本公開的示例涉及可變形裝置和方法。具體地，它們涉及其中該裝置被配置用于感測的可變形裝置和方法。

背景技術(shù)：

被配置為響應(yīng)一個(gè)或多個(gè)物理參數(shù)的變化的具有電阻特性的材料是已知的。這種材料可以結(jié)合到傳感器中以使能夠檢測物理參數(shù)或物理參數(shù)的變化?？梢允褂眠@種材料來檢測的物理參數(shù)包括溫度、濕度、應(yīng)變、化學(xué)和生物參數(shù)或任何其它合適的參數(shù)。

能夠?qū)⑦@些傳感器結(jié)合到諸如可拉伸和/或可彎曲的電子設(shè)備的可變形裝置中是有用的。當(dāng)這種傳感器結(jié)合到可變形裝置中時(shí)，需要確保傳感器在該裝置的拉伸或其它變形期間能夠可靠地執(zhí)行。將傳感器結(jié)合到裝置中而不影響可變形裝置被重復(fù)拉伸或以其它方式變形的能力也是有用的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本公開的各種但并非全部的示例，可以提供一種裝置，其包括：可變形基板；彎曲的支撐結(jié)構(gòu)，其被配置為支撐電阻傳感器的至少一部分，其中電阻傳感器包括設(shè)置在第一電極、第二電極和電極之間的電阻傳感器材料；至少一個(gè)支撐件，其被配置為將彎曲的支撐結(jié)構(gòu)與可變形基板間隔開，以使得當(dāng)可變形基板變形時(shí)，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)不以相同的方式變形；其中電阻傳感器位于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)上，以便當(dāng)可變形基板變形時(shí)限制電阻傳感器的變形。

在一些示例中，電極可以沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)的長度延伸。

在一些示例中，多個(gè)電阻傳感器可以設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)上。

在一些示例中，可以設(shè)置多個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)。

在一些示例中，可以設(shè)置多個(gè)第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸，并設(shè)置多個(gè)第二彎曲結(jié)構(gòu)覆蓋多個(gè)第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)并在第二方向上延伸，其中第二方向垂直于第一方向。第二電極可以設(shè)置在第二彎曲結(jié)構(gòu)上。第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以包括設(shè)置在第一電極和第二電極之間的聚合物層。可以提供通孔穿過聚合物層以連接第一電極和第二電極。

在一些示例中，第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以包括第一電極，以使得電阻傳感器材料和第二電極由第一電極支撐。

在一些示例中，第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以包括聚合物層，并且第一和第二電極以及電阻傳感器材料由聚合物層支撐。

在一些示例中，電阻傳感器可以包括晶體管。晶體管還可以包括柵極。在一些示例中，晶體管可以配置成頂柵設(shè)置。在一些示例中，晶體管可以配置成底柵設(shè)置。在一些示例中，第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以包括柵極。在一些示例中，柵極可以覆蓋第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)而設(shè)置。在一些示例中，柵極可以設(shè)置在第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)下方。第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以包括晶體管內(nèi)的電介質(zhì)。

在一些示例中，可變形基板可以形成其中設(shè)置有彎曲的支撐結(jié)構(gòu)和電阻傳感器的腔體。

在一些示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)的曲率半徑可以平行于可變形基板的平面。

在一些示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以具有蛇形形狀。蛇形形狀可以包括多個(gè)環(huán)，以使得在延伸到左手側(cè)的環(huán)之后跟著延伸到右手側(cè)的環(huán)。

在一些示例中，可變形基板可以被配置為響應(yīng)于由用戶施加的力而變形。

根據(jù)本公開的各種但并非全部的示例，可以提供包括如上所述的裝置的電子設(shè)備。

根據(jù)本公開的各種但并非全部的示例，可以提供一種方法，其包括：提供可變形基板；提供彎曲的支撐結(jié)構(gòu)，該彎曲的支撐結(jié)構(gòu)被配置為支撐電阻傳感器的至少一部分，其中電阻傳感器包括第一電極、第二電極和設(shè)置在電極之間的電阻傳感器材料；提供至少一個(gè)支撐件，該至少一個(gè)支撐件被配置為將彎曲的支撐結(jié)構(gòu)與可變形基板間隔開，以使得當(dāng)可變形基板變形時(shí)，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)不以相同的方式變形；其中電阻傳感器位于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)上，以便當(dāng)可變形基板變形時(shí)限制電阻傳感器的變形。

在一些示例中，電極可以沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)的長度延伸。

在一些示例中，多個(gè)電阻傳感器可以設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)上。

在一些示例中，可以設(shè)置多個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)。

在一些示例中，可以設(shè)置多個(gè)第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸，并設(shè)置多個(gè)第二彎曲結(jié)構(gòu)可以覆蓋多個(gè)第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)并在第二方向上延伸，其中第二方向垂直于第一方向。第二電極可以設(shè)置在第二彎曲結(jié)構(gòu)上。第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以包括設(shè)置在第一電極和第二電極之間的聚合物層?？梢蕴峁┩状┻^聚合物層以連接第一電極和第二電極。

在一些示例中，第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以包括第一電極，以使得電阻傳感器材料和第二電極由第一電極支撐。

在一些示例中，第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以包括聚合物層，并且第一和第二電極以及電阻傳感器材料由聚合物層支撐。

在一些示例中，電阻傳感器可以包括晶體管。晶體管還可以包括柵極。在一些示例中，晶體管可以被配置為頂柵設(shè)置。在一些示例中，晶體管可以被配置為底柵設(shè)置。在一些示例中，第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以包括柵極。在一些示例中，柵極可以覆蓋第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)而設(shè)置。在一些示例中，柵極可以設(shè)置在第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)下方。第一彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以包括晶體管內(nèi)的電介質(zhì)。

在一些示例中，可變形基板可以形成其中設(shè)置有彎曲的支撐結(jié)構(gòu)和電阻傳感器的腔體。

在一些示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)的曲率半徑可以平行于可變形基板的平面。

在一些示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以具有蛇形形狀。蛇形形狀可以包括多個(gè)環(huán)，以使得在延伸到左手側(cè)的環(huán)之后跟著延伸到右手側(cè)的環(huán)。

在一些示例中，可變形基板可以被配置為響應(yīng)于由用戶施加的力而變形。

根據(jù)本公開的各種但并非全部的示例，可以提供一種裝置，其包括：可變形基板；彎曲的支撐結(jié)構(gòu)，其被配置為支撐包括感測材料的晶體管的至少一部分；至少一個(gè)支撐件，其被配置為將彎曲的支撐結(jié)構(gòu)與可變形基板間隔開，以使得當(dāng)可變形基板變形時(shí)，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)不以相同的方式變形；其中晶體管位于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)上，以便當(dāng)可變形基板變形時(shí)限制晶體管的變形。

附圖說明

為了更好地理解對于理解詳細(xì)描述有用的各種示例，現(xiàn)僅以示例的方式參考附圖，在附圖中：

圖1示出了示例裝置；

圖2a和圖2b示出了示例裝置中的應(yīng)變；

圖3a和圖3b示意性地示出了傳感器；

圖4a和圖4b示出了一種裝置；

圖5a至圖5c示出了一種裝置；

圖6示出了裝置的橫截面；

圖7a和圖7b示出了一種裝置；

圖8a和圖8b示出了一種裝置；

圖9a和圖9b示出了一種裝置；

圖10示出了一種方法；

圖11a至圖11r示出了一種方法；

圖12a至圖12g示出了一種方法；

圖13示出了一種方法；

圖14a至圖14d示意性地示出了晶體管；

圖15a至圖15d示出了一種裝置；

圖16a至圖16f示出了一種裝置；

圖17a至圖17c示出了一種裝置；

圖18a和圖18b示出了一種裝置；

圖19示出了一種裝置；

圖20a至圖20c示出了一種裝置；

圖21a至圖21t示出了一種裝置。

具體實(shí)施方式

附圖示出了裝置1，其包括：可變形基板3；被配置為支撐電阻傳感器30的至少一部分的彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7，其中，電阻傳感器30包括第一電極31、第二電極33和設(shè)置在電極31、33之間的電阻傳感器材料35；至少一個(gè)支撐件5，其被配置為將彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7與可變形基板3間隔開，以使得當(dāng)可變形基板3變形時(shí)，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7不以相同的方式變形；其中，電阻傳感器30位于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上，以便在可變形基板3變形時(shí)限制電阻傳感器30的變形。

裝置1可以用于感測。裝置1可以設(shè)置在可拉伸和/或可變形的電子設(shè)備內(nèi)。電阻傳感器30可以被配置為檢測一個(gè)或多個(gè)物理參數(shù)。由于電阻傳感器30由彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7來支撐，所以它們可以與可變形基板3的變形解耦或至少部分地解耦。這可以使電阻傳感器30即使在裝置1變形時(shí)能夠提供可靠的測量。這可以使裝置1適用于可變形電子設(shè)備，諸如可穿戴傳感器或任何其它合適的設(shè)備。

圖1示意性地示出了根據(jù)本公開的示例的裝置1。圖1所示的裝置1包括可變形基板3、至少一個(gè)支撐件5以及彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。僅在圖1中示出了與以下描述相關(guān)的特征。應(yīng)當(dāng)理解，在其它示例中，可以包括其它特征。例如，裝置1可以被配置為結(jié)合在電子設(shè)備內(nèi)，諸如傳感器設(shè)備、醫(yī)療或生物感測設(shè)備、可穿戴電子設(shè)備、移動蜂窩電話或任何其它合適的電子設(shè)備。

在圖1所示的示例中，可變形基板3包括平面9。在圖1的示例中，平面9是平坦的或基本上平坦的。在其它示例中，可變形基板3可具有不同的形狀。例如，它可以是彎曲的和/或可變形基板3的表面9不需要是平坦的。

可變形基板3的平衡形狀可以是圖1所示的平坦結(jié)構(gòu)。平衡形狀是當(dāng)裝置1的用戶沒有施加外力時(shí)可變形基板3將采用的位置和形狀。在其它示例中，可變形基板3可以具有不同的平衡形狀，例如平衡形狀可以包括可變形基板3的彎折或彎曲的至少部分。在一些示例中，可變形基板3可以包括平坦部分和彎曲部分兩者。

可變形基板3可以包括至少一個(gè)用戶可變形部分，該用戶可變形部分可以被配置為響應(yīng)于由裝置1的用戶所施加的物理力而改變形狀。形狀的改變可以包括可變形基板3的部分的彎曲、折疊、扭曲、拉伸、壓縮、剪切或任何其它合適的變形。在一些示例中，可變形基板3可以被配置為當(dāng)由用戶所施加的力被除去時(shí)自動返回到平衡形狀。

在圖1的示例中，可變形基板3可以被配置為在由箭頭10、12表示的方向上拉伸。箭頭10表示拉伸的主方向。在該示例中，拉伸的主方向平行于或基本上平行于至少一個(gè)支撐件5。箭頭12表示拉伸的次要方向。在該示例中，次要拉伸垂直于或基本上垂直于至少一個(gè)支撐件5。

在一些示例中，可變形基板3可以包括可被用戶彎曲或扭曲的柔性基板。可變形基板3可以包括聚合物材料、彈性體材料或可以任何其它響應(yīng)于裝置1的用戶所施加的力而變形的材料。

在其它示例中，可變形基板3可以包括多個(gè)鉸接或接合的段。鉸接或接合的段可以被配置為相對彼此移動，以使可變形基板3的部分能夠被折疊或彎曲或拉伸。可變形基板3可以響應(yīng)于裝置1的用戶所施加的力而折疊或彎曲或拉伸。

在一些示例中，一個(gè)或多個(gè)電子部件可以安裝在可變形基板3上。

圖1所示的裝置1還包括至少一個(gè)支撐件5。至少一個(gè)支撐件5可以包括任何可被配置為在與可變形基板3間隔開的位置上支撐一個(gè)或多個(gè)彎曲支撐結(jié)構(gòu)7的構(gòu)件。在圖1的示例中，至少一個(gè)支撐件5包括在垂直于可變形基板3的平面9的方向上延伸的梁6。

在圖1的示例中，至少一個(gè)支撐件5包括沿著可變形基板3的平面9的部分延伸的梁6。應(yīng)當(dāng)理解，其它類型的支撐件可以使用在其它示例的裝置1中。例如，至少一個(gè)支撐件5可以包括在可變形基板3的表面9上彼此分離地設(shè)置的多個(gè)單獨(dú)的支撐件。多個(gè)單獨(dú)的支撐件可以是任何合適的尺寸或形狀，例如，單獨(dú)的支撐件可以是正方形或矩形或圓柱形或任何其它合適的形狀。在一些示例中，不同的單獨(dú)的支撐件可以具有不同的尺寸和/或形狀。

在一些示例中，至少一個(gè)支撐件5可以被配置為響應(yīng)于用戶所施加的力而變形。例如，至少一個(gè)支撐件5可以被配置為響應(yīng)于由用戶施加的力而彎曲或拉伸或被壓縮或產(chǎn)生任何其它合適的變形。在其它示例中，至少一個(gè)支撐件5可以被配置以使得響應(yīng)于用戶所施加的力而不變形。例如，至少一個(gè)支撐件5可以包括剛性材料，以使得當(dāng)用戶施加力時(shí)，至少一個(gè)支撐件5不被壓縮。

至少一個(gè)支撐件5可以連接到可變形基板3，以使得如果可變形基板3變形，則也使至少一個(gè)支撐件5從它的平衡位置移動。例如，在圖1所示的裝置1中，支撐件5包括安裝在可變形基板3上的梁6，以使得它沿著可變形基板3的平面9的部分延伸。如果安裝有梁6的可變形基板3的部分變形，則梁6也變形?？勺冃位?可以通過例如拉伸、扭曲或彎曲而變形，因此，梁6也可以被拉伸、扭曲或彎曲。在這種示例中，梁6可以包括柔性材料，諸如聚合物材料、彈性體材料或任何其它可以響應(yīng)于裝置1的用戶所施加的力而變形但是剛性足以支撐彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的材料。

如上所述，在一些示例中，至少一個(gè)支撐件5可以包括多個(gè)單獨(dú)的支撐件，其在可變形基板3的表面9上彼此分離地設(shè)置而不是連續(xù)的梁。在這種示例中，使可變形基板3的一部分變形將導(dǎo)致各個(gè)支撐件5的位置或相對方向的改變，而不需要導(dǎo)致單獨(dú)的支撐件的變形。在這種示例中，支撐件5可以由任何合適的可被配置為支撐彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的材料制成。圖1所示的裝置1還包括彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以被配置為支撐電阻傳感器30的至少一部分，其中，電阻傳感器30包括第一電極31、第二電極33和設(shè)置在電極31、33之間的電阻傳感器材料35。可以由彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7支撐的電阻傳感器30的示例在下面參考圖3a至9b來描述。

彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以包括任何合適的材料。在一些示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以包括非導(dǎo)電材料。例如，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以包括聚合物或其它合適的材料。在這種示例中，電阻傳感器30的電阻傳感器材料35和電極31、33可以安裝在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上。

在一些示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以包括導(dǎo)電材料。例如，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以包括銅或其它合適的材料。在這種示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)可以提供第一電極31。電阻傳感器材料35和第二電極33可以由第一電極31支撐。

彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以通過至少一個(gè)支撐件5連接到可變形基板3。至少一個(gè)支撐件5被配置成將彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7與基板分離，以使得彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7至少部分地與可變形基板3隔離。至少一個(gè)支撐件5位于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和可變形基板3之間。至少一個(gè)支撐件5可以將彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7維持在與可變形基板3間隔開的位置上，以使得彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和可變形基板3彼此分離。彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和可變形基板3之間的分離距離可取決于至少一個(gè)支撐件5的高度。在圖1的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和可變形基板3之間的分離距離與梁6的高度相同。

在一些示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和至少一個(gè)支撐件5可以被配置以使得彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7不直接接觸可變形基板3。在一些示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和至少一個(gè)支撐件5可以被配置以使得當(dāng)裝置1處于平衡未變形狀態(tài)時(shí)，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7不直接接觸可變形基板3。在一些示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和至少一個(gè)支撐件5可以被配置以使得當(dāng)裝置1處于變形狀態(tài)時(shí)，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7不直接接觸可變形基板3。

在圖1的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括細(xì)長構(gòu)件11，該細(xì)長構(gòu)件11沿著細(xì)長構(gòu)件11的長度在多個(gè)不同點(diǎn)處連接到至少一個(gè)支撐件5。

細(xì)長構(gòu)件11是彎曲的。細(xì)長構(gòu)件11可以包括多個(gè)彎曲。細(xì)長構(gòu)件11的總長度大于細(xì)長構(gòu)件11在其之上延伸的可變形基板3的長度。細(xì)長構(gòu)件11的彎曲部分16具有大于180度的曲率角度，以使得細(xì)長構(gòu)件11自行對折以形成環(huán)13。環(huán)13包括開口14，因此，環(huán)13不閉合。在圖1的示例中，細(xì)長構(gòu)件11包括多個(gè)環(huán)13。多個(gè)環(huán)13形成蛇形形狀，其中在延伸到梁6的左手側(cè)的環(huán)13之后跟著延伸到梁6的右手側(cè)的環(huán)13。細(xì)長構(gòu)件11被配置以使得彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7在梁6的任一側(cè)上分布。

彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以沿著細(xì)長構(gòu)件11的長度在多個(gè)不同點(diǎn)處連接到至少一個(gè)支撐件5。在圖1的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7在每個(gè)環(huán)13中的兩個(gè)點(diǎn)處連接到梁6。

應(yīng)當(dāng)理解，在圖1中所示的彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的形狀是示例，其它形狀可以用在其它示例中。

在圖1的示例中，僅示出了一個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。在一些示例中，裝置1可以包括多個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以沿著可變形基板3在相同的方向上延伸。

在一些示例中，可以提供覆蓋彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的附加的彎曲結(jié)構(gòu)。附加的彎曲結(jié)構(gòu)可以在垂直于或基本上垂直于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的方向上延伸。包括彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和附加的彎曲結(jié)構(gòu)的裝置1的示例在下面參考圖7a至9b來描述。

圖2a和2b示出了在兩個(gè)示例彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的表面上的第一主應(yīng)變。圖2a示出了對于聚合物彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的第一主應(yīng)變，圖2b示出了對于金屬彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的第一主應(yīng)變。在圖2b中銅用作金屬。

為了獲得圖2a和2b所示的結(jié)果，將20％的應(yīng)變施加到裝置1。在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7中觀察到的最大應(yīng)變是在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的邊緣處觀察到。觀察到的最大應(yīng)變僅為+/-0.5％，其比施加到裝置1的應(yīng)變小兩個(gè)數(shù)量級。從圖2a和2b可看出，即使當(dāng)大的應(yīng)變施加到裝置1時(shí)，在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7中存在很小的應(yīng)變?？拷鼘?dǎo)電支撐結(jié)構(gòu)7的中心，應(yīng)變?yōu)榱慊蚍浅＝咏恪?/p>

在本公開的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7被配置為支撐電阻傳感器30的至少一部分，以使得電阻傳感器30在裝置1變形時(shí)經(jīng)受減小的應(yīng)變。在一些示例中，電阻傳感器30可以包括晶體管161。

圖3a和3b示意性地示出了可以在本公開的示例中使用的電阻傳感器30。電阻傳感器30包括第一電極31和第二電極33以及電阻傳感器材料35。電阻傳感器材料35在電極31、33之間形成電連接。電阻傳感器材料35可以在兩個(gè)電極31、33之間提供直接的電流路徑。

電極31和33可以包括任何導(dǎo)電材料。例如，電極31、33可以包括銅、銀、金、石墨烯、氧化銦錫(ito)或任何其它合適的材料。

電阻傳感器材料35可以包括具有可變電阻的材料。電阻傳感器材料35可以具有根據(jù)由電阻傳感器材料35感測到的參數(shù)的存在而變化的電阻。感測的參數(shù)可以包括諸如可能存在于電阻傳感器30周圍的環(huán)境中的化學(xué)品的環(huán)境參數(shù)，或任何其它可被檢測到的諸如溫度或光的物理參數(shù)。

電阻傳感器材料35可以具有電阻傳導(dǎo)機(jī)制(resistivetransductionmechanism)，以使得電阻傳感器材料35的電阻率響應(yīng)于將要感測的參數(shù)而變化。用作電阻傳感器材料35的材料可以由將要感測的參數(shù)來確定。

在一些示例中，電阻傳感器材料35可用于使電阻傳感器30能夠檢測濕度。在這種示例中，電阻傳感器材料35可以包括諸如石墨烯氧化物的材料。

在一些示例中，電阻傳感器材料35可被配置為檢測溫度的變化。在這種示例中可以使用的電阻傳感器材料35的示例包括碳化硅或任何其它合適的材料。

在一些示例中，電阻傳感器材料35可以包括光阻(photoresitive)材料，其可以使電阻傳感器30能夠用于檢測環(huán)境光。

圖3a示意性地示出了可以在本公開的示例中使用的示例設(shè)置的電阻傳感器30，其中，電阻傳感器材料35具有高的薄層電阻。在這種示例中，電極31、33之間的距離d可以很小，電極31、33的長度l可以很大。這為電阻傳感器30提供了低的間隔相對長度d/l比率。圖3a的示例電阻傳感器30的設(shè)置可以采用諸如石墨烯氧化物的電阻傳感器材料35，當(dāng)石墨烯氧化物為50nm厚時(shí)其在50nm處具有大約5gω/sq的薄層電阻。

圖3b示意性地示出了可以在本公開的示例中使用的示例設(shè)置的電阻傳感器30，其中，電阻傳感器材料35具有低的薄層電阻。在這種示例中，電極31、33之間的距離d可以很大，并且電極31、33的長度l可以很小。這為傳感器30提供了高的間隔相對長度d/l比率。圖3a的示例電阻傳感器30的設(shè)置可以采用諸如可以具有5ω/sq的薄層電阻的熱敏電阻漿料的電阻傳感器材料35。

圖4a至9b示出了其中電阻傳感器30由彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7來支撐的示例裝置1。

圖4a和4b示出了根據(jù)本公開的示例的示例裝置1。圖4a示出了裝置1的平面圖，圖4b示出了穿過裝置1的部分的橫截面。示例裝置1包括可以如上面關(guān)于圖1所述的彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和至少一個(gè)支撐件5。彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7支撐電阻傳感器30。

在圖4a和4b的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括非導(dǎo)電材料。在圖4a和4b的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括聚合物材料。在其它示例中，可以使用其它材料。

在圖4a和4b的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7支撐電阻傳感器30的第一電極31、第二電極33和電阻傳感器材料35。第一電極31設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的第一邊緣41上，并且第二電極33設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的第二邊緣43上。

電阻傳感器材料35設(shè)置在兩個(gè)電極31、33之間。電阻傳感器材料35在兩個(gè)電極31、33之間提供電連接。在圖4a和4b的示例中，電阻傳感器材料35設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的中心部分中。這可以是彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7經(jīng)受最小應(yīng)變的區(qū)域。當(dāng)裝置1變形時(shí)，這可以最小化電阻傳感器材料35內(nèi)的應(yīng)變。

在圖4a和4b的示例中，電極31、33沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度延伸。電極31、33被設(shè)置為具有低的間隔相對長度d/l比率。圖4a和4b的示例電阻傳感器30的設(shè)置可以采用具有高的薄層電阻的電阻傳感器材料35。

圖5a至5c示出了根據(jù)本公開的另一個(gè)示例的示例裝置1。圖5a示出了裝置1的平面圖。圖5b示出了穿過裝置1的部分的橫截面，其中彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括導(dǎo)電材料。圖5c示出了在替代示例中穿過裝置1的部分的橫截面，其中彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括非導(dǎo)電材料。示例裝置1包括可以如上面關(guān)于圖1所述的彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和至少一個(gè)支撐件5。彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7支撐電阻傳感器30的至少一部分。

在圖5b的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括導(dǎo)電材料。在該示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7提供第一電極31。彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以包括任何合適的材料，諸如銅或其它導(dǎo)電材料。

在圖5b的示例中，第一電極31支撐電阻傳感器材料35和第二電極33。電阻傳感器材料35和第二電極33可以直接沉積在第一電極31上。電阻傳感器材料35可以設(shè)置為覆蓋第一電極31的層。第二電極33可以設(shè)置在覆蓋電阻傳感器材料35的層中。電阻傳感器材料35可以設(shè)置在第一電極31和第二電極33之間，以在兩個(gè)電極31、33之間提供電連接。

在圖5b的示例中，用作第一電極31的材料和材料的厚度選擇為，使得電阻傳感器材料35和第二電極33的重量能夠由第一電極31來支撐。

圖5c的橫截面示出了用于電阻傳感器30的替代設(shè)置。在圖5c的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括諸如聚合物材料的非導(dǎo)電材料。在其它示例中，可以使用其它材料。在圖5c的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7支撐第一電極31、第二電極33和電阻傳感器材料35。第一電極31設(shè)置為彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上的第一層。電阻傳感器材料35設(shè)置為覆蓋第一電極31的層。第二電極33設(shè)置在覆蓋電阻傳感器材料35的層中。電阻傳感器材料35在兩個(gè)電極31、33之間提供電連接。

在圖5a至5c的示例中，電阻傳感器材料35橫穿彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的寬度來沉積。電阻傳感器材料35可以覆蓋彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的中心部分和彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的邊緣。當(dāng)裝置1變形時(shí)存在于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7中的應(yīng)變可以足夠低，以使得它不影響電阻傳感器材料35。

在圖5a至5c的示例中，第二電極33設(shè)置為覆蓋電阻傳感器材料35的三個(gè)條帶51。條帶51不完全覆蓋電阻傳感器材料35。這使得電阻傳感器30能夠滲透將由電阻傳感器材料35感測的參數(shù)。應(yīng)當(dāng)理解，在其它示例中，其它設(shè)置可用于提供第二電極33中的間隙。

在一些示例中，第二電極33可以是連續(xù)的，沒有間隙。在這種示例中，第二電極33可被設(shè)置為滲透將由電阻傳感器材料35感測的參數(shù)。例如，諸如氧化銦錫(ito)的光學(xué)透明材料可以被設(shè)置，覆蓋被配置為檢測入射光的電阻傳感器材料35。

在圖5a至5c的示例中，電極31、33沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度延伸，以使得電極31、33具有低的間隔相對長度d/l比率。圖5a至5c的示例電阻傳感器30的設(shè)置可以采用具有高的薄層電阻的電阻傳感器材料35。

圖4a至5c的示例電阻傳感器30可以采用諸如可被配置為檢測濕度的石墨烯氧化物的電阻傳感器材料35。這種電阻傳感器30可用于提供可拉伸的濕度傳感器設(shè)備。該設(shè)備可以作為用戶的身體上的貼片來穿戴，并且可用于測量級別或出汗或其它生物參數(shù)。

圖6示出了示例裝置1的橫截面。裝置1包括可以如關(guān)于圖1所述的可變形基板3、至少一個(gè)支撐件5以及彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。橫截面可以取垂直于圖1中的應(yīng)變的主方向。彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以支撐一個(gè)電阻傳感器30或多個(gè)電阻傳感器30。

可變形基板3包括下部61和上部63?？勺冃位?形成腔體69，在腔體69中設(shè)置了彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7以及一個(gè)電阻傳感器30或多個(gè)電阻傳感器30。

在圖6的示例中，附加的支撐柱65設(shè)置在可變形基板3的上部63和可變形基板3的下部61之間。附加的支撐柱65可以由與可變形基板3相同的材料形成。附加的支撐柱65可以被配置為當(dāng)裝置1變形時(shí)防止可變形基板3的上部63與彎曲的支撐部分7接觸。

可變形基板3的上部63包括一個(gè)或多個(gè)通氣孔67。通氣孔67可以被配置為使得將要檢測的環(huán)境參數(shù)能夠穿過可變形基板3的上部63并達(dá)到電阻傳感器30。在一些示例中，通氣孔67可以在可變形基板3的上部63中包括間隙或不連續(xù)。在其它示例中，通氣孔67可以包括可滲透將要檢測的環(huán)境參數(shù)的可變形基板3的上部63的部分。

圖7a和7b示出了包括電阻傳感器30的陣列71的裝置1的示例。電阻傳感器30的陣列71可以包括多個(gè)電阻傳感器30。在一些示例中，陣列71內(nèi)的不同的電阻傳感器30可以被配置為感測不同的參數(shù)。在這種示例中，不同的電阻傳感器材料35可以用在不同的電阻傳感器30中。

圖7a示出了裝置1的部分的平面圖。圖7b提供了電阻傳感器30的三乘三陣列71的等效電路圖。應(yīng)當(dāng)理解，電阻傳感器30的陣列71可以包括任何合適設(shè)置中的任何合適數(shù)量的電阻傳感器30。

圖7a和7b的裝置1包括可以如關(guān)于圖3所述的可變形基板3、至少一個(gè)支撐件5以及彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。在圖7a中僅示出了一個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7，然而，應(yīng)當(dāng)理解，裝置1可以包括多個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。多個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以在相同的方向上延伸。

在圖7a和7b的示例中，裝置1還包括多個(gè)附加的彎曲結(jié)構(gòu)75。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75可以包括細(xì)長構(gòu)件11。細(xì)長構(gòu)件11可以形成蛇形形狀。蛇形形狀可以與彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的蛇形形狀相同或相似。

附加的彎曲結(jié)構(gòu)75在垂直于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的方向上延伸。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度間隔地設(shè)置，以使得存在多個(gè)其中附加的彎曲結(jié)構(gòu)75在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上方交叉的相交點(diǎn)。

附加的彎曲結(jié)構(gòu)75覆蓋彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7而設(shè)置。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75可以包括到第二電極33的電連接。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75為電阻傳感器30的陣列71提供交叉連接器。

圖7a和7b的示例裝置1使用如在圖4a和4b中所示并且如上所述的電阻傳感器30的設(shè)置。電極31、33設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的邊緣41、43上，并且電阻傳感器材料35設(shè)置在電極31、33之間。電阻傳感器30設(shè)置在沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度的部分中。

可以選擇電阻傳感器30的部分的長度來控制電阻傳感器30的靈敏度。可以調(diào)節(jié)不連續(xù)電極33的長度和/或電阻傳感器材料35的厚度以調(diào)整電阻傳感器30的電阻。

電介質(zhì)絕緣材料73設(shè)置在第一電極31和附加的支撐結(jié)構(gòu)75之間。電介質(zhì)絕緣材料73可以被配置為防止第一電極31和交叉連接器之間的直接連接。

圖8a和8b示出了包括電阻傳感器30的陣列71的裝置1的另一個(gè)示例。如圖7a和7b所示，電阻傳感器30的陣列71可以包括多個(gè)電阻傳感器30。陣列71內(nèi)的不同的電阻傳感器30可以被配置為感測不同的參數(shù)。在這種示例中，不同的電阻傳感器材料35可以用在不同的電阻傳感器30中。

圖8a示出了該裝置的部分的平面圖。圖8b提供了電阻傳感器30的三乘三陣列71的等效電路圖。應(yīng)當(dāng)理解，電阻傳感器30的陣列71可以包括任何合適設(shè)置中的任何合適數(shù)量的電阻傳感器30。

圖8a和8b的裝置1包括可以如關(guān)于圖1所述的可變形基板3、至少一個(gè)支撐件5以及彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。在圖8a中僅示出了一個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7，然而，應(yīng)當(dāng)理解，裝置1可以包括多個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。多個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以在相同的方向上延伸。

在圖8a和8b的示例中，裝置1還包括多個(gè)附加的彎曲結(jié)構(gòu)75。附加的彎曲結(jié)構(gòu)可以包括細(xì)長構(gòu)件11。細(xì)長構(gòu)件11可以形成蛇形形狀。蛇形形狀可以與彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的蛇形形狀相同或相似。

附加的彎曲結(jié)構(gòu)75在垂直于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的方向上延伸。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度間隔地設(shè)置，以使得存在多個(gè)其中附加的彎曲結(jié)構(gòu)75在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上方交叉的相交點(diǎn)。

附加的彎曲結(jié)構(gòu)75覆蓋彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7而設(shè)置。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75可以包括到第二電極33的電連接。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75為電阻傳感器30的陣列71提供交叉連接器。

圖8a和8b的示例裝置1使用如圖5a至5c所示并且如上所述的電阻傳感器30的設(shè)置。第一電極31設(shè)置在電阻傳感器材料35的下方，因此在圖8a的平面圖中未示出。電阻傳感器30設(shè)置在沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度的部分中。

電阻傳感器30的部分的長度和不連續(xù)電極33的寬度和/或電阻傳感器材料35的厚度可以被調(diào)節(jié)以調(diào)整電阻傳感器30的電阻。

可以使用任何合適的方法讀取由傳感器獲得的信息。在圖7a至8d的示例中，陣列71內(nèi)的電阻傳感器30中的每一個(gè)可以通過多路復(fù)用讀取電子裝置獨(dú)立地讀取。

圖9a和9b示出了根據(jù)本公開的另一個(gè)示例的示例裝置1。圖9a和9b的示例裝置1可適用于具有采用低的薄層電阻的電阻傳感器材料35的用戶。圖9a示出了裝置1的平面圖，圖9b示出了穿過裝置1的部分的橫截面。示例裝置1包括可以如上關(guān)于圖1所述的彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和至少一個(gè)支撐件5。在圖9a中僅示出了一個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7，然而，應(yīng)當(dāng)理解，裝置1可以包括多個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。

圖9a和9b的示例裝置1還包括多個(gè)附加的彎曲結(jié)構(gòu)75。圖9a示出了兩個(gè)附加的彎曲結(jié)構(gòu)75，然而，應(yīng)當(dāng)理解，在裝置1內(nèi)可以設(shè)置任何數(shù)量。

在圖9a和9b的示例中，附加的彎曲結(jié)構(gòu)75包括以蛇形形狀的細(xì)長構(gòu)件11。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75的蛇形形狀可以與彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的蛇形形狀相同或相似。

附加的彎曲結(jié)構(gòu)75在垂直于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的方向上延伸。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度間隔地設(shè)置，以使得存在多個(gè)其中附加的彎曲結(jié)構(gòu)75在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上方交叉的相交點(diǎn)。

附加的彎曲結(jié)構(gòu)75覆蓋彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7而設(shè)置。在圖9a和9b的示例裝置中，附加的彎曲結(jié)構(gòu)75可為一個(gè)或多個(gè)電阻傳感器30提供第二電極33。

在圖9a和9b的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括非導(dǎo)電材料。在圖9a和9b的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括聚合物材料。在其它示例中，可以使用其它材料。

在圖9a和9b的示例中，第一電極31設(shè)置為在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7下面的層。第一電極31可以沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度延伸。第一電極31可以沿彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度連續(xù)延伸。

電阻傳感器材料35設(shè)置為覆蓋彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的層。電阻傳感器材料35可以沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度延伸。在一些示例中，電阻傳感器材料35可以覆蓋彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的整個(gè)寬度而設(shè)置。在一些示例中，電阻傳感器材料35可以僅設(shè)置在當(dāng)裝置1變形時(shí)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7經(jīng)受最小應(yīng)變量的部分上。例如，電阻傳感器材料35可能僅設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的中心部分中。這可以使對應(yīng)變非常敏感的材料能夠用作電阻傳感器材料35。

第二電極33由附加的支撐結(jié)構(gòu)75來提供。通孔(via)91穿過彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7設(shè)置，以使電阻傳感器材料35能夠電連接第一和第二電極31、33。通孔91可以設(shè)置在沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的點(diǎn)處，當(dāng)裝置1變形時(shí)該點(diǎn)經(jīng)受最小的應(yīng)變量。

在圖9a和9b的示例中，第一電極31設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上，而第二交叉連接器電極33設(shè)置在附加的支撐結(jié)構(gòu)75上，以及電阻傳感器材料35沿著支撐結(jié)構(gòu)7的長度延伸。電阻在通孔91和交叉連接器電極33的位置之間來測量。該設(shè)置使得電阻傳感器30具有高的間隔相對長度d/l比率。圖9a和9b的示例電阻傳感器30的設(shè)置可以采用具有低的薄層電阻的電阻傳感器材料35。例如，圖9a和9b的裝置可以采用可用于檢測溫度的變化的材料(諸如碳化硅)。

應(yīng)當(dāng)理解，如圖9a和9b所示的多個(gè)傳感器30可以設(shè)置在陣列71中。等效電路圖可以與圖8b相同。在陣列71內(nèi)的電阻傳感器30中的每一個(gè)可以通過多路復(fù)用讀取電子裝置獨(dú)立地讀取。

圖10至圖13示出了可以用于提供根據(jù)本公開的示例的裝置1的示例方法。裝置1可以如上面關(guān)于圖1至圖9b所述。

圖10示出了第一示例方法。該方法包括在框101提供可變形基板3。該方法包括在框103提供彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7被配置為支撐電阻傳感器30的至少一部分，其中，電阻傳感器30包括第一電極31、第二電極33和設(shè)置在電極31、33之間的電阻傳感器材料35。該方法還包括在框105提供至少一個(gè)支撐件5，該至少一個(gè)支撐件5被配置為將彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7與可變形基板3間隔開，以使得當(dāng)可變形基板3變形時(shí)，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7不以相同的方式變形。電阻傳感器30位于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上，以便當(dāng)可變形基板3變形時(shí)限制電阻傳感器30的變形。

圖11a至11r還示出了提供裝置1的示例方法。圖11a至11r的示例方法可用于提供裝置1，諸如圖4a和4b以及7a和7b的裝置1。

在圖11a中，釋放層111沉積在硅晶片113上。在圖11b中，光刻膠層115沉積在釋放層111上。光刻膠層115被圖案化為電極33。在圖11c中，諸如金屬的導(dǎo)電材料117沉積在光刻膠層115上。導(dǎo)電材料117可以使用諸如蒸發(fā)或?yàn)R射的任何合適的方法來沉積。在圖11d中，去除光刻膠層115，并且將電極33留在釋放層111上。

在圖11b至圖11d的示例中，形成的電極33可以提供如在圖7a和7b中所示的第二電極33。該電極33可以包括附加的彎曲結(jié)構(gòu)75的部分，并且沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的部分延伸。

在圖11e中，電介質(zhì)絕緣材料73沉積在電極33上。電介質(zhì)絕緣材料73可以使用諸如噴墨印刷或絲網(wǎng)印刷的任何合適的方法來沉積。在圖11f中，另一個(gè)光刻膠層119沉積在釋放層111上。光刻膠層119被圖案化為另一個(gè)電極31。在圖11g中，諸如金屬的導(dǎo)電材料121沉積在光刻膠層119上。導(dǎo)電材料121可以使用諸如蒸發(fā)或?yàn)R射的任何合適的方法來沉積。在圖11h中，去除光刻膠層119，并且將兩個(gè)電極31、33留在釋放層111上。

在圖11f至11h的方法的框中形成的電極31可以形成如在圖7a和7b中所示的第一電極31。該電極31可以被設(shè)置為沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的部分延伸。

在圖11i中，另一個(gè)光刻膠層123沉積在釋放層111上。光刻膠層123被圖案化為電阻傳感器材料35。在圖11j中，電阻傳感器材料35沉積在光刻膠層123上。電阻傳感器材料35可以是具有響應(yīng)于所感測的參數(shù)而變化的電阻的任何材料。電阻傳感器材料35可以使用任何合適的方法來沉積，諸如蒸發(fā)、濺射、絲網(wǎng)印刷或任何其它合適的方法?？捎糜诔练e電阻傳感器材料35的方法可取決于所使用的材料。作為示例，石墨烯氧化物可以從溶液中棒涂(barcoated)或噴涂。在圖11k中，去除光刻膠層123，并且將電阻傳感器材料35留在兩個(gè)電極31、33之間。

在圖11l中，聚合物125沉積在電極31、33上。聚合物125可以是可光致圖案化的聚合物。聚合物125可以旋涂到電極31、33上。在其它示例中，可以使用其它用于沉積聚合物125的方法。在圖11m中，另一個(gè)光刻膠層127沉積在聚合物125上。光刻膠層127被圖案化為彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和附加的彎曲結(jié)構(gòu)75。然后，聚合物125暴露于紫外(uv)光129。紫外光129通過增加聚合物125中的交聯(lián)數(shù)來使暴露于uv光的聚合物125硬化。沒有暴露于uv光129的聚合物125的部分保留為未交聯(lián)的聚合物125。在圖11n中，去除光刻膠層127和未交聯(lián)的聚合物。這留下彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和附加的彎曲支撐結(jié)構(gòu)75。

在圖11o中，沉積另一個(gè)光刻膠層131。另一個(gè)光刻膠層131被圖案化為至少一個(gè)支撐件5。在圖11o的示例中，至少一個(gè)支撐件5包括梁6。在圖11p中，彈性體層133抵靠另一個(gè)光刻膠層131澆鑄并固化。在圖11q中，去除另一個(gè)光刻膠層131和剝離的層111，留下可變形基板3、梁6和彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。在圖11r中，結(jié)構(gòu)被反轉(zhuǎn)以留下如上所述并在圖7a和7b中所示的裝置1。

應(yīng)當(dāng)理解，可以修改11a至11r的方法以提供不同的示例裝置1。例如，可以修改該方法以向示例裝置1提供如圖8a和8b所示的堆疊電極31、33。在這種示例中，圖11e的框可以被去除，因?yàn)椴恍枰娊橘|(zhì)絕緣材料73。圖11i至11k的框可以用圖11f至11h的框來切換，以使得電阻傳感器材料35被設(shè)置為兩個(gè)電極31、33之間的層。相應(yīng)地，可以調(diào)節(jié)電極31、33和電阻傳感器材料35的形狀。

還可以修改該方法，以提供可以使用具有低的薄層電阻的電阻傳感器材料35的示例裝置1。例如，可以修改該方法以提供裝置1，諸如圖9a和9b的裝置。在這種示例中，圖11e的框可以被去除，因?yàn)椴恍枰娊橘|(zhì)絕緣材料73。圖11f至11h的框可以用圖11i至11n的框來切換，以使得彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7被設(shè)置在電極31、33之間。用于制造彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的掩?？梢员恍薷囊允沟媚軌蛱砑油?1。

圖12a至12g示出了用于制造裝置1(諸如圖6所示的裝置1)的部分的方法。在圖12a中，光刻膠層141沉積到硅基板143上。光刻膠層141可以旋涂到硅基板143上。沉積光刻膠層141的其它方法可以在本公開的其它示例中使用。

在圖12b中，光刻膠層141被圖案化為通氣孔67。通氣孔67可以以任何合適的圖案進(jìn)行設(shè)置。在圖12c中，彈性體層145抵靠光刻膠層141澆鑄并固化。該彈性體層145可以形成可變形基板3的上部63的部分。

在圖12d中，第二光刻膠層147沉積在彈性體層145之上。第二光刻膠層147可以旋涂到彈性體層145上，或者可以使用任何其它合適的方法。在圖12e中，光刻膠層147被圖案化為附加的支撐柱65。在圖12f中，另一個(gè)彈性體層149抵靠第二光刻膠層147澆鑄并固化。該彈性體層149可以形成如上參考圖6所述的附加的支撐柱65。

在圖12g中，去除第二光刻膠層147，留下具有通氣孔67和附加的支撐柱65的可變形基板3的上部63。

圖13示出了可用于將可變形基板3的上部63與可變形基板3的下部61組合的示例方法。可變形基板3的上部63可以如關(guān)于12a至12g所述來形成?？勺冃位?的下部61可以如關(guān)于圖11a至11r所述來形成?？勺冃位?的下部61可以包括彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和電阻傳感器30。

在圖13的示例中，在簡短的等離子體處理之后，上部63和下部61以卷對卷(roll-to-roll)工藝來接合以促進(jìn)接合。

在一些示例中，電阻傳感器30可以包括一個(gè)或多個(gè)晶體管161。晶體管161可以被配置為用作傳感器。在一些示例中，一個(gè)或多個(gè)晶體管161可以被配置為用作開關(guān)和/或放大器。

在一些示例中，晶體管161可以包括場效應(yīng)晶體管(fet)。fet可以使用電場來控制活性材料內(nèi)的溝道的導(dǎo)電性。fet可以以薄膜形式來制造。例如，fet可以是薄膜晶體管(tft)，其中活性材料、電介質(zhì)和電極的薄膜沉積在支撐基板之上。tft可以適用于可變形裝置1，因?yàn)閠ft的厚度可以被配置為允許諸如彎曲和拉伸的變形。tft還可以被配置為具有高的活性材料的表面積相對體積比。這可以使tft適于用作傳感器。

圖14a至14d示意性地示出了可用于本公開的一些示例中的晶體管161的示例設(shè)置。晶體管161中的每一個(gè)包括源極162、漏極163和柵極164。晶體管161還包括位于柵極164與源極162和漏極163之間的電介質(zhì)材料165。晶體管161還包括位于源極和漏極162、163之間的活性材料166。晶體管161可以設(shè)置在基板167上。

圖14a至14d示意性地示出了晶體管161的四個(gè)不同的示例設(shè)置。由于接觸電阻和寄生電容的差異，不同的示例設(shè)置中的每一個(gè)可以提供不同的性能。圖14a示出了底柵底部接觸型晶體管161的設(shè)置。圖14b示出了底柵頂部接觸型晶體管161的設(shè)置。圖14c示出了頂柵底部接觸型晶體管161的設(shè)置。圖14d示出了頂柵頂部接觸型晶體管161的設(shè)置。

活性材料166可以包括半導(dǎo)體或具有活性層的半導(dǎo)體。在一些示例中，活性材料166可以被配置為響應(yīng)于將要被感測的參數(shù)。這可以使得晶體管161能夠用作傳感器。

用作活性材料166的材料可以取決于將要被感測的參數(shù)。在一些示例中，裝置1可以包括多個(gè)可被配置為感測不同的參數(shù)的不同的晶體管161。表1列出了可以用作晶體管161內(nèi)的活性材料166的示例材料以及它們可用于感測的參數(shù)。應(yīng)當(dāng)理解，在本公開的其它示例中可以使用其它材料。

在一些示例中，晶體管161還可以包括鈍化層。鈍化層可以被配置為防止污染物與晶體管的部件接觸，并且可以防止晶體管161的劣化。用作鈍化層的材料可以取決于被感測的參數(shù)和用作活性材料166的材料。

圖15a至圖20示出了其中晶體管161被配置為由彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7支撐的示例裝置1。

圖15a至15d示出了根據(jù)本公開的示例的包括晶體管161的示例裝置1。圖15a示出了裝置1的平面圖。圖15b示出了穿過晶體管161位于其中的裝置1的部分的橫截面。圖15c示出了晶體管161位于其中的裝置1的部分的詳細(xì)頂視圖。圖15d示出了晶體管161位于其中的裝置1的部分的側(cè)視圖。示例裝置1包括可以如上所述的彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和至少一個(gè)支撐件5。彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以被配置為支撐晶體管161的部件。

在圖15a至15d的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料可以包括金屬材料，諸如銅或任何其它合適的材料。導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以被配置為向晶體管161提供柵極164。

在圖15a至15d的示例中，晶體管161設(shè)置成底柵頂部接觸型設(shè)置。在圖15a至15d的示例中，導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7提供柵極164，并且還支撐源極162和漏極163。源極162設(shè)置在導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的第一邊緣41上，并且漏極163設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的第二邊緣43上。在圖15a至15d的示例中，電極162、163沿著導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度延伸。這可以類似于上述電阻傳感器30的設(shè)置的第一和第二電極31、33。

彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7還被配置為支撐活性材料166。在圖15a至15d的示例中，活性材料166包括半導(dǎo)體?；钚圆牧?66設(shè)置在兩個(gè)電極162、163之間。活性材料166提供兩個(gè)電極162、163之間的溝道。在圖15a至15d的示例中，活性材料166設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的中心部分中。這可以是彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7經(jīng)受最小應(yīng)變的區(qū)域。這可以使裝置1變形時(shí)活性材料166內(nèi)的應(yīng)變最小化。在圖15a至15d的示例中，活性材料166設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的環(huán)13中的一個(gè)環(huán)的頂點(diǎn)中。應(yīng)當(dāng)理解，在其它示例中，活性材料166可以設(shè)置在沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的其它位置上。

導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7還被配置為支撐電介質(zhì)材料165。電介質(zhì)165可以沉積在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上，以防止柵極164與源極和漏極162、163以及活性材料166之間的電接觸。在圖15a至15b的示例中，電介質(zhì)材料164覆蓋導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的表面。

應(yīng)當(dāng)理解，在本公開的其他示例中，晶體管161可以以其它設(shè)置提供。例如，可以改變晶體管161的層的沉積順序以提供底部接觸設(shè)置。

圖16a至16f示出了根據(jù)本公開的其它示例的包括晶體管161的示例裝置1。在圖16a至16f的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括非導(dǎo)電材料。

圖16a示出了裝置1的平面圖。圖16b示出了穿過晶體管161位于其中的裝置1的部分的橫截面。圖16c示出了晶體管161位于其中的裝置1的部分的側(cè)視圖。示例裝置1包括可以如上所述的彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和至少一個(gè)支撐件5。彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以被配置為支撐晶體管161的部件。

在圖16a至16c的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括非導(dǎo)電材料。非導(dǎo)電材料可以包括聚合物材料，諸如聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺、甲基倍半硅氧烷、聚烯丙基醚、聚乙烯、聚苯乙烯或任何其它合適的材料。

在圖16a至16c的示例中，晶體管161設(shè)置成底柵頂部接觸型設(shè)置。在圖16a至16c的示例中，非導(dǎo)電彎曲支的撐結(jié)構(gòu)7支撐柵極164。柵極164可以沉積在非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7之上。柵極164可以直接覆蓋非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。

非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7還支撐源極162和漏極163。源極162設(shè)置在非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的第一邊緣41上，并且漏極163設(shè)置在非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的第二邊緣43上。在圖16a至16c的示例中，電極162、163沿著非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度延伸。這可以類似于上述電阻傳感器30的設(shè)置。

彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7還被配置為支撐活性材料166。在圖16a至16c的示例中，活性材料166包括半導(dǎo)體?；钚圆牧?66設(shè)置在兩個(gè)電極162、163之間?；钚圆牧?66提供兩個(gè)電極162、163之間的溝道。在圖16a至16c的示例中，活性材料166設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的中心部分中。這可以是彎曲支撐結(jié)構(gòu)7經(jīng)受最小應(yīng)變的區(qū)域。這可以使裝置1變形時(shí)活性材料166內(nèi)的應(yīng)變最小化。在圖16a至16c的示例中，活性材料166設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的環(huán)13中的一個(gè)環(huán)的頂點(diǎn)中。在其它示例中，活性材料166可以設(shè)置在沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的其它位置上。

導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7還被配置為支撐電介質(zhì)材料165。電介質(zhì)165可覆蓋柵極164而沉積，以防止柵極164與源極和漏極162、163以及活性材料166之間的電接觸。在圖16a至16c的示例中，電介質(zhì)材料164設(shè)置在柵極164和活性材料166之間。

圖16d至16f示出了其中彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括非導(dǎo)電材料的另一個(gè)裝置1。圖16d示出了裝置1的平面圖。圖16e示出了穿過晶體管161位于其中的裝置1的部分的橫截面。圖16f示出了晶體管161位于其中的裝置1的部分的側(cè)視圖。

圖16d至16f的示例裝置可以類似于圖16a至16c的示例裝置，除了以下之外，在圖16d至16f的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7還提供晶體管161內(nèi)的電介質(zhì)材料165。在這些示例中，柵極164設(shè)置在非導(dǎo)電支撐結(jié)構(gòu)7的下方，以使得非導(dǎo)電支撐結(jié)構(gòu)7提供在柵極164和活性材料166之間的電介質(zhì)材料165。在圖16d至16f的示例中，活性材料166可以沉積在非導(dǎo)電支撐結(jié)構(gòu)7上，以使得活性材料166直接覆蓋非導(dǎo)電支撐結(jié)構(gòu)7。

圖17a至17c示出了根據(jù)本公開的其它示例的包括晶體管161的另一個(gè)示例裝置1。在圖17a至17c的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7還包括非導(dǎo)電材料。圖17a至17c的示例裝置包括用于晶體管161的頂柵設(shè)置。

圖17a示出了裝置1的平面圖。圖17b示出了穿過晶體管161位于其中的裝置1的部分的橫截面。圖17c示出了晶體管161位于其中的裝置1的部分的側(cè)視圖。示例裝置1包括可以如上所述的彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和至少一個(gè)支撐件5。彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以被配置為支撐晶體管161的部件。

在圖17a至17c的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7包括非導(dǎo)電材料。非導(dǎo)電材料可以包括聚合物材料，諸如聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺、甲基倍半硅氧烷、聚烯丙基醚、聚乙烯、聚苯乙烯或任何其它合適的材料。

在圖17a至17c的示例中，晶體管161設(shè)置成頂柵頂部接觸型設(shè)置。在圖17a至17c的示例中，非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7支撐柵極164和源極162以及漏極163。源極162設(shè)置在非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的第一邊緣41上，并且漏極163設(shè)置在非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的第二邊緣43上。柵極設(shè)置在非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的中心部分中。在圖17a至17c的示例中，源極162和漏極電極163從晶體管161的左手側(cè)延伸，并且柵極164從晶體管161的右手側(cè)延伸。應(yīng)當(dāng)理解，電極162、163和164可以用在本公開的其它示例中。

彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7還被配置為支撐活性材料166。在圖17a至17c的示例中，活性材料166包括半導(dǎo)體?；钚圆牧?66設(shè)置在源極和漏極162、163之間。電介質(zhì)材料165覆蓋活性材料166而設(shè)置。柵極164覆蓋電介質(zhì)165而設(shè)置，以使得電介質(zhì)165防止柵極164與活性材料166以及源極和漏極162、163之間的電接觸。

在圖17a至17c的示例中，晶體管161設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的環(huán)13中的一個(gè)環(huán)的頂點(diǎn)中。在其它示例中，晶體管161可以設(shè)置在沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的其它位置上。

在一些示例裝置1中，晶體管161可以被單獨(dú)設(shè)置并且被隔離地輪詢(poll)。這可以使晶體管161能夠用作電路元件或單獨(dú)的傳感器。在一些示例裝置1中，還可以制造晶體管的陣列以提供增加的感測能力。

圖18a和18b示出了包括晶體管161的陣列181的裝置1的示例。晶體管161的陣列181可以包括多個(gè)晶體管161。在一些示例中，陣列181內(nèi)的不同的晶體管161可以被配置為感測不同的參數(shù)。在這種示例中，不同的活性材料166可以用在不同的晶體管161中。

圖18a示出了裝置1的部分的平面圖。圖18b提供了晶體管161的三乘三陣列181的等效電路圖。陣列181的每個(gè)單元可以通過多路復(fù)用讀取電子裝置獨(dú)立地讀取。應(yīng)當(dāng)理解，晶體管161的陣列181可以包括在任何合適的設(shè)置中的任何合適數(shù)量的晶體管161。

圖18a和18b的裝置1包括可以關(guān)于圖1所述的可變形基板3、至少一個(gè)支撐件5和彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。在圖18a中僅示出了一個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7，然而，應(yīng)當(dāng)理解，裝置1可以包括多個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。多個(gè)彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7可以在相同的方向上延伸。

在圖18a和18b的示例中，裝置1還包括多個(gè)附加的彎曲結(jié)構(gòu)75。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75可以包括細(xì)長構(gòu)件11。細(xì)長構(gòu)件11可以形成蛇形形狀。蛇形形狀可以與彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的蛇形形狀相同或相似。

附加的彎曲結(jié)構(gòu)75在垂直于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的方向上延伸。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度間隔地設(shè)置，以使得存在多個(gè)其中附加的彎曲結(jié)構(gòu)75在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上方交叉的相交點(diǎn)。

附加的彎曲結(jié)構(gòu)75覆蓋彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7而設(shè)置。附加的彎曲結(jié)構(gòu)75為晶體管161的陣列181提供交叉連接器。在圖18a的示例中，附加的彎曲結(jié)構(gòu)75可以包括漏極163。

圖18a和18b的示例裝置1示出了用于晶體管161的底柵頂部接觸型設(shè)置。該設(shè)置可以如15a至16f的示例所示。應(yīng)當(dāng)理解，在其它示例中可以使用晶體管161的其它設(shè)置。

在圖18a和18b的示例中，源極和漏極162、163設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的邊緣41、43上。活性材料166設(shè)置在沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度的部分中的源極和漏極162、163之間。在圖18a和18b的示例中，活性材料166設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的部分中，其中彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7在至少一個(gè)支撐件5之上交叉。

可以為晶體管161中的每一個(gè)提供公共柵極164。這可以允許陣列181的多路復(fù)用。

附加的電介質(zhì)絕緣材料183設(shè)置在源極162和附加的支撐結(jié)構(gòu)75之間。附加的電介質(zhì)絕緣材料183可以被配置為防止源極162和交叉連接器之間的直接連接。

圖19示出了包括晶體管161的陣列181的裝置1的另一個(gè)示例。裝置1可以包括可變形基板3、至少一個(gè)支撐件5、彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和多個(gè)附加的彎曲結(jié)構(gòu)75?？勺冃位?、至少一個(gè)支撐件5、彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和多個(gè)附加的彎曲結(jié)構(gòu)75可以如關(guān)于圖18a和18b所述。

在圖19的示例裝置1中，晶體管161設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上。晶體管161可以如上所述，然而，在圖19的示例中，活性材料166設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的環(huán)的頂點(diǎn)中。附加的彎曲結(jié)構(gòu)7和彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7之間的相交設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的部分中，其中彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7在至少一個(gè)支撐件5之上交叉。這可以允許密集的晶體管161的陣列181。

圖20a至20c示出了包括晶體管161的陣列181的裝置1的另一個(gè)示例。裝置1可以包括可變形基板3、至少一個(gè)支撐件5、彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和多個(gè)附加的彎曲結(jié)構(gòu)75?？勺冃位?、至少一個(gè)支撐件5、彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和多個(gè)附加的彎曲結(jié)構(gòu)75可以如關(guān)于圖18a至19所述。

在圖20a至20c的示例裝置1中，晶體管161設(shè)置成頂柵頂部型接觸設(shè)置。圖20a示出了裝置1的平面圖。圖20b示出了其中設(shè)置有附加的電介質(zhì)絕緣材料183的部分的詳細(xì)平面圖。圖20c示出了其中設(shè)置有晶體管161的活性材料166和電介質(zhì)165的部分的詳細(xì)平面圖。

在圖20a至20c的示例中，為晶體管161中的每一個(gè)提供公共柵極164。公共柵極164可設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的中心中。公共柵極164可沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的長度延伸。

圖20b示出了附加的電介質(zhì)絕緣材料183被配置為防止設(shè)置在附加的彎曲結(jié)構(gòu)7上的漏極162與設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上的柵極164和源極162之間的直接電接觸。

圖20c示出了示例晶體管161的平面圖。晶體管161包括在源極和漏極162、163與電介質(zhì)材料165之間的活性材料166，該電介質(zhì)材料165被配置為防止柵極164與源極和漏極162、163之間的直接電接觸。在圖20a至20c的示例中，活性材料166設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的環(huán)的頂點(diǎn)中。應(yīng)當(dāng)理解，在本公開的其它示例中，活性材料166可以設(shè)置在其它位置上。

圖21a至21t示出了提供包括晶體管161的裝置1的示例方法。圖21a至21t的示例方法可用于提供裝置1，該裝置1包括由非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7支撐的底柵頂部接觸型設(shè)置。這種裝置1的示例在圖16a至16c中示出。應(yīng)當(dāng)理解，可以通過交換相關(guān)方法的框的順序來提供晶體管161的其它設(shè)置。

在圖21a中，釋放層111沉積在硅晶片113上。在圖21b中，光刻膠層115沉積在釋放層111上。光刻膠層115被圖案化為漏極163。在圖21c中，導(dǎo)電材料117沉積在光刻膠層115上。導(dǎo)電材料117可以包括金屬。導(dǎo)電材料117可以使用任何合適的方法來沉積，諸如蒸發(fā)或?yàn)R射。在圖21d中，去除光刻膠層115，并將漏極163留在釋放層111上。

在圖21b至21d的示例中，形成的漏極163可以提供如圖18a至19所示的漏極163。該漏極163可以包括附加的彎曲結(jié)構(gòu)75的部分并且沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的部分延伸。

在圖21e中，附加的電介質(zhì)絕緣材料183沉積在漏極163上。附加的電介質(zhì)絕緣材料183可以使用任何合適的方法來沉積，諸如噴墨印刷或絲網(wǎng)印刷。在圖21f中，另一個(gè)光刻膠層119沉積在釋放層111上。光刻膠層119被圖案化為源極162。在圖21g中，諸如金屬的導(dǎo)電材料121沉積在光刻膠層119上。導(dǎo)電材料121可以使用任何合適的方法來沉積，諸如蒸發(fā)或?yàn)R射。在圖21h中，去除光刻膠層119，并且將源極162和漏極163留在釋放層111上。

在圖21f至21h的方法的框中形成的源極162可以形成如圖18a至19所示的源極162。該源極162可以被設(shè)置為沿著彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7的部分延伸。

在圖21i中，沉積活性材料166?；钚圆牧?66沉積在源極162和漏極163之間?；钚圆牧?66可以包括半導(dǎo)體或任何其它合適的材料。可以使用諸如噴墨印刷、絲網(wǎng)印刷的任何合適的技術(shù)，使用光刻膠掩模和濺射、原子層沉積或任何其它合適的方法來沉積活性材料166。用于沉積活性材料166的方法可以取決于所使用的材料。例如，石墨烯可以通過光刻膠掩模來轉(zhuǎn)移和圖案化，并五苯和pdot：pss可以使用諸如噴墨印刷或絲網(wǎng)印刷的技術(shù)從溶液印刷，p3ht可以通過掩模進(jìn)行噴涂沉積，并且zno可以通過掩模通過原子層沉積進(jìn)行沉積。其它方法可用于其它示例中。

在圖21j中，另一個(gè)光刻膠層123沉積在釋放層111上。光刻膠層123被圖案化為電介質(zhì)材料165和柵極164。在圖21k中，電介質(zhì)材料165沉積在光刻膠層123上。電介質(zhì)材料165可以包括諸如聚合物的任何合適的絕緣材料。電介質(zhì)材料165可以具有與彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7相同的蛇形形狀。電介質(zhì)材料可以使用任何合適的技術(shù)來沉積，諸如旋涂、蒸發(fā)、濺射或任何其它合適的方法。

在圖21k中，諸如金屬的導(dǎo)電材料191沉積在光刻膠層123上。導(dǎo)電材料191可以使用任何合適的方法來沉積，諸如蒸發(fā)或?yàn)R射。導(dǎo)電材料191被圖案化為柵極164。在圖21m中，去除光刻膠層123，并且將柵極164和電介質(zhì)材料165留在釋放層111上以形成晶體管161。

在圖21n中，聚合物125沉積到電極31、33上。聚合物125可以是可光致圖案化的聚合物。聚合物125可以旋涂在晶體管161之上。在其它示例中，可以使用沉積聚合物125的其它方法。在圖21o中，另一個(gè)光刻膠層127沉積在聚合物125上。光刻膠層127被圖案化為彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和附加的彎曲結(jié)構(gòu)75。然后，聚合物125暴露于紫外(uv)光129。uv光129通過增加聚合物125中的交聯(lián)數(shù)來使暴露于uv光的聚合物125硬化。沒有暴露于uv光129的聚合物125的部分保留為未交聯(lián)的聚合物125。在圖21p中，去除光刻膠層127和未交聯(lián)的聚合物。這留下非導(dǎo)電彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7和附加的彎曲支撐結(jié)構(gòu)75。

在圖21q中，沉積另一個(gè)光刻膠層131。另一個(gè)光刻膠層131被圖案化為至少一個(gè)支撐件5。在圖21q的示例中，至少一個(gè)支撐件5包括梁6。在圖21r中，彈性體層133抵靠另一個(gè)光刻膠層131澆鑄并固化。在圖21s中，去除另一個(gè)光刻膠層131和剝離的層111，留下可變形基板3、梁6和彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。在圖21t中，結(jié)構(gòu)被反轉(zhuǎn)以留下如上所述的裝置1。

圖12a至圖13的示例方法可以從可變形基板的上部使用，并將其與諸如圖21a至21t制造的裝置的裝置組合。

本公開的示例提供了可用于感測的裝置1。由于裝置1內(nèi)的電阻傳感器30和晶體管161不受裝置1的變形的影響，所以這使得裝置1適用于可彎曲或可變形電子設(shè)備。例如，裝置1可以用在可穿戴電子設(shè)備中。

在裝置1的示例中，彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7經(jīng)由至少一個(gè)支撐件5連接到可變形基板3，該至少一個(gè)支撐件5使得彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7能夠與可變形基板3間隔開來放置。當(dāng)用戶施加力到可變形基板3時(shí)，這可能導(dǎo)致可變形基板3的尺寸或形狀的變化。由于彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7不直接連接到可變形基板3，因此，施加到可變形基板的力也不會施加到彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7。這意味著導(dǎo)電部分不會以與可變形基板相同的方式彎曲或改變尺寸或形狀。這可以減少彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7內(nèi)的應(yīng)力量并且減少由于疲勞引起的故障的可能性。

同樣，在本公開的示例中，電阻傳感器30和晶體管161設(shè)置在彎曲的支撐結(jié)構(gòu)7上，而不是附加的剛性部分。這意味著電阻傳感器30和晶體管161不會向裝置添加任何剛性部分，并且不會降低裝置1的靈活性。

電阻傳感器30和晶體管161可以被設(shè)置為使得電阻傳感器30的陣列71或晶體管161的陣列181可以由市售的電子裝置來讀取。電阻傳感器30的陣列71或晶體管161的陣列181可以包括任何數(shù)量的電阻傳感器30或晶體管161。這可以使得能夠從大量的電阻傳感器30或晶體管161獲得信息。

本文件中所使用的術(shù)語“包括”具有包含的意義，而不是排他的意義。也就是說，關(guān)于x包括y的任何引用指示該x可以僅包括一個(gè)y或可以包括多于一個(gè)y。如果旨在使用具有排他意義的“包括”，則將在上下文中通過引用“僅包括一個(gè)”或通過使用“由……組成”來明確。

在本簡短描述中，已經(jīng)參考了各種示例。與示例相關(guān)的特征或功能的描述指示這些特征或功能存在于該示例中。在本文中使用的術(shù)語“示例”或“例如”或“可以”表示無論是否明確陳述，這些特征或功能至少存在于所描述的示例中，無論是否被描述為示例，它們可以但不一定存在于某些或全部其它示例中。因此，“示例”、“例如”或“可以”是指一類示例中的特定實(shí)例。該實(shí)例的性質(zhì)可以僅是該實(shí)例的性質(zhì)，或可以是該類的性質(zhì)，或可以是包括類中的一些但不是全部實(shí)例的類的子類的性質(zhì)。因此，隱含地公開了參考一個(gè)示例而不是參考另一個(gè)示例所描述的特征可以在可能的情況下用于該另一個(gè)示例，但不一定必須在該另一個(gè)示例中使用。

盡管已經(jīng)參考各種示例在之前的段落中描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離所要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍的情況下，可以對給出的示例進(jìn)行修改。

上述描述中描述的特征可以在除了明確描述的組合以外的組合中使用。

盡管已經(jīng)參考某些特征描述了功能，但是這些功能可以由其它特征來執(zhí)行，無論其它特征是否被描述。

盡管已經(jīng)參考某些實(shí)施例描述了特征，但是這些特征也可以存在于其它實(shí)施例中，無論其它實(shí)施例是否被描述。

盡管在前述說明書中努力提請注意被認(rèn)為特別重要的本發(fā)明的特征，但是應(yīng)當(dāng)理解，申請人要求保護(hù)關(guān)于上文所指和/或在附圖中所示的任何可專利特征或特征的組合是否特別強(qiáng)調(diào)了這一點(diǎn)。