專利名稱：一種基于mems技術(shù)的壓力開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種壓力開關(guān)，尤其是一種基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)。
背景技術(shù)：
壓力開關(guān)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、農(nóng)業(yè)、科研、建筑、航天航空及軍事等技術(shù)領(lǐng)域。但傳統(tǒng) 的壓力開關(guān)，多是機(jī)械結(jié)構(gòu)式，具有體積大、批量生產(chǎn)性低、一致性差、不易與后續(xù)電路集成 等不足，所以傳統(tǒng)的壓力開關(guān)正在被電子式壓力開關(guān)所取代。目前，應(yīng)用在上述領(lǐng)域內(nèi)的電 子式壓力開關(guān)，多為采用線性壓力傳感器來檢測(cè)壓力，然后利用線性壓力達(dá)到額 定值時(shí)完 成開關(guān)功能。但一個(gè)線性壓力傳感器無論從工藝復(fù)雜程度或從性能中所包含的信息量來講 都比壓力開關(guān)復(fù)雜、精確，再加上必須配以比較電路，因此成本高，是不得已而大材小用。近 年來由于MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems)技術(shù)近乎成熟的發(fā)展使得硅壓力傳 感器在成本低廉、高性能方向有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。因此，一些先行者已開始了利用MEMS技術(shù) 制作壓力開關(guān)的研究，但所報(bào)道的壓力開關(guān)由于其額定工作壓力范圍窄、僅限于個(gè)別應(yīng)用 領(lǐng)域，難以進(jìn)一步推廣應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種基于MEMS技術(shù)的壓力開 關(guān)，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，一致性好、成本低廉、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于和后續(xù)電路集成在一起，進(jìn)行信號(hào)調(diào) 理、轉(zhuǎn)換及網(wǎng)絡(luò)化；適用范圍廣。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)，包括底座及位于底 座上的管帽；所述管帽對(duì)應(yīng)于與底座相連的另一端設(shè)有引壓口 ；底座對(duì)應(yīng)于鄰近管帽的端 部設(shè)有凹槽，底座的另一端設(shè)有電纜孔，所述電纜孔與凹槽、引壓口均相連通；電纜孔內(nèi)設(shè) 有電纜；所述凹槽內(nèi)設(shè)有轉(zhuǎn)接組件，所述轉(zhuǎn)接組件上設(shè)有敏感組件；所述轉(zhuǎn)接組件包括支 撐體，所述支撐體的中心區(qū)設(shè)有下導(dǎo)流孔，支撐體上設(shè)有導(dǎo)電柱；所述敏感組件包括固支體 及位于所述固支體上的硅片；所述硅片對(duì)應(yīng)于與固支體相連的另一端表面設(shè)有金屬層，硅 片對(duì)應(yīng)于鄰近固支體的端部凹設(shè)有彈性槽，所述彈性槽間形成凸臺(tái)，所述凸臺(tái)上設(shè)有上電 極；固支體的中心區(qū)設(shè)有上導(dǎo)流孔，上導(dǎo)流孔與下導(dǎo)流孔相連通；固支體兩端的表面及上 導(dǎo)流孔的內(nèi)壁形成下電極；所述下電極及金屬層分別通過內(nèi)引線與支撐體上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱 電連接；導(dǎo)電柱對(duì)應(yīng)于與內(nèi)引線相連的另一端分別與電纜內(nèi)對(duì)應(yīng)的連接導(dǎo)線電連接。所述底座對(duì)應(yīng)于設(shè)置電纜孔的端部設(shè)有緊固件；電纜的一端穿出緊固件后，與緊 固件相緊固連接。所述緊固件內(nèi)設(shè)有密封圈，所述密封圈套在電纜上。所述支撐體對(duì)應(yīng)于 與硅片相連的端部設(shè)有導(dǎo)電覆板，所述導(dǎo)電覆板與導(dǎo)電柱間設(shè)有絕緣子；固支體對(duì)應(yīng)于設(shè) 置下電極的端部與導(dǎo)電覆板相電連接；下電極通過導(dǎo)電覆板及內(nèi)引線與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱相電 連接。所述電纜內(nèi)設(shè)有導(dǎo)氣管，所述導(dǎo)氣管的一端位于凹槽內(nèi)，并與上導(dǎo)流孔及下導(dǎo)流孔相 連通。所述凹槽的內(nèi)周面上設(shè)有若干固支臺(tái)階，所述轉(zhuǎn)接組件安裝在凹槽的固支臺(tái)階上。所述硅片為N型單晶硅片。所述固支體為PYREX玻璃或單晶硅。所述金屬層的材料為 鋁、銅、金或銀；所述金屬層蒸鍍?cè)诠杵?。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)敏感組件包括硅片，硅片采用MEMS技術(shù)形成彈性槽及上電極，形 成E型彈性膜片，可以方便與后續(xù)電路進(jìn)行集成；彈性膜片的厚度及上電極與下電極間的 間隙高度對(duì)應(yīng)配合，決定了壓力開關(guān)的額定工作壓力。氣流從引壓口進(jìn)入，氣壓通過金屬層 作用在硅彈性槽上，通過上電極與下電極的相互配合作用，并通過電纜內(nèi)的連接導(dǎo)線向外 輸出，完成開關(guān)功能，使用方便。敏感組件內(nèi)沒有相對(duì)活動(dòng)的部件，工作可靠，使用壽命長(zhǎng)。 壓力開關(guān)體積小，有利于制作微型化，小型化或面貼式器件，敏感組件采用MEMS技術(shù)制造， 可以進(jìn)行大批量生產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本，適用于各個(gè)領(lǐng)域。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明敏感組件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明轉(zhuǎn)接組件的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖4為本發(fā)明底座的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本發(fā)明電纜的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。如圖1 圖5所示本發(fā)明包括敏感組件1、轉(zhuǎn)接組件2、底座3、緊固件4、密封圈 5、電纜6、管帽7、內(nèi)引線8、引壓口 9、連接頭10、硅片11、金屬層12、彈性梁13、上電極14、 電極間隙15、下電極16、固支體17、上導(dǎo)流孔18、彈性槽19、凸臺(tái)20、下導(dǎo)流孔21、絕緣子 22、導(dǎo)電覆板23、支撐體24、導(dǎo)電柱25、安裝孔26、凹槽27、固支臺(tái)階28、電纜孔29、緊固螺 紋30、連接導(dǎo)線31及導(dǎo)氣管32。如圖1所示所述底座3上設(shè)有固定連接的管帽7，所述底座3與管帽7間形成空 腔結(jié)構(gòu)。管帽7對(duì)應(yīng)于與底座3相連的另一端設(shè)有連接頭10，所述連接頭10位于管帽7的 中心區(qū)，連接頭10內(nèi)設(shè)有引壓口 9，所述引壓口 9從連接頭10的表面延伸到管帽7內(nèi)，引壓 口 9與底座3及管帽7形成的空腔相連通。底座3的結(jié)構(gòu)，如圖4所示。所述底座3對(duì)應(yīng) 于與鄰近管帽7的端部設(shè)有凹槽27，底座3對(duì)應(yīng)于遠(yuǎn)離凹槽27的另一端設(shè)有臺(tái)階；底座3 對(duì)應(yīng)于設(shè)置臺(tái)階的中心區(qū)設(shè)置豎向分布的連接塊，所述連接塊內(nèi)設(shè)有電纜孔29，所述電纜 孔29與凹槽27相連通。所述凹槽27的內(nèi)周面上設(shè)置若干臺(tái)階，形成固支臺(tái)階28。所述固 支臺(tái)階28上安裝有固定連接的轉(zhuǎn)接組件2，所述轉(zhuǎn)接組件2上設(shè)有敏感組件1。如圖2所示為本發(fā)明敏感組件1的結(jié)構(gòu)示意圖。所述敏感組件1包括固支體17， 所述固支體17上設(shè)有硅片11。所述硅片11為N型單晶硅；硅片11對(duì)應(yīng)于與固支體17相 連另一端的表面設(shè)有金屬層12，所述金屬層12鄰近引壓口 9，并位于引壓口 9的下方。所述 金屬層12的材料可以是鋁、銅、金或銀，但最好采用多層金屬，如鎳-鉻-金、鉬-鈦-金、 鎳-銅-金或鉻-鎳-銀。所述金屬層12通過蒸鍍?cè)诠杵?1上。硅片11對(duì)應(yīng)于與固支 體17相連的端部設(shè)有彈性槽19，所述彈性槽19從硅片11對(duì)應(yīng)于與固支體17相連的表面 向上延伸，彈性槽19間形成凸臺(tái)20 ；所述凸臺(tái)20與彈性槽19相對(duì)應(yīng)配合，使硅片11形成具有E型結(jié)構(gòu)的彈性膜片。所述凸臺(tái)20上設(shè)有上電極14，所述彈性槽19上方對(duì)應(yīng)的硅片 11形成彈性梁13。硅片11對(duì)應(yīng)于設(shè)置彈性槽19的下部形成空腔結(jié)構(gòu)。固支體17的中心 區(qū)設(shè)有上導(dǎo)流孔18，固支體17的兩個(gè)端面及上導(dǎo)流孔18內(nèi)均淀積有下電極材料，固支體 17兩端面的下電極材料通過上導(dǎo)流孔18內(nèi)的下電極材料電連接，形成下電極16。固支體 17對(duì)應(yīng)于鄰近凸臺(tái)20的下電極16與上電極14的形狀相對(duì)應(yīng)；固支體17上的下電極16與 上電極14間具有電極間隙15 ；所述電極間隙15內(nèi)充滿空氣。
硅片11為N型高濃度摻雜的單晶硅，具有極低的電阻率。硅片11的厚度為200 IOOOym;并對(duì)硅片11進(jìn)行雙面拋光。在進(jìn)行拋光后的硅片11表面生長(zhǎng)一層0. 5 1 μ m 的熱氧化硅層，再在所述熱氧化硅層上淀積一層厚度為800~1200A的氮化硅層，所述熱氧 化硅與氮化硅層間形成硬掩膜。通過選擇性地掩蔽刻蝕硬掩膜層，在硅片11上得到彈性槽 19及凸臺(tái)20結(jié)構(gòu)，從而使硅片11形成具有E型結(jié)構(gòu)的彈性膜片。所述凸臺(tái)20的截面可以 為方形或圓形，凸臺(tái)20的橫向長(zhǎng)度為500 2000 μ m。刻蝕時(shí)，先刻蝕彈性槽19及凸臺(tái)20 下方的氮化硅，然后在刻蝕彈性槽19上的氧化硅。所述彈性槽19的刻蝕深度為c，然后再 刻蝕凸臺(tái)20下方的氧化硅，最后再對(duì)彈性槽19及凸臺(tái)20下方的硅片11進(jìn)行深度刻蝕，所 述刻蝕深度為d，所述刻蝕深度d由壓力開關(guān)的測(cè)量范圍決定；最后再腐蝕硅片11上其余 的氧化硅及氮化硅，所述刻蝕深度d及彈性槽19部分的深度決定了壓力開關(guān)的額定工作壓 力，即壓力開關(guān)的測(cè)定范圍。最后，在硅片11對(duì)應(yīng)于遠(yuǎn)離固支體17的表面及凸臺(tái)20上形 成金屬化層，分別形成金屬層12及上電極14。固支體17可以為PYREX玻璃(硼硅玻璃)也可以為單晶硅，在所述固支體17的兩 個(gè)表面上通過蒸鍍方法形成金屬化層，對(duì)固支體17對(duì)應(yīng)于與硅片11相連端面的金屬化層 進(jìn)行刻蝕，刻蝕掉固支體17與硅片11相連部分的金屬化層；并在固支體17的中心區(qū)通過 腐蝕、激光打孔或超聲打孔的方法制作上導(dǎo)流孔18，然后通過鍍覆孔工藝，在上導(dǎo)流孔18 內(nèi)鍍覆金屬化層，使固支體17兩端的金屬化層電連接，從而形成下電極16結(jié)構(gòu)。固支體17 對(duì)應(yīng)于與硅片11相連端面的下電極16形狀與上電極14的形狀相對(duì)應(yīng)。當(dāng)固支體17為PYREX玻璃時(shí)，固支體17與硅片11間通過靜電鍵合，使硅片11 固定在固支體17上。當(dāng)固支體17為單晶硅時(shí)，固支體17與硅片11間通過硅-硅鍵合或 金_硅鍵合將硅片11固定在固支體17上，成為敏感組件1。如圖3所示所述轉(zhuǎn)接組件2包括支撐體24，所述支撐體24的中心區(qū)設(shè)有下導(dǎo)流 孔21。支撐體24對(duì)應(yīng)于設(shè)置下導(dǎo)流孔21的外圈設(shè)有安裝孔26，所述安裝孔26為兩個(gè)。為 了便于連接，在支撐體24的表面上設(shè)有導(dǎo)電覆板23，所述導(dǎo)電覆板23可以為銅覆板或其他 金屬層覆板。當(dāng)支撐體24上設(shè)有導(dǎo)電覆板23時(shí)，下導(dǎo)流孔21從導(dǎo)電覆板23的表面延伸 到支撐體24另一端的表面；所述安裝孔26也從導(dǎo)電覆板23的表面延伸到支撐體24另一 端的表面。所述安裝孔26內(nèi)設(shè)有導(dǎo)電柱25，所述導(dǎo)電柱25的兩端分別伸出安裝孔26外。 導(dǎo)電柱25與導(dǎo)電覆板23間設(shè)有絕緣子22，所述絕緣子22位于安裝孔26內(nèi)。支撐體24可 以為金屬也可以為堅(jiān)固的非金屬材料制成。在支撐體24上燒結(jié)有相互絕緣的導(dǎo)電柱25，導(dǎo) 電覆板23粘結(jié)在支撐體24上。所述固支體17固定在支撐體24對(duì)應(yīng)于設(shè)置導(dǎo)電覆板23的表面上，固支體17上 的上導(dǎo)流孔18與支撐體24上的下導(dǎo)流孔21相連通。固支體17對(duì)應(yīng)于設(shè)置下電極16的 表面通過導(dǎo)電膠粘結(jié)或焊接的方法粘結(jié)或焊接在導(dǎo)電覆板23上。固支體17端部的下電極16與導(dǎo)電覆板23相電連接。支撐體24對(duì)應(yīng)于設(shè)置導(dǎo)電覆板23的另一端固定在底座3內(nèi) 的固支臺(tái)階28上，所述導(dǎo)電柱25的端部位于凹槽27內(nèi)。所述支撐體24上的一個(gè)導(dǎo)電柱 25通過內(nèi)引線8與金屬層12相電連接；為了將支撐體24上另一個(gè)導(dǎo)電柱25與下電極16 進(jìn)行電連接，先將導(dǎo)電柱25通過內(nèi)引線8與導(dǎo)電柱25 —側(cè)的導(dǎo)電覆板23相電連接。由于 導(dǎo)電覆板23與下電極16是電連接，因此導(dǎo)電柱25與導(dǎo)電覆板23電連接后，能夠達(dá)到導(dǎo)電 柱25與下電極16的電連接。如圖4和圖5所示所述電纜孔29內(nèi)設(shè)有電纜6，電纜6內(nèi)包括兩根連接導(dǎo)線31。 電纜6 —端的連接導(dǎo)線31分別與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱25相連，電纜6的另一端穿過電纜孔29。 底座3對(duì)應(yīng)于設(shè)置電纜孔29的端部還設(shè)有緊固件4，所述緊固件4內(nèi)設(shè)有密封圈5 ；所述密 封圈5及緊固件4套在電纜6上。緊固件4與底座3間通過焊接或螺紋聯(lián)接，電纜6通過 緊固件4及密封圈5與底座3相緊固連接，并能夠保證底座3與管帽7間的密封性能。當(dāng) 測(cè)量小量程的氣壓時(shí)，為了改善測(cè)量精度，在電纜6內(nèi)設(shè)可以設(shè)置導(dǎo)氣管32，所述導(dǎo)氣管32 與凹槽27、下導(dǎo)流孔21及上導(dǎo)流孔18均相連通。所述底座3對(duì)應(yīng)于設(shè)置電纜孔29的端部 還設(shè)有緊固螺紋30，便于緊固件4與底座3進(jìn)行螺紋緊固連接。如圖1 圖5所述 使用時(shí)，將電纜6內(nèi)連接導(dǎo)線31的另一端分別與對(duì)應(yīng)的連接 端相連。工作時(shí)，氣流從引壓口 9進(jìn)入，由于金屬層12位于引壓口 9的正下方；氣流從引壓 口 9進(jìn)入管帽7與底座3間形成的空腔后，氣流會(huì)對(duì)金屬層12產(chǎn)生壓力。硅片11為高摻 雜的N型單晶硅，電阻率低，因此金屬層12與上電極14具有相等的電勢(shì)。彈性槽19與金 屬層12間形成彈性梁13，當(dāng)氣壓對(duì)金屬層12產(chǎn)生壓力時(shí)，彈性梁13能夠產(chǎn)生形變，所述 上電極14與下電極16間的電極間隙15會(huì)有對(duì)應(yīng)的變化。當(dāng)從引壓口 9進(jìn)入的氣流的壓 力大于火等于壓力開關(guān)的額定值時(shí)，所述上電極14及下電極16間距變小直至產(chǎn)生電氣接 觸，能夠向外輸出對(duì)應(yīng)的信號(hào)。上電極14通過金屬層12、內(nèi)引線8與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱25相 連，下電極16通過導(dǎo)電覆板23、內(nèi)引線8與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱25相連，因此上電極14與下電極 16間的變化，能夠通過導(dǎo)電柱25及電纜6向外輸出對(duì)應(yīng)的信號(hào)，從而使壓力開關(guān)導(dǎo)通。當(dāng) 上電極14在被測(cè)壓力的作用下向下運(yùn)動(dòng)時(shí)，電極間隙15中的氣體會(huì)通過上導(dǎo)流孔18、下 導(dǎo)流孔21及導(dǎo)氣管32釋放到外部，不會(huì)對(duì)上電極14向下運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生阻力。對(duì)大量程壓力開 關(guān)，在電纜6內(nèi)沒有設(shè)置導(dǎo)氣管32，電極間隙15中的被壓氣體不能釋放到外部所產(chǎn)生的阻 力要遠(yuǎn)小于被測(cè)壓力，其影響可以忽略。所述硅片11上形成彈性槽19及凸臺(tái)20的結(jié)構(gòu)采 用MEMS技術(shù)，操作方便。通過設(shè)置彈性槽19不同的刻蝕深度，能夠得到不同的彈性梁13， 從而能夠得到不同的壓力開關(guān)的工作范圍。本發(fā)明敏感組件1包括硅片11，硅片11采用MEMS技術(shù)形成彈性槽19及上電極 14，形成E型彈性膜片，可以方便與后續(xù)電路進(jìn)行集成；彈性膜片的厚度及上電極14與下 電極16間的間隙高度對(duì)應(yīng)配合，決定了壓力開關(guān)的額定工作壓力，測(cè)量范圍廣，最高測(cè)量 量程可以達(dá)到80MPa。氣流從引壓口 9進(jìn)入，氣壓作用在金屬層12上，通過上電極14與下 電極16的相互配合作用，并通過電纜6內(nèi)的連接導(dǎo)線31向外輸出，改變壓力開關(guān)的開關(guān)狀 態(tài)，使用方便。敏感組件1內(nèi)沒有相對(duì)活動(dòng)的部件，工作可靠，使用壽命長(zhǎng)。壓力開關(guān)體積 小，有利于制作微型化，小型化或面貼式器件，敏感組件采用MEMS技術(shù)制造，可以進(jìn)行大批 量生產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本，可以適用于工業(yè)、農(nóng)業(yè)、科研、建筑、航空航天及軍事等領(lǐng)域中。結(jié)構(gòu) 簡(jiǎn)單，一致性好、成本低廉、易于和后續(xù)電路集成在一起，進(jìn)行信號(hào)調(diào)理、轉(zhuǎn)換及網(wǎng)絡(luò)化。
權(quán)利要求
一種基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)，包括底座(3)及位于底座(3)上的管帽(7)；所述管帽(7)對(duì)應(yīng)于與底座(3)相連的另一端設(shè)有引壓口(9)；底座(3)對(duì)應(yīng)于鄰近管帽(7)的端部設(shè)有凹槽(27)，底座(3)的另一端設(shè)有電纜孔(29)，所述電纜孔(29)與凹槽(27)、引壓口(9)均相連通；電纜孔(29)內(nèi)設(shè)有電纜(6)；其特征是所述凹槽(27)內(nèi)設(shè)有轉(zhuǎn)接組件(2)，所述轉(zhuǎn)接組件(2)上設(shè)有敏感組件(1)；所述轉(zhuǎn)接組件(2)包括支撐體(24)，所述支撐體(24)的中心區(qū)設(shè)有下導(dǎo)流孔(21)，支撐體(24)上設(shè)有導(dǎo)電柱(25)；所述敏感組件(1)包括固支體(17)及位于所述固支體(17)上的硅片(11)；所述硅片(11)對(duì)應(yīng)于與固支體(17)相連的另一端表面設(shè)有金屬層(12)，硅片(11)對(duì)應(yīng)于鄰近固支體(17)的端部凹設(shè)有彈性槽(19)，所述彈性槽(19)間形成凸臺(tái)(20)，所述凸臺(tái)(20)上設(shè)有上電極(14)；固支體(17)的中心區(qū)設(shè)有上導(dǎo)流孔(18)，上導(dǎo)流孔(18)與下導(dǎo)流孔(21)相連通；固支體(17)兩端的表面及上導(dǎo)流孔(18)的內(nèi)壁形成下電極(16)；所述下電極(16)及金屬層(12)分別通過內(nèi)引線(8)與支撐體(24)上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱(25)電連接；導(dǎo)電柱(25)對(duì)應(yīng)于與內(nèi)引線(8)相連的另一端分別與電纜(6)內(nèi)對(duì)應(yīng)的連接導(dǎo)線(31)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)，其特征是所述底座(3)對(duì)應(yīng)于設(shè) 置電纜孔(29)的端部設(shè)有緊固件⑷；電纜(6)的一端穿出緊固件⑷后，并與緊固件⑷ 相緊固連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)，其特征是所述緊固件(4)內(nèi)設(shè)有 密封圈(5)，所述密封圈(5)套在電纜(6)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)，其特征是所述支撐體(24)對(duì)應(yīng) 于與硅片(11)相連的端部設(shè)有導(dǎo)電覆板(23)，所述導(dǎo)電覆板(23)與導(dǎo)電柱(25)間設(shè)有絕 緣子(22)；固支體(17)對(duì)應(yīng)于設(shè)置下電極(16)的端部與導(dǎo)電覆板(23)相電連接；下電極 (16)通過導(dǎo)電覆板(23)及內(nèi)引線⑶與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱(25)相電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)，其特征是所述電纜(6)內(nèi)設(shè)有導(dǎo) 氣管(32)，所述導(dǎo)氣管(32)的一端位于凹槽(27)內(nèi)，并與上導(dǎo)流孔(18)及下導(dǎo)流孔(21) 相連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)，其特征是所述凹槽(27)的內(nèi)周 面上設(shè)有若干固支臺(tái)階(28)，所述轉(zhuǎn)接組件(2)安裝在凹槽(27)的固支臺(tái)階(28)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)，其特征是所述硅片(11)為N型單晶硅片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)，其特征是所述固支體(17)為 PYREX玻璃或單晶硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)，其特征是所述金屬層(12)的材 料為鋁、銅、金或銀；所述金屬層(12)蒸鍍?cè)诠杵?11)上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于MEMS技術(shù)的壓力開關(guān)。其包括底座及管帽；管帽上設(shè)有引壓口；底座上設(shè)有凹槽，底座的另一端設(shè)有電纜孔；電纜孔內(nèi)設(shè)有電纜；凹槽內(nèi)設(shè)有轉(zhuǎn)接組件，轉(zhuǎn)接組件上設(shè)有敏感組件；轉(zhuǎn)接組件包括支撐體，支撐體上設(shè)有下導(dǎo)流孔及導(dǎo)電柱；敏感組件包括固支體及硅片；硅片上設(shè)有金屬層，硅片的下部凹設(shè)有彈性槽，彈性槽間形成凸臺(tái)，凸臺(tái)上設(shè)有上電極；固支體上設(shè)有導(dǎo)流孔；固支體兩端的表面及上導(dǎo)流孔的內(nèi)壁形成下電極；下電極及金屬層分別通過內(nèi)引線與支撐體上對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電柱電連接；導(dǎo)電柱分別與連接導(dǎo)線電連接。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，一致性好、成本低廉、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于和后續(xù)電路集成在一起，進(jìn)行信號(hào)調(diào)理、轉(zhuǎn)換及網(wǎng)絡(luò)化；適用范圍廣。
文檔編號(hào)B81B3/00GK101964272SQ201010237300
公開日2011年2月2日 申請(qǐng)日期2010年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月22日
發(fā)明者張寶元, 張謙, 王善慈, 王焱秋, 蔡軒然, 藺廣恒 申請(qǐng)人:張謙;王焱秋