1.一種構建復雜多域非均勻電場的物理系統(tǒng)，其特征在于，包括腔體，所述腔體內(nèi)具有內(nèi)部產(chǎn)生的和/或外部施加的電場分布，腔體的容置空間內(nèi)容置有能夠使電場分布依期望改變的一個或多個有形的子區(qū)域物，部分或全部相鄰子區(qū)域物之間和/或子區(qū)域物內(nèi)部具有空隙，所述子區(qū)域物與腔體壁之間也可具有空隙，所述子區(qū)域物在腔體內(nèi)產(chǎn)生新的電場或是單純地改變局域電場分布，使所述腔體內(nèi)形成復雜多域電場分布；
所述子區(qū)域物為能夠改變電場分布或改變局域電場的強度與方向的物質(zhì)、物質(zhì)組合或裝置；
當所述子區(qū)域物為物質(zhì)或物質(zhì)組合時，所述子區(qū)域物的材料包括正介電常數(shù)材料和/或負介電常數(shù)材料且具有如下特征：
當所述子區(qū)域物為多個且所述子區(qū)域物為金屬時，所述子區(qū)域物相互之間接觸或者不接觸；
當所述子區(qū)域物為金屬與電介質(zhì)的混合物時，所述金屬散布于電介質(zhì)之間；
當所述腔體的部分或者全部容置空間內(nèi)的子區(qū)域物為多個且該多個子區(qū)域物全為電介質(zhì)時，部分或者全部子區(qū)域物與周圍子區(qū)域物有接觸且接觸面積不大于其自身面積的50％。
2.根據(jù)權利要求1所述的構建復雜多域非均勻電場的物理系統(tǒng)，其特征在于，在所述腔體內(nèi)或腔體壁上設有至少一個正電極和至少一個負電極，正、負電極之間的電場的全部或部分覆蓋腔體的容置空間。
3.根據(jù)權利要求1所述的構建復雜多域非均勻電場的物理系統(tǒng)，其特征在于，在電介質(zhì)作為子區(qū)域物時，所述電介質(zhì)的介電常數(shù)>10或者<0。
4.根據(jù)權利要求1所述的構建復雜多域非均勻電場的物理系統(tǒng)，其特征在于，所述腔體內(nèi)的子區(qū)域物在結(jié)構、形狀、大小、性質(zhì)這四個方面相同，或不完全相同或完全不相同。
5.根據(jù)權利要求1所述的構建復雜多域非均勻電場的物理系統(tǒng)，其特征在于，所述子區(qū)域物的表面為有限個數(shù)的平面和/或曲面相連形成。
6.根據(jù)權利要求1所述的構建復雜多域非均勻電場的物理系統(tǒng)，其特征在于，所述子區(qū)域物為一體結(jié)構，所述子區(qū)域物內(nèi)具有空隙。
7.根據(jù)權利要求1所述的構建復雜多域非均勻電場的物理系統(tǒng)，其特征在于，獨立的子區(qū)域物之間以及獨立子區(qū)域物與電極之間絕緣，無電荷遷移。
8.根據(jù)權利要求1所述的構建復雜多域非均勻電場的物理系統(tǒng)，其特征在于，部分的獨立子區(qū)域物之間或部分的獨立子區(qū)域物與電極之間非絕緣，有電荷遷移。
9.根據(jù)權利要求1所述的構建復雜多域非均勻電場的物理系統(tǒng)，其特征在于，所述腔體具有入口和出口，所述腔體內(nèi)的空隙形成至少一條從入口至出口的通道。