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      一種應(yīng)用于納米顆粒制備的高并行微流道芯片的制作方法

      文檔序號(hào):5045168閱讀:200來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):一種應(yīng)用于納米顆粒制備的高并行微流道芯片的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種應(yīng)用于納米顆粒制備的高并行微流道芯片,屬于納米制藥方向。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)有文獻(xiàn)報(bào)道過(guò)合成幾十到幾百納米尺寸的聚合物納米顆粒的方法,主要的方式為采用利用微流控的方式,將溶解有親疏水基團(tuán)的聚合物分子的有機(jī)相夾于水相當(dāng)中?,F(xiàn)有技術(shù)中的體混合方法,有容易出現(xiàn)混合不一致,產(chǎn)生材料均一性差的缺點(diǎn)。參考文獻(xiàn)I((Microfluidic Platform for Controlled Synthesis of Polymeric Nanoparticles)),參考文獻(xiàn) 2 ((Synthesis of Size-Tunable Polymeric Nanoparticles Enabled by 3DHydrodynamic Flow Focusing in Single-Layer Microchannels》中提及的實(shí)驗(yàn)室中米用 聚合物材料PDMS (聚二甲基硅氧烷)制備的單條流道,將體混合由百微米以上尺度下降到若干微米尺度,無(wú)需攪拌的特征擴(kuò)散反應(yīng)時(shí)間可以小于納米顆粒生成的特征時(shí)間,反應(yīng)更加均一。如圖1A、1B所示,由于層流作用,有機(jī)相被水相夾成大約幾微米的厚度,同時(shí)采用的有機(jī)溶劑為與水可無(wú)限互溶的液體,當(dāng)有機(jī)溶劑擴(kuò)散入水相后,溶于有機(jī)溶劑的聚合物分子便會(huì)自組裝成幾十納米的顆粒,內(nèi)部為疏水基團(tuán)而外部為親水基團(tuán),其平均尺寸小于體混合情況,且均一性?xún)?yōu)于體混合情況,但由于進(jìn)液壓強(qiáng)的限制,產(chǎn)量只能達(dá)到20ul/h左右的速度,同時(shí)還存在聚合物材料PDMS表面容易吸附分子,造成流道堵塞。如圖2所示,PLGA聚乳酸-羥基乙酸共聚物-PEG聚乙二醇改進(jìn)后的3D流道,可以避免表面的吸附,但是在產(chǎn)量上依然沒(méi)有提高,同時(shí)需要了更多路的流體控制來(lái)完成單路的產(chǎn)出,難以高產(chǎn)量的得到產(chǎn)物,工業(yè)應(yīng)用前景差。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的技術(shù)方案。一種應(yīng)用于納米顆粒制備的微流道芯片。一種微流道芯片,如圖3A、3B、3C所示,是由PDMS頂層、PDMS中間層、PDMS底層和玻璃底片組成;其中,在PDMS頂層、PDMS中間層和PDMS底層的下表面中前部均設(shè)有一凹槽,當(dāng)PDMS頂層、PDMS中間層、PDMS底層和玻璃底片依次對(duì)位粘合時(shí),PDMS頂層的凹槽與PDMS中間層、PDMS中間層的凹槽與PDMS底層、PDMS底層的凹槽與玻璃底片分別形成頂層流道、中間層流道、底層流道三層流道,三層流道各不相通,互相平行;其中,在PDMS頂層上表面,按照頂層流道、中間層流道、底層流道三層流道的位置順序依次設(shè)置三個(gè)與其相通的進(jìn)液口 ;在每一層流道末端設(shè)有10-1000個(gè)出液口。其中,所述進(jìn)液口垂直于每層流道且相互平行;每一層從進(jìn)液口到出液口之間的流道為樹(shù)形結(jié)構(gòu),是由一條流道等分為2條分支流道,再等分為3條分支流道,依次等分為6條分支流道…,直至分裂為10-1000個(gè)分支流道作為出液口。[0009]其中,所述進(jìn)液口線(xiàn)寬100-400 iim,中間層流道出液口寬度為5-20微米,高度為5-15微米,線(xiàn)周期為100微米;頂層流道出液口與底層流道出液口寬度為10-40微米,高度為5-20微米,線(xiàn)周期為50微米。其中,中間層流道為有機(jī)相流道,頂層流道與底層流道為水相流道。所述有機(jī)相為可與水互溶的有機(jī)溶劑和不溶于水的溶質(zhì)組成,有機(jī)溶劑例如甲醇、乙醇,異丙醇、丁醇、丙酮、乙腈等,溶質(zhì)為生物可降解聚合物和被包封的疏水性藥物,聚合物例如 聚乳酸(PLA),聚乳酸-羥基乙酸共聚物(PLGA),聚乙二醇(PEG),聚乙二醇-聚乳酸共聚物(PLA-PEG,PLA-PEG-PLA, PEG-PLA-PEG),聚乙二醇-聚乳酸-羥基乙酸共聚物(PLGA-PEG, PLGA-PEG-PLGA, PEG-PLGA-PEG),聚己酸內(nèi)酯(PCL),聚乙二醇-聚己酸內(nèi)酯共聚物(PCL-PEG, PCL-PEG-PCL),聚葡糖酸酯(polyglyconate),聚酐(polyanhydrides),多正酯類(lèi)(polyorthoesters),聚二氧六環(huán)酮(polydioxanone),聚氰基丙烯酸燒酯(polyalky I cyanoacrylates)等。其中,中間層流道模具采用光刻膠SU83005型號(hào)制備,頂層流道模具與底層流道 模具采用光刻膠SU83025型號(hào)制備其模具。其中,所述PDMS由單體A和交聯(lián)劑B按比例混合而成;所述PDMS頂層采用的PDMS配比是5-20:1 (質(zhì)量比),PDMS中間層采用的PDMS配比為5-20:1 (質(zhì)量比),PDMS底層采用PDMS配比為5-20:1 (質(zhì)量比);所述PDMS頂層、PDMS中間層、PDMS底層采用的PDMS配比均不相同。所述PDMS材料還能夠采用有機(jī)玻璃(聚甲基丙烯酸甲酯PMMA)或乙烯基聚合物,乙烯基聚合物選擇聚苯乙烯PS,聚乙烯PE,聚氯乙烯PVC,聚二氯乙烯PVDC等其他聚合物材料替換。一種三層并行微流道芯片的制備工藝,包含以下步驟步驟一光刻工藝I)中間層流道模具制備工藝采用光刻膠SU83005制備,中間層流道出液口寬度為5-20微米,高度為5-15微米,線(xiàn)周期為100微米;2)頂層和底層流道模具的制備工藝采用光刻膠SU83025制備,頂層流道出液口與底層流道出液口寬度為10-40微米,高度為5-20微米,線(xiàn)周期為50微米。步驟二 軟注模工藝I)上述各層采用不同配比的PDMS,PDMS配比介于5_20:1之間;2)通過(guò)甩膠機(jī)在底層流道模具上注入20-40微米厚度的PDMS,甩膠機(jī)相應(yīng)轉(zhuǎn)速為5000到2000轉(zhuǎn)每分鐘;3)通過(guò)甩膠機(jī)在中間層流道模具上注入10-30微米的PDMS,甩膠機(jī)相應(yīng)轉(zhuǎn)速為6000到3000轉(zhuǎn)每分鐘;4)在頂層流道模具上倒入厚度為6mm-2cm的PDMS ;5)將上述三層流道模具均放入75°C烘箱固化30分鐘。步驟三對(duì)位及粘合I.切下PDMS頂層后,打孔,通過(guò)等離子體處理表面后,對(duì)位放在固化好的中間層PDMS模具上,在烘箱中75攝氏度烘烤30分鐘,完成PDMS頂層和PDMS中間層的粘連;2.同理,從模具上切下已粘合好的兩層PDMS,打通中間層的出口后,通過(guò)等離子體處理表面后,對(duì)位放在固化好的底層PDMS模具上,在烘箱中75攝氏度烘烤過(guò)夜,完成與PDMS底層的粘合。3.切下粘合好的三層PDMS,打通底層的出口后將其與玻璃底片通過(guò)等離子體處理粘合成最終芯片。對(duì)于本實(shí)用新型而言,第一重要的是產(chǎn)物均一性,在同一流速比下決定產(chǎn)物性質(zhì)的是芯片PDMS膜層厚度;其次是生產(chǎn)速度,對(duì)比參考文獻(xiàn)1、2,生產(chǎn)速度已經(jīng)有10-50倍的提升,流道的數(shù)目可以部分的限制最大的流速,即最大生產(chǎn)速度。本實(shí)用新型的技術(shù)效果1、采用新興的MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))以及軟光刻工藝,可以 非常方便的制備微米尺寸的聚合物流道,聚合物材料聚二甲基硅氧烷(PDMS)材料成本低,可以大幅度的降低器件的制備成本。2、在微流道中進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng),分子析出,對(duì)比將常規(guī)的加樣攪拌混合反應(yīng),由于尺寸的直接下降,擴(kuò)散成平方關(guān)系下降,可以加快產(chǎn)物的產(chǎn)生的速度和更好的實(shí)現(xiàn)產(chǎn)物的均一性控制。3、采用微米尺度的液體包被可以縮短混合反應(yīng)時(shí)間,讓產(chǎn)物更加均勻,但是最近的現(xiàn)有技術(shù),其需要采用復(fù)雜的流體控制來(lái)完成單條通道的樣品制備,需要較高的專(zhuān)業(yè)技術(shù),同時(shí)產(chǎn)品產(chǎn)量極低。4、新的裝置芯片,采用微流與體混合結(jié)合的方式,其混合的特征時(shí)間明顯小于體混合情況,將注入的流道減小到微米尺寸,采用高流速,高平行通道的方式實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量下的樣品均一性控制。本實(shí)用新型采用多通道并行,出液口反應(yīng)的方式實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量,采用控制出液口尺寸,出液口液體包被的方式實(shí)現(xiàn)產(chǎn)物的均一性控制,由于反應(yīng)在流道外進(jìn)行,避免了產(chǎn)物在流道內(nèi)堵塞的情況,為結(jié)合傳統(tǒng)體混合和微流系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)的典型應(yīng)用。

      圖IA為采用層流快速擴(kuò)散混合得到均一的納米顆粒示意圖;圖IB為2D微流裝置示意圖;圖2為改進(jìn)的3D產(chǎn)生納米顆粒的微流裝置示意圖;圖3A為各層出液口俯視圖;圖3B為芯片側(cè)視圖;圖3C為芯片立體結(jié)構(gòu)圖。
      具體實(shí)施方式
      下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的闡述。實(shí)施例I制備三層并行微流道芯片I :步驟一光刻工藝I)中間層流道模具制備采用光刻膠SU83005,采用甩膠機(jī)在硅片上涂布上5_10微米的光刻膠(轉(zhuǎn)速3000rpm-2000rpm,時(shí)間為30s),經(jīng)過(guò)65攝氏度烘烤I分鐘,95攝氏度烘烤5分鐘前烘后,放于曝光機(jī)下曝光,采用的掩模為所設(shè)計(jì)的中間層圖形(圖3A)的陰版,曝光時(shí)間為50秒,光強(qiáng)為20mw/cm2 ;曝光后樣品放于65攝氏度I分鐘,95攝氏度后烘5分鐘;經(jīng)過(guò)顯影液顯影后,獲得中間層模具。2)頂層和底層流道模具的制備采用光刻膠SU83025,步驟同上,前烘條件為65攝氏度I分鐘,95攝氏度10分鐘,采用相應(yīng)的掩模,曝光時(shí)間為90秒,光強(qiáng)20mW/cm2,后烘條件為65攝氏度I分鐘,95攝氏度10分鐘。如圖3A、3B,每層圖形均為一個(gè)入口經(jīng)過(guò)一個(gè)樹(shù)形結(jié)構(gòu)等分到上百個(gè)出口,寬度為入口 I條300 ii m,等分到150微米兩條,再到100微米3條,50微米6條,50微米12條,到出口 10-1000條流道。出口流道寬度底頂層為25微米寬度,周期50微米,中間層為5微米寬度,100微米周期。步驟二 軟注模工藝,I)采用不同配比的PDMS,PDMS頂層采用PDMS配比是15 :1,PDMS中間層采用的PDMS配比為10:1, PDMS底層采用PDMS配比為8:1 ;2)通過(guò)甩膠機(jī)在底層流道模具上注入30微米厚度的PDMS,甩膠機(jī)相應(yīng)轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)每分鐘;3)通過(guò)甩膠機(jī)在中間層流道模具上注入20微米的PDMS,甩膠機(jī)相應(yīng)轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)每分鐘;4)在頂層流道模具上倒入厚度為6mm的PDMS ;5)將上述三層PDMS覆蓋的流道模具均放入75°C烘箱固化30分鐘。步驟三對(duì)位及粘合I)切下PDMS頂層后,打孔,通過(guò)等離子體處理表面后,對(duì)位放在固化好的中間層PDMS模具上,在烘箱中75攝氏度烘烤30分鐘,完成PDMS頂層和PDMS中間層的粘連;2)同理,從模具上切下已粘合好的兩層PDMS,打通中間層的出口后,通過(guò)等離子體處理表面后,對(duì)位放在固化好的底層PDMS模具上,在烘箱中75攝氏度烘烤過(guò)夜,完成與PDMS底層的粘合。3)切下粘合好的三層PDMS打通底層的出口后將其與玻璃底片通過(guò)等離子體處理粘合成最終芯片;最終得到的芯片I進(jìn)液口線(xiàn)寬300 ii m,PDMS中間層末端設(shè)有100個(gè)出液口,PDMS頂?shù)啄┒嗽O(shè)有240個(gè)出液口 ;PDMS中間層流道出液口寬度為5微米,高度為5微米,線(xiàn)周期為100微米;PDMS頂層流道出液口與PDMS底層流道出液口寬度為25微米,高度為15微米,線(xiàn)周期為50微米;PDMS底層厚度為30微米,PDMS中間層厚度為20微米。實(shí)施例2制備三層并行微流道芯片2 采用實(shí)施例I的方法,制得三層并行微流道芯片進(jìn)液口線(xiàn)寬300i!m,中間層流道末端設(shè)有50個(gè)出液口,頂?shù)讓幽┒嗽O(shè)有120個(gè)出液口。中間層流道出液口寬度為20微米,高度為15微米,線(xiàn)周期為100微米;頂層流道出液口與底層流道出液口寬度為40微米,高度為20微米,線(xiàn)周期為50微米;PDMS底層厚度為40微米,PDMS中間層厚度為30微米。實(shí)施例3制備三層并行微流道芯片3 采用實(shí)施例I的方法,但將PDMS替換為有機(jī)玻璃PMMA,PMMA為加熱液化,不是和PDMS 一樣的交聯(lián)固化反應(yīng);可將實(shí)施例I步驟二中I)的PDMS改為在180攝氏度加熱熔化后的PMMA ;5)中將所得三層PMMA覆蓋的流道模具放于室溫冷卻;步驟三中等離子體粘合改為在140攝氏度下加熱粘合。制得三層并行微流道芯片進(jìn)液口線(xiàn)寬100 iim,中間層流道末端設(shè)有450個(gè)出液口,頂?shù)讓幽┒嗽O(shè)有1000個(gè)出液口。中間層流道出液口寬度為10微米,高度為10微米,線(xiàn)周期為100微米;頂層流道出液口與底層流道出液口寬度為10微米,高度為5微米,線(xiàn)周期為50微米;PMMA底層厚度為35微米,PMMA中間層厚度為25微米。實(shí)施例4制備三層并行微流道芯片4 采用實(shí)施例I的方法,制得三層并行微流道芯片進(jìn)液口線(xiàn)寬400μπι,中間層流道末端設(shè)有10個(gè)出液口,頂?shù)讓幽┒嗽O(shè)有20個(gè)出液口。中間層流道出液口寬度為20微米,高度為15微米,線(xiàn)周期為100微米;頂層流道出液口與底層流道出液口寬度為40微米,高度為20微米,線(xiàn)周期為50微米;PDMS底層厚度為25微米,PDMS中間層厚度為15微米。芯片結(jié)果測(cè)試I、進(jìn)液控制在培養(yǎng)皿中注入約5ml純水,將芯片出液口泡入純水中后,頂層流道和下層流道 通入純水溶液,推速為I. 5ml/h, 3分鐘后中間層流道入口通入PEG-PLGA/ACN溶液,典型濃度為50mg/ml,典型聚合物分子量為PEG5k-PLGA55k,典型推速為100ul/h至lml/h。推一個(gè)小時(shí)后收集樣品,并加純水至IOml體積。體混合條件為在IOml液體中加入200ul的50mg/ml的PEG-PLGA/ACN溶液。2、對(duì)樣品的鑒定體混合產(chǎn)物A,200ul體積,50mg/ml濃度的PLGA55k_PEG5k/ACN加入到10毫升純水中的產(chǎn)物;芯片產(chǎn)物B、C、D,50mg/ml濃度的PLGA55k_PEG5k/ACN溶液,推速分別200ul/h,500ul/h, lml/h,總推液時(shí)間均為I小時(shí),水相流速為I. 5ml/h,體現(xiàn)顆粒濃度即分別為Img/ml, 2. 5mg/ml,5mg/ml,顆粒大小測(cè)量,產(chǎn)物B,C,D大約為150_160nm,峰較窄,而體混合結(jié)果產(chǎn)物A顆粒大小極不均一,很多微米尺度的顆粒產(chǎn)生。通過(guò)測(cè)試,可以得出以下結(jié)論I)高通量性。由圖3A、圖3B所示,樹(shù)狀結(jié)構(gòu)的流道,由I條流道分支為數(shù)百條流道,能夠大大提高液體通過(guò)的芯片的流量。2)快速混合效果。對(duì)照參考文獻(xiàn)I和參考文獻(xiàn)2,可以看出有機(jī)相和水相在出液口處混合效果。3)產(chǎn)物均一性高。芯片的樣品均一性結(jié)果明顯優(yōu)于體混合,體混合明顯有大尺寸顆粒,加大流速提升產(chǎn)量,產(chǎn)物性質(zhì)無(wú)明顯變化(有機(jī)相200ul/h與1000ul/h,分子為PLGA55k-PEG5k,每一水相為I. 5ml/h)。產(chǎn)量速度比起已有文獻(xiàn)(《Microfluidic Platformfor Controlled Synthesis of Polymeric Nanoparticles》,《Synthesis of Size-TunablePolymeric Nanoparticles Enabled by 3DHydrodynamic Flow Focusing in Single-LayerMicrochannels)))可高十倍以上,同時(shí)顆粒大小均一'I"生結(jié)果與文獻(xiàn)報(bào)道接近,并且在流速為200ul/h到lml/h時(shí),產(chǎn)物接近,說(shuō)明流速控制精度要求低,適合工業(yè)化生產(chǎn)。對(duì)不同芯片的理論與測(cè)試結(jié)果流速為500ul/h,分子為PLGA55k-PEG5k,水流道的線(xiàn)寬寬可以得到較好的包被效果,申請(qǐng)人測(cè)試了兩類(lèi)水流道寬度的芯片25微米寬度和40微米寬度,發(fā)現(xiàn)產(chǎn)物基本沒(méi)有變化。PLGA55k-PEG5k50mg/ml,推速為 500ul/h,芯片 I 為底層膜厚 30 μ m,中間層厚 20 μ m,芯片2為底層膜厚40微米,中間層膜厚30微米,測(cè)試結(jié)果芯片產(chǎn)物均優(yōu)于體混合產(chǎn)物情況。有機(jī)相每條流道應(yīng)距離足夠遠(yuǎn)以滿(mǎn)足每條有機(jī)相流出流道后周?chē)凰?。理論上水相和有機(jī)相液層為越薄越好,厚薄程度在同一流速情況下直接影響擴(kuò)散時(shí)間,越薄的情況產(chǎn)物均一性會(huì)越好,而在同一流速比的情況,芯片PDMS底層和中層的厚度會(huì)直接影響到液層的厚度,我們測(cè)試了兩類(lèi)芯片,芯片I采用的膜厚為底層30微米,中間層20微米,采用同樣的流速,結(jié)果要略?xún)?yōu)于底層為40微米,中間層為30微米芯片2的情況,但由于PDMS甩膠曲線(xiàn)決定,PDMS的膜厚下限為15微米,同時(shí)越薄,芯片的穩(wěn)定性會(huì)越差,所以最優(yōu)條件我們就選為底層30微米,中間層膜厚20微米。4)實(shí)用新型本實(shí)用新型提供的芯片在200ul/h到1000ul/h時(shí),產(chǎn)物均與文獻(xiàn)結(jié)果接近,而對(duì)比文獻(xiàn),其需要較為嚴(yán)格限制流速大小,且PLGA-PEG/ACN流速遠(yuǎn)低于本實(shí)用新型的情況,測(cè)試本實(shí)用新型的芯片的極限推速可以達(dá)到水相15ml/h,有機(jī)相達(dá)到5ml/h,在此條件下,同一濃度及分子量的產(chǎn)物大小均無(wú)較大變化。也證明了本實(shí)用新型的芯片流速控制精度要求低,產(chǎn)量大,比已有的微流文獻(xiàn)更適合工業(yè)化生產(chǎn)。對(duì)比體混合,本專(zhuān)利的芯片得到的產(chǎn)物均一性好;對(duì)比參考文獻(xiàn)I和參考文獻(xiàn)2,只需要3通路控制,產(chǎn)物速度要快10倍以上,產(chǎn)物均一性指標(biāo)與其接近,以上分析可以得出 結(jié)論我們的芯片及相關(guān)技術(shù)方案可以實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量,均一性好的納米顆粒制備,其對(duì)流速控制的低要求使其適合工業(yè)化生產(chǎn)。
      權(quán)利要求1.一種微流道芯片,其特征在于,是由PDMS頂層、PDMS中間層、PDMS底層和玻璃底片組成。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的微流道芯片,其中,在PDMS頂層、PDMS中間層和PDMS底層的下表面中前部均設(shè)有一凹槽;當(dāng)PDMS頂層、PDMS中間層、PDMS底層和玻璃底片依次對(duì)位粘合時(shí),PDMS頂層的凹槽與PDMS中間層、PDMS中間層的凹槽與PDMS底層、PDMS底層的凹槽與玻璃底片分別形成頂層流道、中間層流道、底層流道三層流道,三層流道各不相通,互相平行。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微流道芯片,其中,在PDMS頂層上表面,按照頂層流道、中間層流道、底層流道三層流道的位置順序依次設(shè)置三個(gè)與其相通的進(jìn)液口 ;在每一層流道末端設(shè)有出液口。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流道芯片,其中,所述進(jìn)液口垂直于每層流道且相互平行;每一層從進(jìn)液口到出液口之間的流道為樹(shù)形結(jié)構(gòu),是由一條流道等分為2條分支流道,再等分為3條分支流道,依次等分為6條分支流道…,直至分裂為10-1000個(gè)分支流道作為出液口。
      5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的微流道芯片,其中,所述進(jìn)液口線(xiàn)寬100-400u m,每一層設(shè)有10-1000出液口 ;中間層流道出液口寬度為5-20微米,高度為5-15微米,線(xiàn)周期為100微米;頂層流道出液口與底層流道出液口寬度為10-40微米,高度為5-20微米,線(xiàn)周期為50微米;PDMS底層厚度為20-40微米,PDMS中間層厚度為10-30微米。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微流道芯片,其中所述進(jìn)液口線(xiàn)寬300ym,每一層設(shè)有100出液口 ;中間層流道出液口寬度為5微米,高度為5微米,線(xiàn)周期為100微米;頂層流道出液口與底層流道出液口寬度為25微米,高度為15微米,線(xiàn)周期為50微米;PDMS底層厚度為30微米,PDMS中間層厚度為20微米。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微流道芯片,其中,所述中間層流道為有機(jī)相流道,頂層流道與底層流道為水相流道。
      8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微流道芯片,其中,所述三層流道模具均采用光刻膠制備。
      專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種微流道芯片,是由PDMS頂層、PDMS中間層、PDMS底層和玻璃底片組成;在PDMS頂層、PDMS中間層和PDMS底層的下表面中前部均設(shè)有一凹槽,當(dāng)PDMS頂層、PDMS中間層、PDMS底層和玻璃底片依次對(duì)位粘合時(shí),PDMS頂層的凹槽與PDMS中間層、PDMS中間層的凹槽與PDMS底層、PDMS底層的凹槽與玻璃底片分別形成頂層流道、中間層流道、底層流道三層流道;在PDMS頂層上表面,按照頂層流道、中間層流道、底層流道三層流道的位置順序依次設(shè)置三個(gè)與其相通的進(jìn)液口;在每一層流道末端設(shè)有10-1000個(gè)出液口。本實(shí)用新型采用多通道并行,出液口液體包被的方式實(shí)現(xiàn)產(chǎn)物的均一性控制,避免了產(chǎn)物在流道內(nèi)堵塞的情況,為結(jié)合傳統(tǒng)體混合和微流系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)的典型應(yīng)用。
      文檔編號(hào)B01L3/00GK202538793SQ201120567168
      公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
      發(fā)明者羅春雄, 陳穎 申請(qǐng)人:北京瑞斯諾生物醫(yī)藥技術(shù)有限公司
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