專利名稱：用微波等離子化學氣化沉積法形成以iii和v族原子為主組分的功能沉積膜的方法
技術領域：
本發(fā)明與以Ⅲ和Ⅴ族原子作為主要構成原子的形成功能沉積膜(此后稱之為“Ⅲ-Ⅴ族沉積膜)的一個改進的工藝有關，特別是該膜可用作為半導體器件的光導元件，用于電子攝影中的光敏器件，圖象輸入線敏感器、圖象拾取裝置以及光電動力裝置等。
更具體地說，本發(fā)明與有效地在基片上形成所說的Ⅲ-Ⅴ族沉積膜的方法有關，形成沉積膜的方法是先形成激發(fā)氫原子，它是利用氫氣或氫氣與一種稀有氣體所組成的混合物與在空腔諧振器中設置的等離子產生艙中產生的微波等離子形成的，該空腔諧振器與兩個微波阻抗匹配電路構成整體。再把所說的激發(fā)狀態(tài)氫原子與形成膜的原料氣體或者說一個單獨激活的膜形成原料氣體在膜形成艙內接觸，從而在它們之間引起化學反應，同時還要控制氫原子的激發(fā)狀態(tài)。
為了形成功能沉積膜，特別是半導體沉積膜，業(yè)已有了一個適當地考慮了其所要求的電氣和物理特性以及其實際用途的合適的膜形成方法。
例如，以及試驗了等離子化學氣相沉積方法(后面其縮寫CVD代替化學氣相沉積)，活性真空噴鍍法、離子鍍法、光CVD法，熱-感應CVD法，MOCVD法及MBE法等，其中幾種因其適用于形成的要求的半導體器件而在化工業(yè)中被采用。
然而，即使是已普通應用的等離子CVD方法，從制備半導體器件的觀點看來也是不能完全令人滿意的，有時在形成沉積膜時它缺乏等離體的穩(wěn)定性和重現性。另外，它可能引起產量急劇下降。
為了解決這些問題，例如一個日本專利(Laid-OpenShp61-189649和Sho61-189650)曾提出增加膜沉積速率因而也大大改善沉積膜重現性的方法利用HR-CVD(氫基輔助CVD方法)形成高質量的Ⅲ-Ⅴ族半導體膜。
此外，為了利用約2.45千兆赫的微波有效地形成高密度等離子體，日本專利Lain-openSho55-141729和Sho57-133636提出了一種方法在空腔諧振器周圍排列一些電磁體，從而建立ECR(電子回旋共振)的條件。另外，利用高密度等離子體形成各種各樣的半導體薄膜的報告也在一些科學會議上相繼發(fā)表。
順便指出，在上述的HR-CVD的方法中，雖然在激發(fā)狀態(tài)下的氫原子(氫基)對膜的特性及均勻性的控制在形成沉積膜中起了重要的作用，但是對于在生成沉積膜時大量地均勻地控制氫原子的激發(fā)狀態(tài)方面，對于在激活狀態(tài)控制下生成沉積膜時的化學反應方面，以及從而可隨意地，穩(wěn)定地控制生成的沉積膜的特性方面都尚未作足夠的研究，還有一些問題留待解決。
另一方面，在利用ECR的激波等離子CVD在裝置中，有如下幾個問題為確立ECR條件，等離子產生艙內的壓強必須保持小于約10乇，這樣在生成沉積膜時壓強受到限制在這樣的壓強水準下氣體分子的平均自由程增加了(～1米)，由此，膜形成原料氣體在微波引進窗附近擴散、分解和反應以使沉積膜粘附到微波引進窗或空腔諧振器的內壁上，這樣，使防電不穩(wěn)，而且粘附在基片上的膜被粘附膜的散落物污染。而且，還有幾個問題。這就是在等離子產生艙內的等離子使沿著電磁鐵的磁場被送入膜形成腔，這樣基片就暴露給相當高密度的等離子體，因而，所形成的沉積膜易于被帶電粒子等所損壞，而且，這就限制了要生成的膜的特性的改進。在制備半導體器件過程中的多個沉積膜層壓這步中，因為帶電粒子等造成的損壞邊緣特性易于降低。這就是很難改進半導體器件的特性。
本發(fā)明的主要目的是要解決在生成沉積膜先前技術中的前述問題，并提出一個在大面積上以令人滿意的均勻度，以好的重現性，、對制造高質量半導體器件有效的生成功能沉積膜的方法，該沉積膜由作為屬于周期表的族Ⅲ和族Ⅴ的原子為主構成原子構成。
本發(fā)明的另一個目的是提供一個形成功能沉積膜的方法，其方法是把膜形成原料氣體引進到膜形成區(qū)域(在其上沉積膜的基片的此區(qū)域)，而膜形成原料氣體是利用激活能量事先在與膜形成區(qū)分開設置的激活區(qū)中被激活的，與此同時形成激發(fā)態(tài)氫原子，它是借助于微波能的激發(fā)從氫氣或氫氣和一種稀有氣體組成的混合物中得到的。這樣把形成的激發(fā)態(tài)氫原子引進到膜形成區(qū)域，并把它們同膜形成原材料氣體或被激活的膜形成原材料氣體相接觸以在它們之間引起化學反應，從而在保持預先確定的溫度下的基片上形成一個所需要的沉積膜，其中，激發(fā)狀的氫原子的形成是借助于在設置于腔共振器中的等離子產生艙中產生的微波等離子體，其中空腔諧振器與兩個微波阻抗匹配電路構成整體，氫原子的激發(fā)態(tài)是被控制的。
按照本發(fā)明的方法，由周期表的族Ⅲ和族Ⅴ的原子(以后簡稱為族Ⅲ和Ⅴ元素)組成的、具有均勻膜質量、均勻膜厚度和各種高質量膜的優(yōu)良特性的功能沉積膜，以明顯改進的膜生成速度、穩(wěn)定地、以好的重現性高效地被形成。
而且，按照本發(fā)明的方法，與傳統的方法相比，形成功能沉積膜的生產率大大改善了，并且可以達到功能沉積膜的有效的大量生產。
再者，按照本發(fā)明的方法，形成沉積膜時基片的溫度較用傳統方法時的溫度低，而且可以用控制氫原子的激化態(tài)、控制膜形成原料的引進量等方法，可容易地、穩(wěn)定的并以好的重現性控制膜的質量。


圖1是一個透視圖，它示意地給出了按本發(fā)明利用微波等離子CVD方法生成功能沉積膜的實際方法的裝置的結構示例，圖2(a)，圖2(b)，圖2(c)分別為圖1所示裝置中所用的氣體釋出環(huán)的示意解釋圖，圖3是表示按本發(fā)明利用微波等離子CVD方法生成沉積膜過程中膜沉積率與基片和金屬網構件之間距離的關系的曲線，圖4是表示按本發(fā)明利用微波等離子體生成沉積膜過程中，生成的沉積膜中膜沉積速率差別對基片與金屬網構件之間的夾角的關系曲線，圖5是表示按照本發(fā)明，所形成的沉積膜的厚度分布與實現微波等離子CVD過程中所用的裝置中如圖(2a)至2(c)所表示的氣體釋放環(huán)的氣體釋放孔徑的增長率之間的關系曲線。
圖6是表示按照本發(fā)明，所形成的沉積膜的厚度分布與實現微波等離子CVD過程中所用的裝置中如圖2(a)至2(c)所表示的氣體釋放環(huán)的氣體釋放間隔的降低率之間的關系曲線，和圖7是一個傳統的微波等離子CVD裝置構成的示意剖面圖。
本發(fā)明為解決前述的為達到本發(fā)明的目標形成沉積膜的先前的技術方法中的許多問題做了最早的研究，因而獲得這樣的認識，在與微波阻抗匹配電路組成整體的空腔諧振器中配有等離子產生艙并利用氫氣或由氫氣和一種稀有氣體組成的氣體混合物使等離子體放電的方法，可以穩(wěn)定地、以高的重現性和效率給出任選激發(fā)狀態(tài)下的氫原子。
本發(fā)明已在對上述認識的基礎上作了進一步的研究而完成了本發(fā)明，從而提供了一種用于形成一沉積膜的方法由下面通用公式(Ⅰ)和(Ⅱ)分別表示的化合物(1)和化合物(2)作為膜形成原料，如果需要可包括另一個化合物(3)(它含有能夠控制價電子的原素作為構成元素)，每個化合物都處于氣體狀態(tài)或者處于這些化合物中至少一個在與膜形成區(qū)分開設置的激活區(qū)中事先被激活的狀態(tài)，把上述化合物(11，12)(如果需要也包括化合物(3)引進到在配置在其間的基片上形沉積膜的膜形成區(qū)，與此同時形成激發(fā)態(tài)氫原子(它至少與一種氣態(tài)化合物或在不同于膜形成區(qū)的激活區(qū)中的激活化合物起化學反應)并把它們引到膜形成區(qū)，從而在基片上形成沉積膜，其中激發(fā)態(tài)氫原子由氫氣或氫氣同稀有氣體的混合物借助于微波等離子體形成的，該微波等離子體產生在設在空腔諧振器中的等離子產生艙內，該諧振器與兩個微波阻抗匹配電路構成一體，并且氫原子的激發(fā)態(tài)是受控的。上面所提的公式如下RnMm……(Ⅰ)AaBb……(Ⅱ)其中m代表等于R的價數或該價數的整倍數的正整數，n代表等于M的價數或眉凼惱妒惱?，M代表屬于周期表中族Ⅲ中的元素，R代表從氫(H)、囟素(X)、烴族中選出的一員，a代表等于B的價數或與某價數成整數的正整數，b代表等于A的價數或與某價數成整數倍的正整數，A代表屬于周期表中第Ⅴ族的元素，B代表由氫(H)、囟素(X)和烴族中選出的一員。
控制氫原子的激發(fā)狀態(tài)的方法是這樣獲得的;借助于發(fā)射光譜測量發(fā)射強度Hα，Hβ作為氫的激發(fā)態(tài)并控制一個以上的加到空腔諧振器上的功率、阻抗匹配條件、氫氣流速率或氫氣同稀有氣體的混合氣流率和總壓強。
與兩個微波阻抗匹配電路做成一體的空腔諧振器上的阻抗匹配電路意指各裝到腔體長度變化活塞和微波誘導管與諧振器之間的接合部分的限制器調整這種限制器就能控制阻抗匹配。
阻抗匹配電路可以是一個腔長度變化活塞和E-H調諧器或三短路線調諧器。
而且，等離子產生艙是由金屬罩構件和一個微波可穿透的鐘形缸組成，并由金屬網結構連到膜形成區(qū)，激發(fā)狀態(tài)下的氫原子通過金屬構件進入膜形成區(qū)。
另一方面，基片的安置與金屬網的表面的水平軸成角不大于30°，處在距金屬網表面100毫米以內。處于氣體狀態(tài)或被激活狀態(tài)化合物(1)、(2)和(3)借助于安在金屬網表面和基片之間的氣體釋出裝置進入膜形成區(qū)。
氣體釋出裝置安放成環(huán)形圍繞基片并使從每個氣體釋出裝置釋出的氣體量是均勻的，這是由下述方法得到的從氣體釋出裝置引進的一種向最終的釋出孔徑逐漸減少氣體釋放孔徑的間隔，從引進氣體釋出裝置即一端向最終的釋出孔徑逐漸加大釋出孔徑的尺寸或至少在基片平面上均勻地分布氣體釋出孔徑對從引進氣體釋出裝置到中心部分的每一個氣體釋出孔徑均勻地加大尺寸。
當用本發(fā)明的形成沉積膜的方法形成所需的功能沉積膜時，分別由上述公式(Ⅰ)和(Ⅱ)代表的化合物，如果需要還有包含能控制價電子的作為構成元素的元素的化合物、以及按激發(fā)狀態(tài)分開控制的氫原子都以氣體狀態(tài)或激活狀態(tài)引進到膜形成艙以在他們之間引起化學反應，從而形成含有以第Ⅲ族和第Ⅴ族作為主要構成原子的所希望的半導體薄膜(以后稱之為“Ⅲ-Ⅴ族半導體膜)。在這種情況下，Ⅲ-Ⅴ族半導體膜的結晶度、氫成分等都能被穩(wěn)定的控制滿足良好的重現性。本發(fā)明中原子氫的激發(fā)狀態(tài)是由氫氣或氫氣和一稀有氣體的混合物的微波等離子體中觀測到的光發(fā)射決定的。特別是，從微波等離子體的光發(fā)射是由輻射分光光度技術測定的，而且激發(fā)狀態(tài)是由原子氫(H＊)輻射譜線中屬于Hα的在656微米的輻射譜線和屬于Hβ的在486微米的輻射譜線的強度的決定的，并且至少有關參數中的一個，即加到空腔諧振器上的微波功率，阻抗匹配條件，氫氣流速率或氫氣和稀有氣體混合氣體的流速率和總壓力，可以被控制以達到指定的強度比。
在本發(fā)明中，為控制氫原子的激發(fā)狀態(tài)，推薦的控制強度比Hα/Hβ，最好能在1/1至1000/1的范圍之內，能在10/1至500/1則更好。
在上述的強度比的范圍之內，基片的種類和溫度的組合對膜的質量等是特別起決定作用的因素，而且具有所期望的膜的質量和特性的沉積膜可由他們的合適的組合形成。因此，在本發(fā)明中必須利用一個具有能測量上述強度比靈敏度的輻射分光光度計。
在本發(fā)明中，因為對等離子體的監(jiān)測是在相對于總氣體流向的某個位置監(jiān)測的，對化合物(1)、(2)和(3)的氣體釋出裝置的上流，沒有明顯的形成沉積膜在其上，并且從膜形成的開始到結束的一個穩(wěn)定的監(jiān)測是可能做到的。
作為分別由公式(Ⅰ)和(Ⅱ)表示的化合物(1)和(2)以及包括能夠控制價電子的元素的化合物(3)，優(yōu)先地選擇那些自發(fā)產生能使分子同在激發(fā)狀態(tài)下的原子碰撞并產生有助于在基片上形成沉積膜的化學反應的化學物質的那些化合物。如果這些化合物在它們存在的通常條件下不能同激發(fā)態(tài)下的氫原子反應或沒有足夠高的活性，就必須給化合物(1)、(2)和(3)提供一個不致使通用公式中M和A從化合物(1)、(2)和(3)中分解出的能量，主要是在膜形成之前和形成期間激發(fā)化合物(1)、(2)和(3)，使它們同激發(fā)狀態(tài)下的氫原子發(fā)生化學反應?？梢约ぐl(fā)到這樣一種狀態(tài)的化合物有希望成為用作本發(fā)明的方法中的化合物(1)、(2)和(3)。
作為能有效地用在本發(fā)明中的分別用通用公式(Ⅰ)和(Ⅱ)表示的化合物(1)RnMm和化合物(2)AaBb的元素，在下面將談到。
特別是，屬于周期表中族Ⅲ的那些元素，即屬于族ⅢA的元素，諸如B，AlGa，和In作為公式中的“M”。屬于周期表族Ⅴ中的那些元素，即屬于族Ⅴ中的那些元素，像N.P.As和Sb作為公式中的“A”。
在用本發(fā)明的方法獲得族Ⅲ-Ⅴ半導體膜的情況下，對元素周期表的族Ⅲ和Ⅴ中的元素中每個，作為化合物(1)和(2)可以提到的是氫化物、囟化物、有機金屬化合物，特別是烷基化合物、含氧化合物等。
具體地作為包含有族Ⅲ元素的化合物(1)能提到的是BX(X代表囟素原子)，B2H6，BH10，B5H9，B5H11，B6H10，B6H12，A1X3(X代表囟素原子)，A1(CH3)Cl，Al(CH3)3，Al(OCH3)3，Al(CH3)Cl2，Al(C2H5)3，Al(OC2H5)3，Al(C3H3)Cl3，Al(i-C4H9)3，Al(i-C3H7)3，Al(C3H7)3，Al(OC4H9)3，GaX3，(X同上)Ga(OCH3)3，Ga(OC2H5)3，Ga(OC3H7)3，Ga(OC4H9)3，Ga(CH3)3，Ga2H6，GaH(C2H5)2，Ga(OC2H5)(C2H5)2，In(CH3)3，In(C3H7)3，In(C4H9)等，作為包括族Ⅴ元素的化合物(2)，能提到的是NH3，HN3，N2H5N3，N2H4，NH4N3，PX3(X代表囟素原子)，P(OCH3)3，P(OC2H5)，P(C3H7)3，P(OC4H9)3，P(CH3)3，P(OC2H5)3，P(C3H7)3，P(C4H9)3，P(OC3H)3，P(OC2H5)3，P(OC3H7)3，P(OC4H9)3，P(SCN)3，P2H4，PH3AsX3(同上)AsH3，As(OCH3)3，As(OC2H5)3，As(OC3H7)3，As(OC4H9)3，As(CH3)3，As(CH3)3，As(C2H5)3，As(C6H5)3，SbX3(X同上)，Sb(OCH3)3，Sb(C4Ha)，等，其中“X”代表囟素原子，具體說指下，F，Cl，Br和I。
上述原料可單獨使用，也可兩個以上的混合和用。
作為本發(fā)明中的化合物(3)，其優(yōu)選原則是它在常溫和常壓下是氣狀的，或者至少在沉積膜形成的條件下是氣狀的，并利用適用的氣化裝置是容易氣化的。
作為用在本發(fā)明中的化合物(3)，在獲得族Ⅲ-Ⅴ半導體膜的條件下，可以例舉出其包含的元素的一個或多個是從族Ⅱ，Ⅳ和Ⅵ中選定的那些化合物作為有效的材料。
具體的說，作為包括族Ⅱ的元素的化合物列舉如下
Zn(CH3)2，Zn(C2H5)2，Zn(OCH3)2，Zn(OC2H5)2，Cd(CH3)2，Cd(C2H5)2，Cd(C3H7)，Cd(C4H9)2，Hg(CH3)2，Hg(C2H5)2，Hg(C6H5)2，Hg[C＝(C6H5)]2，等作為包括族Ⅵ元素的化合物可以提到的是NO，N2O，CO2，CO，H2S，SCl2，S2Cl2，SOCl2，SeH2，SeCl2，Se2Br2，Se(CH3)2，Se(C2H5)，TeH2，Te(CH3)2，Te(C2H5)2，等。
這些原材料可以單獨使用，也可以兩個以上組合使用。
作為含硅化合物(它是一種含族Ⅳ元素的化合物)可以特別提出線硅烷或硅囟化物，由公式SiuYzu+2，代表其中u代表1以上整數，Y代表從F，Cl，Br和I中選出的至少一個元素環(huán)硅烷或硅囟化物由式SiYzv表示，其中v代表3以上的整數，Y同前述一樣，線或硅化合物，或帶有烷基的有機硅化合物等，用式SiuHxYy表示，其中u和Y與前述具有相同意義，并且x+y＝2u或2u+2。
作為含鍺的化合物，能列舉的是線鍺烷或鍺囟化物，由式GeuYzu+z表示;其中u代表不小于1的整數，Y代表從F，Cl，Br和I中選出的至少一個元素。環(huán)鍺烷或鍺囟化物由式GevYv+z表示，其中v為不小于3的整數，Y與前述意義相同;具有烷基等的線的或環(huán)的鍺化合物和有機鍺化合物由式CuHxYy表示，其中u和Y與前述意義相同，并且x+y＝2u或2u+2。
作為含碳的化合物，可用那些線的或環(huán)碳水化合物，其中氫原子部分或全部由囟素原子代替，如線碳囟化合物由式CuYzu+z表示，其中u代表不小于1的整數，Y代表從H，F，Cl，Br和I中選出的至少一個元素，環(huán)碳囟化物由式CvYzv表示，其中v為不小于3的整數，Y與上述有相同意義;線的或環(huán)的碳化合物由式CuHxYy表示，其中u和Y的意義與前述相同，并且x+y＝2u或2u+2。
作為含錫化合物可以列出的是SnH4，SnCl4SnBr4，Sn(CH3)4，Sn(C2H5)4，Sn(C3H7)，Sn(C4H9)，Sn(OCH3)4，Sn(OC2H5)4，Sn(i-OC3H7)4，Sn(t-OC4H9)4等作為含鉛化合物可以列舉的是，Pb(CH3)4，Pb(C2H5)4，Pb(C4H9)4等上述原材料可以單獨使用頁可兩個以上混合使用。
在上述的氣體原材料在常溫常在下是氣態(tài)的情況下，其進入到膜形成區(qū)或激活區(qū)的量由物質流控制器等控制。在材料是液態(tài)的情況下，要利用如Ar或He或氣態(tài)氫作為載體氣并利用一個具有溫度控制能力的擴散器將該液態(tài)材料氣化。在原材料是固態(tài)的場合，利用如Ar或He或氣態(tài)氫作為載體氣并利用一個熱升華爐使其氣化，它被引進的數量主要由對載體氣的流速和溫的控制實現控制。
本發(fā)明中，激活狀態(tài)下的氫原子膜形成區(qū)同時在該區(qū)生成沉積膜，并用含有對要生成的沉積膜是主要構成的元素的化合物(1)和(2)進行化學反應，化合物(1)處于激發(fā)狀態(tài)和/或化合物(2)也處于激發(fā)狀態(tài)。因而，具有所需功能的族Ⅲ-Ⅴ半導體膜在更低的基片溫度情況下形成在基片上，同傳統的情況比較更容易。
對在與膜形成區(qū)分開設置的激活區(qū)中事先激活的化合物(1)、(2)和(3)，諸如熱的、光的和放電能量可以被作為加到激活區(qū)上的能源。
具體說，電阻加熱，紅外加熱等的熱能，像激光束，水銀燈射線，囟光燈射線這樣的光能，像微波，高頻，低頻和直流。釋放的電能。這些激活能量可以單獨加到激活區(qū)上，也可兩個或更多的組合。為了有效地利用激活能量的效應，催化效應也可聯合使用。
在本發(fā)明中，氫氣或由氫氣和一種稀有氣體組成的混合氣被用來形成激發(fā)狀下的氫原子。如果微波等離子體不能穩(wěn)定，或者是等離子體不能只借助于氣體氫產生，適當混些稀有氣體是有效的。
作為本發(fā)明中所用的稀有氣體，優(yōu)先列舉的是He，Ne，Ar，Kr，Xe和Rn。
下面，將解釋在本發(fā)明中所用的，帶有與兩個阻抗皮配微波電路構成整體的空腔諧振器結果的微波等離子體的形成方法。
為了進行比較，首先解釋直至目前所用的形成微波等離子體的方法。圖7所表示的是都知道的微波CVD裝置的構成示意剖示圖。
在圖7中示出了矩形波導管701，微波引入窗702，等離子產生室703，膜形成艙704，供氣管道705，710，排氣口706，要被處理的物品707、物品托重708和一個金屬網結構709。
如圖7所示，該裝置由等離子產生艙703和一個膜形成艙構成704，其中等離子形成艙703和膜形成艙704間用金屬網結構隔開，所以穿透可以控制使微波和帶電粒子不能直接進入到膜形成艙704。等離子產生艙具有空腔諧振器的結構，利用電介電材料如石英(SiO2)、鋯陶瓷材料和聚四氟乙烯等構成的微波引入窗口702，經過矩形波到701將微波引進到等離子產生艙703。物品707是要被處理的、置于膜形成艙內，該艙有供氣管道705和排氣口706用于給等離子產生艙703和膜形成艙706抽真空。
當啟動這樣構成的微波等離子產生裝置時，微波從矩形波導管701引進到等離子產生艙703，通過進氣口703進入的氫氣利用微波能量轉變成離子體以形成大量的激發(fā)狀態(tài)下的氫原子。激發(fā)狀態(tài)的氫原子經過金屬網709進入到膜形成艙704，撞擊從進氣管道705進入的氣體引起在被處理的物品上形成沉積膜的化學反應。
然而，在利用具有前述結構的傳統的微波等離子產生裝置的情況下，如果矩形波導管701與作為空腔諧振器的等離子產生艙703夾緊的，因為輸入阻抗不匹配，問題是大部分電場能量被反射，不能有效地利用能量。
作為解決這一問題的對策之一，采用一種把電磁鐵圍繞該空腔諧振器排列以獲得ECR(電子回旋共振)(參見日本專利Laidopensho55-141729)，但是，這方法要求磁通密度高達875高斯，該裝置龐大笨重。另外，因為該艙是這樣設計的，使它通常在真空中構成空腔諧振器，如果等離子體是由放電產生的，因為等離體的折射指數小于1，它就不再起空腔諧振器的作用，參見“放電手冊”(“DischargeHandbook”editedbyElecfricSociety，Part4，Chapfer2，2989)另外，在用電磁鐵形成靜磁場的場合，因為當用線圖導線結構加熱情況下，電流發(fā)生變化，不僅需要相當長時間穩(wěn)定地產生ECR條件(即磁通密度高于875高斯)以抑制這種變化，而且還有這樣一個問題如果偏離了ECR條件，微波吸收率降低，所以直到電場穩(wěn)定以前利用電場改善效率是困難的。
因此，在本發(fā)明中，為解決前述問題制造了這樣一個結構，它工作為一個空腔諧振器而不管是否存在等離子體并把一個鐘形缸作為等離子產生艙置于空腔諧振器內蟻激發(fā)TM模，已經證明，這一裝置是有效的。
具體的說，在空腔諧振器中，設置了腔長度變化活塞，并且波導管和圓柱形空腔諧振器互相夾住使它們的軸線互相垂直，如圖1所示。同時，為了完成阻抗匹配，推薦或者利用在矩形波導管同空腔諧振器之間的連接處設一限制器圖，或者一個E-H諧振器或三短線諧振器為腔長度標號活塞聯合使用。
設在空腔諧振器中的形成等離子的鐘形缸具有微波穿透明，它是用能夠維持氣體密封性的材料作成，例如，所謂新陶瓷，如石英、鋁陶瓷，(Al2O3)，氮化硼(BN)，氮化硅(Si3N4)，碳化硅(SiC)，氧化(BeO)，氧化錳(MeO)二氧化鋯(ZrO2)等。
腔長度可變活塞設在引進微波的一側，即是，有空氣的一側。因此，因為在空氣中改變腔的長度，因而腔長度很容易依據等離子體存在或不存在、依據由等離子密度變化引起的空腔諧振器條件的變化，進行調整，這樣就能以良好的重現性和穩(wěn)定性產生微波等離子體。
在本發(fā)明中，在鐘形缸和膜形成空間之間放置的金屬網結構具有建立腔諧振條件的功能，所以希望該網結構直徑最好小于λ/2，最佳是小于λ/4，其中λ是微波在波導管中的波長。
金屬網構件是薄的金屬板狀結構，孔徑是園的或多角形等，可以電諸如Al，Fe，Ni，Ti，Mo，W，Pt，Au，Ag和不銹鋼等金屬做成，或者用上述金屬材料進行電鍍，濺射，汽相沉積等表面處理后的玻璃，陶瓷做成，或由金屬復合材料做成。
同時，希望金屬網構件的孔徑的直徑和分布是變的以便把在鐘形缸內形成的激發(fā)狀態(tài)下的氫原子有效地，均勻地引到膜形成空間。整個孔積率可達10%，達到20%更好，能達30%或更高就再好不過了。
在本發(fā)明中為了在基本上形成的合成沉積膜具有均勻的厚度和均勻的特性，已經對當形成ZnSe∶H膜以及族Ⅲ、Ⅴ半導體膜時的基片離金屬柵網構件的距離和金屬柵網構件與水平軸之間的夾角作了研究，其結果如下圖3表示了二個典型例子，每一個都示出了所形成的沉積膜的沉積率對基片離金屬柵網構件的距離的關系，其中，曲線a由標記“o”組成，而曲線b由標記“·”組成，相應在表1所示的膜形成條件(A)和(B)下得到的。
圖4將在基片離金屬柵網構件30毫米(曲線c，用“▲”畫出)和70毫米(曲線d，用“△”畫出的情況下，模形成條件為A時，當基片與金屬柵網間的夾角變化時沉積在基片上的膜的膜厚度分布情況表示成沉積率的不同。
由圖3可見，隨著基片與金屬柵網構件間距離的增大沉積率迅速減小。特別是在膜形成條件(A)下，如果距離超過100毫米就很難觀察到有沉積膜形成。在膜形成條件(B)下，在距離超過100毫米時所形成的沉積膜性能很差，不宜實際使用。此外，從圖4可見，如果基片與金屬柵網構件間的夾角超過30度，在基片的所有位置上膜厚度的分布很快增加，因此膜性能的分布也增加，顯著地降低了均勻性。
表1項目膜形成條件(A)(B)基片溫度230℃化合物(1)＊Ga(CH3)He10sccm
化合物(2)AsH38sccmHe6sccm氫原子形成原料氣體H215sccmAr40sccm膜形成壓強0.05Torr0.15Torr金屬柵網構件穿孔鋁板(120mmψ)，6mm孔尺寸45%孔隙率均勻孔分布化合物(1)、(2)的具有8個等距分布的2mmψ氣體打開裝置孔徑的環(huán)狀釋放環(huán)，與金屬柵網構件相隔10mm微波功率250W300W＊)化合物(1)以作為載氣的氦汽化，然后引入到膜形成區(qū)內。
在幾種條件下對形成其它族Ⅲ-Ⅴ元素的一些半導體薄膜也作了與上述相同的研究，各種情況所得的結果大體相同。
因此，在本發(fā)明中確定基片與金屬柵網構件間的距離以100毫米或小于100毫米為宜，最好是70毫米或小于70毫米，而基片與金屬柵網水平軸間夾角以30度或小于30度為宜，最好是20度或小于20度，作為保證膜厚度的分布和性質的均勻，使膜性質差異在±5%內的必要條件。
此外，對本發(fā)明中化合物(1)、(2)以及如果必要還有化合物(3)的氣體釋放裝置還進行了研究，以改善膜厚度分布和膜性質的均勻性。
本發(fā)明中推薦使用壓力范圍是處于流體技術中所推薦粘性流與分子流間的一種中間流區(qū)域，對于這個區(qū)域不能使用在分子流區(qū)的傳導計算式。由此，本發(fā)明中在注意到配置在氣體釋放裝置上的氣體釋放孔的孔徑大小、距離和分布作了以下實驗，得到了如圖5和圖6所示的結果。
圖5說明了在表1所示的膜形成條件(A)下，將基片置于距離30毫米處并采用圖2(a)所示氣體釋放環(huán)201形成沉積膜所得到的結果。
在圖2(a)所示的氣體釋放環(huán)201中，八個釋放孔徑201a-201d、201a′-201d′各隔開相同的距離，孔徑直徑從最近箭頭(→)方向的釋放孔徑201a、201a′順流朝向至孔徑201d、201d′逐漸增大。圖5表示采用所制造的孔徑直徑增長率從。變化至80%各個氣體釋放環(huán)所形成的沉積膜的膜厚度分布情況。
從該結果能夠看出，雖然在孔徑自己遞增率從大致為0至40%的范圍內膜厚度分布鈾所改善，如果遞增率超過40%，膜厚度分布就要增大，當增長率超過60%膜厚度分布就會超過孔徑自己不變(孔徑遞增率為0%)情況，進一步增大。膜特性表示了基本上與膜厚度分布有關的關系。在其它膜形成條件下趨勢大體相同。
因此，在本發(fā)明中，希望將孔徑自己遞增率優(yōu)先設置在20至40%的范圍內。
此外，圖6表示了雨上述相同的條件下采用圖201(b)所示的氣體釋放環(huán)202上，開了八個孔徑直徑相同的釋放孔徑201a-201d和201a-201d′間的距離逐漸減小，采用所制造的遞減率從0變化至70%的各個氣體釋放環(huán)所形成的沉積膜的膜厚度分布的變化如圖6所示。
從這些結果可見，雖然在孔徑間距遞減率從0至40%的范圍內膜厚度分布有所改善，但如果遞減率超過40%膜厚度分布就要增大，當遞減率超過50%時膜厚度分布就會超過孔徑距離不變(孔徑間距遞減率為0%)的情況，進一步增大。
膜特性表示了基本上與膜厚度分布有關的關系。在其它膜形成的條件下，趨勢大體相同。
因此，在本發(fā)明中希望將孔徑間距遞減率優(yōu)先設置在0至50%范圍內，最好設置在20至40%范圍內。
還采用圖2(c)所示的氣體釋放環(huán)203作了與為確定圖5所示關系相同的實驗。在圖2(c)所示的氣體釋放環(huán)203中，釋放孔徑203a-203d均勻分布，而孔徑的直徑在從203a至203d方向上遞增。采用具有各種遞增率的氣體釋放環(huán)所得到的膜厚度分布和膜特性的變化趨勢與圖5所示結果大體相同。
因此，在本發(fā)明中氣體釋放孔徑為圖2(c)所示的情況時，希望將孔徑直徑遞增率優(yōu)先設置在從0至40%的范圍內，最好設置在從10至30%的范圍內。
在本發(fā)明中，在膜形成期間的內部壓強可以根據從氫氣或由氫氣和烯有氣體組成的混合氣體穩(wěn)定形成微波等離子體的條件、所選化合物(1)和(2)以及化合物(3)的類型和狀態(tài)、以及所需的沉積膜特性等適當確定。希望將內部壓強優(yōu)先設置在從100至1×10千的范圍內，設置在從10至5×10千的范圍內更好，設置在從1至1×10千的范圍內最好。
采用本發(fā)明所提供的方法，可以在任何結晶度的基片上(無論它是非結晶的或結晶的)都能形成一層具有所需結晶度的沉積膜。
在本發(fā)明中，為了建立穩(wěn)定的空腔諧振條件，微波振蕩器中的振蕩模式為連續(xù)振蕩模式，其功率波動范圍優(yōu)先選用在30%的范圍內。
采用本發(fā)明提供的工藝，可以由與微波電路的二個阻抗匹配電路集成一個整體的空腔諧振振器產生的微波等離子體以具有良好可控性和復現性穩(wěn)定地形成受激狀態(tài)氫原子，因此能顯著地改善受激狀態(tài)氫原子與膜形成原料之間反應的可控性，從而能以良好的均勻性和復現性高效率地形成具有所需結晶度、氫含量等所需的族Ⅲ-Ⅴ半導體膜。
將對適宜于實現按本發(fā)明提供的工藝的沉積膜形成設備的一個典型具體裝置加以說明，但應該注意到本發(fā)明并不僅局限于這種沉積膜形成設備。
圖1為透視圖，原理性地說明適宜實現按本發(fā)明提供的工藝的沉積膜形成設備的構成情況。
在圖1中，筒形的空腔諧振器101含有鐘形罩102(用作微波等離子體產生艙)、金屬柵網構件103、空腔長度調整活塞104、矩形波導管108以及限制器110這些主結構件。放置一根用磷青鋼組成的彈簧105以改善活塞104與筒形空腔諧振器101的接觸，防止不正常放電。空腔長度調整活塞104可由電動機106及變速齒輪傳動機構107帶動，朝向鐘形罩102運動。E-H調諧器或三短截線調諧品109構成組成本發(fā)明中微波電路的其中一個阻抗匹配電路，用來與作為另一個阻抗匹配電路的諧振長度調整活塞104配合進行阻抗匹配。限制器110以相同的方式構成其中一個阻抗匹配電路，與空腔長度調整活塞104配合使用。
限制器110成對地適當配置在矩形波導管108與筒形空腔諧振器101之間，使得它們能沿矩形波導管108的筒形表面在軸向上相互獨立滑動，并且用磷青銅制成的彈簧(未示出)與筒形空腔諧振器101保持接觸。一個來自氣體引入管111的氫氣或氫氣與稀有氣體的混合氣體的釋放孔經穿過金屬柵網構件，伸向鐘形罩102的內部。引入到鐘形罩102內的氫氣等由于饋入空腔諧振器101的微波的作用轉換成等離子體，形成處于受激狀志的氫原子等，然后通過金屬柵網構件103引入膜形成品116。膜形成區(qū)的壓強由壓強計125測量。
在膜形成區(qū)116中，用來形成沉積膜的原料氣體釋放環(huán)112配置在基片118和基片架119之間。
激勵區(qū)114用來對從供氣管120引入的膜形成原料進行預先激勵(如果有必要的話)，圍繞著激勵區(qū)配置有用來產生諸如熱、光、放電之類能量的激勵能量產生裝置115。
在引入預先受激的膜形成原料情況下，要求傳輸管117的直徑和組成材料能保證受激狀態(tài)。
對于氣體釋放環(huán)112形成如圖2所示結構的氣體釋放孔徑113。引入到膜形成區(qū)116的膜形成原料氣體等由抽氣泵(未示出)沿圖中箭頭所示方向抽出。氣門121為微波等離子體監(jiān)視器配置，其上接有集光探頭122。集光探頭通過石英纖維123接到用來進行發(fā)射分光光度測定的憑頻譜儀(未示出)。參照數124標記的是一個為在膜形成區(qū)這一例的等離子體監(jiān)視器所設的備用氣門。
對按本發(fā)明提供的形成功能沉積膜的工藝將參照一些例子作更為詳細的說明。然而，應該注意到不僅限制于這些例子。
例1首先將直徑為150毫米的基片118(商品名＃7059，由柯寧玻璃27制造)放在膜形成區(qū)116中的基片架119上，用抽氣泵(未示出)抽氣，將膜形成區(qū)116中的壓強減小到1×10乇。然后，加熱基片架，基片118的表明溫度由基片溫度控制器(未示出)加熱到250℃。
當置好基片表面溫度時，流率為30sccm的氫和流率為200sccm的氬的混合氣體通過氣體引入管111從貯氣罐(未示出)引入到石英鐘形罩102內。然后，用自動壓強控制器(未示出)將膜形成區(qū)116內的壓強控制到0.1乇。
此后，通過矩形波導管108將微波從連續(xù)振蕩型微波振蕩器(未示出)饋入空腔諧振器101。接著，空腔長度調整活塞104在電動機106和齒輪傳動機構的操作下調整到使由位于微波電路內的功率監(jiān)視器(未示出)測量的反射功率與入射功率之比為最小的位置，再調整限制器110的開口度到使反射功率與入射功手任钚〉奈恢謾Ｈ緩蠓錘唇邢傅骺漲懷ざ鵲髡釗 04的位置和限制器110的開口度的操作，使反射功率與入射功率之比為最小，再將由入射功率和反射功率表示的有效入射功率功率值設置到320瓦。
此時，通過氣門111監(jiān)視的由受激狀態(tài)氫原子發(fā)出的射線的強度比Hα/Hβ為85。
基片118和金屬柵網構件103相互平行放置，相距40毫米。金屬柵網構件103是一塊用鋁制成的自己為150毫米的打了孔的板，上面的孔徑均勻分布，孔徑為8毫米，孔率為50%。所用的氣體釋放環(huán)112的結構如圖2(a)所示，上面相應于201a、201a′的孔徑自己為1.5毫米，而孔徑直徑的遞增率為30%。
其后，用來自貯氣罐和起泡裝置(未示出)的流率為25sccm的作為運載氣體的He氣和流率為15sccm的AsH3氣體起泡的Ga(CH3)/Zn(CH3))(10000∶1)混合氣體攪拌后通過供氣管120從氣體釋放環(huán)112引入膜形成區(qū)116。在這種情況下，膜形成區(qū)116內的壓強由自動壓強控制器控制到保持在0.1乇。Zn(CH3)2也具有作為摻雜劑的作用。
在受激狀態(tài)下的氫原子，Ga(CH3)3、Zn(CH3)2和AsH3立即就起化學反應，經過20分鐘在基片118上形成一層膜厚為3.7微米的GaAs∶H∶Zn膜(標本1-1)。
冷卻后取出基片，然后代之以一塊6英寸的n+Si(100)片，除了H氣體流速改為55sccm、膜形成區(qū)壓強改為0.08乇以及基片溫度改為350℃外，經過與上述相同的程序就形成了沉積膜。這種情況下的強度比Hα/Hβ為45(標本1-2)。
在測量膜厚度分布時還用X射線繞射測量和電子射線繞射測量(RHEED)來評估所得的各個沉積膜標本上的沉積膜的結晶度，證實了每個標本的膜厚度分布壓±3%以內，標本1-1為顆粒大致為2.2微米的多晶膜，而標本1-2則是在與基片平行的表面上具有接近(100)定向的外延膜。
當將每個標本切去一部分，用SIMS進行成分分析時，每個標本的Ga和As的原子成分比大致都為1∶1，因此滿足理想配比關系，H含量對于標本1-1為3.8原子百分數，而對標本1-2則為0.4原子百分數。
將各標本都放入真空沉積裝置，通過電阻加熱用直徑為2毫米的點Al電極進行蒸發(fā)沉積，在用馮·德·帕胡(vanderPauw)方法測量空穴的遷移率時，在整個表面上，對標本1-1為45±1.3cm/v.sec，而對標本1-2則為410±12cm/v.sec，并且該特性分布大致為3%。此外，在用熱電壓功率測量分析導電類型時，各標本均p型。
由上所作的說明可以發(fā)現按本發(fā)明可以容易地控制結晶度。
例2除了H2氣體流率置為40sccm(標本2-1)和120sccm(標本2-2)，以及微波饋電功率置為200w以外由與例1中相同的程序在下述條件下形成二種類型的GeP∶H∶Te膜。
用一塊直徑為150φ的玻璃基片(＃7059)作為基片。混合氣體Ga(CH3)3/Te(CH3)3用流率為20sccm的H2氣體和流率為20sccm的PF5起泡，混合后引入膜形成區(qū)，膜形成區(qū)的壓強設置為0.2Torr而基片溫度設置為250℃。氣體釋放環(huán)、金屬柵網構件、基片位置等均與例1中的相同。
膜形成時的Hα/Hβ比對標本2-1為190，對標本2-2為110。
通過對因此所得到的每個沉積膜標本的鑒定，獲得了如表2所示的結果。
在表面上每種特性都在±3%的范圍內。從以上說明可以發(fā)現采用本發(fā)明能容易地控制晶粒大小、氫的含量等。
例3除了微波饋電功率從320w改為180w，和用紅外加熱爐115作為激勵能量產生裝置對以配置在供氣管120上的石英管所構成的激勵區(qū)114加熱到700℃外，按照與例1中相同的程序形成了沉積膜(標本3-1，3-2)。
在用相同的程序對得到的沉積膜進行鑒定時可以發(fā)現雖然微波〉綣β始跎倭說粱史炊黽恿舜籩 0%，所得特性大體與例1中所得的相同，如表3所示。
例4-6除了將膜形成材料化合物及部分膜形成條件作如表4所示的改動外，在與例2中相同的程序和膜形成條件下形成了沉積膜。
在對所得到的沉積膜的膜特性進行鑒定時得到了如表5所示的結果，各沉積膜質量都很高，膜厚度和膜特性的分布都不超過±3%。
例7除了當用流率為8sccm的He氣泡時還引入Ga(CH3)3和將基片與金屬柵網構件間的距離改為50cm外，在與例4中相同的程序和膜形成條件下形成了一層沉積膜。
當用SIMS對因此所得到的沉積膜的組成進行鑒時，證實了該沉積為Al0.8Ga0.2As∶H∶Se膜，并且H的含量為2.0原子百分數。
用熱電壓功率測量測得導電類型為n型。
表2標本2-12-2項目晶粒大小0.6μm1.5μmH含量3.7原子百分數1.1原子百分數空穴遷移率6cm/v.sec20cm/v.sec導電類型P型P型表3標本3-13-2項目晶粒大小2.1μm外延H含量3.7原子百分數0.5原子百分數空穴遷移率1.1cm/v.sec405cm/v.sec導電類型P型P型例4例原料化合物及流率膜形成條件的改變4Al(CH)/He20sccm微波功率250wSeHz(用HeHα/Hβ＝150稀釋至500ppm)5sccm釋放噴管構成如圖2(b)AsH15sccm(孔徑φ2，間距遞減率HzAr20/150sccm20%5In(CH)∶Zn(CH)微波功率280w＝10∶1/He20sccm壓強0.12TorrAsH15sccmH/H45Hz/Ar60/200sccm基片P＊-GaAs片6In(CH)∶Te(CH)微波功率300w＝104∶1/He Hα/Hβ 180PF5 In(CH3)3/Te(CH3)/HeH2RF5用耗電(100w)紅外爐在激勵艙內激勵后引入表5例膜質量晶粒大小H含量μe或μn導電類型4 Al As∶H∶Se 1.5μm 2.2原子 μe∶22cm2/v.sec n百分數5 In As∶H∶Zn 外延型 0.06原子 μh∶450cm2/v.sec p百分數6 In P∶H∶Te 2.8μm 3.3原子 μe∶650cm2/v.sec n百分數
權利要求
1.一種形成一層含有屬于周期表族Ⅲ和族Ⅴ的原子(作為主構成原子)的功能沉積膜的方法，其過程為將分別用下面的通式(Ⅰ)和Ⅱ表示的化合物(Ⅰ)和化合物(作為膜形成原料)以及如果需要學還有含有能控制沉積膜價電子的元素(作為構成元素)的化合物(3)引入到一個用來在一片放在里面的基片上形成一層沉積膜的膜形成區(qū)內，所述這些化合物在一個與所述膜形成區(qū)分開配置的激勵Ⅱ內都處于氣體狀態(tài)或至少有一種處于預先受到激勵的狀態(tài)，同時形成與所述激勵區(qū)內處于氣狀態(tài)或受激狀態(tài)的至少一種所述化合物能起化學反應的處于受激狀態(tài)的氫原子，普且將這些氫原子引入到所述膜形成區(qū)，從而在所述基片上形成這種功能沉積膜；這里所述受激狀態(tài)的氫原子是由氫氣或氫氣與一種稀有氣體組成的一種混合氣體通過在一個等離子體產生艙內所產生的一種微波等離子體的作用而形成的，該等離子體產生艙們于與一個微波電路中的二個阻抗匹配電路信集成為一體的一個空腔諧振器內，而氫原子的這種受激狀態(tài)是受到控制的RnMm…… (Ⅰ)AaBb…… (Ⅱ)其中m是一個等于R的價數或為其整數倍的正整數，n是一個等于的價數或為其整數倍的正整數，M是一個屬于元素周期表中族Ⅲ的元素，R是一種從氫(H)、氦(X)和烴族中選取的元素，a是一個等于B的價數或為其整數倍的正整，B是一個等于A的價數或為其整數倍的整數，而A是一個屬于元素周期表中族Ⅴ的元素，B是一種從氫(H)、氦(X)和烴族中選取的元素，B是一種從氫(H)、氦(X)和烴族中選取的元素。
2.一種如在權得要求1中所定義的形成一層功能沉積膜的方法，其中氫原子的受激狀態(tài)是通過用發(fā)射分光光度分析法測定是氫的受激狀態(tài)的H/H發(fā)射強度，控制饋入空腔諧振器的微波功率、阻抗匹配條件、氫氣流率或由氫氣和烯有氣體組成的混合氣體的流率、和總壓強這些參數中的至少一個參數，以得到所述強度比的一個所要求值來加以控制的。
3.一種如在權利要求1或2中所定義的形成一層功能沉積膜的方法，其中在與微波電路中的二個阻抗匹配電路集成一體的空腔諧振器中的上述阻抗匹配是配置到一個空腔長度調整活塞或配置到微波波導管與空腔諧振器間接合部位的限制裝置，而阻抗匹配條件通過調節(jié)這些裝置加以控制。
4.一種如在權利要求3中所定義的形成一層功能沉積膜的方法，其中所述阻抗匹配電路為空腔諧振調整活塞和一個E-H調諧器或一個三短截調諧器。
5.一種如在權利要求1中所定義的形成一層功能沉積膜的方法，其中所述等離子體形成艙含有一個金屬柵網構件和一個微波可透的鐘形罩，通過上述金屬柵網構件連到所述膜形成區(qū)。
6.一種如在權利要求5中所定義的形成一層功能沉積膜的方法，其中在受激狀態(tài)的氫原子通過上述金屬柵網構件引入到膜形成區(qū)。
7.一種如在權利要求5中所定義的形成一層功能沉積膜的方法，其中所述基片放置成與金屬柵網表面水平軸成30度或小于30度的角度、離所述金屬柵網表面小于100毫米，而在氣體狀態(tài)或受激狀態(tài)的化合物(1)、(2)和(3)從配置在所述金屬柵網表面與所述基片之間的氣體釋放裝置引入到膜形成區(qū)。
8.一種如在權利要求7中所定義的形成一層功能沉積膜的方法，其中氣體釋放裝置配置成以環(huán)狀方式圍繞基片，而氣體釋放孔徑的間距從引入氣體那側至所述氣體釋放裝置最后釋放孔徑逐漸減小，使從各氣體釋放孔徑放出的氣體釋放量可以一致。
9.一種如在權利要求7中所定義的形成一層功能沉積膜的方法，其中氣體釋放裝置配置成以環(huán)狀方式圍繞基片，而氣體釋放孔徑的直徑從引入氣體那側至所述氣體釋放裝置最后釋放孔徑逐漸增大，使從各氣體釋放孔徑放出的氣體釋放量可以一致。
10.一種如在權利要求7中所定義的形成一層功能沉積膜的方法，其中氣體釋放裝置的氣體釋放孔徑至少在基片平面內是均勻分布的，而氣體釋放孔徑的孔徑直徑從引入氣體那側至所述氣體釋放裝置的中央部分逐漸增大，使從各氣體釋放孔徑放出的氣體釋放量可以一致。
全文摘要
本發(fā)明提供一種形成含有周期表中族III和族V原子的功能沉積膜的工藝。將處于氣體狀態(tài)或受激狀的膜形成原料和由于微波等離子體作用而形成的處于受激狀態(tài)的氫原子引入膜形成區(qū)，從而在膜形成區(qū)內的基片上形成功能沉積膜。
文檔編號C10L5/40GK1038121SQ8910339
公開日1989年12月20日 申請日期1989年5月26日 優(yōu)先權日1989年5月26日
發(fā)明者金井正博 申請人:佳能株式會社