專利名稱：一種提純液晶材料的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于物理化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種吸附提純液晶材料的方法
背景技術(shù)：
TFT-LCD用液晶材料除了必須具有高純度(GC > 99. 5% )夕卜，還要求具有高電阻 率(> 1013Q. cm)和高電荷保持率(> 98. 5% )以及穩(wěn)定的產(chǎn)品質(zhì)量。這對于液晶材料 的提純和精制而言，其工藝要求更嚴(yán)格、難度較大；現(xiàn)有用于TN、 STN液晶的提純精制方法 難以滿足要求，也給國內(nèi)液晶材料的提純、精制提出了挑戰(zhàn)。 影響液晶材料電阻率、電荷保持率及其光電性能穩(wěn)定性的主要因素是由于微量 無機(jī)雜質(zhì)和大極性有機(jī)雜質(zhì)存在，而這些雜質(zhì)主要是在液晶化合物合成過程中從原材料 或儀器設(shè)備或生產(chǎn)環(huán)境引入，或由反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物以及未反應(yīng)的物料造成。目前有關(guān) 液晶化合物的提純方法報道主要有吸附法，K. Tatsushi等(JP Patent 8277391)從硅膠、 氧化鋁、沸石和氧化鈦中選取一種或多種吸附劑提純液晶材料，取得一定效果；T. Takao 等(JP Patentl0046149)用活性炭吸附提純液晶化合物，得到了純度較高的液晶材料； H. Osamu (USPatent 5422034)和M. Yoshihiro (US Patent 7270741)等用聚酰亞胺作為吸 附劑去除離子雜質(zhì)，可以提純液晶化合物。清華大學(xué)(CN Patent 1775908)中采用活性碳 纖維和活性氧化鋁攪拌吸附提純，使液晶材料的電阻率達(dá)到1013Q. cm以上，由于該方法需 要處理回收有機(jī)溶劑，不利于在潔凈環(huán)境下提純生產(chǎn)高電阻率液晶，同時也會對潔凈環(huán)境 造成一定污染。此外，還有分子蒸餾或精餾法(JP Patent 09295949)、離子交換樹脂法(JP Patent 335711)、夕卜力口電場法(JP Patent 2003104947 ;JP Patent 2003064364 ;JP Patent 2003166091 ;CN Patentl01210183)、膜過濾法等。但這些方法能使液晶材料到達(dá)高電阻 率和高電荷保持率，但卻很難使液晶材料的電阻率和電荷保持率穩(wěn)定并保持在一個高水平 上，難易滿足實際工業(yè)化生產(chǎn)需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是利用新型吸附材料，在外加電場輔助作用下提純液晶材料。該方法利用 高活性的吸附材料，將吸附法和外加電場法兩種方法結(jié)合一起，深度提純精制液晶材料，減 少液晶材料中微量雜質(zhì)離子的含量，達(dá)到提高液晶材料的電阻率、電荷保持率和其穩(wěn)定性 的目的。 本發(fā)明提供一種連續(xù)、穩(wěn)定、有效的高電阻率液晶材料的提純方法，以解決現(xiàn)有液 晶材料提純中不能連續(xù)穩(wěn)定操作問題。 本發(fā)明所提供的一種提純液晶材料的方法，是利用高活性的吸附材料作吸附劑，
并輔以外加電場，深度提純精制液晶材料，所述的吸附劑為納米二氧化硅、納米氧化鋁、
MCM-41介孔分子篩、SBA-15介孔分子篩、活性炭纖維或活性硅膠，或者是它們的組合物；優(yōu)
選的吸附劑為納米二氧化硅、納米氧化鋁、MCM-41介孔分子篩或它們的組合。 所述的吸附劑用量為液晶材料質(zhì)量的0. 5wt% 20wt^，優(yōu)選用量為液晶材料質(zhì)量的2wt% 5wt%。 所述的吸附劑的孔徑為2 20nm，優(yōu)選2 10nm ;吸附劑的比表面積為500 1500m7g，優(yōu)選1000 1200m7g ;在電場中吸附提純時間在30 210min之間，優(yōu)選時間為 60 90min。 并且所述的外加電場可以是直流電場，也可以是交流電場，且提純裝置為離子膜 提純器，提純器中不同提純室內(nèi)分別裝有液晶材料、溶劑和吸附劑。 所述的電場環(huán)境中的電極間距為1mm 50mm，優(yōu)選距離為6 20mm ;電場強(qiáng)度為 0. 2kV/cm 20kV/cm，優(yōu)選為1. 0kV/cm-4kV/cm。 所述的電極為板式或網(wǎng)式貴金屬氧化物涂層電極，優(yōu)選板式貴金屬氧化物涂層電 極；離子膜為均相陰離子交換膜或均相陽離子交換膜。 所述的電場作用方式可以為單一離子膜提純器、雙槽離子膜提純器、三槽離子膜 提純器，或多級提純器串聯(lián)；優(yōu)選三槽離子提純器。 所述提純裝置在液晶提純量較大時，可以實現(xiàn)液晶材料連續(xù)提純操作。
所述的溶劑為烷烴，芳烴，醇或醚，優(yōu)選正己烷、甲苯或乙醇。 所述的液晶材料是單體液晶化合物或混合液晶組合物，優(yōu)先選用混合液晶組合 物。 本發(fā)明對于單體液晶化合物和混合液晶組合物的電阻率都可以提高2個數(shù)量級 左右。對混合液晶組合物而言，在高效吸附劑和電場遷移作用下，采用無溶劑電場吸附提 純，得到穩(wěn)定性強(qiáng)的高電阻率液晶材料，并可以實現(xiàn)連續(xù)性操作，對環(huán)境沒有造成二次污 染。對單體液晶提純分兩種情況，常溫下液態(tài)液晶化合物的提純方法同混合液晶一樣，可以 實現(xiàn)連續(xù)操作，沒有二次環(huán)境污染；而對于常溫下固態(tài)的單體液晶化合物是將液晶化合物 用有機(jī)溶劑溶解后，在高效吸附劑和電場遷移作用下吸附提純，得到穩(wěn)定性強(qiáng)的高電阻率 液晶材料。例如，對于一般酯類液晶的電阻率可以從1011提高到1012以上(如戊基苯甲酸 戊基苯酚酯)，對于含氰基類液晶可以從1(T提高到1012左右(如丁基苯甲酸對氰基苯酚 酯)，對于結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的含氟苯類液晶的電阻率可以從10"提高到1013以上(如反式戊基環(huán) 己基氟苯)。 本發(fā)明采用的高效吸附劑為納米材料(如納米二氧化硅和納米氧化鋁)，介孔材 料(如MCM-41分子篩、SBA-15分子篩)，高比表面積材料(活性炭纖維)，或者以上吸附 劑兩種及其兩種以上的組合。其中本發(fā)明中納米二氧化硅和納米氧化鋁、MCM-41分子篩和 SBA-15分子篩均為自制吸附劑。 本發(fā)明設(shè)計制造的提純裝置是外加電場的離子膜提純器，可以為單槽式、雙槽式 和三槽式提純器，可以實現(xiàn)連續(xù)提純操作。該外加電場可以是直流電場，也可以是交流電 場。 本發(fā)明提純的單體液晶化合物和液晶組合物材料具有高電阻率特點，可以應(yīng)用于 TN-LCD、 STN-LCD、 TFT-LCD等顯示用液晶材料領(lǐng)域。
附圖説明

圖1為本發(fā)明所用提純液晶裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖中代號表示1-陽極，2，6-吸附劑，3，5-離子交換膜，4-液晶材料，7_陰極。
具體實施例方式
根據(jù)本發(fā)明提供的吸附電場方法，其高效吸附性能是本發(fā)明的關(guān)鍵，其吸附劑為 納米二氧化硅、納米氧化鋁、MCM-41介孔分子篩、SBA-15介孔分子篩、活性炭纖維或硅膠， 或者納米二氧化硅和MCM-41介孔分子篩；優(yōu)選的吸附劑為納米二氧化硅、納米氧化鋁或 MCM-41分子篩、或者納米二氧化硅和MCM-41介孔分子篩；吸附劑用量為液晶材料質(zhì)量的
0. 5wt% 20wt^，優(yōu)選用量為液晶材料質(zhì)量的2wt% 5wt^;吸附劑的孔徑為2 20nm， 優(yōu)選2 lOnm ;吸附劑的比表面積為500 1500m7g，優(yōu)選1000 1200m7g ;提純時間 在30 210min之間，優(yōu)選的時間為30 90min ;直流電場作用方式可以為單槽離子膜提 純器、兩槽離子膜提純器和三槽離子膜提純器，優(yōu)選三槽離子膜提純器，易于分離，減少污 染；電場環(huán)境中的電場強(qiáng)度為0. 2kV/cm 20kV/cm，優(yōu)選為1. 0kV/cm-4kV/cm ;電極間距為 lmm 50mm，優(yōu)選5 30mm ;電極為版式或網(wǎng)式貴金屬氧化物涂層電極；離子膜可以為均相 陰離子交換膜或均相陽離子交換膜；常用溶劑有烷烴，芳烴，醇或醚，優(yōu)選石油醚，甲苯，正 己烷，甲醇或乙醇；每克固體液晶材料加入有機(jī)溶劑1 15mL，優(yōu)選3 10mL。 本發(fā)明對相關(guān)的液晶材料提純裝置大小沒有特別限制，可以根據(jù)提純量需要可大 可小。若提純量較大時，需要在提純裝置的頂部和底部增加進(jìn)料口和出料口閥門，從而可以 實現(xiàn)液晶材料間歇式和連續(xù)提純處理。本發(fā)明適合于單體液晶化合物和混合液晶組合物提 純。 下面通過實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
實施例1 (液晶化合物) 將6克反式4-(4-戊基環(huán)己基)氟苯白色晶體溶解于15ml甲苯中，測試其溶液電 阻率為1. 5X 1012 Q . cm，加入到提純器中間的提純室中；陰、陽極溶劑室分別加入15ml分析 純甲苯和0. 2克納米二氧化硅；采用氧化物薄膜電極，極間距30mm，電場強(qiáng)度為4kV/cm ;保 持60min，測得溶液電阻率4. 5X1013Q cm。蒸出甲苯后，測得電阻率1. 9X 1013 Q cm。
實施例2 (液晶化合物) 將6克反式4-(4-戊基環(huán)己基)氟苯白色晶體溶解于15ml甲苯中，測試其溶液 電阻率為1. 5X 1012 Q cm，加入到提純器中間的提純室中;陰、陽極溶劑室分別加入15ml 分析純甲苯和0. 2克MCM-41分子篩吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距30mm，電場強(qiáng) 度為4kV/cm;保持60min，測得溶液電阻率4. 3X1013Q cm。蒸出甲苯后，測得電阻率
1. 7X1013Q cm。 實施例3 (液晶化合物) 將6克反式4-(4-戊基環(huán)己基)氟苯白色晶體溶解于15ml甲苯中，測試其溶液 電阻率為1.5X10"Q.cm，加入到提純器中間的提純室，陰、陽極溶劑室分別加入15ml分 析純正己烷和0. 2克SBA-15分子篩吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距30mm，電場強(qiáng) 度為4kV/cm;保持60min，測得溶液電阻率4. 1X1013Q cm。蒸出甲苯后，測得電阻率 1. 7X1013Q cm。
實施例4 (液晶化合物) 將6克反式4-(4-戊基環(huán)己基)氟苯白色晶體溶解于15ml甲苯中，測試其溶液 電阻率為1. 5X 1012 Q cm，加入到提純器中間的提純室中;陰、陽極溶劑室分別加入15ml 分析純乙醇和0. 4克納米氧化鋁吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距20mm，電場強(qiáng)度
5為2. 5kV/cm;保持60min，測得溶液電阻率5. 2X1013Q cm。蒸出甲苯后，測得電阻率
2. 7X1013Q cm。 實施例5 (液晶化合物) 將6克反式4-(4-戊基環(huán)己基)氟苯白色晶體溶解于15ml甲苯中，測試其溶液 電阻率為1. 5X 1012 Q cm，加入到提純器中間的提純室中;陰、陽極溶劑室分別加入15ml 分析純異丙醚和0. 8克納米二氧化硅吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距l(xiāng)Omm，電場強(qiáng) 度為2kV/cm;保持90min，測得溶液電阻率6.8X10130 cm。蒸出甲苯后，測得電阻率
3. 5X1013Q cm。 實施例6 (液晶化合物) 將6克4-乙基苯甲酸-4'-氰基苯酚酯白色晶體溶解于15ml甲苯中，測試其 溶液電阻率為4.4Xl(TQ.cm，加入到提純器中間的提純室中；陰、陽極溶劑室分別加入 15ml分析純甲醇和0. 2克納米二氧化硅吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距20mm，電場 強(qiáng)度為lkV/cm;保持60min，測得溶液電阻率5. 5X1012Q cm。蒸出甲苯后，測得電阻率 2. 4X1012Q cm。 [OO38] 實施例7 (液晶化合物) 將6克4-丙基苯甲酸-4'-戊基苯酚酯(熔點17. 5°C )固體溶解于15ml甲苯 中，測試其溶液電阻率為3.6X101QQ cm，加入到提純器中間的提純室中；陰、陽極溶劑室 分別加入15ml分析純正己烷和0. 2克納米二氧化硅吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距 20mm，電場強(qiáng)度為lkV/cm;保持60min，測得溶液電阻率8. 0X1012Q cm。蒸出甲苯后，測 得電阻率5. 2X1012Q cm。 [O(HO] 實施例8 (液晶化合物) 將6克反式4-(4-戊基環(huán)己基)氟苯白色晶體溶解于15ml甲苯中，測試其溶液電 阻率為1. 5X 1012 Q . cm，加入到提純器中間的提純室中；陰、陽極溶劑室分別加入15ml純甲 苯，O. 2克納米二氧化硅和0. 2克MCM-41分子篩混合吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距 20mm，電場強(qiáng)度為4kV/cm ;保持30min，測得溶液電阻率5. 0X1013Q cm。蒸出甲苯后，測 得電阻率2. 4X1013Q cm。
實施例9 (液晶化合物) 將6克反式4-(4-戊基環(huán)己基)氟苯白色晶體溶解于15ml甲苯中，測試其溶液電 阻率為1. 5X 1012 Q . cm，加入到提純器中間的提純室中；陰、陽極溶劑室分別加入15ml純甲 苯，O. 1克納米二氧化硅和0. 3克MCM-41分子篩混合吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距 20mm，電場強(qiáng)度為4kV/cm;保持60min，測得溶液電阻率3. 7X1013Q cm。蒸出甲苯后，測 得電阻率1. 7X1013Q cm。
實施例10 (液晶化合物) 將6克反式4-(4-戊基環(huán)己基)氟苯白色晶體溶解于15ml甲苯中，測試其溶液電 阻率為1. 5X 1012 Q . cm，加入到提純器中間的提純室中；陰、陽極溶劑室分別加入15ml純石 油醚(90-120) ，0. 3克納米氧化鋁和0. 1克MCM-41分子篩吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極 間距10mm，電場強(qiáng)度為2kV/cm ;保持60min，測得溶液電阻率5. 7X1013Q cm。蒸出甲苯 后，測得電阻率3. 0X1013Q cm。
實施例11 (液晶組合物)
6
分別稱取液晶化合物2克反式4- (4-丙基環(huán)己基)苯乙醚，2克反式4_ (4_ 丁基環(huán)己基)苯乙醚，2克反式4-(4-戊基環(huán)己基)苯甲醚，2克反式4-(4-戊基環(huán)己基)苯乙醚，4克反式[4-(4-丙基環(huán)己基)環(huán)己基]-3，4-二氟苯，3克反式[4-(4-戊基環(huán)己基)環(huán)己基]-3，4，5-三氟苯，4克反式4-(4-戊基環(huán)己基)氟苯，加熱攪拌溶解30分鐘后冷卻到室溫，制得混合液晶A ;室溫下測得A電阻率為8. 90X 1011 Q . cm(25°C );加入到提純器中間的提純室中；陰、陽極溶劑室分別加入15ml分析純正己烷和0. 2克納米二氧化硅吸附劑；采用貴重金屬氧化物薄膜電極，極間距30mm，電場強(qiáng)度為4kV/cm ;保持60min，測得液晶組合物的電阻率5. 25X1013Q *cm(25°C)。[OO48] 實施例12 (液晶組合物) 同實施例11混合配置混合液晶A ，室溫下測得混合液晶A的電阻率為8. 7X10"Q cm(25°C )，加入到提純器中間的提純室中；陰、陽極溶劑室分別加入15ml分析純甲苯和0. 2克MCM-41分子篩吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距15mm，電場強(qiáng)度為lkV/cm ;;保持120min，測得溶液電阻率3. 3X 1013Q cm(25。C )。
實施例13 (液晶組合物) 同實施例11混合配置混合液晶A ，室溫下測得混合液晶A的電阻率為8. 7X10"Q cm(25°C )，加入到提純器中間的提純室中；陰、陽極溶劑室分別加入15ml分析純正己烷和0. 3克納米氧化鋁吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距20mm，電場強(qiáng)度為2kV/cm ;;保持150min，測得溶液電阻率5. 3X 1013Q cm(25°C )。
實施例14 (液晶組合物) 分別稱取液晶化合物1克反式4-(4-丙基環(huán)己基)苯甲醚，1克反式4-(4-丙基環(huán)己基)苯乙醚，l克反式4-(4-丁基環(huán)己基)苯乙醚，l克反式4-(4-戊基環(huán)己基)苯甲醚，1克反式4-(4-戊基環(huán)己基)苯乙醚，4克4-丙基苯甲酸-4'-戊基苯酚酯，2克反式4-丙基環(huán)己基甲酸-4' _戊基苯酚酯，2克反式4-戊基環(huán)己基甲酸-3'-氟-4'-氰基苯酚酯，l克反式4-丙基環(huán)己基甲酸-3'-氟-4' _氰基苯酚酯，1克反式4-戊基環(huán)己基甲酸-4' _乙氧基苯酚酯，加熱攪拌溶解30分鐘后冷卻到室溫，制得混合液晶8 ;室溫下測得B電阻率1.30X10"Q.cm(25。C);加入到提純器中間的提純室中；陰、陽極溶劑室分別加入15ml分析純甲苯和0. 2克納米氧化鋁吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距30mm，電場強(qiáng)度為2kV/cm ;保持150min，測得液晶組合物的電阻率3. 60X 1012 Q cm(25°C )。
實施例15 (液晶組合物) 同實施例13配置混合液晶B，室溫下測得混合液晶B的電阻率為1.4X10"Q Cm(25°C )，加入到提純器中間的提純室中；陰、陽極溶劑室分別加入15ml分析純石油醚(90-120)和0. 2克納米二氧化硅和MCM-41分子篩吸附劑；采用氧化物薄膜電極，極間距15mm，電場強(qiáng)度為lkV/cm ;保持90min，測得溶液電阻率5. 5X 1012Q 'cm(25。C )。
實施例16納米氧化鋁制備 分別配置0. 4mol/L硝酸鋁溶液和2. 5mol/L碳酸氫銨溶液，取一定量碳酸氫銨加入到250mL三口燒瓶中，然后加入碳酸氫銨量的lwt^的檸檬酸或聚乙二醇.將一定量硝酸鋁滴加到上述混和液中，使碳酸氫銨和硝酸鋁的摩爾比為6 8，反應(yīng)2 4h。反應(yīng)結(jié)束后，陳化，然后用去離子水和無水乙醇各洗滌5次，抽濾、烘干，然后在馬弗爐中600 900度下進(jìn)行熱處理得到納米A1203。
實施例17.納米二氧化硅的制備在250ml三口燒瓶加入無水乙醇1.71mol、氨水0. 112mol，水0. 55mol，攪拌5min以上，使溶液混合均勻。然后向混合溶液中滴加正硅酸乙酯0. 022mol ，水浴加熱攪拌4h，控制反應(yīng)溫度為20°C 50°C。經(jīng)離心分離出Si02小球，然后無水乙醇反復(fù)離心洗滌，直到溶液成中性，烘干碾磨，在放入馬弗爐中42(TC煅燒2小時，得到納米二氧化硅。
實施例18.分子篩的制備 在250ml三口燒瓶中加入十六烷基三甲基溴胺(CTAB)，加入堿介質(zhì)(氨水、氫氧化鈉或乙二胺)，加入蒸餾水。然后將一定量的正硅酸乙脂(TEOS)滴加到上述混合溶液中，使其摩爾比為n(CTAB) : n(TEOS) : n(H20) : n(NH3) = 0. 10 : 1 : 66. 7 : 25，室溫劇烈攪拌4h。然后將上述溶液裝入帶有聚四氟乙烯內(nèi)襯的不銹鋼反應(yīng)釜中，在ll(TC下水熱反應(yīng)48h。冷卻后，過濾、洗滌，得到的白色粉末，在12(TC下烘干。最后將樣品放入馬弗爐中在54(TC下煅燒5小時，即得MCM-41介孔分子篩。
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權(quán)利要求
一種提純液晶材料的方法，其特征在于利用高活性的吸附材料作為吸附劑，并輔以外加電場，深度提純精制液晶材料，所述的吸附劑為納米二氧化硅、納米氧化鋁、MCM-41介孔分子篩、SBA-15介孔分子篩、活性炭纖維或活性硅膠，或者是它們的組合物；優(yōu)選的吸附劑為納米二氧化硅、納米氧化鋁、MCM-41介孔分子篩或它們的組合。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提純液晶材料的方法，其特征在于所述的外加電場是 直流電場或交流電場，且提純裝置為離子膜電極提純器，提純器中不同提純室內(nèi)分別裝有 液晶材料、溶劑和吸附劑。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提純液晶材料的方法，其特征在于所述的吸附劑的孔徑為2 20nm，優(yōu)選2 10nm ;吸附劑的比表面積為500 1500m7g，優(yōu)選1000 1200m7g。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提純液晶材料的方法，其特征在于所述的吸附劑用量 為液晶材料質(zhì)量的0. 5wt% 20wt^，優(yōu)選用量為液晶材料質(zhì)量的2wt% 5wt%。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提純液晶材料的方法，其特征是在吸附劑作用下，液晶 材料在電場中的提純時間在30 210min之間，優(yōu)選的提純時間為60 90min。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提純液晶材料的方法，其特征在于所述的提純裝置為 單一離子膜提純器、雙槽離子膜提純器或三槽離子膜提純器，或多級提純器串聯(lián)；優(yōu)選三槽 離子提純器。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提純液晶材料的方法，其特征在于所述的提純裝置的 離子膜為均相陰、陽離子交換膜，電極為板式或網(wǎng)式貴金屬氧化物涂層電極，優(yōu)選板式貴金 屬氧化物涂層電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種提純液晶材料的方法，其特征是電場強(qiáng)度為0. 2kV/ cm 20kV/cm，優(yōu)選為1. 0kV/cm-4kV/cm。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種提純液晶材料的方法，其特征在于所述的溶劑為烷 烴，芳烴，醇或醚；優(yōu)選正己烷、甲苯或乙醇。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種提純液晶材料的方法，其特征在于所述的液晶材料 是單體液晶化合物或混合液晶組合物，優(yōu)選用混合液晶組合物。
全文摘要
一種提純液晶材料的方法，該法用高活性吸附材料作吸附劑，并通過外加電場的離子膜提純器，加強(qiáng)液晶材料中雜質(zhì)離子移動，從而提高液晶材料的電阻率、電荷保持率，并能保持高電阻率的狀態(tài)穩(wěn)定。吸附劑為納米二氧化硅、納米氧化鋁、MCM-41介孔分子篩、SBA-15介孔分子篩、活性炭纖維或活性硅膠，或它們的組合物；優(yōu)選吸附劑為納米二氧化硅、納米氧化鋁、MCM-41分子篩或它們的組合；吸附劑用量為液晶量的0.5wt％～10wt％，提純時間30～210min，電場強(qiáng)度0.2kV/cm～20kV/cm，電極間距1mm～50mm。電極為板式或網(wǎng)式貴金屬氧化物涂層電極；離子膜為均相陰離子交換膜或均相陽離子交換膜；溶劑為烷烴，芳烴，醇或醚；液晶材料是單體液晶化合物或混合液晶組合物；提純裝置對較大量液晶可實現(xiàn)連續(xù)提純。
文檔編號B01D17/06GK101760203SQ20091027313
公開日2010年6月30日 申請日期2009年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月8日
發(fā)明者任占冬, 張開誠, 張智勇, 朱玉嬋 申請人:武漢工業(yè)學(xué)院