專利名稱：：用于干涉式調(diào)制器的過程控制監(jiān)視器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的領(lǐng)域涉及微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystem，MEMS)。
背景技術(shù)：
：微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)包含微機(jī)械元件、激活器和電子元件?？墒褂贸练e、蝕刻和/或其它蝕刻去除襯底和/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機(jī)電裝置的微加工工藝來產(chǎn)生微機(jī)械元件。一種類型的MEMS裝置稱為干涉式調(diào)制器。如本文所使用，術(shù)語干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器指的是一種使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器可包括一對導(dǎo)電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當(dāng)電信號時(shí)進(jìn)行相對運(yùn)動(dòng)。在特定實(shí)施例中，一個(gè)板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個(gè)板可包括由氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細(xì)描述，一個(gè)板相對于另一個(gè)板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學(xué)干涉。這些裝置具有廣范圍的應(yīng)用，且在此項(xiàng)技術(shù)中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特征可被發(fā)掘用于改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品和創(chuàng)建尚未開發(fā)的新產(chǎn)品，將是有益的。在MEMS裝置制造期間可能發(fā)生錯(cuò)誤。檢測錯(cuò)誤和錯(cuò)誤來源可在MEMS裝置的質(zhì)量控制和優(yōu)化方面提出問題。因此，需要用于監(jiān)視制造過程及其結(jié)果的結(jié)構(gòu)和方法。
發(fā)明內(nèi)容本文揭示的一個(gè)實(shí)施例包含一種獲得有關(guān)用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的制造過程的信息的方法，所述方法包含通過一系列沉積和圖案化步驟在襯底的第一側(cè)上形成至少一個(gè)MEMS結(jié)構(gòu)；利用所述系列的沉積和圖案化步驟在所述襯底的所述第一側(cè)上同時(shí)形成至少一個(gè)測試單元，其中所述測試單元具有不同于所述MEMS結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)結(jié)構(gòu)差異；和從所述襯底的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)檢測從所述測試單元反射的光，借此所述檢測到的光提供在所述沉積和圖案化步驟期間沉積或去除的至少一種材料的特性。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種監(jiān)視干涉式調(diào)制器制造過程的方法，其中所述制造過程包括一系列沉積和圖案化步驟，所述方法包含使用所述系列的沉積和圖案化步驟形成測試單元，其中所述測試單元具有不同于由所述制造過程形成的干涉式調(diào)制器的至少一個(gè)結(jié)構(gòu)差異；和檢測從所述測試單元的光反射率。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種用于監(jiān)視干涉式調(diào)制器制造過程的測試單元，其中所述干涉式調(diào)制器適合用于顯示器，通過與用于制造適合用于顯示器的干涉式調(diào)制器的步驟具有至少一個(gè)共同步驟的過程來制造所述測試單元。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包括一個(gè)或一個(gè)以上干涉式調(diào)制器，其適合用于顯示器；和一個(gè)或一個(gè)以上測試單元，其適合于反射入射光且借此提供有關(guān)用于制造所述一個(gè)或一個(gè)以上干涉式調(diào)制器的過程的信息。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包括多個(gè)第一構(gòu)件，用于反射光以用于顯示器；和第二構(gòu)件，用于反射入射光且用于監(jiān)視用于制造所述第一構(gòu)件的過程。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種制造用于顯示器的第一晶片的方法，所述方法包含在第二晶片上形成多個(gè)干涉式調(diào)制器和至少一個(gè)測試單元；和切割所述第二晶片以去除所述測試單元并借此生產(chǎn)所述第一晶片。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種識別干涉式調(diào)制器陣列是否適合用于顯示器的方法，其中所述干涉式調(diào)制器是通過包括一系列沉積和圖案化步驟的過程制成的，所述方法包含使用所述系列的沉積和圖案化步驟中的至少某些步驟形成至少一個(gè)測試單元；和檢測所述測試單元的至少一個(gè)特性。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種監(jiān)視在制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)期間在定位在兩個(gè)其它材料層之間和兩個(gè)其它材料層鄰近處的第一材料的蝕刻程度的方法，所述方法包含制造包括所述兩個(gè)其它材料層和安置在所述兩個(gè)層之間和所述兩個(gè)層鄰近處的所述第一材料的測試單元，其中所述兩個(gè)層中的一層包括孔；將所述孔暴露于蝕刻劑；和以光學(xué)方式檢測從所述孔的中心到所述蝕刻劑已蝕刻去除所述第一材料處的距離，借此所述距離指示所述第一材料的蝕刻程度。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包括多個(gè)結(jié)構(gòu)，其包括犧牲層和位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的至少一個(gè)層，其中在去除所述犧牲層時(shí)所述結(jié)構(gòu)變?yōu)楦缮媸秸{(diào)制器，其中位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的所述至少一個(gè)層包括多個(gè)孔，蝕刻劑可穿過所述孔到達(dá)所述犧牲層；和測試單元，其也包括所述犧牲層和位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的至少一個(gè)層，其中在所述測試單元中的位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的所述至少一個(gè)層包括多個(gè)孔，其中所述測試單元中的所述孔之間的距離大于所述多個(gè)結(jié)構(gòu)中的所述多個(gè)孔之間的距離。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包括多個(gè)結(jié)構(gòu)，其包括犧牲層和位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的至少一個(gè)層，其中在去除所述犧牲層時(shí)所述結(jié)構(gòu)變?yōu)楦缮媸秸{(diào)制器，其中位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的所述至少一個(gè)層包括多個(gè)孔，蝕刻劑可穿過所述孔到達(dá)所述犧牲層；和測試單元，其也包括所述犧牲層和位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的所述至少一個(gè)層，其中位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的所述至少一個(gè)層包括單個(gè)孔。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種制造具有微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和測試單元結(jié)構(gòu)的晶片的方法，所述方法包含形成多個(gè)結(jié)構(gòu)，其中形成所述多個(gè)結(jié)構(gòu)包含一個(gè)或一個(gè)以上材料沉積和去除步驟，其中所述結(jié)構(gòu)包括犧牲層和位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的至少一個(gè)層，其中位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的所述至少一個(gè)層包括多個(gè)孔，蝕刻劑可穿過所述孔而到達(dá)所述犧牲層；同時(shí)形成測試單元，其中形成所述測試單元包含所述一個(gè)或一個(gè)以上材料沉積和去除步驟，其中所述測試單元也包括所述犧牲層和位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的所述至少一個(gè)層，其中所述測試單元中的位于所述犧牲層上和所述犧牲層鄰近處的所述至少一個(gè)層包括多個(gè)孔，其中所述測試單元中的所述孔之間的距離大于所述多個(gè)結(jié)構(gòu)中的所述多個(gè)孔之間的距離；和將所述多個(gè)結(jié)構(gòu)和所述測試單元暴露于蝕刻劑。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包括微機(jī)電結(jié)構(gòu)(MEMS)；和測試單元，其適合于測量在所述MEMS的制造期間去除的材料的蝕刻程度。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包含第一構(gòu)件，其用于響應(yīng)于電激勵(lì)而移動(dòng)機(jī)械結(jié)構(gòu)；和第二構(gòu)件，其用于測量在所述第一構(gòu)件的制造期間去除的材料的蝕刻程度。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種通過過程生產(chǎn)的測試單元，所述過程包含使至少三個(gè)材料層在彼此上方沉積；和在頂部材料層中形成孔。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種用于確定干涉式調(diào)制器制造過程對從由所述過程制造的干涉式調(diào)制器反射的色彩的影響的方法，所述方法包含制造包括支撐第一機(jī)械膜片的柱的多個(gè)干涉式調(diào)制器；制造包括支撐第二機(jī)械膜片的柱的測試單元標(biāo)準(zhǔn)具，其中所述測試單元中的所述柱以展示出比所述多個(gè)干涉式調(diào)制器中的所述柱的密度更高的密度；和檢測從所述測試單元標(biāo)準(zhǔn)具反射的光，借此所述檢測到的光提供所述多個(gè)干涉式調(diào)制器中干涉腔的深度的指示。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種用于監(jiān)視制造干涉式調(diào)制器的過程對那些干涉式調(diào)制器所反射光的色彩的影響的測試單元，其包括測試標(biāo)準(zhǔn)具，所述標(biāo)準(zhǔn)具包括與由所述過程生產(chǎn)的干涉式調(diào)制器中相比以更高密度支撐所述測試標(biāo)準(zhǔn)具中的機(jī)械膜片的柱。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包括多個(gè)干涉式調(diào)制器，其適合用于顯示器；和測試單元，其適合于反射與從所述反射性顯示元件中至少一者反射的光具有實(shí)質(zhì)上相同色彩的光。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種測試單元，其包括具有傳導(dǎo)性部分鏡面和包括鏡面的傳導(dǎo)性機(jī)械膜片的標(biāo)準(zhǔn)具，其中所述機(jī)械膜片通過多個(gè)柱與所述部分鏡面分離，其中柱的密度足夠高以使得當(dāng)在所述部分鏡面與所述機(jī)械膜片之間施加電壓時(shí)，所述機(jī)械膜片不能塌向所述部分鏡面。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種制造組合的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和測試單元結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包含形成MEMS結(jié)構(gòu)，其中形成所述MEMS結(jié)構(gòu)包含一個(gè)或一個(gè)以上材料沉積和圖案化步驟，其中所述MEMS結(jié)構(gòu)包括由第一多個(gè)柱支撐的第一機(jī)械膜片；和同時(shí)形成測試單元，其中形成所述測試單元包含所述一個(gè)或一個(gè)以上材料沉積和圖案化步驟，所述測試單元包括由第二多個(gè)柱支撐的第二機(jī)械膜片，其中所述第二多個(gè)柱以展示出所述第一多個(gè)柱更高的密度。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包括多個(gè)第一構(gòu)件，用于反射光以用于顯示器；和第二構(gòu)件，用于穩(wěn)定地反射具有色彩與從所述第二構(gòu)件中至少一者反射的色彩實(shí)質(zhì)上相同的光。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種由所述過程生產(chǎn)的測試單元，所述過程包括形成部分鏡面；形成機(jī)械膜片；和形成支撐所述機(jī)械膜片且使所述機(jī)械膜片與所述部分鏡面分離的多個(gè)柱，其中柱的密度足夠高以使得當(dāng)在所述部分鏡面與所述機(jī)械膜片之間施加電壓時(shí)，所述機(jī)械膜片不能塌向所述部分鏡面。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種監(jiān)視在制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)期間沉積的材料的沉積的方法，所述方法包含形成由制造期間沉積的至少三個(gè)材料層組成的測試單元，其中所述至少三個(gè)材料層少于在所述MEMS制造期間沉積的層的數(shù)目，其中所述至少三個(gè)材料層形成標(biāo)準(zhǔn)具；和檢測從所述標(biāo)準(zhǔn)具反射的光，借此獲得有關(guān)所述至少三個(gè)層的性質(zhì)的信息。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包括多個(gè)干涉式調(diào)制器，其適合用于顯示器；和非調(diào)制干涉計(jì)。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包含多個(gè)第一構(gòu)件，用于在顯示器中干涉地顯示光；和第二構(gòu)件，用于非調(diào)制地且干涉地反射光。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種監(jiān)視在制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)期間沉積的材料的沉積的方法，所述方法包含形成包括在制造期間沉積的一個(gè)或一個(gè)以上材料層的測試單元，其中所述測試單元中材料層的數(shù)目少于在所述MEMS制造期間沉積的層的數(shù)目；和檢測所述測試單元的反射率，借此所述反射率提供有關(guān)所述測試單元中的所述層的性質(zhì)的信息。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包括多個(gè)干涉式調(diào)制器，其適合用于顯示器，所述干涉式調(diào)制器包括多個(gè)材料層；和測試單元，其包括所述材料層中的一個(gè)或一個(gè)以上材料層，其中所述測試單元包括少于所有所述多個(gè)材料層的材料層。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種制造組合的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和測試單元結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包含形成MEMS結(jié)構(gòu)，其中形成所述MEMS結(jié)構(gòu)包含一個(gè)或一個(gè)以上材料沉積和圖案化步驟；和同時(shí)形成測試單元，其中形成所述測試單元包含所述一個(gè)或一個(gè)以上材料沉積和圖案化步驟，其中所述測試單元包括少于所述MEMS結(jié)構(gòu)中存在的所有組件的組件。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種通過過程生產(chǎn)的晶片，所述過程包含在襯底上沉積和圖案化一系列材料層以形成MEMS結(jié)構(gòu)；和在所述襯底上同時(shí)沉積和圖案化一系列材料層以形成測試單元，其中所述測試單元包括少于所述MEMS結(jié)構(gòu)中存在的所有組件的組件。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種測量在制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)期間沉積的層的厚度的方法，所述方法包含形成包括連續(xù)沉積在彼此上方的兩個(gè)或兩個(gè)以上層，其中所述層是使用用于在制造所述MEMS期間形成所述層的過程形成的，其中所述層經(jīng)圖案化以使得至少兩個(gè)臺階形成于所述結(jié)構(gòu)的輪廓中；和通過將表面光度計(jì)掃過所述結(jié)構(gòu)來測量所述臺階的高度。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種用于測量在制造干涉式調(diào)制器期間沉積的多個(gè)層的厚度的測試單元，其包括堆疊在彼此上方以便形成所述測試單元的輪廓中至少兩個(gè)臺階的層。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包括多個(gè)干涉式調(diào)制器，其適合用于顯示器，所述干涉式調(diào)制器包括多個(gè)材料層；和測試單元，其包括所述多個(gè)材料層，所述多個(gè)材料層堆疊在彼此上方以便形成所述測試單元的輪廓中的至少兩個(gè)臺階。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種制造組合的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和測試單元結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包含形成MEMS結(jié)構(gòu)，其中形成所述MEMS結(jié)構(gòu)包含一個(gè)或一個(gè)以上材料沉積和圖案化步驟，其中所述MEMS結(jié)構(gòu)包括多個(gè)層；和同時(shí)形成測試單元，其中形成所述測試單元包含所述一個(gè)或一個(gè)以上材料沉積和圖案化步驟，其中所述測試單元包括所述多個(gè)層以便形成所述測試單元的輪廓中的至少兩個(gè)臺階。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包含多個(gè)反射性顯示元件，其適合用于顯示器；和測試單元，其適合于測量在所述反射性顯示元件制造期間沉積的至少一個(gè)材料的厚度。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種晶片，其包括多個(gè)第一構(gòu)件，用于反射光且用于顯示器；和第二構(gòu)件，用于測量在制造所述第一構(gòu)件期間沉積的至少一個(gè)材料的厚度。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種由過程生產(chǎn)的晶片，所述過程包括在襯底上沉積和圖案化一系列材料層以形成MEMS結(jié)構(gòu)；和在所述襯底上同時(shí)沉積和圖案化所述系列的材料層以形成測試單元，其中在所述圖案化之后所述測試單元中剩余的材料層形成所述測試單元的輪廓中的至少兩個(gè)臺階。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種測試用于制造多色干涉式調(diào)制器顯示器的過程的方法，其中通過在部分反射器與反射性機(jī)械膜片之間形成不同深度的間隙來制造所述顯示器中不同色彩的干涉式調(diào)制器，其中通過一個(gè)或一個(gè)以上犧牲層的沉積來確定所述間隙的深度，其中通過多個(gè)犧牲層的沉積來確定至少一個(gè)間隙的深度，所述方法包含形成包括所述一個(gè)或一個(gè)以上犧牲層的測試單元，其中所述測試單元的至少一個(gè)區(qū)域包括沉積在彼此上方的所述多個(gè)犧牲層；測量所述測試單元的輪廓；和從所述輪廓確定所述多個(gè)犧牲層的累積厚度。本文揭示的另一實(shí)施例包含一種用于測試用于制造多色干涉式調(diào)制器顯示器的過程的測試單元，其中通過在部分反射器與反射性機(jī)械膜片之間形成不同深度的間隙來制造所述顯示器中不同色彩的干涉式調(diào)制器，其中通過一個(gè)或一個(gè)以上犧牲層的沉積來確定所述間隙的深度，其中通過多個(gè)犧牲層的沉積來確定至少一個(gè)間隙的深度，所述測試單元包括位于彼此上方的多個(gè)材料層，其中所述測試單元的一個(gè)區(qū)域包含單個(gè)犧牲層，所述測試單元的第二區(qū)域包含位于彼此上方的兩個(gè)犧牲層，且所述測試單元的第三區(qū)域包含位于彼此上方的三個(gè)犧牲層。圖1是描繪干涉式調(diào)制器顯示器的一個(gè)實(shí)施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層處于松弛位置，且第二干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層處于激活位置。圖2是說明并入有3×3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)方框圖。圖3是圖1的干涉式調(diào)制器的一個(gè)示范性實(shí)施例的可移動(dòng)鏡面位置對所施加電壓的圖。圖4是可用于驅(qū)動(dòng)干涉式調(diào)制器顯示器的一組行和列電壓的說明。圖5A說明圖2的3×3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的一個(gè)示范性幀。圖5B說明可用于寫入圖5A的幀的行和列信號的一個(gè)示范性時(shí)序圖。圖6A和6B是說明包括多個(gè)干涉式調(diào)制器的視覺顯示裝置的實(shí)施例的系統(tǒng)方框圖。圖7A是圖1的裝置的橫截面。圖7B是干涉式調(diào)制器的替代實(shí)施例的橫截面。圖7C是干涉式調(diào)制器的另一替代實(shí)施例的橫截面。圖7D是干涉式調(diào)制器的又一替代實(shí)施例的橫截面。圖7E是干涉式調(diào)制器的額外替代實(shí)施例的橫截面。圖8是包括MEMS結(jié)構(gòu)和多個(gè)過程控制監(jiān)視器的晶片的俯視圖。圖9是在制造干涉式調(diào)制器期間沉積的層的橫截面。圖10A是用于監(jiān)視用于制造圖9的干涉式調(diào)制器的過程的基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器中的層的橫截面。圖10B是用于監(jiān)視用于制造圖9的干涉式調(diào)制器的過程的另一基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器中的層的橫截面。圖10C是用于監(jiān)視用于制造圖9的干涉式調(diào)制器的過程的另一基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器中的層的橫截面。圖10D是用于監(jiān)視用于制造圖9的干涉式調(diào)制器的過程的另一基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器中的層的橫截面。圖11A是用于監(jiān)視用于制造圖9的干涉式調(diào)制器的過程的非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器中的層的橫截面。圖11B是用于監(jiān)視用于制造圖9的干涉式調(diào)制器的過程的另一非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器中的層的橫截面。圖11C是用于監(jiān)視用于制造圖9的干涉式調(diào)制器的過程的另一非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器中的層的橫截面。圖11D是用于監(jiān)視用于制造圖9的干涉式調(diào)制器的過程的另一非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器中的層的橫截面。圖11E是用于監(jiān)視用于制造圖9的干涉式調(diào)制器的過程的另一非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器中的層的橫截面。圖11F是用于監(jiān)視用于制造圖9的干涉式調(diào)制器的過程的另一非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器中的層的橫截面。圖11G是用于監(jiān)視用于制造圖9的干涉式調(diào)制器的過程的另一非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器中的層的橫截面。圖12是包括干涉式調(diào)制器陣列和過程控制監(jiān)視器的晶片的俯視圖，所述過程控制監(jiān)視器用于監(jiān)視釋放蝕刻和從干涉式調(diào)制器反射的色彩。圖13A是可用于監(jiān)視釋放蝕刻的過程控制監(jiān)視器的俯視圖。圖13B是可用于監(jiān)視釋放蝕刻的另一過程控制監(jiān)視器的俯視圖。圖14是可用于測量干涉式調(diào)制器中的層的厚度的過程控制監(jiān)視器的橫截面。圖15是可用于測量過程控制監(jiān)視器中的層的厚度的過程控制監(jiān)視器的另一實(shí)施例的橫截面。圖16是可用于測量過程控制監(jiān)視器中的層的厚度的過程控制監(jiān)視器的又一實(shí)施例的橫截面。具體實(shí)施例方式以下詳細(xì)描述針對本發(fā)明的某些特定實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以許多不同方式實(shí)施。在本描述內(nèi)容中參看了附圖，附圖中所有相同部分用相同標(biāo)號表示。如從以下描述中將了解，所述實(shí)施例可實(shí)施在經(jīng)配置以顯示不論運(yùn)動(dòng)(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是圖畫的圖像的任何裝置中。更明確地說，預(yù)期所述實(shí)施例可實(shí)施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關(guān)聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動(dòng)電話、無線裝置、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手提式或便攜式計(jì)算機(jī)、GPS接收器/導(dǎo)航器、相機(jī)、MP3播放器、攝像機(jī)、游戲控制臺、手表、時(shí)鐘、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、座艙控制器和/或顯示器、相機(jī)視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機(jī)的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝和美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，對于一件珠寶的圖像的顯示器)。具有與本文中描述的裝置類似的結(jié)構(gòu)的MEMS裝置也可用于例如電子切換裝置的非顯示器應(yīng)用中。MEMS裝置的制造通常涉及形成具有通過使用一系列材料沉積、圖案化和蝕刻步驟形成的結(jié)構(gòu)和厚度的若干材料層。可能難以從最終MEMS裝置診斷在裝置中給定層的處理期間發(fā)生的任何錯(cuò)誤。此外，可能難以從最終裝置確定應(yīng)調(diào)節(jié)哪些特定參數(shù)(例如，膜厚度)以便使裝置關(guān)于其期望用途而優(yōu)化。因此，需要可用于監(jiān)視特定處理步驟的結(jié)果的結(jié)構(gòu)和方法。因此，在各種實(shí)施例中，提供使用用于制造MEMS裝置的相同過程中的至少某些過程構(gòu)造的過程控制監(jiān)視器。過程控制監(jiān)視器的分析提供關(guān)于構(gòu)成MEMS裝置的個(gè)別組件或組件的子組的信息。圖1中說明包括干涉式MEMS顯示元件的一個(gè)干涉式調(diào)制器顯示器的實(shí)施例。在這些裝置中，像素處于明亮狀態(tài)或黑暗狀態(tài)。在明亮(“接通”或“開啟”)狀態(tài)下，顯示元件將入射可見光的大部分反射到用戶。當(dāng)在黑暗(“斷開”或“關(guān)閉”)狀態(tài)下時(shí)，顯示元件將極少的入射可見光反射到用戶。依據(jù)實(shí)施例而定，可顛倒“接通”和“斷開”狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置而主要在選定的色彩處反射，從而允許除了黑白顯示以外的彩色顯示。圖1是描述視覺顯示器的一系列像素中的兩個(gè)相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包括MEMS干涉式調(diào)制器。在一些實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器顯示器包括這些干涉式調(diào)制器的一行/列陣列。每一干涉式調(diào)制器包含一對反射層，其定位成彼此相距可變且可控制的距離以形成具有至少一個(gè)可變尺寸的諧振光學(xué)腔。在一個(gè)實(shí)施例中，可在兩個(gè)位置之間移動(dòng)所述反射層之一。在第一位置(本文中稱為松弛位置)中，可移動(dòng)反射層定位成距固定部分反射層相對較大的距離。在第二位置(本文中稱為激活位置)中，可移動(dòng)反射層定位成更緊密鄰近所述部分反射層。視可移動(dòng)反射層的位置而定，從所述兩個(gè)層反射的入射光建設(shè)性地或破壞性地進(jìn)行干涉，從而為每一像素產(chǎn)生全反射狀態(tài)或非反射狀態(tài)。圖1中像素陣列的所描繪部分包含兩個(gè)相鄰干涉式調(diào)制器12a和12b。在左側(cè)干涉式調(diào)制器12a中，說明可移動(dòng)反射層14a處于距包含部分反射層的光學(xué)堆疊16a預(yù)定距離處的松弛位置中。在右側(cè)干涉式調(diào)制器12b中，說明可移動(dòng)反射層14b處于鄰近于光學(xué)堆疊16b的激活位置中。如本文所引用的光學(xué)堆疊16a和16b(統(tǒng)稱為光學(xué)堆疊16)通常包括若干熔合層(fusedlayer)，所述熔合層可包含例如氧化銦錫(ITO)的電極層、例如鉻的部分反射層和透明電介質(zhì)。因此，光學(xué)堆疊16是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，且可通過(例如)將上述層的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制造。在一些實(shí)施例中，所述層經(jīng)圖案化成為多個(gè)平行帶，且如下文中進(jìn)一步描述，可在顯示裝置中形成行電極?？梢苿?dòng)反射層14a、14b可形成為沉積金屬層(一層或多層)的一系列平行帶(與行電極16a、16b垂直)，所述金屬層沉積在柱18和沉積于柱18之間的介入犧牲材料的頂部上。當(dāng)蝕刻去除犧牲材料時(shí)，可移動(dòng)反射層14a、14b通過所界定的間隙19而與光學(xué)堆疊16a、16b分離。例如鋁的高度導(dǎo)電且反射的材料可用于反射層14，且這些帶可在顯示裝置中形成列電極。在不施加電壓的情況下，腔19保留在可移動(dòng)反射層14a與光學(xué)堆疊16a之間，其中可移動(dòng)反射層14a處于機(jī)械松弛狀態(tài)，如圖1中像素12a所說明。然而，當(dāng)將電位差施加到選定的行和列時(shí)，形成在相應(yīng)像素處的行電極與列電極的交叉處的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果電壓足夠高，那么可移動(dòng)反射層14變形且被迫抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的介電層(在此圖中未圖示)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側(cè)的像素12b所說明。不管所施加的電位差的極性如何，表現(xiàn)均相同。以此方式，可控制反射像素狀態(tài)對非反射像素狀態(tài)的行/列激活在許多方面類似于常規(guī)LCD和其它顯示技術(shù)中所使用的行/列激活。圖2到圖5B說明在顯示器應(yīng)用中使用干涉式調(diào)制器陣列的一個(gè)示范性工藝和系統(tǒng)。圖2是說明可并入有本發(fā)明各方面的電子裝置的一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)方框圖。在所述示范性實(shí)施例中，所述電子裝置包含處理器21，其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器(例如ARM、Pentium、PentiumII、PentiumIIIu、PentiumIV、PentiumPro、8051、MIPS、PowerpC、ALPHA)，或任何專用微處理器(例如數(shù)字信號處理器、微控制器)，或可編程門陣列。如此項(xiàng)技術(shù)中常規(guī)的做法，處理器21可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件模塊。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)外，所述處理器可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件應(yīng)用程序，包含網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。在一個(gè)實(shí)施例中，處理器21還經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動(dòng)器22連通。在一個(gè)實(shí)施例中，所述陣列驅(qū)動(dòng)器22包含將信號提供到面板或顯示器陣列(顯示器)30的行驅(qū)動(dòng)器電路24和列驅(qū)動(dòng)器電路26。在圖2中以線1-1展示圖1中說明的陣列的橫截面。對于MEMS干涉式調(diào)制器來說，行/列激活協(xié)議可利用圖3中說明的這些裝置的滯后性質(zhì)?？赡苄枰?例如)10伏的電位差來促使可移動(dòng)層從松弛狀態(tài)變形為激活狀態(tài)。然而，當(dāng)電壓從所述值減小時(shí)，可移動(dòng)層在電壓降回10伏以下時(shí)維持其狀態(tài)。在圖3的示范性實(shí)施例中，可移動(dòng)層直到電壓降到2伏以下時(shí)才完全松弛。因此在圖3中說明的實(shí)例中存在約3到7V的電壓范圍，在所述范圍中存在所施加電壓的窗口，在所述窗口內(nèi)裝置在松弛狀態(tài)或激活狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。此窗口在本文中稱為“滯后窗口”或“穩(wěn)定窗口”。對于具有圖3的滯后特性的顯示器陣列來說，可設(shè)計(jì)行/列激活協(xié)議使得在行選通期間，已選通行中待激活的像素暴露于約10伏的電壓差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在選通之后，所述像素暴露于約5伏的穩(wěn)態(tài)電壓差使得其維持在行選通使其所處的任何狀態(tài)中。在此實(shí)例中，每一像素在被寫入之后經(jīng)歷3-7伏的“穩(wěn)定窗口”內(nèi)的電位差。此特征使圖1中說明的像素設(shè)計(jì)在相同的施加電壓條件下在激活或松弛預(yù)存在狀態(tài)下均是穩(wěn)定的。因?yàn)楦缮媸秸{(diào)制器的每一像素(不論處于激活還是松弛狀態(tài))本質(zhì)上是由固定反射層和移動(dòng)反射層形成的電容器，所以可在滯后窗口內(nèi)的一電壓下維持此穩(wěn)定狀態(tài)而幾乎無功率消耗。本質(zhì)上，如果所施加的電壓是固定的，那么沒有電流流入像素中。在典型應(yīng)用中，可通過根據(jù)第一行中所需組的激活像素確認(rèn)所述組列電極來產(chǎn)生顯示幀。接著將行脈沖施加到行1電極，從而對應(yīng)于所確認(rèn)的列線而激活像素。接著改變所述組已確認(rèn)列電極以對應(yīng)于第二行中所需組的激活像素。接著將脈沖施加到行2電極，從而根據(jù)已確認(rèn)的列電極而激活行2中的適當(dāng)像素。行1像素不受行2脈沖影響，且維持在其在行1脈沖期間被設(shè)定的狀態(tài)中?？梢赃B續(xù)方式對整個(gè)系列的行重復(fù)此過程以產(chǎn)生幀。通常，通過以每秒某一所需數(shù)目的幀的速度連續(xù)地重復(fù)此過程來用新的顯示數(shù)據(jù)刷新且/或更新所述幀。用于驅(qū)動(dòng)像素陣列的行和列電極以產(chǎn)生顯示幀的廣泛種類的協(xié)議也是眾所周知的且可結(jié)合本發(fā)明使用。圖4、5A和5B說明用于在圖2的3×3陣列上形成顯示幀的一個(gè)可能的激活協(xié)議。圖4說明可用于使像素展示出圖3的滯后曲線的一組可能的列和行電壓電平。在圖4實(shí)施例中，激活像素涉及將適當(dāng)列設(shè)定為-Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為+ΔV，其分別可對應(yīng)于-5伏和+5伏。松弛像素是通過將適當(dāng)列設(shè)定為+Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為相同的+ΔV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實(shí)現(xiàn)的。在行電壓維持在零伏的那些行中，不管列處于+Vbias還是-Vbias，像素在任何其最初所處的狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。同樣如圖4中所說明，將了解，可使用具有與上述電壓的極性相反的極性的電壓，例如，激活像素可涉及將適當(dāng)列設(shè)定為+Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為-ΔV。在此實(shí)施例中，釋放像素是通過將適當(dāng)列設(shè)定為-Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為相同的-ΔV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實(shí)現(xiàn)的。圖5B是展示施加到圖2的3×3陣列的一系列行和列信號的時(shí)序圖，所述系列的行和列信號將產(chǎn)生圖5A中說明的顯示器布置，其中被激活像素為非反射的。在對圖5A中說明的幀進(jìn)行寫入之前，像素可處于任何狀態(tài)，且在本實(shí)例中所有行均處于0伏，且所有列均處于+5伏。在這些所施加的電壓的情況下，所有像素在其既有的激活或松弛狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。在圖5A的幀中，像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)和(3，3)被激活。為了實(shí)現(xiàn)此目的，在行1的“線時(shí)間(linetime)”期間，將列1和2設(shè)定為-5伏，且將列3設(shè)定為+5伏。因?yàn)樗邢袼鼐Ａ粼?-7伏的穩(wěn)定窗口中，所以這并不改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)。接著用從0升到5伏且返回零的脈沖選通行1。這激活了(1，1)和(1，2)像素且松弛了(1，3)像素。陣列中其它像素均不受影響。為了視需要設(shè)定行2，將列2設(shè)定為-5伏，且將列1和3設(shè)定為+5伏。施加到行2的相同選通接著將激活像素(2，2)且松弛像素(2，1)和(2，3)。同樣，陣列中其它像素均不受影響。通過將列2和3設(shè)定為-5伏且將列1設(shè)定為+5伏來類似地設(shè)定行3。行3選通設(shè)定行3像素，如圖5A中所示。在對幀進(jìn)行寫入之后，行電位為零，且列電位可維持在+5或-5伏，且接著顯示器在圖5A的布置中是穩(wěn)定的。將了解，可將相同程序用于數(shù)十或數(shù)百個(gè)行和列的陣列。還將應(yīng)了解，用于執(zhí)行行和列激活的電壓的時(shí)序、序列和電平可在上文所概述的一般原理內(nèi)廣泛變化，且上文的實(shí)例僅為示范性的，且任何激活電壓方法均可與本文描述的系統(tǒng)和方法一起使用。圖6A和6B是說明顯示裝置40的實(shí)施例的系統(tǒng)方框圖。顯示裝置40可為(例如)蜂窩式電話或移動(dòng)電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其稍微變化形式也說明例如電視和便攜式媒體播放器的各種類型的顯示裝置。顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚(yáng)聲器45、輸入裝置48和麥克風(fēng)46。外殼41通常由所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知的多種制造工藝的任一者形成，所述工藝包含注射模制和真空成形。另外，外殼41可由多種材料的任一者制成，所述材料包含(但不限于)塑料、金屬、玻璃、橡膠和陶瓷，或其組合。在一個(gè)實(shí)施例中，外殼41包含可去除部分(未圖示)，所述可去除部分可與其它具有不同色彩或含有不同標(biāo)記、圖畫或符號的可去除部分互換。如本文中所描述，示范性顯示裝置40的顯示器30可為包含雙穩(wěn)態(tài)顯示器(bi-stabledisplay)在內(nèi)的多種顯示器的任一者。在其它實(shí)施例中，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知，顯示器30包含例如如上所述的等離子、EL、OLED、STNLCD或TFTLCD的平板顯示器，或例如CRT或其它電子管裝置的非平板顯示器。然而，出于描述本實(shí)施例的目的，如本文中所描述，顯示器30包含干涉式調(diào)制器裝置。圖6B中示意說明示范性顯示裝置40的一個(gè)實(shí)施例的組件。所說明的示范性顯示裝置40包含外殼41且可包含至少部分封閉在所述外殼41中的額外組件。舉例來說，在一個(gè)實(shí)施例中，示范性顯示裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口27，所述網(wǎng)絡(luò)接口27包含耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(例如，對信號進(jìn)行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚(yáng)聲器45和麥克風(fēng)46。處理器21也連接到輸入裝置48和驅(qū)動(dòng)器控制器29。驅(qū)動(dòng)器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動(dòng)器22，所述陣列驅(qū)動(dòng)器22進(jìn)而耦合到顯示器陣列30。根據(jù)特定示范性顯示裝置40設(shè)計(jì)的要求，電源50將功率提供到所有組件。網(wǎng)絡(luò)接口27包含天線43和收發(fā)器47使得示范性顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一個(gè)或一個(gè)以上裝置通信。在一個(gè)實(shí)施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27也可具有某些處理能力以減輕對處理器21的要求。天線43是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的用于傳輸和接收信號的任何天線。在一個(gè)實(shí)施例中，所述天線根據(jù)IEEE802.11標(biāo)準(zhǔn)(包含IEEE802.11(a)、(b)或(g))來傳輸和接收RF信號。在另一實(shí)施例中，所述天線根據(jù)BLUETOOTH標(biāo)準(zhǔn)來傳輸和接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，所述天線經(jīng)設(shè)計(jì)以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在無線小區(qū)電話網(wǎng)絡(luò)內(nèi)通信的已知信號。收發(fā)器47預(yù)處理從天線43接收到的信號，使得處理器21可接收所述信號并進(jìn)一步對所述信號進(jìn)行處理。收發(fā)器47還處理從處理器21接收到的信號使得可經(jīng)由天線43從示范性顯示裝置40傳輸所述信號。在一替代實(shí)施例中，收發(fā)器47可由接收器代替。在又一替代實(shí)施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27可由可存儲(chǔ)或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源代替。舉例來說，所述圖像源可為數(shù)字視頻光盤(DVD)或含有圖像數(shù)據(jù)的硬盤驅(qū)動(dòng)器，或產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的軟件模塊。處理器21大體上控制示范性顯示裝置40的全部操作。處理器21接收例如來自網(wǎng)絡(luò)接口27或圖像源的壓縮圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21接著將已處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動(dòng)器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲(chǔ)。原始數(shù)據(jù)通常是指識別圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，這些圖像特性可包含色彩、飽和度和灰度級。在一個(gè)實(shí)施例中，處理器21包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制示范性顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52通常包含放大器和濾波器，以用于將信號傳輸?shù)綋P(yáng)聲器45，且用于從麥克風(fēng)46接收信號。調(diào)節(jié)硬件52可為示范性顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入在處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動(dòng)器控制器29直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，并適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以供高速傳輸?shù)疥嚵序?qū)動(dòng)器22。具體來說，驅(qū)動(dòng)器控制器29將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有類似光柵的格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適于在顯示器陣列30上進(jìn)行掃描的時(shí)間次序。接著，驅(qū)動(dòng)器控制器29將已格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動(dòng)器22。盡管驅(qū)動(dòng)器控制器29(例如LCD控制器)通常與系統(tǒng)處理器21關(guān)聯(lián)而作為獨(dú)立的集成電路(IC)，但可以許多方式實(shí)施這些控制器。其可作為硬件嵌入處理器21中，作為軟件嵌入處理器21中，或與陣列驅(qū)動(dòng)器22完全集成在硬件中。通常，陣列驅(qū)動(dòng)器22從驅(qū)動(dòng)器控制器29接收已格式化的信息且將視頻數(shù)據(jù)重新格式化為一組平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到來自顯示器的x-y像素矩陣的數(shù)百且有時(shí)數(shù)千個(gè)引線。在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器控制器29、陣列驅(qū)動(dòng)器22和顯示器陣列30適用于本文描述的任意類型的顯示器。舉例來說，在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器控制器29是常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，干涉式調(diào)制器控制器)。在另一實(shí)施例中，陣列驅(qū)動(dòng)器22是常規(guī)驅(qū)動(dòng)器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動(dòng)器(例如，干涉式調(diào)制器顯示器)。在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器控制器29與陣列驅(qū)動(dòng)器22集成。此實(shí)施例在例如蜂窩式電話、手表和其它小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)中是普遍的。在又一實(shí)施例中，顯示器陣列30是典型的顯示器陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如，包含干涉式調(diào)制器陣列的顯示器)。輸入裝置48允許用戶控制示范性顯示裝置40的操作。在一個(gè)實(shí)施例中，輸入裝置48包含例如QWERTY鍵盤或電話鍵區(qū)的鍵區(qū)、按鈕、開關(guān)、觸敏屏幕、壓敏或熱敏薄膜。在一個(gè)實(shí)施例中，麥克風(fēng)46是用于示范性顯示裝置40的輸入裝置。當(dāng)使用麥克風(fēng)46將數(shù)據(jù)輸入到所述裝置時(shí)，用戶可提供聲音命令以便控制示范性顯示裝置40的操作。電源50可包含此項(xiàng)技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲(chǔ)裝置。舉例來說，在一個(gè)實(shí)施例中，電源50是例如鎳鎘電池或鋰離子電池的可再充電電池。在另一實(shí)施例中，電源50是可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電池和太陽能電池涂料。在另一實(shí)施例中，電源50經(jīng)配置以從壁式插座接收功率。在某些實(shí)施方案中，如上文中所描述，控制可編程性駐存在驅(qū)動(dòng)器控制器中，其可位于電子顯示器系統(tǒng)中的若干位置中。在某些情況下，控制可編程性駐存在陣列驅(qū)動(dòng)器22中。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，上述最優(yōu)化可實(shí)施在任何數(shù)目的硬件和/或軟件組件中且可以各種配置實(shí)施。根據(jù)上文陳述的原理而操作的干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛變化。舉例來說，圖7A-7E說明可移動(dòng)反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的五個(gè)不同實(shí)施例。圖7A是圖1的實(shí)施例的橫截面，其中金屬材料帶14沉積在垂直延伸的支撐件18上。在圖7B中，可移動(dòng)反射層14在系鏈(tether)32上僅在隅角處附接到支撐件。在圖7C中，可移動(dòng)反射層14從可包括柔性金屬的可變形層34懸垂下來。所述可變形層34直接或間接地連接到圍繞可變形層34的周邊的襯底20。這些連接在本文中稱為支柱。圖7D中說明的實(shí)施例具有支柱插塞42，可變形層34擱在所述支柱插塞42上。如圖7A-7C所示，可移動(dòng)反射層14保持懸浮在腔上方，但可變形層34并不通過填充可變形層34與光學(xué)堆疊16之間的孔而形成所述支柱。確切地說，支柱由用于形成支柱插塞42的平坦化材料形成。圖7E中說明的實(shí)施例是基于圖7D中展示的實(shí)施例，但也可適于與圖7A-7C中說明的實(shí)施例以及未圖示的額外實(shí)施例的任一者一起發(fā)揮作用。在圖7E中所示的實(shí)施例中，已使用金屬或其它導(dǎo)電材料的額外層來形成總線結(jié)構(gòu)44。這允許信號沿著干涉式調(diào)制器的背面進(jìn)行路由，從而消除許多原本可能必須形成在襯底20上的電極。在例如圖7中所示的那些實(shí)施例的實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器充當(dāng)直接觀看裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)觀看圖像，所述側(cè)與上面布置有調(diào)制器的一側(cè)相對。在這些實(shí)施例中，反射層14在反射層的與襯底20相對的所述側(cè)以光學(xué)方式遮蔽干涉式調(diào)制器的一些部分，其包含可變形層34和總線結(jié)構(gòu)44。這允許對遮蔽區(qū)域進(jìn)行配置和操作而不會(huì)消極地影響圖像質(zhì)量。這種可分離的調(diào)制器結(jié)構(gòu)允許選擇用于調(diào)制器的機(jī)電方面和光學(xué)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料且使其彼此獨(dú)立而發(fā)揮作用。此外，圖7C-7E中所示的實(shí)施例具有源自反射層14的光學(xué)性質(zhì)與其機(jī)械性質(zhì)脫離的額外益處，所述益處由可變形層34執(zhí)行。這允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料在光學(xué)性質(zhì)方面得以最優(yōu)化，且用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料在期望的機(jī)械性質(zhì)方面得以最優(yōu)化。過程控制監(jiān)視器許多MEMS制造過程由一系列材料沉積和圖案化步驟組成。可將各種材料連續(xù)沉積在襯底上以形成層。在沉積步驟之間進(jìn)行材料蝕刻的圖案化可用于在結(jié)構(gòu)上裁剪所沉積的材料以實(shí)現(xiàn)所需的MEMS結(jié)構(gòu)。MEMS制造的多層方法和所產(chǎn)生的小比例結(jié)構(gòu)在嘗試評估制造過程是否已生產(chǎn)出具有所需性質(zhì)的材料結(jié)構(gòu)和層方面存在問題。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，提供可用于評估各種制造過程的結(jié)果的過程控制監(jiān)視器。在某些實(shí)施例中，使用用于制造MEMS裝置的相同制造步驟中的至少某些步驟來生產(chǎn)過程控制監(jiān)視器。這些過程控制監(jiān)視器的評估接著可用于確定在那些制造步驟期間形成的各種材料和結(jié)構(gòu)的性質(zhì)。在某些實(shí)施例中，使用在制造期間使用的同一組材料沉積和圖案化步驟來生產(chǎn)過程控制監(jiān)視器。可通過將不同的圖案施加于過程控制監(jiān)視器而不是施加于MEMS結(jié)構(gòu)，來在結(jié)構(gòu)上裁剪過程控制監(jiān)視器。舉例來說，通過以在蝕刻步驟期間蝕刻去除所沉積的整個(gè)層的方式來圖案化過程控制監(jiān)視器，存在于MEMS結(jié)構(gòu)中的一個(gè)材料層可完全不存在于過程控制監(jiān)視器中。類似地，在其它實(shí)施例中，通常在MEMS結(jié)構(gòu)制造期間蝕刻去除的材料層可能留在過程控制監(jiān)視器中。在某些實(shí)施例中，可通過光學(xué)構(gòu)件獲得來自過程控制監(jiān)視器的信息。舉例來說，從過程控制監(jiān)視器反射的光可能含有關(guān)于存在于過程控制監(jiān)視器中的材料的信息。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解評估過程控制監(jiān)視器的其它方法，例如激光掃描、包含光、電子和x射線顯微鏡面方法的顯微鏡面方法，和光譜方法。在一個(gè)實(shí)施例中，用光檢測器檢測反射的光，以獲得所反射光的強(qiáng)度。此信息可用于確定過程控制監(jiān)視器中的材料的反射率和透射率。這些性質(zhì)又可提供關(guān)于過程控制監(jiān)視器中材料厚度的信息。舉例來說，從固有反射性材料的反射率的量將提供其厚度的測量。在一個(gè)實(shí)施例中，使用Minolta反射計(jì)。在另一實(shí)施例中，用分光計(jì)測量從過程控制監(jiān)視器反射的光，以獲得反射光的波長相關(guān)性。此波長相關(guān)性可提供關(guān)于過程控制監(jiān)視器中材料的吸收性質(zhì)和材料的折射率的信息。此外，因?yàn)镸EMS裝置常含有極為接近的反射表面，所以反射光可經(jīng)受相長和相消干涉(例如，MEMS裝置可含有一個(gè)或一個(gè)以上標(biāo)準(zhǔn)具)。因此，反射光的波長依賴性可提供關(guān)于MEMS中反射表面的相對定位的信息。在一個(gè)實(shí)施例中，將測得的光譜配合到預(yù)測將從標(biāo)準(zhǔn)具反射的模型光譜，以便確定例如標(biāo)準(zhǔn)具的深度的性質(zhì)。在某些實(shí)施例中，使用比色計(jì)來測量從過程控制監(jiān)視器反射的光的色彩。如本文使用，“標(biāo)準(zhǔn)具”指至少部分具有反射性的兩個(gè)表面，其經(jīng)定位以使得光可穿過一個(gè)表面并在穿過同一表面反射回之前在兩個(gè)表面之間反射多次。多次反射可導(dǎo)致各種波長下的相消和相長干涉，從而允許對光波長的過濾。在一個(gè)實(shí)施例中，可使用透明襯底來支撐過程控制監(jiān)視器。此襯底使得能從與沉積側(cè)相對的側(cè)進(jìn)行光學(xué)檢測。因此，在某些情況下，可對下部沉積材料探測其原本不應(yīng)處于的位置(例如，在上部層包含高度反射性層處)。在其它實(shí)施例中，從材料沉積側(cè)以光學(xué)方式探測過程控制監(jiān)視器。在一個(gè)實(shí)施例中，參看圖8，過程控制監(jiān)視器100、102和104在形成MEMS裝置108時(shí)可同時(shí)形成于同一襯底106上。如上文討論，可使襯底106的全部經(jīng)受相同的材料沉積和圖案化步驟，然而，可施加不同的圖案以形成過程控制監(jiān)視器100、102和104。舉例來說，在圖案化步驟期間施加于過程控制監(jiān)視器100、102和104的圖案可能不同于在相應(yīng)圖案化步驟期間施加于MEMS裝置108的圖案。圖案化步驟可包含此項(xiàng)技術(shù)中任何合適的圖案化技術(shù)(例如，光刻法)。任意數(shù)目的不同的過程控制監(jiān)視器100、102和104可形成于襯底上。圖8中描繪的集成晶片110允許對在特定MEMS裝置108的制造期間應(yīng)用的過程進(jìn)行探測。因此，在電學(xué)測試MEMS裝置108或?qū)⑵浜喜⒌椒庋b裝置中之前可快速識別任何不正常的結(jié)果，從而避免了額外的花費(fèi)。在某些實(shí)施例中，也可在MEMS裝置108的制造之后探測過程控制監(jiān)視器100、102和104。在一個(gè)實(shí)施例中，MEMS裝置108由適合用于顯示器的干涉式調(diào)制器陣列組成。在某些實(shí)施例中，在制造期間標(biāo)記襯底106上的過程控制監(jiān)視器?；跇?biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器如上文說明，在某些實(shí)施例中，過程控制監(jiān)視器經(jīng)構(gòu)造以使其含有至少一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)具。接著可檢測從標(biāo)準(zhǔn)具反射的光的光譜并將所述光譜配合到標(biāo)準(zhǔn)具模型以確定過程控制監(jiān)視器的性質(zhì)，且因此確定MEMS裝置中類似結(jié)構(gòu)的性質(zhì)。在某些實(shí)施例中，過程控制監(jiān)視器是通過與MEMS裝置相同的材料沉積步驟形成的，且因此含有可在MEMS裝置中發(fā)現(xiàn)的材料層中的至少某些材料層。在某些實(shí)施例中，過程控制監(jiān)視器中發(fā)現(xiàn)的層的數(shù)目小于MEMS裝置中發(fā)現(xiàn)的數(shù)目。一組基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器的實(shí)例是含有少于干涉式調(diào)制器中發(fā)現(xiàn)的層的所有層但仍然含有標(biāo)準(zhǔn)具的結(jié)構(gòu)。圖9描繪可在干涉式調(diào)制器的制造期間沉積的材料的實(shí)例。首先，將氧化銦錫(ITO)層154沉積到透明襯底152上。作為透明導(dǎo)體的ITO154提供導(dǎo)電板，使得可在干涉式調(diào)制器中的可移動(dòng)鏡面與所述板之間施加電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，所述ITO為約500厚。接著，沉積鉻層150。在一個(gè)實(shí)施例中，鉻150相對較薄(在一個(gè)實(shí)施例中約為70)，從而允許其充當(dāng)部分反射器?；蛘?，可將鉻層150沉積到襯底152上，隨后沉積ITO層154。接著，沉積介電層156/158。所述介電層可由一種或一種以上氧化物組成。在某些實(shí)施例中，氧化物層156/158可為復(fù)合層。舉例來說，可沉積相對較厚的SiO2層156(在一個(gè)實(shí)施例中約為450)，隨后沉積較薄的Al2O3層158(在一個(gè)實(shí)施例中約為70)以保護(hù)SiO2156。在某些實(shí)施例中，可使用三個(gè)或三個(gè)以上氧化物層(例如，Al2O3-SiO2-Al2O3)。氧化物層156/158在可移動(dòng)鏡面與鉻150之間提供絕緣層。所述層的厚度決定了干涉式調(diào)制器的干涉性質(zhì)(尤其在其處于激活狀態(tài)時(shí))。在下一步驟中，沉積犧牲層160(在一個(gè)實(shí)施例中約為2000)。所述犧牲層提供填充可容易蝕刻去除的材料而不影響其它材料的空間。在一個(gè)實(shí)施例中，犧牲層160為鉬。用于犧牲層的合適材料的其它實(shí)例包含多晶硅、非晶硅或光致抗蝕劑。在制造的最后步驟中，將蝕刻去除犧牲層160以在可移動(dòng)鏡面與氧化物層156、158之間形成氣隙。對犧牲層160的圖案化和蝕刻可用于在層中形成孔和溝槽，以便形成將支撐可移動(dòng)鏡面的柱和軌道?？墒┘悠矫娌牧?62以填充孔并形成柱。最終，形成含有可移動(dòng)鏡面的機(jī)械膜片164/166。在一個(gè)實(shí)施例中，通過鋁層164(在一個(gè)實(shí)施例中為約500)隨后為鎳層(在一個(gè)實(shí)施例中為約1450)166來形成機(jī)械膜片164/166。在某些實(shí)施例中，在鎳層上添加額外的鋁層以提供對圖案化期間使用的光致抗蝕劑的更好粘附。在蝕刻去除圖9描繪的結(jié)構(gòu)中的犧牲層160之后，獲得類似于圖7A描繪的干涉式調(diào)制器。在某些實(shí)施例中，在添加其它層之前可將暗掩模層添加到透明襯底152?？蓤D案化所述暗掩模層以減少從結(jié)構(gòu)的部分(例如，柱或軌道)的反射。在某些實(shí)施例中，暗掩模層包含MoCr層和氧化物層。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，可使用除本文提到的那些步驟之外的圖案化和蝕刻步驟來形成干涉式調(diào)制器。此外，將了解，干涉式調(diào)制器的其它結(jié)構(gòu)是可能的，例如圖7B-7E描繪的實(shí)例。圖10A-10D描繪含有上文討論的某些材料層的基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器的實(shí)例。圖10A描繪的過程控制監(jiān)視器含有沉積到襯底152上的沉積在彼此上方的ITO154層、鉻150層、氧化物156/158層和機(jī)械膜片164/166層。部分反射鉻層150和反射性機(jī)械膜片164/166形成標(biāo)準(zhǔn)具，其反射率可從襯底152的底側(cè)測量。分析從此標(biāo)準(zhǔn)具反射的光的光譜或其色彩可提供氧化物156/158層的組合厚度及其折射率以及鉻150層的厚度和反射率的指示。將了解，此配置接近于當(dāng)干涉式調(diào)制器處于激活狀態(tài)(即，鏡面塌向氧化物層)時(shí)獲得的配置。因此，評估這些過程控制監(jiān)視器將提供通過所使用由所述過程生產(chǎn)的干涉式調(diào)制器是否將具有所需的激活的光譜特性的指示。圖10B描繪的過程控制監(jiān)視器由ITO154、鉻150、氧化物156/158和犧牲層160組成。如上文提到，犧牲層160可為鉬，其本質(zhì)上具有反射性。因此，由部分反射性鉻層150和反射性犧牲層160形成標(biāo)準(zhǔn)具。除了提供上文討論的關(guān)于氧化物156/158層和激活的干涉式調(diào)制器狀態(tài)的相同參數(shù)之外，來自此過程控制監(jiān)視器的反射率可提供關(guān)于犧牲層160的信息。舉例來說，來自犧牲層160的反射率將取決于犧牲層160的厚度。在某些實(shí)施例中，通過蝕刻去除犧牲層160，并分析剩余的ITO154層、鉻150層和氧化物156/158層以確定犧牲層160是否已與剩余的層中的任一層相互作用。圖10C描繪的過程控制監(jiān)視器含有ITO154層、鉻150層、氧化物156/158層、平面162層和機(jī)械膜片164/166層。由鉻150層和機(jī)械膜片164/166層形成標(biāo)準(zhǔn)具。分析反射光的光譜并將其與針對圖10A中的過程控制監(jiān)視器獲得的結(jié)果進(jìn)行比較，可提供平面材料的折射率及其厚度。此外，來自此過程控制監(jiān)視器的光學(xué)響應(yīng)將接近于由干涉式調(diào)制器陣列中具有柱或軌道的區(qū)域引起的光學(xué)響應(yīng)。圖10D描繪的過程控制監(jiān)視器含有ITO154層、鉻150層、平面162層和機(jī)械膜片164/166層。由鉻150層和機(jī)械膜片164/166層形成標(biāo)準(zhǔn)具。分析反射光的光譜可提供平面材料162的折射率以及平面162材料的厚度。與圖10D的過程控制監(jiān)視器比較可提供關(guān)于氧化物層156/158的信息(例如，折射率和厚度)。當(dāng)通過與用于制造干涉式調(diào)制器的沉積和圖案化步驟相同的沉積和圖案化步驟形成上文所述的基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器時(shí)，例如當(dāng)其形成于同一襯底106上作為干涉式調(diào)制器陣列108(見圖8)時(shí)，接著可施加適當(dāng)?shù)膱D案化，使得將過程控制監(jiān)視器中不需要的層蝕刻去除。舉例來說，在圖10A描繪的過程控制監(jiān)視器中，可蝕刻去除在制造期間沉積的犧牲層160和平面162材料。在某些實(shí)施例中，可能需要保護(hù)過程控制監(jiān)視器的區(qū)域以防止處理期間將層蝕刻去除。舉例來說，可圖案化所沉積的平面材料或來自機(jī)械膜片164/166的材料，使得其保留在過程控制監(jiān)視器的邊緣上，以在需要獲得含有犧牲層160的過程控制監(jiān)視器時(shí)在釋放蝕刻期間保護(hù)犧牲層160。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，在光學(xué)性質(zhì)(例如，干涉性質(zhì))可提供關(guān)于在MEMS裝置制造期間形成的相應(yīng)材料的信息的過程控制監(jiān)視器中沉積的層的許多其它組合。非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器在某些實(shí)施例中，構(gòu)造不含形成標(biāo)準(zhǔn)具的兩個(gè)反射性表面的過程控制監(jiān)視器。在這些過程控制監(jiān)視器中，可通過反射率和/或透射率測量來獲得關(guān)于監(jiān)視器中材料的信息。這些反射率和/或透射率值可與膜厚度相關(guān)。在某些實(shí)施例中，過程控制監(jiān)視器是通過與MEMS裝置相同的材料沉積步驟形成的，且因此含有可在MEMS裝置中發(fā)現(xiàn)的材料層中的至少某些材料層。在某些實(shí)施例中，在過程控制監(jiān)視器中發(fā)現(xiàn)的層的數(shù)目少于在MEMS裝置中發(fā)現(xiàn)的數(shù)目。這些結(jié)構(gòu)的反射率和/或透射率特性可幫助識別在處理過程控制監(jiān)視器結(jié)構(gòu)中所包含的元件期間發(fā)生的任何錯(cuò)誤?？墒褂萌魏魏线m的檢測器(例如，反射計(jì)、光檢測器、分光計(jì)或比色計(jì))來評估這些過程控制監(jiān)視器結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，使用球面積分器和反射計(jì)來測量膜的反射率。這些過程控制監(jiān)視器結(jié)構(gòu)使得能夠監(jiān)視MEMS結(jié)構(gòu)中個(gè)別元件的處理以確定任何錯(cuò)誤并最優(yōu)化制造過程。圖11A-11G描繪非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器的一組實(shí)例，所述非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器含有少于例如圖9描繪的干涉式調(diào)制器制造期間沉積的全部材料層。圖11A的過程控制監(jiān)視器由沉積在襯底152上的ITO層154和鉻層150組成。此過程控制監(jiān)視器的反射率提供鉻層150的厚度和ITO層154的透明度的指示。為使鉻層150充當(dāng)干涉式調(diào)制器中的部分反射鏡面，構(gòu)成部分反射器的膜可非常薄。舉例來說，所述膜可具有約70的厚度。此薄膜的厚度難以測量和驗(yàn)證。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，通過測量圖11A中的過程控制監(jiān)視器中層的反射率來確定鉻層150的厚度。當(dāng)膜的厚度增加時(shí)，反射率將增加。因此，通過用針對給定材料測得的反射率來校準(zhǔn)膜厚度，可容易地從測得的反射率中確定厚度。圖11A的過程控制監(jiān)視器的光學(xué)性質(zhì)也接近在干涉式調(diào)制器陣列中已去除機(jī)械膜片和氧化物層的列之間觀察到的光學(xué)性質(zhì)。因此，這些過程控制監(jiān)視器可用于確定列間性質(zhì)對于將陣列用作顯示器來說是否可接受。在另一實(shí)施例中，襯底152上僅含有鉻層150的過程控制監(jiān)視器可用于確定鉻層150的反射率，且因此確定鉻層150的厚度?？蓪⒋诉^程控制監(jiān)視器的測量值與針對圖11A描繪的過程控制監(jiān)視器獲得的那些測量值進(jìn)行比較以確定ITO層154的光學(xué)性質(zhì)。舉例來說，從ITO層154表面的反射率可成比例于兩個(gè)過程控制監(jiān)視器的反射率的比率。在某些實(shí)施例中，如果干涉式調(diào)制器的處理?xiàng)l件不能用于產(chǎn)生僅有鉻的層，那么可在與用于制造干涉式調(diào)制器的晶片分離的晶片上制造僅有鉻的過程控制監(jiān)視器。圖11B描繪非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例，其由ITO層154、鉻層150和氧化物層156/158組成。此結(jié)構(gòu)可用于測量ITO-鉻-氧化物組合的光學(xué)特性。舉例來說，測量通過過程控制監(jiān)視器的透射率提供由ITO層154、鉻層150和氧化物層156/158導(dǎo)致的組合衰減的指示。此過程控制監(jiān)視器結(jié)構(gòu)的測量值與圖11A中過程控制監(jiān)視器的測量值的比較可用于隔離氧化物層156/158的光學(xué)特性。除了提供關(guān)于氧化物層156/158的光學(xué)特性的信息以外，所述比較也可用于確定氧化物層156/158的厚度(例如，較低的透射率將指示較厚的氧化物層156/158)。圖11B中的過程控制監(jiān)視器的光學(xué)性質(zhì)也接近在干涉式調(diào)制器陣列中機(jī)械膜片中蝕刻釋放孔的區(qū)域中觀察到的那些光學(xué)性質(zhì)。圖11C描繪由機(jī)械膜片層164/166組成的過程控制監(jiān)視器結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例。此過程控制監(jiān)視器可用于隔離和測量機(jī)械膜片層164/166的反射性質(zhì)。圖11D描繪僅由沉積在襯底152上的犧牲層160組成的過程控制監(jiān)視器的又一實(shí)施例。此過程控制監(jiān)視器可用于測量單獨(dú)的犧牲層160的特性，包括其厚度?？稍谌魏吾尫盼g刻之前分析此過程控制監(jiān)視器?；蛘呖稍跔奚鼘?60上沉積保護(hù)性材料層以在釋放蝕刻期間保護(hù)犧牲層160。圖11E描繪具有氧化物層156/158、平面材料162和機(jī)械膜片層164/166的過程控制監(jiān)視器的另一實(shí)施例。此過程控制監(jiān)視器的反射率接近在干涉式調(diào)制器陣列中在ITO154層和鉻158層中已形成切口的行之間觀察到的反射率。圖11F描繪具有ITO層154、鉻層150和機(jī)械膜片164/166的過程控制監(jiān)視器的實(shí)施例。因?yàn)殂t層150和機(jī)械膜片層164/166將共同用作反射器，所以此過程控制監(jiān)視器的反射率可提供關(guān)于ITO層154的透明度、厚度和折射率的信息。此外，可將此過程控制監(jiān)視器的反射率與圖11A的反射率進(jìn)行比較以隔離鉻層150的光學(xué)性質(zhì)。換句話說，測試此過程監(jiān)視器的結(jié)果可用于減去圖11A的過程控制監(jiān)視器中的ITO層154的光學(xué)影響。圖11G描繪包括氧化物層156/158和機(jī)械膜片層164/166的過程控制監(jiān)視器的又一實(shí)施例。因?yàn)闄C(jī)械膜片層164/166用作強(qiáng)反射器，所以此過程控制監(jiān)視器可用于確定氧化物層156/158的透明度、厚度和折射率。關(guān)于基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器，可通過與用于制造干涉式調(diào)制器的沉積和圖案化步驟相同的沉積和圖案化步驟來形成上文描述的非基于標(biāo)準(zhǔn)具的過程控制監(jiān)視器。可施加適當(dāng)?shù)膱D案化，使得蝕刻去除過程控制監(jiān)視器中不需要的層。另外，可針對蝕刻施加適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，在光學(xué)性質(zhì)(例如，反射率和/或透射率)可提供關(guān)于在MEMS裝置制造期間形成的相應(yīng)材料的信息的過程控制監(jiān)視器中沉積的層的許多其它組合。釋放蝕刻過程控制監(jiān)視器可使用釋放蝕刻或空間過程控制監(jiān)視器來監(jiān)視MEMS制造期間的釋放蝕刻過程的速率和程度。圖12描繪含有干涉式調(diào)制器陣列202和一系列過程控制監(jiān)視器204、206和208的晶片200。干涉式調(diào)制器陣列202含有許多柱210和軌道212以支撐機(jī)械膜片。一系列蝕刻孔214形成在機(jī)械膜片中，使得在釋放蝕刻期間蝕刻劑可到達(dá)犧牲層。為使制造成功，應(yīng)從陣列區(qū)域完全去除犧牲層。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，提供過程控制監(jiān)視器以監(jiān)視釋放蝕刻的速率和程度。在過程控制監(jiān)視器206中描繪一個(gè)此種過程控制監(jiān)視器。此過程控制監(jiān)視器206由與存在于陣列202中的干涉式調(diào)制器結(jié)構(gòu)相同的干涉式調(diào)制器結(jié)構(gòu)組成，然而，僅將單個(gè)孔216圖案化到機(jī)械膜片中?？?16與過程控制監(jiān)視器206的邊緣之間的距離大于干涉式調(diào)制器陣列202中的孔214之間的距離。因?yàn)檫^程控制監(jiān)視器206僅含有單個(gè)孔216而不是多個(gè)孔214，所以在釋放蝕刻劑去除陣列202中整個(gè)犧牲層所花費(fèi)的時(shí)間量中不能從過程控制監(jiān)視器206去除所有的犧牲層。當(dāng)過程控制監(jiān)視器206中的蝕刻進(jìn)行時(shí)，從襯底的與處理側(cè)相對的側(cè)觀察，過程控制監(jiān)視器中已去除犧牲層的區(qū)域?qū)⑴c蝕刻劑尚未到達(dá)的區(qū)域在色彩上形成對比。在使用反射性犧牲層(例如，鉬)的情況下，此對比是由于所形成的不同標(biāo)準(zhǔn)具所致。在犧牲層仍存在的地方，在鉻層與反射性犧牲層之間將形成標(biāo)準(zhǔn)具。在已去除犧牲層的地方，在鉻層與反射性機(jī)械膜片之間將形成標(biāo)準(zhǔn)具。因此，在已去除犧牲層的地方觀察到的色彩將接近未激活干涉式調(diào)制器的色彩(例如，明亮狀態(tài))，而在保留犧牲層的地方觀察到的色彩將接近激活的干涉式調(diào)制器的色彩(例如，黑暗狀態(tài))。從孔216的中心到色彩改變的邊界的距離(例如，半徑)將提供蝕刻程度的量度。此過程控制監(jiān)視器可用于測量在過程本身(即，原位)期間或其完成之后的蝕刻速率和程度。過程控制監(jiān)視器208描繪類似的蝕刻釋放過程控制監(jiān)視器。在此過程控制監(jiān)視器中，多個(gè)孔218形成于機(jī)械膜片中，然而，每一孔218之間的距離大于干涉式調(diào)制器陣列202中的孔214之間的距離。因此，在已從干涉式調(diào)制器陣列202去除整個(gè)犧牲層之后過程控制監(jiān)視器208將尚未完成?？蓮倪^程控制監(jiān)視器208中每一孔218的中心測量指示蝕刻程度的距離。上文描述的蝕刻釋放過程控制監(jiān)視器可采取任何合適的形狀。舉例來說，替代類似于在干涉式調(diào)制器陣列中發(fā)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，過程控制監(jiān)視器可由帶形狀250組成，其中在機(jī)械膜片中有一個(gè)或一個(gè)以上孔252，如圖13A描繪。接著可通過確定從孔252沿著帶250到達(dá)蝕刻已延伸到的地方的直線距離來測量蝕刻的程度。在另一實(shí)施例中，如圖13B描繪，替代具有圓形形狀的孔，具有矩形槽254形狀的孔形成在帶250中。在某些實(shí)施例中，提供具有變化的寬度(例如，3μm、4μm、5μm)的多個(gè)槽254。在某些實(shí)施例中，可在過程控制監(jiān)視器的邊緣周圍圖案化平面化或其它保護(hù)性材料，以提供密封來防止釋放蝕刻劑從邊緣到達(dá)犧牲層。因此，將僅通過進(jìn)入蝕刻釋放孔的蝕刻劑來去除犧牲層。在某些實(shí)施例中，蝕刻釋放過程控制監(jiān)視器中的機(jī)械膜片可電學(xué)短接到ITO/鉻層?？墒褂蒙衔拿枋龅倪^程控制監(jiān)視器通過視覺上觀察過程控制監(jiān)視器或通過電子成像過程控制監(jiān)視器(例如通過使用CCD相機(jī))并接著以計(jì)算方式分析圖像，來測量蝕刻的程度，以使得測量自動(dòng)化。在某些實(shí)施例中，過程控制監(jiān)視器中的柱可用作用于確定蝕刻程度的游標(biāo)。舉例來說，柱可在過程控制監(jiān)視器中形成為彼此具有已知的距離。沿著從孔中心的直線的柱的數(shù)目接著可用于近似計(jì)算距離。在某些實(shí)施例中，比干涉式調(diào)制器中形成的柱更高密度的柱可用于提供更精確的測量值。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解可用于測量蝕刻程度的許多其它形狀和結(jié)構(gòu)。干涉式調(diào)制器過程控制監(jiān)視器在一個(gè)實(shí)施例中，通過使用由具有增強(qiáng)穩(wěn)定性的干涉式調(diào)制器組成的過程控制監(jiān)視器可確定干涉式調(diào)制器的干涉性質(zhì)(例如，反射光的光譜)?？蓸?gòu)造此過程控制監(jiān)視器，使得機(jī)械膜片難以移動(dòng)，且因此在位置上固定，從而形成靜止的標(biāo)準(zhǔn)具。在一個(gè)實(shí)施例中，可通過使用實(shí)質(zhì)上透明的介電層(例如，氧化物層)代替犧牲層，來形成此過程控制監(jiān)視器。反射性機(jī)械膜片因此將抵靠介電層且處于固定的位置?？捎欣嘏c顯示器干涉式調(diào)制器陣列分離地制造此過程控制監(jiān)視器，使得可沉積比典型干涉式調(diào)制器制造期間沉積的氧化物層更厚的氧化物層。在另一實(shí)施例中，形成可通過與顯示器干涉式調(diào)制器陣列相同的材料沉積來制造的過程控制監(jiān)視器。舉例來說，如圖12所描繪，可構(gòu)造包含比干涉式調(diào)制器陣列202中發(fā)現(xiàn)的柱更高密度的柱220的過程控制監(jiān)視器204。柱220的較高密度向其支撐的機(jī)械膜片提供增加的位置穩(wěn)定性。因此，即使在電位的施加下(例如，小于約10伏、15伏或20伏)，過程控制監(jiān)視器204中的機(jī)械膜片仍將抵抗向ITO層的移動(dòng)，且從而反射相同的光的光譜。如本文所用，“柱”意味著可用于支撐機(jī)械膜片的任何間歇結(jié)構(gòu)。因此，期望“柱”包含本質(zhì)上由垂直直線結(jié)構(gòu)組成的“點(diǎn)”結(jié)構(gòu)。還期望“柱”包含本質(zhì)上由垂直材料帶組成的結(jié)構(gòu)(也已知為軌道)。具有穩(wěn)定機(jī)械膜片的過程控制監(jiān)視器(例如上文所述)可用于最優(yōu)化制造以生產(chǎn)將反射所需的光的光譜的干涉式調(diào)制器。此外，此過程控制監(jiān)視器提供對制造過程的成功的快速檢查。在某些實(shí)施例中，在制造過程生產(chǎn)出反射不同色彩的干涉式調(diào)制器陣列(例如，用于多色顯示器)的情況下，可使用多個(gè)上文描述的過程控制監(jiān)視器，其每一者反射相應(yīng)的色彩?；蛘?，可形成單個(gè)過程控制監(jiān)視器，其具有不同的區(qū)域，其中每一區(qū)域具有與其它區(qū)域中的柱的高度不同的柱。因此，每一區(qū)域?qū)⒎瓷洳煌实墓?。厚度過程控制監(jiān)視器使用又一類型的過程控制監(jiān)視器來測量在處理期間沉積的每一層的厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，制造厚度過程控制監(jiān)視器，使得從襯底到過程控制監(jiān)視器的頂部形成單個(gè)臺階。因此單個(gè)臺階的臺階高度將對應(yīng)于過程控制監(jiān)視器的處于臺階位置的所有層的組合厚度?？沙练e的層的非限制性實(shí)例包含ITO層和鉻層、氧化物層、犧牲層、犧牲層上的平面化、氧化物層上的機(jī)械膜片層和氧化物層上的犧牲層上的機(jī)械膜片層。在另一實(shí)施例中，形成多層過程控制監(jiān)視器，使得可形成具有樓梯臺階圖案輪廓的堆疊。臺階高度將對應(yīng)于一個(gè)或一個(gè)以上沉積層的厚度。舉例來說，所得的過程控制監(jiān)視器可具有類似于圖14的結(jié)構(gòu)。圖14的過程控制監(jiān)視器含有在干涉式調(diào)制器制造期間沉積的每一層，例如圖9中描繪的層。所述過程控制監(jiān)視器提供對應(yīng)于ITO層154、鉻層150、氧化物層156/158、犧牲層160、平面材料162和機(jī)械膜片164/166的厚度的臺階。可在適當(dāng)?shù)暮穸葴y量技術(shù)的單次掃描中測量每一臺階的厚度，而不必在單獨(dú)的過程控制監(jiān)視器中測量每一層。在非限制性實(shí)例中，可使用例如可從KLA-Tencor購得的基于觸針的表面靠模器(例如，表面光度計(jì))通過觸針的單次掃描來測量臺階高度，且因此快速確定在特定干涉式調(diào)制器制造過程中沉積的每一層的厚度。樓梯臺階圖案減少了當(dāng)使用表面光度計(jì)時(shí)遇到的自然反彈，且從而與個(gè)別地掃描每一層相比改進(jìn)了精度。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到，在多樓梯臺階圖案中可使用任何層的組合。因此，不需要包含在干涉式調(diào)制器制造期間沉積的所有層。圖15描繪厚度過程控制監(jiān)視器的另一實(shí)施例。此過程控制監(jiān)視器也具有樓梯臺階輪廓；然而，所形成的樓梯臺階圖案在高度上并不單調(diào)增加。此圖案的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于臺階高度可形成為更接近地對應(yīng)于某些干涉式調(diào)制器中存在的實(shí)際厚度。除了上文討論的層以外，圖15的過程控制監(jiān)視器還含有暗掩模層275。可在干涉式調(diào)制器中使用暗掩模層275來抑制從某些靜止結(jié)構(gòu)(例如柱和軌道)的反射。在此實(shí)施例中，可在暗掩模層275上沉積額外的氧化物層277。圖15中的臺階300對應(yīng)于所有氧化物層(277、156和158)和暗掩模層275的組合厚度。可將此臺階與臺階302進(jìn)行比較以確定暗掩模層275的厚度。臺階304的絕對高度提供氧化物層277、156和158與ITO154層以及鉻150層的組合厚度。與臺階302的比較提供組合的ITO154層和鉻150層的厚度。臺階306提供沉積在ITO154層和鉻150層上的氧化物層156/158的厚度。臺階308對應(yīng)于機(jī)械膜片164/166的厚度。臺階308的絕對高度還將接近當(dāng)干涉式調(diào)制器處于激活狀態(tài)且機(jī)械膜片164/166坍塌在氧化物層158上時(shí)材料的組合厚度。臺階310對應(yīng)于機(jī)械膜片164/166和平面材料162的組合厚度。與臺階308的比較可用于確定平面材料162的厚度。臺階312對應(yīng)于犧牲層160的厚度。最終，臺階314對應(yīng)于平面材料312的厚度。臺階314的絕對高度還對應(yīng)于當(dāng)干涉式調(diào)制器處于未激活狀態(tài)時(shí)機(jī)械膜片164/166的位置。在某些實(shí)施例中，形成多色干涉式調(diào)制器顯示器。一個(gè)此種多色顯示器使用具有不同間隙深度的干涉式調(diào)制器來反射不同色彩。舉例來說，可采用具有三種不同間隙深度的適合于主要反射紅色、綠色或藍(lán)色的干涉式調(diào)制器。形成此多色顯示器的一種方法是在沉積平面材料和機(jī)械膜片層之前沉積和圖案化三個(gè)犧牲層。犧牲層的圖案化可使得針對一組干涉式調(diào)制器保留單個(gè)層，針對另一組干涉式調(diào)制器保留兩個(gè)層，且針對最終一組干涉式調(diào)制器保留三個(gè)層。在沉積機(jī)械膜片和釋放蝕刻之后，將形成較小的間隙深度，其中形成單個(gè)犧牲層，將形成中等間隙深度，其中形成兩個(gè)犧牲層，且將形成較大間隙深度，其中形成三個(gè)犧牲層。圖16描繪可用于測量在使用此三犧牲層過程期間形成的層厚度的厚度過程控制監(jiān)視器。除了犧牲層160以外，還形成犧牲層279和281。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，犧牲層160、279和281可按順序沉積，或在利用剝離或回蝕技術(shù)時(shí)以不同的次序沉積。臺階350對應(yīng)于所有氧化物層(277、156和158)和暗掩模275的組合厚度。可將此臺階與臺階352進(jìn)行比較以確定暗掩模275的厚度。臺階354的絕對高度提供氧化物層277、156和158與ITO154層以及鉻150層的組合厚度。與臺階352的比較提供組合的ITO154層和鉻150層的厚度。臺階356與臺階354的比較提供沉積在ITO154層和鉻150層上的氧化物層156/158的厚度。臺階358對應(yīng)于機(jī)械膜片164/166的厚度。臺階358的絕對高度還接近當(dāng)干涉式調(diào)制器處于激活狀態(tài)且機(jī)械膜片164/166坍塌在氧化物層158上時(shí)材料的組合厚度。臺階360對應(yīng)于機(jī)械膜片164/166和平面材料162的組合厚度。與臺階358的比較可用于確定平面材料162的厚度。臺階362對應(yīng)于機(jī)械膜片164/166和單個(gè)犧牲層160的組合厚度。臺階362與臺階358的比較提供犧牲層160的厚度。臺階362的絕對高度還對應(yīng)于當(dāng)具有最小間隙深度的干涉式調(diào)制器處于未激活狀態(tài)時(shí)機(jī)械膜片164/166的位置。臺階364的絕對高度對應(yīng)于在干涉式調(diào)制器陣列中具有最小間隙深度的兩個(gè)干涉式調(diào)制器之間的柱上的組合高度。臺階364與臺階358的比較提供柱的高度。以類似的方式，臺階366對應(yīng)于機(jī)械膜片164/166和第一160與第二279犧牲層的組合厚度。臺階366與臺階362的比較提供第二犧牲層279的厚度。臺階366的絕對高度還對應(yīng)于當(dāng)具有中等間隙深度的干涉式調(diào)制器處于未激活狀態(tài)時(shí)機(jī)械膜片164/166的位置。臺階368的絕對高度對應(yīng)于在干涉式調(diào)制器陣列中具有中等間隙深度的兩個(gè)干涉式調(diào)制器之間的柱上的組合高度。臺階368與臺階358的比較提供柱的高度。臺階370對應(yīng)于機(jī)械膜片164/166和第一160、第二279和第三281犧牲層的組合厚度。臺階370與臺階366的比較提供第三犧牲層281的厚度。臺階370的絕對高度還對應(yīng)于當(dāng)具有最大間隙深度的干涉式調(diào)制器處于未激活狀態(tài)時(shí)機(jī)械膜片164/166的位置。臺階372的絕對高度對應(yīng)于在干涉式調(diào)制器陣列中具有最大間隙深度的兩個(gè)干涉式調(diào)制器之間的柱上的組合高度。臺階372與臺階358的比較提供柱的高度。圖16的過程控制監(jiān)視器提供對由特定干涉式調(diào)制器制造過程產(chǎn)生的間隙深度的精確測量。測量對應(yīng)于中等和較大間隙深度干涉式調(diào)制器的犧牲層的累積高度比測量三個(gè)犧牲層的個(gè)別厚度而獲得的間隙深度將提供更精確的所得間隙深度的指示。如果單獨(dú)測量三個(gè)層，那么當(dāng)將厚度加在一起以獲得總間隙深度時(shí)，每一層的厚度的局部變化將為復(fù)合的。相比之下，圖16的過程控制監(jiān)視器提供犧牲層組合厚度的單個(gè)測量，從而減少了由每個(gè)單獨(dú)犧牲層局部變化引起的誤差。在圖15和16的實(shí)施例中，機(jī)械膜片164/166可用于在釋放蝕刻期間保護(hù)過程控制監(jiān)視器中的犧牲層160。因此，在某些實(shí)施例中，可在釋放蝕刻之后評估厚度過程控制監(jiān)視器。在某些其它實(shí)施例中，可在釋放蝕刻之前評估厚度過程控制監(jiān)視器。如果結(jié)果指示一個(gè)或一個(gè)以上層厚度有問題，那么可在釋放蝕刻之前放棄晶片，從而節(jié)約時(shí)間和金錢。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，可生產(chǎn)許多其它樓梯臺階圖案化過程控制監(jiān)視器。還將了解，可建造含有少于MEMS裝置中所有層的厚度過程控制監(jiān)視器。盡管已參照實(shí)施例和實(shí)例描述了本發(fā)明，但應(yīng)了解，可在不脫離本發(fā)明精神的情況下做出許多各種修改。因此本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求書限定。權(quán)利要求1.一種監(jiān)視在制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)期間沉積的材料的沉積的方法，其包括形成由所述制造期間沉積的至少三個(gè)材料層組成的測試單元，其中所述至少三個(gè)材料層少于在制造所述MEMS期間沉積的層的數(shù)目，其中所述至少三個(gè)材料層形成標(biāo)準(zhǔn)具；和檢測從所述標(biāo)準(zhǔn)具反射的光，借此獲得有關(guān)所述至少三個(gè)層的性質(zhì)的信息。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述測試單元包括將所述測試單元暴露于與制造期間所使用的材料沉積和圖案化步驟相同的材料沉積和圖案化步驟。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括從所述檢測到的光中確定所述材料中至少一者的折射率。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括從所述檢測到的光中確定所述材料中至少一者的反射率。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括從所述檢測到的光中確定所述材料中至少一者的透射率。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括從所述檢測到的光中確定所述材料中至少一者的厚度。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括從所述檢測到的光中確定所述標(biāo)準(zhǔn)具的深度。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述檢測包括用光檢測器測量所述反射光。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述檢測包括用分光計(jì)測量所述反射光的光譜。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括使所述光譜與從標(biāo)準(zhǔn)具反射的光的模型配合。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述檢測包括用比色計(jì)測量所述反射光。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中檢測所述反射光包括從所述測試單元的在所述測試單元形成期間沉積所述至少三個(gè)材料層的一側(cè)檢測反射率。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中檢測所述反射光包括從所述測試單元的與在所述測試單元形成期間沉積所述至少三個(gè)材料層的那一側(cè)相對的一側(cè)檢測反射率。14.一種晶片，其包括多個(gè)干涉式調(diào)制器，其適合用于顯示器；和非調(diào)制干涉計(jì)。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片，其中所述非調(diào)制干涉計(jì)包括與所述干涉式調(diào)制器中的材料層實(shí)質(zhì)上相同的至少一個(gè)材料層。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片，其中所述非調(diào)制干涉計(jì)包括共同形成標(biāo)準(zhǔn)具的至少三個(gè)材料層。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片，其中在所述標(biāo)準(zhǔn)具中的反射表面之間實(shí)質(zhì)上不存在氣隙。18.一種晶片，其包括多個(gè)第一構(gòu)件，用于在顯示器中干涉地顯示光；和第二構(gòu)件，用于非調(diào)制地且干涉地反射光。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片，其中所述第一構(gòu)件為干涉式調(diào)制器。20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的晶片，其中所述第二構(gòu)件為非調(diào)制干涉計(jì)。21.一種監(jiān)視在制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)期間沉積的材料的沉積的方法，其包括形成包括在制造期間沉積的一個(gè)或一個(gè)以上材料層的測試單元，其中所述測試單元中的材料層的數(shù)目少于在制造所述MEMS期間沉積的層的數(shù)目；和檢測所述測試單元的反射率，借此所述反射率提供有關(guān)所述測試單元中的所述層的性質(zhì)的信息。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中形成所述測試單元包括應(yīng)用與用于制造所述MEMS的材料沉積和圖案化步驟相同順序的材料沉積和圖案化步驟。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述測試單元中的最終材料層實(shí)質(zhì)上具有反射性。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其進(jìn)一步包括確定所述測試單元中的所述層中的一層的反射率。25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其進(jìn)一步包括確定所述測試單元中的所述層中的一層的透射率。26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其進(jìn)一步包括確定所述測試單元中的所述層中的一層的厚度。27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述檢測包括測量從所述測試單元反射的光的光譜。28.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中檢測所述反射率包括從所述測試單元的在所述測試單元形成期間沉積所述一個(gè)或一個(gè)以上材料層的一側(cè)檢測反射率。29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中檢測所述反射率包括從所述測試單元的與在所述測試單元形成期間沉積所述一個(gè)或一個(gè)以上材料層的那一側(cè)相對的一側(cè)檢測反射率。30.一種晶片，其包括多個(gè)干涉式調(diào)制器，其適合用于顯示器中，所述干涉式調(diào)制器包括多個(gè)材料層；和測試單元，其包括所述材料層中的一個(gè)或一個(gè)以上材料層，其中所述測試單元包括少于所有所述多個(gè)材料層的材料層。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的晶片，其中所述測試單元包括標(biāo)準(zhǔn)具。32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的晶片，其中所述測試單元中的最終層實(shí)質(zhì)上具有反射性。33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的晶片，其中所述測試單元中除所述最終層以外的層實(shí)質(zhì)上為透明的。34.一種制造組合的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和測試單元結(jié)構(gòu)的方法，其包括形成MEMS結(jié)構(gòu)，其中形成所述MEMS結(jié)構(gòu)包含一個(gè)或一個(gè)以上材料沉積和圖案化步驟；和同時(shí)形成測試單元，其中形成所述測試單元包含所述一個(gè)或一個(gè)以上材料沉積和圖案化步驟，其中所述測試單元包括少于所述MEMS結(jié)構(gòu)中存在的所有組件的組件。35.一種通過根據(jù)權(quán)利要求34所述的過程生產(chǎn)的組合的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和測試單元結(jié)構(gòu)。36.一種通過包括下述步驟的過程生產(chǎn)的晶片在襯底上沉積和圖案化一系列材料層以形成MEMS結(jié)構(gòu)；和同時(shí)在所述襯底上沉積和圖案化一系列材料層以形成測試單元，其中所述測試單元包括少于所述MEMS結(jié)構(gòu)中存在的所有組件的組件。全文摘要本發(fā)明揭示使用用于制造MEMS裝置108的相同過程步驟中的至少某些過程步驟生產(chǎn)的過程控制監(jiān)視器100、102和104。過程控制監(jiān)視器100、102和104的分析可提供有關(guān)MEMS裝置108和所述裝置中組件或子組件的性質(zhì)的信息。此信息可用于識別處理中的錯(cuò)誤或優(yōu)化所述MEMS裝置108。在某些實(shí)施例中，所述過程控制監(jiān)視器100、102和104的分析可利用光學(xué)測量值。文檔編號B81C1/00GK101071199SQ20071010868公開日2007年11月14日申請日期2005年9月16日優(yōu)先權(quán)日2004年9月27日發(fā)明者威廉·J·卡明斯,布萊恩·J·加利申請人:Idc公司