專利名稱：基于光學檢測的e型磁材分選方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種基于光學檢測的磁材分選方法。
背景技術：
E型磁材廣泛用于變壓器中，其是由兩個E型磁材對稱組合為一體件使用，因此， 就需要兩個E型磁材的尺寸相當，否則在組合使用時就會出現(xiàn)漏磁現(xiàn)象，導致嚴重影響變 壓器的壽命以及造成能量的大量損耗。因此，對E型磁材的尺寸檢測是E型磁材工業(yè)生產(chǎn) 中重要的一環(huán)。目前，工業(yè)生產(chǎn)上對E型磁材的尺寸檢測仍處于生產(chǎn)人員利用肉眼進行分 選的狀態(tài)，這種檢測方式的檢測效率較低、精度較差。

發(fā)明內容
本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有的E型磁材的檢測方法的檢測效率低、檢測精度差的問 題，從而提供一種基于光學檢測的E型磁材分選方法?；诠鈱W檢測的E型磁材分選方法，它由以下步驟實現(xiàn)步驟一、使攝像頭的光軸與所述待測E型磁材的E型面相垂直，然后采用攝像頭 對待測E型磁材的E型面進行拍照，獲得待測E型磁材的E型面圖像；所述圖像的像素為 1280X1024 ；步驟二、將步驟一獲得的待測E型材料圖像與標準模板圖像進行匹配，獲得待測E 型材料圖像的測量區(qū)域；步驟三、采用Sobel邊緣檢測方法聯(lián)合Carmy邊緣檢測方法對步驟二獲得的待測 E型材料圖像的測量區(qū)域進行檢測，獲得待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像；步驟四、對步驟三獲得的待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像采用Hough 變換法去噪，獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像；步驟五、對步驟四中獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像進行水平搜索，確定圖像中 的兩條邊的邊緣中每條邊的邊緣上的所有像素關鍵點，并確定每個像素關鍵點與鄰近的所 有像素點之間的亞像素點，并對每個像素關鍵點與鄰近的所有像素點之間的鄰近的所有亞 像素點進行求解，獲得每個像素關鍵點的亞像素級位置，綜合所有像素關鍵點的亞像素級 位置，獲得寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像；步驟六、對步驟五中寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像采用最小二乘直線擬 合法去噪，獲得去噪后的寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像；步驟七、將步驟六獲得的去噪后的寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像采用加 權最小二乘直線擬合法進行計算，獲得寬度方向上兩條邊之間的距離，即是待測E型磁材E 型面的長度；步驟八、判斷步驟七獲得的待測E型磁材E型面的長度是否位于預先設定的標準 長度范圍的區(qū)間內，如果判斷結果為是，則獲得待測E型磁材是合格品；如果判斷結果為 否，則獲得待測E型磁材是不合格品。
步驟二中所述將步驟一獲得的待測E型材料圖像與標準模板圖像進行匹配，獲得 待測E型材料圖像的測量區(qū)域的方法由以下步驟完成步驟Al、將待測E型材料圖像和標準模板圖像均縮小50倍，并將縮小50倍后的 待測E型材料圖像與縮小50倍后的標準模板圖像采用歸一化平方差法進行匹配，獲得縮小 50倍后的最佳匹配位置；步驟A2、將待測E型材料圖像和標準模板圖像均縮小32倍，并將縮小32倍后的 待測E型材料圖像與縮小32倍后的標準模板圖像在步驟Al獲得的最佳匹配位置的上、下、 左、右各向外擴展16個像素的范圍內采用歸一化平方誤差法進行匹配，獲得縮小32倍后的 最佳匹配位置；步驟A3、將待測E型材料圖像和標準模板圖像均縮小16倍，并將縮小16倍后的 待測E型材料圖像與縮小16倍后的標準模板圖像在步驟A2獲得的最佳匹配位置的上、下、 左、右各向外擴展16個像素的范圍內采用歸一化平方誤差法進行匹配，獲得最終的最佳匹 配位置，即獲得待測E型材料圖像的測量區(qū)域。步驟三中采用Sobel邊緣檢測方法聯(lián)合Carmy邊緣檢測方法對步驟二獲得的待測 E型材料圖像的測量區(qū)域進行檢測，獲得待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像的方 法由以下步驟完成步驟VI、采用Sobel邊緣檢測方法將待測E型材料圖像與標準模板圖像做卷積，并 將獲得的結果取絕對值后歸一化到0 255的區(qū)間內；步驟V2、設定高、低兩個閾值h和1，將步驟Vl中的歸一化到0 255的區(qū)間內的 值分別與兩個閾值h和1進行比較，如果該值高于閾值h，則設定該值對應的像素點為邊緣 點；如果該值低于閾值1，則設定該值對應的像素點為背景點；如果該值位于[1，h]的區(qū)間 內，則判斷該值對應的像素點的相鄰的8個像素點是否有邊緣點，如果判斷結果為是，則設 定該值對應的像素點為邊緣點；如果判斷結果為否，則設定該值對應的像素點為背景點；綜合所有值對應的像素點的結果，獲得邊緣圖像Il ； 步驟V3、采用Carmy邊緣檢測方法對待測E型材料圖像進行邊緣檢測，獲得邊緣圖 像12 ；步驟V4、將步驟V2獲得的邊緣圖像Il和步驟V3獲得的邊緣圖像12進行與運算， 獲得待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像。步驟四中對步驟三獲得的待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像采用Hough 變換法去噪，獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像的方法由以下步驟完成步驟W1、對步驟三獲得的待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像中每個像素 點在左、右各100個像素范圍內分別進行直線提取，且所述直線的角度變化范圍是65° 115° ；步驟W2、求解每一個邊緣點到該點對應的直線的之間距離值，并判斷所述距離值 是否大于預先設定的閾值，如果判斷結果為是，則將該點設定為背景點；如果判斷結果為 否，則保留該點為邊緣點。步驟五中所述對步驟四中獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像進行水平搜索，確定圖 像中的兩條邊的邊緣中每條邊的邊緣上的所有像素關鍵點，并確定每個像素關鍵點與鄰近 的所有像素點之間的亞像素點，并對每個像素關鍵點與鄰近的所有像素點之間的鄰近的所有亞像素點進行求解，獲得每個像素關鍵點的亞像素級位置，綜合所有像素關鍵點的亞像 素級位置，獲得寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像的方法是由以下步驟實現(xiàn)步驟K1、對步驟四中獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像進行水平搜索，確定圖像中 的兩條邊的邊緣區(qū)域每一行梯度最大的點的位置，作為該點為像素級關鍵點；步驟K2、在每個像素級關鍵點周圍進行亞像素求解，這一步由以下步驟完成步驟K21、將以每個像素級關鍵點為中心與其相鄰的8個像素點圍成的區(qū)域劃分 成NXN份，每個像素級關鍵點與其8個鄰近之間的所有點，即這個像素級關鍵點的亞像素 點；將以每個像素級關鍵點為中心與其相鄰的8個像素點圍成的區(qū)域中的所有定義為點 集S ;N為大于或等于3的整數(shù)；步驟K22、搜索點集S中梯度最大的點的位置(im，jm)；步驟K23、將以梯度最大的點的位置(im，jm)為中心的與其周圍8個亞相素點之間 圍成的區(qū)域進行二次曲面擬合，并求解二次曲面的極值點作為這個像素級關鍵點的亞像素 級位置，綜合所有像素關鍵點的亞像素級位置，獲得寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖 像。對步驟五中寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像采用最小二乘直線擬合法去 噪，獲得去噪后的寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像的方法由以下步驟完成步驟XI、將每個經(jīng)過亞像素求解得到的點采用迭代最小二乘法進行直線擬合，得 到擬合直線；步驟X2、求解用于擬合直線的點到該點對應的擬合直線之間的距離；步驟X3、判斷步驟X2獲得的距離是否高于預先設定的閾值，如果判斷結果為是， 則將該用于擬合直線的點作為背景點；如果判斷結果為否，則將該用于擬合直線的點作為 邊緣點。有益效果本發(fā)明通過圖像采集以及圖像分析的方法對E型磁材的E型面長度進 行檢測，檢測精度和檢測效率均較高，檢測精度可達士0. 05mm。并且本發(fā)明能夠實現(xiàn)E型磁 材的在線測量，檢測實時性強。


圖1是本發(fā)明方法的流程示意圖2是為采用攝像頭拍攝的的E型磁材的E型面圖像； 圖3是采用Sobel邊緣提取方法提取獲得的圖像； 圖4是滯后閾值分割圖像后的圖像； 圖5是采用Carmy邊緣提取方法獲得的圖像； 圖6是圖4和圖5進行與運算后最終獲得的邊緣圖像； 圖7是Hough變換去噪后的圖像； 圖8是每個點集S的示意圖9是對圖8中的亞像素點進行二次曲面擬合的示意圖； 圖10是亞像素級求解后獲得的圖像； 圖11是最終獲得的直線擬合圖像。
具體實施例方式具體實施方式
一、結合圖1說明本具體實施方式
，基于光學檢測的E型磁材分選方 法，它由以下步驟實現(xiàn)步驟一、使攝像頭的光軸與所述待測E型磁材的E型面相垂直，然后采用攝像頭 對待測E型磁材的E型面進行拍照，獲得待測E型磁材的E型面圖像；所述圖像的像素為 1280X1024 ；步驟二、將步驟一獲得的待測E型材料圖像與標準模板圖像進行匹配，獲得待測E 型材料圖像的測量區(qū)域；步驟三、采用Sobel邊緣檢測方法聯(lián)合Carmy邊緣檢測方法對步驟二獲得的待測 E型材料圖像的測量區(qū)域進行檢測，獲得待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像；步驟四、對步驟三獲得的待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像采用Hough 變換法去噪，獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像；步驟五、對步驟四中獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像進行水平搜索，確定圖像中 的兩條邊的邊緣中每條邊的邊緣上的所有像素關鍵點，并確定每個像素關鍵點與鄰近的所 有像素點之間的亞像素點，并對每個像素關鍵點與鄰近的所有像素點之間的鄰近的所有亞 像素點進行求解，獲得每個像素關鍵點的亞像素級位置，綜合所有像素關鍵點的亞像素級 位置，獲得寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像；步驟六、對步驟五中寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像采用最小二乘直線擬 合法去噪，獲得去噪后的寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像；步驟七、將步驟六獲得的去噪后的寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像采用加 權最小二乘直線擬合法進行計算，獲得寬度方向上兩條邊之間的距離，即是待測E型磁材E 型面的長度；步驟八、判斷步驟七獲得的待測E型磁材E型面的長度是否位于預先設定的標準 長度范圍的區(qū)間內，如果判斷結果為是，則獲得待測E型磁材是合格品；如果判斷結果為 否，則獲得待測E型磁材是不合格品。步驟二中所述將步驟一獲得的待測E型材料圖像與標準模板圖像進行匹配，獲得 待測E型材料圖像的測量區(qū)域的方法由以下步驟完成步驟Al、將待測E型材料圖像和標準模板圖像均縮小50倍，并將縮小50倍后的 待測E型材料圖像與縮小50倍后的標準模板圖像采用歸一化平方差法進行匹配，獲得縮小 50倍后的最佳匹配位置；步驟A2、將待測E型材料圖像和標準模板圖像均縮小32倍，并將縮小32倍后的 待測E型材料圖像與縮小32倍后的標準模板圖像在步驟Al獲得的最佳匹配位置的上、下、 左、右各向外擴展16個像素的范圍內采用歸一化平方誤差法進行匹配，獲得縮小32倍后的 最佳匹配位置；步驟A3、將待測E型材料圖像和標準模板圖像均縮小16倍，并將縮小16倍后的 待測E型材料圖像與縮小16倍后的標準模板圖像在步驟A2獲得的最佳匹配位置的上、下、 左、右各向外擴展16個像素的范圍內采用歸一化平方誤差法進行匹配，獲得最終的最佳匹 配位置，即獲得待測E型材料圖像的測量區(qū)域。步驟三中采用Sobel邊緣檢測方法聯(lián)合Carmy邊緣檢測方法對步驟二獲得的待測E型材料圖像的測量區(qū)域進行檢測，獲得待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像的方 法由以下步驟完成步驟VI、采用Sobel邊緣檢測方法將待測E型材料圖像與標準模板圖像做卷積，如 下所示
_-1 0 1_-2 0 2 -1 0 1并將獲得的結果取絕對值后歸一化到0 255的區(qū)間內如，獲得如圖3所示；步驟V2、設定高、低兩個閾值h和1，將步驟Vl中的歸一化到0 255的區(qū)間內的 值分別與兩個閾值h和1進行比較，如果該值高于閾值h，則設定該值對應的像素點為邊緣 點；如果該值低于閾值1，則設定該值對應的像素點為背景點；如果該值位于[1，h]的區(qū)間 內，則判斷該值對應的像素點的相鄰的8個像素點是否有邊緣點，如果判斷結果為是，則設 定該值對應的像素點為邊緣點；如果判斷結果為否，則設定該值對應的像素點為背景點；綜合所有值對應的像素點的結果，獲得邊緣圖像II，如圖4所示；步驟V3、采用Carmy邊緣檢測方法對待測E型材料圖像進行邊緣檢測，獲得邊緣圖 像12，如圖5所示；步驟V4、將步驟V2獲得的邊緣圖像Il和步驟V3獲得的邊緣圖像12進行與運算， 獲得待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像，如圖6所示。步驟四中對步驟三獲得的待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像采用Hough 變換法去噪，獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像的方法由以下步驟完成步驟W1、對步驟三獲得的待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像中每個像素 點在左、右各100個像素范圍內分別進行直線提取，且所述直線的角度變化范圍是65° 115° ；步驟W2、求解每一個邊緣點到該點對應的直線的之間距離值，并判斷所述距離值 是否大于預先設定的閾值，如果判斷結果為是，則將該點設定為背景點；如果判斷結果為 否，則保留該點為邊緣點，去噪結果如圖7所示。步驟五中所述對步驟四中獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像進行水平搜索，確定圖 像中的兩條邊的邊緣中每條邊的邊緣上的所有像素關鍵點，并確定每個像素關鍵點與鄰近 的所有像素點之間的亞像素點，并對每個像素關鍵點與鄰近的所有像素點之間的鄰近的所 有亞像素點進行求解，獲得每個像素關鍵點的亞像素級位置，綜合所有像素關鍵點的亞像 素級位置，獲得寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像的方法是由以下步驟實現(xiàn)步驟K1、對步驟四中獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像進行水平搜索，確定圖像中 的兩條邊的邊緣區(qū)域每一行梯度最大的點的位置，作為該點為像素級關鍵點；步驟K2、在每個像素級關鍵點周圍進行亞像素求解，這一步由以下步驟完成步驟K21、將以每個像素級關鍵點為中心與其相鄰的8個像素點圍成的區(qū)域劃分 成NXN份，每個像素級關鍵點與其8個鄰近之間的所有點，即這個像素級關鍵點的亞像素 點；將以每個像素級關鍵點為中心與其相鄰的8個像素點圍成的區(qū)域中的所有定義為點 集S(參見圖8) ；N為大于或等于3的整數(shù)；步驟K22、搜索點集S中梯度最大的點的位置(im，jm)；
步驟K23、將以梯度最大的點的位置(im，jm)為中心的與其周圍8個亞相素點之間 圍成的區(qū)域進行二次曲面擬合(參見圖9)，并求解二次曲面的極值點作為這個像素級關鍵 點的亞像素級位置，綜合所有像素關鍵點的亞像素級位置，獲得寬度方向上兩條邊的亞像 素級邊緣圖像。本步驟具體為在(im，jm)周圍3X3細分區(qū)域進行一次二次曲面擬合，參見圖 4. 2，圖中多邊形所圍的9個點就用于曲面擬合，這9個點的中心點就是(im，Jffl)二次曲面的函數(shù)式如下g(x, y) = ax2+by2+cxy+dx+ey+f其中，a, b，c, d，e，f是六個待求參數(shù)，而可用的點有9個，可以列寫9個方程，方 程的個數(shù)將多于未知數(shù)的個數(shù)，在此，借助最小二乘方法求解。方程組列寫如下

權利要求
1.基于光學檢測的E型磁材分選方法，其特征是它由以下步驟實現(xiàn)步驟一、使攝像頭的光軸與所述待測E型磁材的E型面相垂直，然后采用攝像頭對 待測E型磁材的E型面進行拍照，獲得待測E型磁材的E型面圖像；所述圖像的像素為 1280X1024 ；步驟二、將步驟一獲得的待測E型材料圖像與標準模板圖像進行匹配，獲得待測E型材 料圖像的測量區(qū)域；步驟三、采用Sobel邊緣檢測方法聯(lián)合Carmy邊緣檢測方法對步驟二獲得的待測E型 材料圖像的測量區(qū)域進行檢測，獲得待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像；步驟四、對步驟三獲得的待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像采用Hough變換 法去噪，獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像；步驟五、對步驟四中獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像進行水平搜索，確定圖像中的兩 條邊的邊緣中每條邊的邊緣上的所有像素關鍵點，并確定每個像素關鍵點與鄰近的所有像 素點之間的亞像素點，并對每個像素關鍵點與鄰近的所有像素點之間的鄰近的所有亞像素 點進行求解，獲得每個像素關鍵點的亞像素級位置，綜合所有像素關鍵點的亞像素級位置， 獲得寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像；步驟六、對步驟五中寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像采用最小二乘直線擬合法 去噪，獲得去噪后的寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像；步驟七、將步驟六獲得的去噪后的寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像采用加權最 小二乘直線擬合法進行計算，獲得寬度方向上兩條邊之間的距離，即是待測E型磁材E型面 的長度；步驟八、判斷步驟七獲得的待測E型磁材E型面的長度是否位于預先設定的標準長度 范圍的區(qū)間內，如果判斷結果為是，則獲得待測E型磁材是合格品；如果判斷結果為否，則 獲得待測E型磁材是不合格品。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于光學檢測的E型磁材分選方法，其特征在于步驟二中所 述將步驟一獲得的待測E型材料圖像與標準模板圖像進行匹配，獲得待測E型材料圖像的 測量區(qū)域的方法由以下步驟完成步驟Al、將待測E型材料圖像和標準模板圖像均縮小50倍，并將縮小50倍后的待測E 型材料圖像與縮小50倍后的標準模板圖像采用歸一化平方差法進行匹配，獲得縮小50倍 后的最佳匹配位置；步驟A2、將待測E型材料圖像和標準模板圖像均縮小32倍，并將縮小32倍后的待測E 型材料圖像與縮小32倍后的標準模板圖像在步驟Al獲得的最佳匹配位置的上、下、左、右 各向外擴展16個像素的范圍內采用歸一化平方誤差法進行匹配，獲得縮小32倍后的最佳 匹配位置；步驟A3、將待測E型材料圖像和標準模板圖像均縮小16倍，并將縮小16倍后的待測E 型材料圖像與縮小16倍后的標準模板圖像在步驟A2獲得的最佳匹配位置的上、下、左、右 各向外擴展16個像素的范圍內采用歸一化平方誤差法進行匹配，獲得最終的最佳匹配位 置，即獲得待測E型材料圖像的測量區(qū)域。
3.根據(jù)權利要求1所述的基于光學檢測的E型磁材分選方法，其特征在于步驟三中采 用Sobel邊緣檢測方法聯(lián)合Carmy邊緣檢測方法對步驟二獲得的待測E型材料圖像的測量區(qū)域進行檢測，獲得待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像的方法由以下步驟完成步驟VI、采用Sobel邊緣檢測方法將待測E型材料圖像與標準模板圖像做卷積，并將獲 得的結果取絕對值后歸一化到O 255的區(qū)間內；步驟V2、設定高、低兩個閾值h和1，將步驟Vl中的歸一化到O 255的區(qū)間內的值分 別與兩個閾值h和1進行比較，如果該值高于閾值h，則設定該值對應的像素點為邊緣點； 如果該值低于閾值1，則設定該值對應的像素點為背景點；如果該值位于[1，h]的區(qū)間內， 則判斷該值對應的像素點的相鄰的8個像素點是否有邊緣點，如果判斷結果為是，則設定 該值對應的像素點為邊緣點；如果判斷結果為否，則設定該值對應的像素點為背景點；綜合所有值對應的像素點的結果，獲得邊緣圖像Il ；步驟V3、采用Carmy邊緣檢測方法對待測E型材料圖像進行邊緣檢測，獲得邊緣圖像12 ；步驟V4、將步驟V2獲得的邊緣圖像Il和步驟V3獲得的邊緣圖像12進行與運算，獲得 待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像。
4.根據(jù)權利要求1所述的基于光學檢測的E型磁材分選方法，其特征在于步驟四中對 步驟三獲得的待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像采用Hough變換法去噪，獲得去 噪后的兩條邊的邊緣圖像的方法由以下步驟完成步驟W1、對步驟三獲得的待測E型材料寬度方向上兩條邊的邊緣圖像中每個像素點在左、右各100個像素范圍內分別進行直線提取，且所述直線的角度變化范圍是65° 115° ；步驟W2、求解每一個邊緣點到該點對應的直線的之間距離值，并判斷所述距離值是否 大于預先設定的閾值，如果判斷結果為是，則將該點設定為背景點；如果判斷結果為否，則 保留該點為邊緣點。
5.根據(jù)權利要求1所述的基于光學檢測的E型磁材分選方法，其特征在于步驟五中 所述對步驟四中獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像進行水平搜索，確定圖像中的兩條邊的邊 緣中每條邊的邊緣上的所有像素關鍵點，并確定每個像素關鍵點與鄰近的所有像素點之間 的亞像素點，并對每個像素關鍵點與鄰近的所有像素點之間的鄰近的所有亞像素點進行求 解，獲得每個像素關鍵點的亞像素級位置，綜合所有像素關鍵點的亞像素級位置，獲得寬度 方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像的方法是由以下步驟實現(xiàn)步驟K1、對步驟四中獲得去噪后的兩條邊的邊緣圖像進行水平搜索，確定圖像中的兩 條邊的邊緣區(qū)域每一行梯度最大的點的位置，作為該點為像素級關鍵點；步驟K2、在每個像素級關鍵點周圍進行亞像素求解，這一步由以下步驟完成步驟K21、將以每個像素級關鍵點為中心與其相鄰的8個像素點圍成的區(qū)域劃分成 NXN份，每個像素級關鍵點與其8個鄰近之間的所有點，即這個像素級關鍵點的亞像素 點；將以每個像素級關鍵點為中心與其相鄰的8個像素點圍成的區(qū)域中的所有定義為點 集S ;N為大于或等于3的整數(shù)；步驟K22、搜索點集S中梯度最大的點的位置(im，jm)；步驟K23、將以梯度最大的點的位置(im，jm)為中心的與其周圍8個亞相素點之間圍成 的區(qū)域進行二次曲面擬合，并求解二次曲面的極值點作為這個像素級關鍵點的亞像素級位 置，綜合所有像素關鍵點的亞像素級位置，獲得寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像。
6.根據(jù)權利要求1所述的基于光學檢測的E型磁材分選方法，其特征在于對步驟五中 寬度方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像采用最小二乘直線擬合法去噪，獲得去噪后的寬度 方向上兩條邊的亞像素級邊緣圖像的方法由以下步驟完成步驟XI、將每個經(jīng)過亞像素求解得到的點采用迭代最小二乘法進行直線擬合，得到擬 合直線；步驟X2、求解用于擬合直線的點到該點對應的擬合直線之間的距離； 步驟X3、判斷步驟X2獲得的距離是否高于預先設定的閾值，如果判斷結果為是，則將 該用于擬合直線的點作為背景點；如果判斷結果為否，則將該用于擬合直線的點作為邊緣點。
7.根據(jù)權利要求1所述的基于光學檢測的E型磁材分選方法，其特征在于步驟一中所 述對待測E型磁材的E型面進行拍照是采用像素為130萬、幀頻為8 24Hz且具有沿觸發(fā) 功能的攝像頭。
全文摘要
基于光學檢測的E型磁材分選方法，涉及一種基于光學檢測的磁材分選方法。它解決現(xiàn)有的E型磁材的檢測方法的檢測效率低、檢測精度差的問題。其方法是對待測E型磁材進行拍照，獲得E型磁材料圖像，并對圖像進行磁材邊緣的提取、邊緣的擬合以及長度的測量獲得待測E型磁材的長度信息進而進行分選。為提高測量的精度，在方法中增加有圖像去噪過程，包括Hough變換去噪和最小二乘擬合去噪；同時，為了提高擬合直線的質量，本方法應用亞像素求解技術并通過擬合直線獲取待測E型磁材的邊緣。本發(fā)明適用于E型磁材分選。
文檔編號B07C5/10GK102101111SQ20101057240
公開日2011年6月22日 申請日期2010年12月3日 優(yōu)先權日2010年12月3日
發(fā)明者吳立剛, 宋春衛(wèi), 李志成, 高會軍 申請人:哈爾濱工業(yè)大學