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      一種led行業(yè)芯片生產(chǎn)廢水處理系統(tǒng)及處理方法

      文檔序號:9590844閱讀:656來源:國知局
      一種led行業(yè)芯片生產(chǎn)廢水處理系統(tǒng)及處理方法
      【技術領域】
      [0001] 本發(fā)明屬于廢水處理和再利用領域,設及一種L邸行業(yè)忍片生產(chǎn)廢水處理系統(tǒng)及 處理方法,尤其設及一種L邸行業(yè)忍片生產(chǎn)廢水高值化利用處理系統(tǒng)及處理方法。
      【背景技術】
      [0002] L邸產(chǎn)業(yè)是我國優(yōu)先發(fā)展的戰(zhàn)略性新型產(chǎn)業(yè)之一,近年來發(fā)展迅速。在產(chǎn)業(yè)高速發(fā) 展的同時,L邸及其衍生產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的污染問題一直未被重視。而隨著行業(yè)的繼續(xù)發(fā) 展,L邸生產(chǎn)中的污染問題必然成為阻止行業(yè)繼續(xù)快速發(fā)展的一個重要關鍵。據(jù)統(tǒng)計,全國 L邸行業(yè)每年排放的廢水超過1000萬m3,盡管從污染物總量上看并不突出,但由于我國LED 產(chǎn)業(yè)具有企業(yè)數(shù)量多,地域分散性廣,并且L邸生產(chǎn)過程中污染物種類多,污染物毒性大等 特點,使得L邸行業(yè)排放污染物所引起的環(huán)境污染效應非常顯著,對環(huán)境危害巨大。
      [0003] 根據(jù)調查,目前L邸忍片生產(chǎn)企業(yè)大多數(shù)并不設有廢水處理系統(tǒng),通常將生產(chǎn)中 產(chǎn)生的各種廢水混合后排放。據(jù)統(tǒng)計全國L邸企業(yè)每年排放的廢水約1022萬噸。鑒于LED 行業(yè)自身特點,廢水中通常含有低濃度難降解有機污染物,水中無機鹽也影響水的循環(huán)利 用,加之廢水單次排放量小等特點,共同導致常規(guī)處理技術投資高、運行成本高,并且難W 實現(xiàn)水回用。
      [0004] CN104609610A公開了一種全膜法處理反滲透濃水及循環(huán)排污水的方法,全膜法 雖然可W從廢水中得到部分脫鹽水巧0~70% ),但是其應用的制約瓶頸是有機污染物對 膜的污染,導致膜不能長期穩(wěn)定使用,而且有機物被濃縮到濃鹽水中形成二次污染。 陽0化]CN101767891A公開了一種臭氧和活性炭一體化廢水處理裝置,包括一處理容器, 該處理容器包括:進氣進水區(qū)、氣水混合區(qū)、第一活性炭床層區(qū)、第二活性炭床層區(qū)W及氣 水分離區(qū)。臭氧-活性炭工藝雖然可W部分去除有機污染物,但未能脫鹽,而且由于臭氧利 用效率低(利用率不足40% )、效果差,有機物難W有效深度脫除。

      【發(fā)明內容】

      [0006] 針對現(xiàn)有技術中存在的不足,為解決L邸行業(yè)忍片生產(chǎn)廢水的常規(guī)處理技術中存 在的污染嚴重、清洗頻繁和成本高等缺點,本發(fā)明提供了一種L邸行業(yè)忍片生產(chǎn)廢水處理 系統(tǒng)及處理方法,其集成有機污染物的高級氧化-超濾-反滲透-EDI脫鹽,通過污染物源 頭減量和過程的精確調控,克服膜表面的污染問題,有效避免膜通量衰減,降低回用水綜合 處理成本,使忍片廢水通過處理可連續(xù)穩(wěn)定的獲得高純水質的產(chǎn)水,產(chǎn)水水質最高可達到I 級電子級超純水要求,淡水回收產(chǎn)率最高可達80%,為企業(yè)提供了一種高效且經(jīng)濟的廢水 資源化處理及梯級循環(huán)回用技術。
      [0007] 為達此目的,本發(fā)明采用W下技術方案:
      [0008] 第一方面,本發(fā)明提供了一種L邸行業(yè)忍片生產(chǎn)廢水處理系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括依 次相連的高級氧化預處理裝置、超濾處理裝置、反滲透裝置和邸I脫鹽裝置。
      [0009] 其中,所述高級氧化預處理裝置采用uv/〇3催化氧化+陶瓷膜處理技術對經(jīng)過保 安過濾器處理后的廢水進行深度處理,除去廢水中的較大顆粒和懸浮物質,同時降解/轉 化廢水中的難降解有機物。
      [0010] 所述超濾處理裝置對經(jīng)過高級氧化預處理的廢水進行超濾膜處理,進一步去除水 中的色度、細菌和膠態(tài)物質W及部分大分子有機物。
      [0011] 所述反滲透裝置是將經(jīng)超濾處理裝置處理后的廢水依次進行一級反滲透處理和 二級反滲透處理;其中,一級反滲透脫鹽淡化處理去除廢水中大部分的硫酸根、巧和儀等二 價離子,同時也可W去除一部分的單價鹽;一級脫鹽后的初級淡水作為二級反滲透膜組件 的進水,進一步淡化處理。
      [0012] 所述邸I脫鹽裝置深度去除水中的溶解性COD、重金屬離子和色度等,最終得到電 子級超純水。
      [0013] 本發(fā)明中,所述高級氧化預處理裝置前設置有保安過濾器。
      [0014] 優(yōu)選地,所述保安過濾器中濾忍的孔徑為5~10μm,例如5μm、6μm、7μm、8μm、 9μηι或ΙΟμηι等。
      [0015] 本發(fā)明中,所述高級氧化預處理裝置包括高級氧化反應器和陶瓷膜過濾器。
      [0016] 優(yōu)選地,所述高級氧化反應器包括UV/〇3催化反應器和Ξ相分離室。
      [0017] 優(yōu)選地,所述UV/〇3催化反應器中紫外光源的功率為30~75W,例如30W、35W、40W、 4抓、50W、60W、6抓、70W或7抓等,優(yōu)選為40-6抓。
      [0018] 優(yōu)選地,所述UV/〇3催化反應器中固相催化劑為光敏半導體催化劑。
      [0019] 優(yōu)選地,所述光敏半導體催化劑為粉末狀,粒徑為20~100皿,例如20皿、30皿、 40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或lOOnm等。
      [0020] 優(yōu)選地,所述陶瓷膜處理裝置包括陶瓷膜過濾器和反沖洗裝置。
      [0021] 本發(fā)明中,所述超濾處理裝置包括保安過濾器、超濾膜組件、反沖洗加藥裝置和反 沖洗累。
      [0022] 優(yōu)選地,所述超濾膜組件中超濾膜的截留分子量為20, 000~30, 000化,例如 20, 000Da、22, 000Da、24, 000Da、26, 000Da、28,OOODa或 30,OOODa等。
      [0023] 優(yōu)選地,所述超濾膜組件中超濾膜為外壓式中空纖維膜,其過濾精度為10~ 20nm,例如lOnm、12nm、14nm、16nm、18nm或 20nm等。
      [0024] 優(yōu)選地,所述超濾膜組件中超濾膜的材質為聚偏氣乙締和/或聚丙締。
      [0025] 優(yōu)選地,所述超濾處理裝置的運行溫度為15~40°C,例如15°C、20°C、25°C、3(rC、 35°C或 40°C等,跨膜壓差為 0. 05 ~0. 15MPa,例如 0. 05MPa、0. 07MPa、0. 10MPa、0. 13MPa或 0. 15M化等。
      [00%] 本發(fā)明中,所述超濾處理裝置和反滲透裝置之間設置有加藥裝置。
      [0027] 優(yōu)選地,所述反滲透裝置包括依次相連的增壓累、一級反滲透設備、段間增壓累和 二級反滲透設備;
      [0028] 優(yōu)選地,所述一級反滲透設備包括反滲透膜和膜清洗設備。
      [0029] 優(yōu)選地,所述二級反滲透設備包括反滲透膜和膜清洗設備。
      [0030] 其中,反滲透膜W陶氏BW30-4040反滲透膜效果最好,但并不僅限于此,其他相類 似的反滲透膜同樣適用。
      [0031] 優(yōu)選地,所述反滲透裝置的運行穩(wěn)定為15~45°C,例如15°C、20°C、25°C、3(rC、 35°C、40°C或 4S°C等,工作壓力為 1. 5 ~3.OMPa,例如 1.SMPa、2.OMPa、2.SMPa或3.OMPa等。
      [0032] 本發(fā)明中,所述反滲透裝置和邸I脫鹽裝置之間還設置有紫外線殺菌裝置。
      [0033] 優(yōu)選地,所述紫外線殺菌裝置采用隸蒸氣壓力為1. 3~13Pa,即低壓隸燈,波長為 180~190皿的隸燈,例如180皿、182皿、184皿、186皿、188皿或190皿等。
      [0034] 優(yōu)選地,所述隸燈的波長為185皿。
      [0035] 優(yōu)選地,EDI脫鹽裝置包括EDI膜堆和精密樹脂過濾器。
      [0036] 上述系統(tǒng)中各裝置的處理過程如下:
      [0037] 高級氧化預處理裝置:
      [0038] 待處理的L邸行業(yè)忍片生產(chǎn)廢水經(jīng)保安過濾器后累入UV/〇3催化反應器,臭氧通 過射流器進入uv/〇3催化反應器,經(jīng)氣體分布器均勻布氣后,與廢水均勻混合,在紫外光源 的照射下,在光敏半導體催化劑表面發(fā)生催化氧化反應;臭氧尾氣從Ξ相分離室放空口排 出,氧化后的生產(chǎn)廢水從Ξ相分離器的出水口進入陶瓷膜過濾器。
      [0039] 生產(chǎn)廢水經(jīng)陶瓷膜過濾后,淡水從淡水口排出,進入超濾處理裝置,陶瓷膜表面截 留的光敏半導體催化劑通過氣體反沖洗作用,與陶瓷膜過濾器產(chǎn)出濃水混合,回流至uv/〇3 催化反應器進行處理。
      [0040] 超濾處理裝置:
      [0041] 經(jīng)過高級氧化預處理裝置處理后的廢水經(jīng)保安過濾器后進入超濾膜組件,在超濾 膜組件中經(jīng)深度處理去除水中的色度、細菌和膠態(tài)物質W及部分大分子有機物。處理后產(chǎn) 出的淡水進入反滲透裝置進行反滲透處理;同時,超濾膜組件產(chǎn)出的淡水還可通過反沖洗 累對超濾膜組件進行反沖洗;超濾膜組件產(chǎn)出的淡水一部分還可W經(jīng)反沖洗加藥裝置加入 化學藥劑混合均勻后對超濾膜組件進行化學清洗。
      [0042] 反滲透裝置:
      [0043] 經(jīng)超濾處理裝置處理產(chǎn)出的淡水經(jīng)高壓累進入反滲透裝置中的一級反滲透設備, 在進入一級反滲透設備還可W投加阻垢劑,經(jīng)一級反滲透設備去除水中的無機鹽、有機物、 膠體和病毒等物質,一級反滲透設備產(chǎn)生的濃水回流收集,一級反滲透設備產(chǎn)生的淡水經(jīng) 段間增壓累進入二級反滲透設備,在二級反滲透設備中進行深度脫鹽后,二級反滲透設備 產(chǎn)生的濃水回流進行超濾處理,二級反滲透設備產(chǎn)生的淡水進入后續(xù)處理。
      [0044] 同時,一級反滲透設備產(chǎn)生的淡水和二級反滲透設備產(chǎn)生的淡水均可W與化學清 洗劑進
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