后，使用所述濕清洗系統(tǒng)執(zhí)行濕清洗工藝。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在單個(gè)晶圓系統(tǒng)上執(zhí)行所述濕清洗工藝。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，使用第一單個(gè)晶圓系統(tǒng)執(zhí)行所述預(yù)處理工藝，并且使用第二單個(gè)晶圓系統(tǒng)執(zhí)行所述濕清洗工藝，或者其中，使用同一單個(gè)晶圓系統(tǒng)執(zhí)行所述預(yù)處理工藝和濕清洗工藝。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述濕清洗工藝使用具有處理液的浸沒清洗工藝，所述處理液使用水溶性、半水溶性或者全溶性化學(xué)品。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述處理液包括氫氧化銨(NH4OH)和過氧化氫(H2O2)、稀氫氟酸(DHF)、去離子水(DIW)和臭氧(O3)或者二甲基亞砜(DMSO)或單乙醇胺(MEA)中的一個(gè)或更多個(gè)。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括循環(huán)所述處理液。22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述清洗系統(tǒng)是前段制程制造集群或者后段制程制造集群的一部分。23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在所述處理室中，所述預(yù)處理氣體被傳送并且被混合，其中，通過在所述基板處于僅254nm福射的照射時(shí)具有240nm以下波長的UV源被饋入到所述處理室來產(chǎn)生所述臭氧，以及其中，所述UV源位于擴(kuò)散板之上，所述擴(kuò)散板被配置成在預(yù)處理工藝期間阻擋185nm波長的光照射所述基板并且在隨后的濕清洗工藝期間保護(hù)所述UV源和相關(guān)設(shè)備。24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述處理室被配置成在所述預(yù)處理工藝期間以及在隨后的濕清洗工藝期間用作反應(yīng)室。25.一種用于控制單個(gè)基板上的層的清洗的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: 基板，所述基板具有包括離子注入抗蝕劑和聚合物膜的層，所述基板具有k值； 基板清洗系統(tǒng)，包括: 處理室，所述處理室被配置成保持所述基板； 工藝氣體傳送系統(tǒng)，所述工藝氣體傳送系統(tǒng)與所述處理室耦接，并且被配置成在第一工藝時(shí)間期間將一種或更多種工藝氣體傳送到所述基板的表面的一部分上； 紫外UV裝置，所述UV裝置與所述處理室耦接，并且被配置成在第一工藝時(shí)間內(nèi)采用UV光照射所述基板的表面，所述UV裝置具有一個(gè)或更多個(gè)波長范圍和UV劑量； 處理液傳送系統(tǒng)，所述處理液傳送系統(tǒng)與所述處理室耦接，并且被配置成在第二工藝時(shí)間期間將處理液傳送到所述基板的表面上； 運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，所述運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)與所述處理室耦接，并且被配置成在所述第一工藝時(shí)間期間提供基板第一運(yùn)動(dòng)速度并且在所述第二工藝時(shí)間期間提供第二運(yùn)動(dòng)速度； 基板溫度調(diào)整裝置，所述基板溫度調(diào)整裝置與所述處理室耦接，并且被配置成調(diào)整所述基板溫度； 控制器，所述控制器與所述基板清洗系統(tǒng)耦接，并且被配置成優(yōu)化兩個(gè)或更多個(gè)清洗操作變量以便實(shí)現(xiàn)兩個(gè)或更多個(gè)清洗目標(biāo)。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中，所述兩個(gè)或更多個(gè)清洗目標(biāo)包括殘余物去除百分比和總時(shí)間，所述總時(shí)間是所述第一工藝時(shí)間和所述第二工藝時(shí)間的總和。27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中，所述一種或更多種工藝氣體是氧和臭氧的混合物，并且所述處理液是硫酸過氧混合物(SPM)，并且來自所述UV裝置的光的波長在200nm-300nm的范圍中。28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的系統(tǒng)，其中，所述一種或更多種工藝氣體是氧和臭氧，所述UV裝置是一個(gè)或更多個(gè)低壓汞燈，并且所述處理液是SPM。29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的系統(tǒng)，其中，所述臭氧和氧原子從空氣中產(chǎn)生，或者通過具有臭氧的間接源的氧產(chǎn)生，其中，所述臭氧通過真空UV源、電暈放電或者具有200nm以下波長的UV源在所述基板處于僅254nm輻射照射時(shí)被饋入到所述處理室中來產(chǎn)生。30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的系統(tǒng)，其中，所述氧和臭氧在所述處理室中被傳送并且被混合，且其中，所述UV源位于擴(kuò)散板之上，所述擴(kuò)散板被配置成在所述第一工藝時(shí)間期間阻擋185nm波長的光照射所述基板并且在第二工藝時(shí)間期間保護(hù)所述UV源和相關(guān)設(shè)備。31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的系統(tǒng)，還包括循環(huán)系統(tǒng)，所述循環(huán)系統(tǒng)與所述處理室耦接并且被配置成循環(huán)所述處理液。32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的系統(tǒng)，其中，所述預(yù)處理工藝的所選擇的兩個(gè)或更多個(gè)操作變量包括UV劑量、基板溫度、預(yù)處理清洗百分比、氧分壓強(qiáng)、氧和臭氧分壓強(qiáng)、第一工藝時(shí)間或者工藝氣體總壓強(qiáng)中的兩個(gè)或更多個(gè)。33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的系統(tǒng)，其中，下面的電介質(zhì)的k值從2.0到2.6，所述UV劑量在0.lJ/cm2-20.0J/cm2的范圍中，所述氧分壓強(qiáng)從15Torr到159Torr，所述工藝氣體總壓強(qiáng)從80Torr到760Torr，并且所述基板溫度從25°C到150°C。
【專利摘要】提供了一種采用包括預(yù)處理系統(tǒng)和濕清洗系統(tǒng)的清洗系統(tǒng)(902，1004)清洗基板(6，14，224，932)的方法和系統(tǒng)。為預(yù)處理系統(tǒng)選擇一個(gè)或更多個(gè)目標(biāo)，并且使用計(jì)量測(cè)量對(duì)包括UV計(jì)量、基板溫度、氧分壓強(qiáng)、氧和臭氧分壓強(qiáng)和/或總壓強(qiáng)的兩個(gè)或更多個(gè)預(yù)處理操作變量進(jìn)行優(yōu)化以滿足預(yù)處理目標(biāo)。基板(6，14，224，932)包括待清洗的層(204，208)以及具有k值的下面的電介質(zhì)層(212)。包括氧和/或臭氧的預(yù)處理氣體被傳送到基板(6，14，224，932)的表面上并且采用UV裝置照射，產(chǎn)生氧自由基。設(shè)定預(yù)處理工藝中的基板(6，14，224，932)的清洗小于100％，以便確保基板(6，14，224，932)的k值的變化在基板應(yīng)用的設(shè)定范圍內(nèi)。
【IPC分類】H01L21/02, B08B7/00, H01L21/66
【公開號(hào)】CN104903014
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380063928
【發(fā)明人】伊安·J·布朗
【申請(qǐng)人】東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
【公開日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2013年9月13日
【公告號(hào)】US20140096792, WO2014055218A1