本發(fā)明大體涉及用于發(fā)電的燃氣渦輪，且更具體而言涉及形成用于燃氣渦輪的熱氣路徑渦輪構件的陶瓷基質復合物構件的方法。

背景技術：

如由較傳統(tǒng)的超合金材料形成的渦輪葉片和導葉那樣，cmc葉片和導葉主要配備有腔體和冷卻空隙，以減輕重量，減輕離心負載，和降低構件的運行溫度。這些特征典型地使用可移除的且可消耗的加工的組合而形成在cmc構件中。內部冷卻槽道對于冷卻金屬和cmc熱氣路徑硬件是有利的，因為它們降低冷卻流需求和熱梯度/應力。

基于碳化硅(sic)的陶瓷基質復合物(cmc)材料被提供來作為燃氣渦輪發(fā)動機的某些構件的材料，諸如渦輪葉片、導葉、噴嘴和葉輪。已知多種方法用于制造基于sic的構件，包括silicomp、熔體浸滲(mi)、化學氣相浸滲(cvi)、聚合物浸漬熱解(pip)和氧化物/氧化物工藝。雖然這些制造技術顯著各自彼此不同，但是各自涉及使用手動疊置和加工或模具，以通過包括在各種處理階段應用熱的工藝制造近凈形狀部件。

用于在cmc構件中形成內部通道或腔體的當前制造方法使用需要在燃盡循環(huán)期間從內部通道“熔化出”或移除的材料。對cmc構件形成腔體包括多個步驟，包括使用預型件。首先，其中的一些可包括增強材料或用基質預浸漬的多個陶瓷板層在心軸上疊置或模制成預定型式，以提供構件的期望最終或近凈形狀和期望機械屬性。心軸大體選自諸如錫、乙烯樹脂或其它可熔化材料的材料。疊置板層可用基質材料(諸如sic)預先浸漬(預浸漬)，或在疊置板層之后用基質浸漬。在密實化cmc預型件之前，心軸通過燃盡循環(huán)移除。在燃盡循環(huán)中，cmc預型件倒轉且形成心軸的材料(諸如錫、乙烯樹脂或其它可熔化材料)通過預型件cmc的開口末梢熔化出，從而離開開口末梢區(qū)域。

技術實現要素：

在實施例中，一種制造熱氣路徑渦輪構件的工藝。工藝包括在第一陶瓷基質復合物板層中形成空隙和在第二陶瓷基質復合物板層中形成空隙。第二陶瓷基質復合物板層定位在第一陶瓷基質復合物板層上，使得所述定位使空隙對齊，以至少部分地限定構件中的腔體。第三陶瓷基質復合物板層定位在第一陶瓷基質復合物板層和第一陶瓷基質復合物板層上，第二陶瓷基質復合物板層和第三陶瓷基質復合物板層被密實化(densify)以形成密實化本體。腔體存在于密實化本體中。

在另一個實施例中，一種陶瓷基質復合物構件。工藝包括將第一陶瓷基質復合物板層定位成接觸第二陶瓷基質復合物板層。第一陶瓷基質復合物板層和第二陶瓷基質復合物板層部分地硬化，以形成硬化預型件?？障缎纬捎谟不A型件中。第三陶瓷基質復合物板層定位在第一陶瓷基質復合物板層上。第一陶瓷基質復合物板層、第二陶瓷基質復合物板層和第三陶瓷基質復合物板層經歷硬化。第一陶瓷基質復合物板層、第二陶瓷基質復合物板層和第三陶瓷基質復合物板層被密實化，以形成密實化本體。腔體存在于密實化本體中。

在另一個實施例中，一種陶瓷基質復合物構件。陶瓷基質復合物包括多個陶瓷基質復合物板層，其形成密實化本體。多個陶瓷基質板層各自具有空隙，其對齊，以在密實化本體內限定腔體。腔體沿著密實化本體的至少一部分具有直線邊界。

技術方案1.一種制造陶瓷基質復合物構件的工藝，所述工藝包括：

在第一陶瓷基質復合物板層中形成空隙；

在第二陶瓷基質復合物板層中形成空隙；

將所述第二陶瓷基質復合物板層定位在所述第一陶瓷基質復合物板層上，所述定位使所述空隙對齊，以至少部分地在所述構件中限定腔體；

將第三陶瓷基質復合物板層定位在所述第一陶瓷基質復合物板層上；

以及

密實化所述第一陶瓷基質復合物板層、所述第二陶瓷基質復合物板層和所述第三陶瓷基質復合物板層，以形成密實化本體；

其中所述腔體存在于所述密實化本體中。

技術方案2.根據技術方案1所述的工藝，其特征在于，空隙的形成通過下者中的一個或多個進行：對所述第一陶瓷基質復合物板層或所述第二陶瓷基質復合物板層的陶瓷基質復合物材料進行激光鉆孔、放電機加工、切割或機加工。

技術方案3.根據技術方案1所述的工藝，其特征在于，所述第一陶瓷基質復合物板層、所述第二陶瓷基質復合物板層和所述第三陶瓷基質復合物板層中的一個或多個為預浸漬復合物板層。

技術方案4.根據技術方案1所述的工藝，其特征在于，所述第三陶瓷基質復合物板層的纖維與所述腔體的中心軸線形成大于10度角度。

技術方案5.根據技術方案1所述的工藝，其特征在于，在密實化期間，所述腔體完全包圍在所述密實化本體內。

技術方案6.根據技術方案5所述的工藝，其特征在于，進一步包括在所述密實化本體中機加工出至少一個開口。

技術方案7.根據技術方案1所述的工藝，其特征在于，所述密實化包括熔體浸滲或化學氣相淀積。

技術方案8.根據技術方案1所述的工藝，其特征在于，進一步包括在密實化之前，硬化所述第一陶瓷基質復合物板層、所述第二陶瓷基質復合物板層和所述第三陶瓷基質復合物板層。

技術方案9.根據技術方案1所述的工藝，其特征在于，所述密實化本體形成所述陶瓷基質復合物構件的至少一部分，所述陶瓷基質復合物構件選自：襯套、葉片、護罩、噴嘴、燃燒器、噴嘴端壁和葉片平臺。

技術方案10.一種制造陶瓷基質復合物構件的工藝，所述工藝包括：

將第一陶瓷基質復合物板層定位成接觸第二陶瓷基質復合物板層；

部分地硬化所述第一陶瓷基質復合物板層和所述第二陶瓷基質復合物板層，以形成硬化預型件；

在所述硬化預型件中形成空隙；

將第三陶瓷基質復合物板層定位在所述第一陶瓷基質復合物板層上；

使所述第一陶瓷基質復合物板層、所述第二陶瓷基質復合物板層和所述第三陶瓷基質復合物板層經歷硬化；以及

密實化所述第一陶瓷基質復合物板層、所述第二陶瓷基質復合物板層和所述第三陶瓷基質復合物板層，以形成密實化本體，所述密實化包括熔體浸滲或化學氣相淀積；

其中所述腔體存在于所述密實化本體中。

技術方案11.根據技術方案10所述的工藝，其特征在于，形成所述空隙通過下者中的一個或多個進行：對所述第一陶瓷基質復合物板層或所述第二陶瓷基質復合物板層的陶瓷基質復合物材料進行激光鉆孔、放電機加工、切割或機加工。

技術方案12.根據技術方案10所述的工藝，其特征在于，所述空隙為所述硬化預型件中的凹陷區(qū)域，其具有變化的深度或變化的橫截面直徑。

技術方案13.根據技術方案10所述的工藝，其特征在于，所述第三陶瓷基質復合物板層為第二硬化預型件，其具有第二空隙。

技術方案14.根據技術方案10所述的工藝，其特征在于，所述熱氣路徑渦輪構件選自：襯套、葉片、護罩、噴嘴、燃燒器、噴嘴端壁和葉片平臺。

技術方案15.一種陶瓷基質復合物構件，包括：

多個陶瓷基質復合物板層，其形成密實化本體，所述多個陶瓷基質板層各自具有空隙，其對齊以在所述密實化本體內限定腔體；

其中所述腔體沿著所述密實化本體的至少一部分具有直線邊界。

技術方案16.根據技術方案15所述的熱氣路徑渦輪構件，其特征在于，所述直線邊界為機加工出的邊界。

技術方案17.根據技術方案15所述的熱氣路徑渦輪構件，其特征在于，所述直線邊界為切割出的邊界。

技術方案18.根據技術方案15所述的熱氣路徑渦輪構件，其特征在于，所述腔體包括變化的深度或變化的橫截面直徑。

技術方案19.根據技術方案15所述的熱氣路徑渦輪構件，其特征在于，所述熱氣路徑渦輪構件選自：襯套、葉片、護罩、噴嘴、燃燒器、噴嘴端壁和葉片平臺。

技術方案20.根據技術方案15所述的熱氣路徑渦輪構件，其特征在于，所述第一陶瓷基質復合物板層和所述第二陶瓷基質復合物板層的纖維與所述腔體的中心軸線形成大于10度角度。

結合附圖，根據以下更詳細描述，本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將顯而易見，附圖以示例的方式示出本發(fā)明的原理。

附圖說明

圖1為本公開的陶瓷基質復合物(cmc)構件的透視圖。

圖2為根據本公開的沿圖1的方向2-2得到的截面圖。

圖3為根據本公開的沿圖1的方向3-3得到的截面圖。

圖4顯示根據本公開的構件的透視圖。

圖5示意性地顯示根據本公開的實施例的形成cmc構件的工藝的透視圖。

圖6示意性地顯示根據本公開的實施例的形成cmc構件的工藝的透視圖。

圖7示意性地顯示根據本公開的實施例的形成cmc構件的工藝的透視圖。

在可行的情況下，相同參考標號在所有圖中將用來表示相同部件。

具體實施方式

例如與不包括本文公開的一個或多個特征的概念相比，本公開的實施例使得能夠實現近壁冷卻，這減小了貫通壁熱梯度，以及更高效地冷卻熱氣路徑硬件，并且實現能夠降低部件的冷卻要求和流率的更高效地冷卻。本公開的實施例還允許降低冷卻流，以實現高渦輪性能。另外，本公開的構件具有較低的熱梯度，從而使得應力減小，壽命增加且壽命循環(huán)成本減少，而且提高了設計靈活性。根據本公開的方法的復雜性降低，成本減少且不需要昂貴且耗時地淋洗冷卻通道。另外，根據本公開的方法沒有在處理之后在冷卻通道中留下殘余犧牲材料的風險。

當介紹本發(fā)明的多種實施例的元件時，冠詞“一個”、“一種”、“該”和“所述”意圖意味著存在一個或多個元件。用語“包括”、“包含”和“具有”意圖為包括性的，并且意味著除了列出的元件之外可存在另外的元件。

用來發(fā)電的系統(tǒng)包括(但不限于)燃氣渦輪、蒸汽渦輪和用于發(fā)電的其它渦輪組件，諸如基于地面的航空衍生物。在某些應用中，發(fā)電系統(tǒng)(在其中包括渦輪機(例如，渦輪、壓縮機和泵)和其它機器可包括暴露于嚴重磨損狀況的構件。例如，諸如葉片、輪葉、殼、轉子輪、軸、護罩、噴嘴等等的某些發(fā)電系統(tǒng)構件可在高熱和高旋轉環(huán)境中工作。使用陶瓷基質復合物制造這些構件，而且這些構件還可包括冷卻通道。本公開提供一種形成陶瓷基質復合物(cmc)構件(包括冷卻通道)的方法。本公開的示例性實施例在圖1-3中顯示為渦輪葉片，但本公開不限于所示出的結構。

圖1是諸如(但不限于)渦輪葉片或渦輪導葉的構件10的透視圖。雖然圖1顯示了渦輪葉片，但是根據本公開，其它適當的構件包括(但不限于)襯套、葉片、護罩、噴嘴、燃燒器、噴嘴端壁、葉片平臺或其它熱氣路徑構件。構件10優(yōu)選由陶瓷基質復合物(cmc)材料形成。構件10的材料包括(但不限于)基于氧化物的cmc，諸如(但不限于)氧化鋁、富鋁紅柱石、氮化硼、碳化硼、硅鋁氧氮聚合材料(硅、鋁、氧和氮)、金屬間化合物和它們的組合。構件10的材料的適當示例包括(但不限于)可從加利福尼亞的圣地亞哥的coi陶瓷公司獲得的an-720(基于氧化物-氧化物)，或者混合氧化物cmc材料。用來制作構件10的材料的適當示例包括(但不限于)用sic浸漬的sic纖維和用多種粘結劑浸漬的碳基質。構件10包括翼型件22，對著翼型件22引導熱排氣流。翼型件22從末梢30延伸到鳩尾件24。構件10通過鳩尾件24安裝到渦輪盤(未顯示)上，鳩尾件24從翼型件22向下延伸，并且接合渦輪盤上的槽口。平臺26從翼型件22連結到鳩尾件24上所處的區(qū)域沿側向向外延伸。渦輪葉片20包括至少一個氣室50，如圖2中顯示的那樣，氣室50沿著翼型件22的內部延伸。在發(fā)電系統(tǒng)的運行期間，冷卻空氣流被引導通過氣室50，以降低翼型件22的溫度。

圖2是沿圖1的方向2-2得到的構件10的截面圖，其顯示了形成的渦輪葉片20的內部腔體70。多個板層60(為了清楚僅僅顯示了幾個)包圍和形成內部腔體70。如圖2中顯示的那樣，板層60包括腔體70，其形成到板層60中且在板層60之間延伸。圖3是沿圖1的方向3-3得到的構件10的截面圖，其顯示了陶瓷基質復合物板層60具有在其中形成的腔體70。腔體70延伸通過板層60且形成開口，開口足以允許流體流通過其中。

板層60和腔體70的布置是示意性的且為了說明目的已經放大。板層和空隙的大小和幾何結構不限于圖1-3中顯示的那些。另外，雖然顯示了腔體70在構件10的內部，但在另一個實施例中，腔體70通入氣室50、其它腔體70、構件10的外部或者它們的組合且與其處于流體連通。

圖4顯示根據本公開的構件10的透視圖，其中，在構件10中存在腔體70。如圖4中顯示的那樣，構件10可包括開口402或通道404，其可機加工或者以別的方式形成為對外部構件(諸如熱氣路徑或氣室50，或其它腔體70)提供流體連通。

圖5示意性地顯示形成根據本公開的cmc構件10的工藝，在cmc構件10中具有內部腔體70(也參見圖4)。如圖5中顯示的那樣，使用疊置技術形成構件10。工藝500包括提供陶瓷基質復合物板層60(步驟501)。陶瓷基質復合物板層60可為單個板層或多個板層，諸如形成為層疊疊堆的一系列板層。板層60的材料的示例包括(但不限于)預浸漬復合物板層，包括例如編織碳纖維、粘結劑材料和經涂覆的sic纖維。板層60的其它適當材料包括包含氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、鎂、二氧化硅、莫來石和/或尖晶石的氧化物；包含硅、硼和/或鈦的碳化物；包含硅和硼的氮化物。適合在板層60中使用的其它已知纖維包括nextel、nicalon、hi-nicalon、tyranno和sylramic纖維。在提供陶瓷基質復合物板層60之后，在陶瓷基質復合物板層60中形成空隙502(步驟503)。使用任何適當的技術形成空隙502，以在cmc材料中形成開口。空隙的幾何結構包括任何適當的幾何結構，包括圓形、彎曲形、橢圓形、直線或其它適合接收冷卻流的幾何結構。在一個實施例中，在連續(xù)片材中形成空隙502，如圖5中顯示的那樣。在另一個實施例中，通過在板層60中不連續(xù)地形成開口來形成空隙502，其中，板層60各自有一部分被沿著它們的邊緣切割或以別的方式移除，板層60共同配合形成空隙502。在一個實施例中，空隙502是直線槽口。適當的空隙形成技術包括對陶瓷基質復合物板層60的陶瓷基質復合物材料進行激光鉆孔、放電機加工和切割或機加工。在陶瓷基質復合物板層60中形成空隙502之后，第一陶瓷基質復合物板層504相對于第二陶瓷基質復合物板層506定位，其中，相應板層60中的空隙是對齊的，以限定腔體70(步驟505)?？蛇M一步包括第三陶瓷基質復合物板層508且其可包括或不包括腔體70。對齊使得空隙502具有匹配或基本匹配相鄰陶瓷基質復合物板層的幾何結構。對齊的空隙疊堆形成腔體70。本公開不限于圖5中顯示的多個板層60。板層的數量基于構件10的期望大小和構造而改變且不特別受限。

在腔體70形成之后，可選地應用帽陶瓷基質復合物板層510來封閉腔體70(步驟507)。在一個實施例中，鄰近腔體70的板層60包括沿纖維相對于通道或空心腔體形成大于10度的角度的方向定向的纖維。例如，帽陶瓷基質復合物板層和第三陶瓷基質復合物板層508的纖維相對于腔體70的中心軸線形成大于10度的角度。成角度的板層的布置允許提高應力集中能力。另外，利用成角度的板層有助于緊湊，因為以此方式對齊纖維可通過橋接空隙來減少或消除板層下傾到開放空隙中。備選地，可允許板層60的疊堆512具有暴露的腔體70，并且可相應地對其進行進一步處理。在一個實施例中，對齊或形成空隙502，以將腔體70制造成凹陷區(qū)域，諸如疊堆512中的通道或凹槽。腔體70包括延伸到板層疊堆512中且對應于形成于密實化本體中的腔體的深度。腔體70在腔體的長度上可包括恒定深度，或者可具有變化的深度或變化的橫截面。在一個實施例中，在板層疊堆512的形成期間，板層60在定向上是交替的(例如，沿相反方向翻轉)，以確保預固化層疊疊堆最外部板層的基質在外部，以結合到額外的構件或板層上。在一個實施例中，預型件或部分地密實化的層疊疊堆的外面在暴露的外表面上具有基質，以促進結合。在應用帽陶瓷基質復合物板層510的可選步驟之后，將疊堆512置于高壓釜中，并且完成高壓釜循環(huán)(步驟509)。疊堆512經受在本行業(yè)中對陶瓷復合物材料使用的典型的高壓釜壓力和溫度循環(huán)。在高壓釜中的處理可抽出板層中剩余的任何揮發(fā)物，并且高壓釜條件可取決于板層材料而改變。在高壓釜中的處理之后，執(zhí)行燃盡工藝，以移除任何剩余的心軸材料或疊堆512中的額外粘結劑。通常在大約426-648℃(大約800-1200℉)的溫度下進行燃盡工藝。

在燃盡之后，將預型件構件置于真空爐中進行密實化(步驟511)。使用任何已知的密實化技術來執(zhí)行密實化，包括(但不限于)silicomp、熔體浸滲(mi)、化學氣相浸滲(cvi)、聚合物浸漬熱解(pip)和氧化物/氧化物工藝?？稍诮⒌臍夥崭哂?200℃的溫度的真空爐中進行密實化，以允許硅或其它材料熔化而浸滲到預型件構件中。如圖5中顯示的那樣，一種適當的密實化方法是熔體浸滲，其中，液體基質材料513被吸到疊堆512中，并且基質材料凝固。腔體70包括足夠的直徑和長度，使得諸如硅的基質材料不浸滲，或者不以別的方式充分地浸滲腔體70，使得腔體70在密實化之后仍然是開放的。在密實化之后，密實化疊堆512或密實化本體如圖4中顯示的那樣包括內部腔體70，并且形成構件10的至少一部分。

圖6示意性地顯示根據本公開的另一個實施例的形成cmc構件10的工藝，在cmc構件10中具有內部腔體70(也參見圖4)。如圖6中顯示的那樣，使用類似于圖5中顯示的實施例的疊置技術來形成構件10。工藝600包括提供陶瓷基質復合物板層60(步驟601)。在提供陶瓷基質復合物板層60之后，在陶瓷基質復合物板層60中形成空隙502(步驟603)。在陶瓷基質復合物板層60中形成空隙502之后，第一陶瓷基質復合物板層504相對于第二陶瓷基質復合物板層506定位，其中，對齊相應板層60中的空隙，以限定腔體70(步驟605)。如同圖5一樣，多個板層60基于構件10的期望大小和構造而改變且不特別地受限。在板層60對齊而形成腔體70之后，第一陶瓷基質復合物板層504和第二陶瓷基質復合物板層506部分地硬化而形成硬化預型件(步驟607)。如本文所用，部分地硬化指的是諸如用高壓釜進行固化或硬化工藝，其中，從第一陶瓷基質復合物板層504和第二陶瓷基質復合物板層506中移除有機物或其它揮發(fā)物，以使結構至少部分地硬化。硬化包括足以使結構硬化的固化，以進行進一步處理。部分硬化的溫度和時間基于期望硬化水平和板層60中存在的基質的量和類型而改變。

在硬化預型件615形成之后，第一預型件617、第二預型件619(各自具有空隙502)各自朝向彼此，并且各自彼此對齊，以在疊堆512內形成更大腔體70(步驟609)。在一個實施例中，在板層疊堆512的形成期間，板層60交替地定向(例如，沿相反方向翻轉)，以確保預固化層疊疊堆最外部板層的基質在外部，以使預型件615彼此結合。

在具有內部腔體70的疊堆512形成之后，將疊堆512置于高壓釜中，并且完成固化循環(huán)(步驟611)。如上面關于圖5所注意到的那樣，固化循環(huán)可包括高壓釜循環(huán)和燃盡循環(huán)。在燃盡循環(huán)之后，將預型件構件置于真空爐中進行密實化(步驟613)。

圖7示意性地顯示根據本公開的另一個實施例的形成cmc構件10的工藝，在cmc構件10中具有內部腔體70(也參見圖4)。如圖7中顯示的那樣，使用類似于圖5中顯示的實施例的疊置技術來形成構件10。工藝700包括提供陶瓷基質復合物板層60(步驟701)。在提供陶瓷基質復合物板層60之后，多個板層60定位成彼此接觸，以形成預固化疊堆717(步驟703)。如同圖5一樣，多個板層60基于構件10的期望大小和構造而改變且不特別地受限。在預固化疊堆717形成之后，預固化疊堆717部分地固化，以形成硬化預型件615(步驟705)。

在硬化預型件615形成之后，在硬化預型件中形成腔體70(步驟707)。在一個實施例中，腔體70是凹陷區(qū)域，諸如硬化預型件615中的通道或凹槽。適當的腔體形成技術包括對硬化預型件615的陶瓷基質復合物材料進行激光鉆孔、放電機加工和切割或機加工。在一個實施例中，在硬化預型件615的形成期間，板層60交替地定向(例如，沿相反方向翻轉)，以確保預固化層疊疊堆最外部板層的基質在外部，以將預型件615結合到其它層上。在具有腔體70的硬化預型件615形成之后，可應用帽陶瓷基質復合物板層510來封閉腔體70(步驟709)。在另一個實施例中，帽陶瓷基質復合物板層510可由其中形成有腔體70的第二硬化預型件615代替。在這個實施例中，腔體70在對應硬化預型件中是對齊的，并且形成被包圍在疊堆512內的更大腔體70。

在具有內部腔體70的硬化預型件形成之后，將疊堆512置于高壓釜中，并且完成固化循環(huán)(步驟711)。如上面關于圖5所注意到的那樣，固化循環(huán)可包括高壓釜循環(huán)和燃盡循環(huán)。在燃盡循環(huán)之后，將預型件構件置于真空爐中進行密實化(步驟713)。

在備選實施例中，根據本公開，構件10形成為具有腔體70，其中，使用已知機加工操作來形成空隙502。包括通往構件10的外部的腔體70的構件結合到較大cmc結構或構件中，其中，腔體70由被沿與腔體70方向相反的方向偏壓的帽陶瓷基質復合物板層覆蓋。

在備選實施例中，根據本公開，構件10形成為具有腔體70。但是，未應用帽陶瓷基質復合物板層510。疊堆512經受高壓釜循環(huán)。在高壓釜循環(huán)之后，通過任何適當的機加工工藝對腔體70進行機加工，使得消除板層在腔體中的未對齊。在機加工步驟之后，具有機加工出的腔體70的疊堆512經受另一個高壓釜循環(huán)且被密實化。

在一個實施例中，腔體70足夠大且在構件10中是開放的，使得可引導冷卻劑或其它流體通過其中，以對構件10提供冷卻。根據例如圖5中顯示的工藝制造而成的腔體是封閉的且在構件10的內部?？赏ㄟ^機加工或以別的方式在構件10中形成開口，諸如饋送孔和熱氣路徑排出孔，來從氣室50、其它腔體70或構件的外部對用于冷卻的腔體70進行供給和/或使腔體70排出到氣室50、其它腔體70或構件的外部。

雖然已經參照一個或多個實施例來描述了本發(fā)明，但本領域技術人員將理解，可作出許多改變，而且等效物可代替其要素，而不偏離本發(fā)明的范圍。另外，可作出許多修改，以使特定情形或材料適合本發(fā)明的教導，而不偏離本發(fā)明的實質性范圍。因此，意于的是本發(fā)明不限于公開為為了執(zhí)行本發(fā)明而構想的最佳模式的特定實施例，而是本發(fā)明將包括落在所附權利要求的范圍內的所有實施例。