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      一種用于liga技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法

      文檔序號:5270337閱讀:337來源:國知局
      一種用于liga技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,該方法采用金屬絲網(wǎng)作為基片,并通過熱壓方法將PMMA光刻膠薄片粘接在該金屬絲網(wǎng)上。利用本發(fā)明,采用金屬絲網(wǎng)結(jié)構(gòu)能夠有效提供PMMA光刻膠與金屬絲網(wǎng)從分相互包裹融合,使同步輻射光刻后的PMMA光刻膠柱子結(jié)構(gòu)牢固地與金屬絲網(wǎng)結(jié)合,不會(huì)發(fā)生倒塌和脫落,保證了PMMA光刻膠柱子結(jié)構(gòu)具有非常大的高寬比,從而提高了LIGA技術(shù)的研究水平。
      【專利說明】—種用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及屬于微納結(jié)構(gòu)加工【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其是一種用于LIGA技術(shù)的具有高結(jié)合度的PMMA光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]LIGA技術(shù)是德國人發(fā)明的,該技術(shù)包括同步輻射X射線光刻、電鑄和塑鑄三個(gè)主要工藝環(huán)節(jié)。同步輻射X射線光刻獲得光刻膠的塑料結(jié)構(gòu),然后利用電鑄技術(shù)將這一光刻膠的塑料結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換成所需要的最終金屬結(jié)構(gòu)元件,或者電鑄成金屬注塑模具,塑鑄工藝?yán)秒婅T得到的金屬注塑模具進(jìn)行塑料結(jié)構(gòu)元件的制造。
      [0003]LIGA技術(shù)是利用同步輻射光刻技術(shù)來制造微金屬結(jié)構(gòu),由于同步輻射光刻技術(shù)具有良好的準(zhǔn)直硅和較強(qiáng)的穿透能力,能夠獲得大高寬比和大高度的微金屬結(jié)構(gòu),是目前微加工技術(shù)最為有效的一種微金屬結(jié)構(gòu)制造方法。要將同步輻射光刻的優(yōu)勢發(fā)揮出來,LIGA技術(shù)所使用的PMMA光刻膠的制備技術(shù)是一個(gè)關(guān)鍵,通過利用金屬絲網(wǎng),能夠保證LIGA技術(shù)光刻膠結(jié)構(gòu)能夠不傾倒和脫落,從而實(shí)現(xiàn)LIGA技術(shù)大高寬比金屬結(jié)構(gòu)的制造。
      [0004]LIGA技術(shù)是制造微金屬結(jié)構(gòu)的一種非常有效和高精度的微加工方法,其中同步輻射X射線光刻技術(shù)使用PMMA作為光刻膠,PMMA光刻膠通常涂覆在鈦片等基片表面上,形成PMMA光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu),基片作為電鑄的導(dǎo)電材料。
      [0005]PMMA光刻膠在基片上的涂覆方法包括灘涂和粘接二種方法,灘涂是將PMMA溶解,形成膠狀物倒在基片表面,然后將PMMA膠狀物烘干,通過控制PMMA膠狀物的灘涂量得到所需要厚度的PMMA光刻膠膜。粘接是先將PMMA預(yù)先制成所需要厚度的薄片,通過粘接劑將PMMA薄片與基片表面粘接起來,得到所需要厚度的PMMA光刻膠膜。
      [0006]LIGA技術(shù)需要利用同步輻射X射線光刻來獲得PMMA光刻膠結(jié)構(gòu)圖形,而這一PMMA光刻膠結(jié)構(gòu)圖形具有很高的光刻膠柱子結(jié)構(gòu),這一光刻膠柱子結(jié)構(gòu)具有很大的高寬t匕,是衡量LIGA技術(shù)水平的重要指標(biāo)。在上述PMMA光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)中,PMMA光刻膠柱子結(jié)構(gòu)只能與鈦等金屬基片的表面接觸粘連,粘接面積有限,嚴(yán)重影響了 PMMA光刻膠柱子結(jié)構(gòu)與金屬表面的結(jié)合力,致使大高寬比的PMMA光刻膠柱子結(jié)構(gòu)倒塌或脫落。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0007](一 )要解決的技術(shù)問題
      [0008]有鑒于此,本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于LIGA技術(shù)的具有高結(jié)合度的PMMA光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,以提高PMMA光刻膠膜與基片的結(jié)合度,使同步輻射光刻后的PMMA光刻膠柱子結(jié)構(gòu)牢固地與基片結(jié)合,不會(huì)發(fā)生倒塌和脫落,進(jìn)而保證PMMA光刻膠柱子結(jié)構(gòu)具有非常大的高寬比,提高LIGA技術(shù)的研究水平。
      [0009]( 二)技術(shù)方案
      [0010]為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供了一種用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,該方法采用金屬絲網(wǎng)作為基片,并通過熱壓方法將PMMA光刻膠薄片粘接在該金屬絲網(wǎng)上。
      [0011]上述方案中,所述金屬絲網(wǎng)采用的材料為不銹鋼、鈦或銅,并通過編織形成所要的金屬絲網(wǎng)。所述金屬絲網(wǎng)的金屬絲直徑為5-100微米,間距為500-100目。
      [0012]上述方案中,所述PMMA光刻膠薄片是選用不同厚度的PMMA光刻膠薄片,在熱壓條件下將該P(yáng)MMA光刻膠薄片融化壓制在金屬絲網(wǎng)上。
      [0013]上述方案中,所述熱壓溫度在PMMA光刻膠的軟化點(diǎn)附近,溫度范圍110_180°C。
      [0014]上述方案中,所述熱壓壓力選用重物和壓力機(jī)提供,壓強(qiáng)范圍0.5-10公斤/平方厘米。
      [0015]上述方案中,所述金屬絲網(wǎng)作為電鑄的導(dǎo)電材料。
      [0016](三)有益效果
      [0017]從上述技術(shù)方案可以看出,本發(fā)明具有以下有益效果:
      [0018]1、本發(fā)明提供的用于LIGA技術(shù)的具有高結(jié)合度的PMMA光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,采用金屬絲網(wǎng)代替鈦片等金屬基片作為基片,并通過熱壓方法將PMMA光刻膠薄片粘接在金屬絲網(wǎng)上,金屬絲網(wǎng)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的鈦片等金屬基片將作為電鑄的導(dǎo)電材料。在這一過程中,PMMA光刻膠透過金屬絲網(wǎng)縫隙,能夠與金屬絲網(wǎng)完全融合在一起,使得PMMA光刻膠非常牢固粘附在金屬絲網(wǎng)上。
      [0019]2、本發(fā)明提供的用于LIGA技術(shù)的具有高結(jié)合度的PMMA光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,采用金屬絲網(wǎng)結(jié)構(gòu)能夠有效提供PMMA光刻膠與金屬絲網(wǎng)從分相互包裹融合,使同步輻射光刻后的PMMA光刻膠柱子結(jié)構(gòu)牢固地與金屬絲網(wǎng)結(jié)合,不會(huì)發(fā)生倒塌和脫落,保證了 PMMA光刻膠柱子結(jié)構(gòu)具有非常大的高寬比,從而提高了 LIGA技術(shù)的研究水平。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0020]圖1是依照本發(fā)明實(shí)施例的制備用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法流程圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0021]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合具體實(shí)施例,并參照附圖,對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
      [0022]本發(fā)明提供了一種用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,該方法采用金屬絲網(wǎng)作為基片,并通過熱壓方法將PMMA光刻膠薄片粘接在該金屬絲網(wǎng)上。
      [0023]其中,金屬絲網(wǎng)作為電鑄的導(dǎo)電材料,采用的材料為不銹鋼、鈦或銅等金屬絲,并通過編織形成所要的金屬絲網(wǎng)。該金屬絲網(wǎng)的金屬絲直徑為5-100微米,間距為500-100目。根據(jù)LIGA技術(shù)的PMMA光刻膠結(jié)構(gòu)尺寸大小選擇不同的絲網(wǎng)直徑和間距,對于尺寸小的PMMA光刻膠結(jié)構(gòu)柱子,需要細(xì)的金屬絲和高目數(shù)的小間距絲網(wǎng)。
      [0024]PMMA光刻膠薄片是選用不同厚度的PMMA光刻膠薄片,在熱壓條件下將該P(yáng)MMA光刻膠薄片融化壓制在金屬絲網(wǎng)上。熱壓溫度在PMMA光刻膠的軟化點(diǎn)附近,溫度范圍110-180°C,具體需要結(jié)合所選的PMMA光刻膠的種類所具有的軟化溫度。熱壓壓力選用重物和壓力機(jī)提供,壓強(qiáng)范圍0.5-10公斤/平方厘米。金屬絲網(wǎng)作為電鑄的導(dǎo)電材料。[0025]實(shí)施例
      [0026]如圖1所示,圖1是依照本發(fā)明實(shí)施例的制備用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法流程圖,該方法包括:
      [0027]步驟1:將500目不銹鋼絲網(wǎng)和I毫米厚PMMA光刻膠薄片超聲波清洗,電吹風(fēng)吹干。
      [0028]步驟2:將5毫米厚不銹鋼平板墊板水平放置在烘箱內(nèi),并將聚四氟乙烯薄膜平整放置在其表面上。
      [0029]步驟3:將I毫米厚PMMA光刻膠薄片放置在聚四氟薄膜上,并在PMMA薄片上面放置金屬絲網(wǎng)。
      [0030]步驟4:在金屬絲網(wǎng)上上放置聚四氟乙烯薄膜,并在聚四氟乙烯薄膜上加蓋5毫米厚不銹鋼薄板蓋板;聚四氟薄膜防止PMMA光刻膠融化時(shí)透過不銹鋼絲網(wǎng)與不銹鋼平板墊板粘連,以及與不銹鋼薄板蓋板粘連。
      [0031]步驟5:在不銹鋼薄板蓋板上放置10公斤鉛磚重物。
      [0032]步驟6:將烘箱溫度設(shè)定在160°C,待烘箱溫度達(dá)到160°C時(shí)保溫10小時(shí),使PMMA光刻膠能夠慢慢熔化后透過金屬絲網(wǎng)并與金屬絲網(wǎng)完全粘連,然后關(guān)閉烘箱降溫到室溫。
      [0033]步驟7:卸掉鉛磚重物,不銹鋼平板蓋板,以及聚四氟薄膜,將帶有金屬絲網(wǎng)的PMMA光刻膠薄片取出,從而完成了一種用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備。
      [0034]以上所述的具體實(shí)施例,對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已,并不用于限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,該方法采用金屬絲網(wǎng)作為基片,并通過熱壓方法將PMMA光刻膠薄片粘接在該金屬絲網(wǎng)上。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述金屬絲網(wǎng)采用的材料為不銹鋼、鈦或銅,并通過編織形成所要的金屬絲網(wǎng)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述金屬絲網(wǎng)的金屬絲直徑為5-100微米,間距為500-100目。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述PMMA光刻膠薄片是選用不同厚度的PMMA光刻膠薄片,在熱壓條件下將該P(yáng)MMA光刻膠薄片融化壓制在金屬絲網(wǎng)上。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述熱壓溫度在PMMA光刻膠的軟化點(diǎn)附近,溫度范圍110-180°C。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述熱壓壓力選用重物和壓力機(jī)提供,壓強(qiáng)范圍0.5-10公斤/平方厘米。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LIGA技術(shù)的光刻膠膜與基片的復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述金屬絲網(wǎng)作為電鑄的導(dǎo)電材料。
      【文檔編號】B81C1/00GK103488051SQ201310380360
      【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月28日
      【發(fā)明者】伊福廷 申請人:中國科學(xué)院高能物理研究所
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