技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底包括第一表面和相對的第二表面，半導(dǎo)體襯底的第一表面具有焊盤；沿半導(dǎo)體襯底的第二表面刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底中形成暴露焊盤的通孔；在所述通孔內(nèi)以及通孔外的種子層表面部分形成再布線金屬層；進(jìn)行浸潤步驟，向種子層和再布線金屬層的表面噴吐稀釋液，使得通孔內(nèi)保留部分稀釋液；進(jìn)行浸潤步驟后，進(jìn)行化學(xué)刻蝕步驟，向種子層和再布線金屬層表面噴吐刻蝕溶液，刻蝕去除再布線金屬層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底第二表面上的部分厚度的種子層；重復(fù)進(jìn)行浸潤步驟和化學(xué)刻蝕步驟。本發(fā)明方法防止通孔內(nèi)的再布線金屬層被蝕穿。

技術(shù)研發(fā)人員：任鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510465602
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.31
技術(shù)公布日：2017.02.15