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      超聲波除泡裝置和涂布裝置的制作方法

      文檔序號:5001979閱讀:135來源:國知局
      專利名稱:超聲波除泡裝置和涂布裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型涉及集成電路工藝裝置,特別涉及一種超聲波除泡裝置和涂布裝置。
      背景技術(shù)
      半導體制造工藝中,光刻工藝一直被認為是集成電路制造中最關(guān)鍵的步驟,其在整個工藝過程中需要被多次使用,其穩(wěn)定性、可靠性和工藝成品率對產(chǎn)品的質(zhì)量、良率和成本有著重要的影響。光刻工藝是一個復雜的過程,其本質(zhì)是把臨時電路結(jié)構(gòu)以圖形的形式復制到以后要進行刻蝕和離子注入的晶片上?,F(xiàn)有工藝中,通常先利用涂布裝置在晶圓上形成一層光阻層,為了防止光阻層反射照射光,影響光刻工藝的精準度,往往在所述光阻層上還涂布一層抗反射膜層;接著,將平行光經(jīng)過一掩膜版照射在光阻層和抗反射膜層上,使其曝光而變質(zhì);最后,利用顯影液進行顯影,以完成圖形的轉(zhuǎn)移。其中,若形成的光阻層和抗反射膜層出現(xiàn)了偏差,會直接影響到后面相關(guān)工藝的進行,例如,光阻層和抗反射膜層的厚度超過預(yù)計厚度,可能造成曝光、顯影不充分,得不到正常的光刻圖形;而光阻層和抗反射膜層的厚度小于預(yù)計厚度,除曝光顯影不正常將導致圖形變形外,還可能會造成對晶圓的保護失敗,晶圓在經(jīng)過刻蝕工藝后報廢。此外,在形成光阻層或者抗反射膜層的過程中,還有一個非常嚴重的問題是,往往涂布的光阻層或者抗反射膜層中含有氣泡,而通常,這氣泡是由于光阻試劑或者抗反射膜試劑中混有氮氣所致。易知,若涂布的光阻層或者抗反射膜層中含有氣泡將導致光刻工藝的可靠性變差,例如,光阻層或者抗反射膜層的厚度將不可控,即不能符合預(yù)計厚度,從而導致前述的各類問題。因此,有效去除試劑中的氣泡,是一個亟待需要解決的問題。

      實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種超聲波除泡裝置和涂布裝置,以解決現(xiàn)有的試劑中含有氣泡的問題。為解決上述技術(shù)問題,本實用新型提供一種超聲波除泡裝置,所述超聲波除泡裝置包括密封容器,所述密封容器上設(shè)置有試劑入口、試劑出口和氣體出口 ;設(shè)置于所述密封容器一側(cè)的超聲波發(fā)生裝置,所述超聲波發(fā)生裝置能夠?qū)⒊暡òl(fā)射至所述密封容器??蛇x的,在所述的超聲波除泡裝置中,所述密封容器內(nèi)部設(shè)置有分隔部件,所述分隔部件將所述密封容器分隔為多個子空間,所述密封容器的靠近頂壁處具有將多個所述子空間連通的通路。可選的,在所述的超聲波除泡裝置中,所述超聲波發(fā)生裝置的數(shù)量與所述子空間的數(shù)量相同。可選的,在所述的超聲波除泡裝置中,所述分隔部件將所述密封容器分隔為兩個子空間??蛇x的,在所述的超聲波除泡裝置中,所述試劑入口和試劑出口分別位于不同的子空間內(nèi)。可選的,在所述的超聲波除泡裝置中,所述氣體出口位于所述密封容器的頂壁上。可選的,在所述的超聲波除泡裝置中,所述超聲波發(fā)生裝置設(shè)置于所述密封容器的下方。本實用新型還提供一種涂布裝置,所述涂布裝置包括試劑存儲裝置;與所述試劑存儲裝置連接的試劑傳導裝置,所述試劑傳導裝置上設(shè)置有如前所述的超聲波除泡裝置;噴灑裝置,所述噴灑裝置與所述試劑傳導裝置連接??蛇x的,在所述的涂布裝置中,還包括設(shè)置于所述試劑傳導裝置上的過濾裝置??蛇x的,在所述的涂布裝置中,所述試劑存儲裝置的數(shù)量為多個,多個所述試劑存儲裝置順次連接??蛇x的,在所述的涂布裝置中,多個所述試劑存儲裝置之間連接有試劑回路裝置。在本實用新型提供的超聲波除泡裝置和涂布裝置中,當需要去除氣泡的試劑進入密封容器后,通過超聲波發(fā)生裝置將超聲波發(fā)射至所述密封容器,利用超聲波將氣泡從所述試劑中分離出,通常是將氮氣等一些氣體從所述試劑中分離出。同時,利用密封容器上的氣體出口將從試劑中分離出的,引起氣泡的氣體排出密封容器,避免分離出的氣體再次與試劑結(jié)合而產(chǎn)生氣泡。由此,解決了試劑中含有氣泡的問題,當所述試劑為光阻試劑或者抗反射膜試劑時,由此,可提高光刻工藝的可靠性。

      圖1是本實用新型實施例的超聲波除泡裝置的示意圖;圖2是本實用新型實施例的涂布裝置的示意圖。
      具體實施方式
      以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型提出的超聲波除泡裝置和涂布裝置作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。特別地,在本實用新型所使用的附圖中,圖1中的超聲波除泡裝置10是為了清楚地說明其結(jié)構(gòu),而圖2中的超聲波除泡裝置10主要是為了說明其與其他部件間的連接,故同樣的超聲波除泡裝置10在兩幅附圖中的表現(xiàn)差別比較大,對于本文件的閱讀者,應(yīng)該理解其所指代的是同一個超聲波除泡裝置。本實用新型的核心思想在于,提供一種超聲波除泡裝置和涂布裝置,當需要去除氣泡的試劑進入密封容器后,通過超聲波發(fā)生裝置將超聲波發(fā)射至所述密封容器,利用超聲波將氣泡從所述試劑中分離出,通常是將氮氣等一些氣體從所述試劑中分離出。同時,利用密封容器上的氣體出口將從試劑中分離出的,引起氣泡的氣體排出密封容器,避免分離出的氣體再次與試劑結(jié)合而產(chǎn)生氣泡。由此,解決了試劑中含有氣泡的問題,當所述試劑為光阻試劑或者抗反射膜試劑時,由此,可提高光刻工藝的可靠性。實施例一請參考圖1,其為本實用新型實施例的超聲波除泡裝置的示意圖。如圖1所示,超聲波除泡裝置10包括密封容器11和超聲波發(fā)生裝置12,所述密封容器11上設(shè)置有試劑入口 110、試劑出口 111和氣體出口 112,所述超聲波發(fā)生裝置12將超聲波120發(fā)射至所述密封容器11。利用所述超聲波除泡裝置10對試劑進行除泡的過程如下首先,待除泡試劑從試劑入口 110進入密封容器11 ;通過超聲波發(fā)生裝置12所發(fā)射的超聲波120,將待除泡試劑內(nèi)的氣泡從該試劑中分離出,S卩,將試劑中的氣體從試劑中分離出;接著,分離出的氣體從氣體出口 112排出密封容器11 ;而已將氣泡分離出的試劑從試劑出口 111離開密封容器11。在本實施例中,所述超聲波120的功率密度大于0. 3瓦每平方厘米;所述超聲波 120的頻率大于20000赫茲。超聲波發(fā)生裝置12所發(fā)射的超聲波120最先至所述密封容器11的底壁??梢岳斫獾氖牵龀暡?20最先至所述密封容器11的底壁所能產(chǎn)生的除泡效果是最好的,由此從待除泡的試劑中分離出的氣體可自然的與試劑分開,即試劑位于密封容器11的下部,而氣體按照氣體的特性往密封容器11的上部跑,從而分離出的氣體自然的與試劑分開了。當然,在本實用新型的其他實施例中,所述超聲波120也可以最先至所述密封容器11的側(cè)壁。進一步的,所述密封容器11的底壁上還設(shè)置有分隔部件115,所述分隔部件115將所述密封容器11分隔為多個子空間,所述密封容器11的靠近頂壁處具有將多個所述子空間連通的通路。所述分隔部件115可以是能夠?qū)⒖臻g進行分隔的隔板或者其他部件。在本實施例中,所述分隔部件115將所述密封容器11分隔為第一子空間113和第二子空間114,所述分隔部件115與所述密封容器11的頂壁不連接,從而在所述密封容器 11的靠近頂壁處具有一條通路,通過所述通路第一子空間113和第二子空間114可以連通[0031]通過將所述密封容器11分隔為多個子空間,從而使得進入密封容器11的待除泡試劑可以進行多次超聲波除泡工藝。例如,在本實施例中,所述待除泡試劑在第一子空間 113進行除泡工藝后,隨后通過該通路進入第二子空間114,還將再次進行除泡工藝,即進行了兩次除泡工藝,提高了除泡效果。當所述子空間為更多個時,對于所述待除泡試劑將進行更多次除泡工藝,從而使得除泡效果更好。綜合考慮除泡效果及除泡用時,本實施例中, 將所述密封容器11分隔為兩個子空間。當將所述密封容器11分隔為兩個或者更多個子空間時,所述超聲波發(fā)生裝置12 也可相應(yīng)的分隔為兩個或者更多個,并且可以對每一個單獨控制,以配合每個子空間中的待除泡試劑的狀態(tài),提高除泡效果。在本實施例中,所述試劑入口 110和試劑出口 111分別位于不同的子空間內(nèi)。具體的,所述試劑入口 Iio位于第一子空間113內(nèi),所述試劑出口 111位于第二子空間114內(nèi)。 所述氣體出口 112位于所述密封容器11的頂壁上??梢灾?,當所述氣體出口 112位于所述密封容器11的頂壁上時,最易于氣體的排出,從而能夠取得最好的除泡效果。當然,在本實用新型的其他實施例中,所述氣體出口 112也可位于所述密封容器11的側(cè)壁上。在本實施例中,所述密封容器11的容量大于200ml,考慮到所述待除泡試劑往往是光阻試劑或者是抗反射膜試劑,結(jié)合涂布光阻層和抗反射膜層的速度和用量以及超聲波除泡的效率,所述密封容器11的容量優(yōu)選為大于200ml。實施例二[0036]請參考圖2,其為本實用新型實施例的涂布裝置的示意圖。如圖2所示,涂布裝置 1包括試劑存儲裝置20 ;試劑傳導裝置30,所述試劑傳導裝置30上設(shè)置有超聲波除泡裝置10,所述試劑傳導裝置30與所述試劑存儲裝置20連接;噴灑裝置40,所述噴灑裝置40 與所述試劑傳導裝置30連接。以進行抗反射膜層涂布工藝為例,所述涂布裝置的使用過程如下存儲于試劑存儲裝置20中的抗反射膜試劑,沿著試劑傳導裝置30流向用于最后進行涂布工藝的噴灑裝置40 ;在沿著試劑傳導裝置30流入噴灑裝置40前,經(jīng)過超聲波除泡裝置10進行超聲波除泡工藝,從而使得最后流入噴灑裝置40的抗反射膜試劑不含或者含有非常少量的氣體;最終,通過噴灑裝置40形成不含氣泡的抗反射膜層,提高了形成的抗反射膜層的質(zhì)量。在本實施例中,所述試劑傳導裝置30上還設(shè)置有過濾裝置50,所述過濾裝置50位于所述超聲波除泡裝置10前端。通過所述過濾裝置50可去除試劑中的一些雜質(zhì),提高試劑的質(zhì)量,進一步的提高后續(xù)工藝(例如涂布工藝)的質(zhì)量。進一步的,所述試劑存儲裝置20的數(shù)量可以為多個(圖2中僅示意性的示出了一個),多個所述試劑存儲裝置20順次連接。由此,增加了例如抗反射膜層涂布工藝中所用的抗反射膜試劑的量,從而可連續(xù)進行抗反射膜層涂布工藝,提高生產(chǎn)效率。進一步的,多個所述試劑存儲裝置20之間連接有試劑回路裝置(圖2中未示出)。 由此,若出現(xiàn)某一個試劑存儲裝置20被污染的情況,可通過該試劑回路裝置將被污染試劑存儲裝置20的試劑取出,同時避免對試劑的進一步污染。上述描述僅是對本實用新型較佳實施例的描述,并非對本實用新型范圍的任何限定,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾,均屬于權(quán)利要求書的保護范圍。
      權(quán)利要求1.一種超聲波除泡裝置,其特征在于,包括密封容器,所述密封容器上設(shè)置有試劑入口、試劑出口和氣體出口 ;設(shè)置于所述密封容器一側(cè)的超聲波發(fā)生裝置,所述超聲波發(fā)生裝置能夠?qū)⒊暡òl(fā)射至所述密封容器。
      2.如權(quán)利要求1所述的超聲波除泡裝置,其特征在于,所述密封容器內(nèi)部設(shè)置有分隔部件,所述分隔部件將所述密封容器分隔為多個子空間,所述密封容器的靠近頂壁處具有將多個所述子空間連通的通路。
      3.如權(quán)利要求2所述的超聲波除泡裝置,其特征在于,所述超聲波發(fā)生裝置的數(shù)量與所述子空間的數(shù)量相同。
      4.如權(quán)利要求2所述的超聲波除泡裝置,其特征在于,所述分隔部件將所述密封容器分隔為兩個子空間。
      5.如權(quán)利要求4所述的超聲波除泡裝置,其特征在于,所述試劑入口和試劑出口分別位于不同的子空間內(nèi)。
      6.如權(quán)利要求1至5中的任一項所述的超聲波除泡裝置,其特征在于,所述氣體出口位于所述密封容器的頂壁上。
      7.如權(quán)利要求6所述的超聲波除泡裝置,其特征在于,所述超聲波發(fā)生裝置設(shè)置于所述密封容器的下方。
      8.一種涂布裝置,其特征在于,包括試劑存儲裝置;與所述試劑存儲裝置連接的試劑傳導裝置,所述試劑傳導裝置上設(shè)置有如權(quán)利要求1 至7中任意一項所述的超聲波除泡裝置;噴灑裝置,所述噴灑裝置與所述試劑傳導裝置連接。
      9.如權(quán)利要求8所述的涂布裝置,其特征在于,還包括設(shè)置于所述試劑傳導裝置上的過濾裝置。
      10.如權(quán)利要求8或9所述的涂布裝置,其特征在于,所述試劑存儲裝置的數(shù)量為多個, 多個所述試劑存儲裝置順次連接。
      11.如權(quán)利要求10所述的涂布裝置,其特征在于,多個所述試劑存儲裝置之間連接有試劑回路裝置。
      專利摘要本實用新型提供一種超聲波除泡裝置和涂布裝置,當需要去除氣泡的試劑進入密封容器后,通過超聲波發(fā)生裝置將超聲波發(fā)射至所述密封容器,利用超聲波將氣泡從所述試劑中分離出,通常是將氮氣等一些氣體從所述試劑中分離出。同時,利用密封容器上的氣體出口將從試劑中分離出的,引起氣泡的氣體排出密封容器,避免分離出的氣體再次與試劑結(jié)合而產(chǎn)生氣泡。由此,解決了試劑中含有氣泡的問題,當所述試劑為光阻試劑或者抗反射膜試劑時,由此,可提高光刻工藝的可靠性。
      文檔編號B01D19/02GK202087088SQ20112016047
      公開日2011年12月28日 申請日期2011年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月19日
      發(fā)明者丁海濤 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
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