本申請要求2016年12月5日提交的美國臨時申請第62/430,092號的權益和優(yōu)先權，其全部內容以引用的方式并入本文。

背景技術：

提供以下描述是為了幫助讀者理解。所提供的信息均不被視為是現(xiàn)有技術。

當構建高性能、高密度裝置(諸如，手機、數(shù)碼靜態(tài)相機、便攜式音樂播放器和其它便攜式電子裝置)時需要緊湊型部件，。然而，隨著部件變得更為小型化且裝置變得越來越高密度，部件之間的交互可以影響部件或裝置的性能。提供高質量、緊湊型裝置的一種解決方案是使用微機電系統(tǒng)(mems：microelectromechanicalsystem)。

技術實現(xiàn)要素：

在一個方面中，mems裝置包括：mems元件；傳感器，該傳感器用于檢測參數(shù)；和電源，該電源向傳感器提供電流。在實施例中，電源布置成在電流的斜升過渡和電流的斜降過渡期間控制電流，在斜升過渡和斜降過渡期間控制電流使所提供的電流的高頻分量衰減。在各種實施例中，參數(shù)是溫度、濕度、壓力、氣體存在、或氣體密度。在一些實施例中，mems元件包括聲學裝置。在這些和其它實施例中，高頻分量的衰減減輕了對從聲學裝置提供的聲學信息產生的熱噪聲效應和電噪聲效應中的一者或兩者。

在一個方面中，用于將電力從電源提供到定位于mems裝置內的傳感器的方法包括如下步驟：根據(jù)斜升曲線將電流從電源提供到傳感器，其中，控制來自電源的電流，使得斜升曲線(ramp-upprofile)具有衰減的高頻分量，并且根據(jù)斜降曲線將電流從電源提供到傳感器，其中，控制來自電源的電流，使得斜降曲線具有衰減的高頻分量。在一些實施例中，斜升曲線和斜降曲線中的一者或兩者是非線性的。在這些和其它實施例中，斜升曲線和斜降曲線中的一者或兩者具有對數(shù)或指數(shù)曲率。在一些實施例中，高頻分量的衰減減輕了針對從mems裝置的聲學裝置提供的聲學信息所產生的熱噪聲效應和電噪聲效應。

前述發(fā)明內容是說明性的，且不旨在以任何方式進行限制。除以上描述的說明性方面、實施例和特征之外，其它方面、實施例和特征將通過參考以下附圖和詳細描述而變得顯而易見。

附圖說明

本發(fā)明的前述和其它特征將通過以下說明書、權利要求書和附圖而變得更加顯而易見。

圖1是根據(jù)一個實施例的mems裝置的透視圖。

圖2是圖1的mems裝置的分解圖。

圖3是沿著線3-3截取的圖1的mems裝置的橫截面圖。

圖4a是示出了斜變曲線的電流與時間的關系的曲線圖，該斜變曲線可以由圖1的實施例或其它實施例中的mems裝置使用。

圖4b繪制了方波電流脈沖。

圖4c繪制了方波電流脈沖的功率譜。

圖5是表示了在圖1的實施例或其它實施例中運行mems裝置的方法的流程圖。

圖6a圖示了根據(jù)一個實施例的用于控制電流脈沖的過渡時間的系統(tǒng)的示例。

圖6b圖示了根據(jù)一個實施例的用于控制電流脈沖的過渡時間的系統(tǒng)的示例。

在以下詳細描述中，對構成本說明書的一部分的附圖進行了參考。在附圖中，相似的符號通常表示相似的部件。在詳細描述、附圖和權利要求書中所描述的說明性實施例不旨在進行限制。在不脫離此處所呈現(xiàn)的主題的精神或范圍的情況下，可使用其它實施例并且可做出其它更改。容易理解的是，如本文中一般描述并在示意圖中圖示的，本公開的各個方面可以按照各種不同的配置布置、取代、組合和設計，所有這些配置都落入本公開的范圍內。

具體實施方式

根據(jù)一個或多個實施例，mems裝置(例如，用于智能電話、平板、膝上型計算機、智能手表、助聽器、攝像機、通信裝置等)包括基板(例如，基座、pcb等)、聲學裝置(例如，麥克風部件或換能器，諸如mems元件)、電路和蓋子。在一些實施例中，mems裝置還可以包括一個或多個傳感器，諸如，溫度傳感器、濕度傳感器、壓力傳感器、氣體傳感器或其它傳感器。(多個)另外傳感器可以產生熱，這使mems裝置內的空氣升溫。另外或可替代地，在使用傳感器時，傳感器的材料(例如，硅)可以加熱和收縮，和/或鍵合接線可以振動。熱空氣、膨脹和收縮和/或振動的鍵合接線可以改變聲學裝置的響應，這可以將聲學噪聲引入聲學裝置的聲學輸出或輸入中。

向mems裝置中的傳感器提供的電力可以是間歇性的，諸如，提供以將電容電荷維持在期望電壓范圍內的脈沖列，或諸如，施加電力以在足以執(zhí)行感測的時間內接通傳感器，隨后移除電力以在下一次需要進行感測之前關閉傳感器(例如，以便節(jié)省能量或延長傳感器的壽命)。例如，單個接通狀態(tài)的持續(xù)時間可以介于50毫秒(ms)和200ms之間。每當施加電力時，電壓的迅速增大(例如，從零伏(v)到2.5v)引起電流的相應迅速增大，這可以包括電流尖峰或電流的初始振蕩。電流的迅速增大導致傳感器的加熱(且可能會引起基板的跡線或接線的加熱)，這又導致了傳感器周圍的空氣的加熱。熱能在mems裝置中的整個空氣中傳導，并到達聲學裝置。在開啟和關閉傳感器的電力時，mems裝置中的空氣經(jīng)歷加熱和冷卻循環(huán)，這可以導致mems裝置中的對應壓力變化，該壓力變化可能無法與針對聲學裝置的聲學信息區(qū)分開。在開啟和關閉傳感器的電力時，熱循環(huán)可以使熱噪聲效應得以添加到實際聲學信息，這可能會造成對聲學信息的不準確解釋，并且可以以蜂鳴聲、爆裂聲或其它噪聲形式傳播到揚聲器。

熱噪聲效應的解決方案包括：逐漸斜升(ramping-up)和逐漸斜降(ramping-down)在每一種接通狀態(tài)和關閉狀態(tài)下向傳感器提供的供電電流。例如，不是以方波形式提供供電電流，而是本文中所描述的實施例針對一個或多個傳感器使用修改后的供電電流波形，其中關閉到接通(off-to-on)過渡和/或接通到關閉(on-to-off)過渡以避免可能產生尖峰和響鈴的過渡的方式發(fā)生斜變。除了減輕熱噪聲效應之外，消除修改后的供電電流波形中的尖角也使供電電流波形的較高頻分量衰減，且因此使通過開啟和關閉電力而引起的電噪聲衰減，從而減輕聲學信息中的電噪聲效應。

圖1至圖3圖示了根據(jù)本公開的實施例的mems裝置100的不同視圖。圖1是mems裝置100的透視圖，圖2是圖1的分解圖，且圖3是mems裝置100的橫截面?zhèn)纫晥D。

根據(jù)圖1至圖3中所示的實施例，mems裝置100包括基板104、保護環(huán)108(例如，邊界部分)、蓋子112(例如，蓋、罐或其它封蓋)、處理器電路116(例如，呈處理器形式的電路、集成電路(ic)、專用ic(asic)、離散電路或其組合)、一個或多個傳感器118(例如，溫度傳感器、濕度傳感器、化學/氣體傳感器、壓力傳感器、其它傳感器或其組合)、mems元件120(例如，mems電動機、mems麥克風、加速度計、陀螺儀或其它mems部件或其組合)。

基板104被圖示為單個基板104，但相反其可以是多個基板104。在一些實施例中，基板104包括形成基板(例如，由fr-4材料制成的印刷電路板或半導體基板)的一個或多個介電層、一個或多個金屬層和/或一個或多個材料層。在一個或多個實施例中，基板104包括由非導電基板材料包圍的和/或嵌入在非導電基板材料中的導電跡線。在圖2中，襯底104包括一個或多個電路跡線124和一個或多個焊盤(未圖示)，處理器電路116設置在它們上方。在一個或多個實施例中，基板104還包括一個或多個孔，諸如端口128，該端口128延伸穿過基板104并且提供通過該端口128的流體(例如，空氣)連通。在一個或多個實施例中，基板104包括部件安裝件132，該部件安裝件132基本上呈環(huán)形并且包圍端口128。在一個或多個實施例中，基板104包括保護環(huán)安裝件136?；?04可以包括其它特征、跡線或焊盤，和/或可以包括嵌入式部件。

在一些實施例中，電路跡線124被配置為接收焊劑和/或焊料(例如，可再熔融導電金屬合金、無鉛焊料等)以將處理器電路116電氣聯(lián)接至基板104。在其它實施例中，電路跡線124包括基板104上的如下凹陷或位置，該凹陷或位置被配置為接收粘合劑和/或另一聯(lián)接機構。電路跡線124的布局和/或配置可以布置為適應mems裝置100中采用的特定處理器電路116、基板104和部件配置。

通常，基板104中的跡線(諸如，電路跡線124)和其它連接(例如，通孔、重布線層、金屬層等)提供：設置在基板104上的部件(諸如，處理器電路116)與mems元件120之間的連接，和/或設置在基板104上的部件與位于mems裝置100外部的部件之間的連接。

如圖3所示，在一個或多個實施例中，另外或可替代地，mems元件120可以諸如經(jīng)由一個或多個接線結合156電氣聯(lián)接至處理器電路116，且另外或可替代地，處理器電路116可以經(jīng)由一個或多個接線結合160電氣聯(lián)接至基板104。接線結合156、160可以提供處理器電路116、傳感器118、mems元件120和電源149中的一個之間的通信。也可以進行其它連接。

如圖2所示，端口128是由基板104限定出(例如，通過基板形成等)的基本上呈圓形的通孔。端口128可以促進mems元件120與周圍環(huán)境之間的通信(例如，可聽通信)(例如，聲學傳感器119通過端口128接收或傳遞聲能)。根據(jù)圖2中所示的實施例，mems裝置100是底部端口mems裝置100(例如，基板104限定出端口128)。在其它實施例中，端口128具有不同形狀，具有不同直徑和/或以不同方式定位于基板104上。在可替代實施例中，mems裝置100是頂部端口mems裝置(例如，蓋子112限定出端口128)。

根據(jù)實施例，部件安裝件132被配置(例如，布置、定位、成形等)為聯(lián)接至mems元件120，使得mems元件120機械和/或電氣聯(lián)接至基板104。在一些實施例中，部件安裝件132被配置為接收焊劑和/或焊料。在其它實施例中，部件安裝件132被配置為接收粘合劑和/或另一聯(lián)接機構。部件安裝件132的布局和/或配置可以布置成適應mems裝置100中采用的特定mems元件120和基板104。作為示例，部件安裝件132可以具有不同形狀和/或與所示的不同的直徑。在其它實施例中，基板104不包括部件安裝件132。

如圖2所示，保護環(huán)安裝136基本上包圍電路跡線124、端口128和部件安裝件132(例如，保護環(huán)安裝件136圍繞基板104的外周的至少一部分延伸)。保護環(huán)安裝件136被配置(例如，布置、定位、成形等)為聯(lián)接至保護環(huán)108，使得保護環(huán)108可以通過保護環(huán)安裝件136機械和/或電氣聯(lián)接至基板104。在一些實施例中，保護環(huán)安裝件136相對于基板104的表面凹陷或凹進。在一些實施例中，保護環(huán)安裝件136被配置為接收焊劑和/或焊料。在其它實施例中，保護環(huán)安裝件136被配置為接收粘合劑和/或另一聯(lián)接機構。保護環(huán)安裝件136的布局和/或配置可以布置成適應特定保護環(huán)108和基板104或mems裝置100中采用的其它部件。作為示例，保護環(huán)安裝件136可以具有不同形狀，和/或包圍或環(huán)繞基板104的不同分段或部分。在其它實施例中，基板104不包括保護環(huán)安裝件136。

如圖2所示，保護環(huán)108被配置為聯(lián)接至保護環(huán)安裝件136，使得保護環(huán)108定位成圍繞基板104的外周延伸。在其它實施例中，mems裝置100不包括保護環(huán)108。保護環(huán)108可以由金屬材料(例如，含鐵金屬、非鐵金屬、銅、鋼、鐵、銀、金、鋁、鈦、其它金屬或其組合)或其它材料(例如，塑料材料、熱塑性材料、陶瓷材料、其它材料或其組合)形成(例如，由金屬材料和其它材料制成)。如圖2所示，保護環(huán)108包括機械聯(lián)接至蓋子112的第一聯(lián)接面142。保護環(huán)108還可以電氣聯(lián)接至蓋子112。在實施例中，保護環(huán)108的第一聯(lián)接面142包括跡線和/或經(jīng)過鍍錫以使蓋子112可以焊接到第一聯(lián)接面142。在其它實施例中，第一聯(lián)接面142被配置為接收粘合劑和/或另一聯(lián)接機構，以便將蓋子112聯(lián)接至該第一聯(lián)接面。在另一實施例中，保護環(huán)108形成為基板104的一部分和/或嵌入在基板104中。作為示例，保護環(huán)108可以是基板104的從基板104向上延伸且被配置為接合蓋子112的一部分。在又一實施例中，保護環(huán)108形成為蓋子112的一部分。例如，保護環(huán)108可以是從蓋子112延伸且被配置為聯(lián)接至基板104的凸緣。在又一實施例中，可以去除保護環(huán)108，并且蓋子112直接聯(lián)接至基板104。

蓋子112可以由金屬材料(例如，含鐵材料、非鐵材料、鋁、鈦、鋼、其它金屬或其組合)或另一材料(例如，塑料、熱塑性材料、陶瓷材料、其它材料或其組合)制成。蓋子112被配置為(例如，利用焊料或粘合劑)聯(lián)接至保護環(huán)108的第一聯(lián)接面142。

根據(jù)實施例，處理器電路116布置成與傳感器118和mems元件120電氣連通。處理器電路116可以被配置為修改由傳感器118和mems元件120(或mems裝置100中的其它部件)產生的信號，并且通過串行和/或并行接口將這些信號傳送到外部裝置。

處理器電路116可以包括傳感器118，并且可以包括電源149。在一些實施例中，傳感器118與處理器電路116或其它部件(例如，asic)分開，并由該處理器電路或其它部件供電?？商娲兀娫?49可以形成為傳感器118的一部分，可以是單獨部件，可以形成為布置成向mems裝置100的一個或多個部件提供電力的另一電源的一部分，或可以是布置成調節(jié)傳感器118的電力傳送的控制電路或開關。出于本公開的目的，電源149將指代影響或調節(jié)傳感器118的電力傳遞的部件。所說明的傳感器118安裝至處理器電路116。在其它實施例中，傳感器118可以安裝在mems裝置100中的其它位置處。例如，傳感器118可以安裝至基板104、蓋子112或mems裝置100中的另一部件。

mems元件120包括mems換能器119并且限定出通氣孔151。雖然未詳細示出，但mems換能器119可以包括隔膜和背板。mems元件120可以被配置為將表示接收到的聲學信號(壓力變化)的電信號傳送至處理器電路116，或者從處理器電路116接收電信號并且生成聲學信號。

如圖3所示，基板104、保護環(huán)108和蓋子112共同限定出被示出為內腔152的幾何后容積。在所圖示的實施例中，通氣孔151與內腔152連通，從而為mems元件120提供氣壓釋放。然而，通氣孔151并非在所有實施例中都是必需的。將mems元件120聯(lián)接至部件安裝件132，可以在mems元件120與基板104之間提供密封或聲學密封，使得相對于內腔152隔離和/或密封端口128。

在一個或多個實施例中，可選包封體可以設置在基板104的部分上方和/或設置在基板104上所設置的部件中的一個或多個的至少部分上方。例如，在圖3中將包封體164圖示為在處理器電路116的頂部表面上方，以保護接線結合156、160?？商娲鼗蛄硗?，可以包封mems裝置100的其它部分。包封體可以包括例如，環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺或熱塑性塑料。

在一些實施例中，通過將焊劑和/或糊狀焊料或組合的助焊/焊接產品施加于電路跡線124、部件安裝件132、保護環(huán)安裝件136和保護環(huán)108的第一聯(lián)接面142并且將各種部件設置在其相應位置中來組裝mems裝置100。然后可以對mems裝置100進行熱循環(huán)，以使焊料流動并將部件聯(lián)接在一起。在其它實施例中，采用粘合劑或其它聯(lián)接機構。

圖4a圖示了隨時間流逝從電源(例如，電源149)供應到傳感器(例如，傳感器118)的電流(idd)的曲線圖。實線表示方波，如上所述，該方波可以引入對mems裝置100的性能產生不利影響的熱噪聲效應。虛線表示提供給傳感器以減少熱噪聲效應的修改后的波形172。

如圖4a所示，方波168包括快速過渡斜升部分176、基本上穩(wěn)定(平坦)功率部分180和快速過渡斜降部分184。斜升部分176和斜降部分184快速地向傳感器提供/移除電力(分別用于快速接通/關閉時間)，并且功率部分180在傳感器的接通時間期間向傳感器提供基本上恒定的電流idd＝idc。方波168限定出第一時間188與第二時間192之間的持續(xù)時間。在一個實施例中，持續(xù)時間在約50ms至約200ms之間。在該實施例和其它實施例中，選擇持續(xù)時間使得與持續(xù)時間相關聯(lián)的頻率的諧波在可聽范圍之外。圖4a中未圖示的是與快速電流過渡相關聯(lián)的電流尖峰和響鈴。

如同樣在圖4a中所示，修改后的波形172包括斜升部分196、功率部分202和斜降部分206。斜升部分196具有比方波168的斜升部分176更長的持續(xù)時間(更慢的過渡)，并且斜降部分206具有比方波168的斜降部分184更長的持續(xù)時間(更慢的過渡)。在所圖示的實施例中，斜升部分196在時間210處平滑地增加到電流irq，在此之后，電流緩慢地增加到大致為電流idc。在所圖示的實施例中，斜降部分206從大致在第二時間192處的電流idc平滑地減小至表示第三時間214處的傳感器的關閉狀態(tài)的電流電平(例如，基本上為零電流。)

在其它實施例中，斜升部分196可以針對電流irq限定出不同形狀，諸如，線性斜變、階梯式斜變、對數(shù)曲率、指數(shù)曲率或鐘形(例如，高斯)曲率。另外，斜升部分196與功率部分202之間的過渡可以限定不同形狀或輪廓。例如，斜升部分196和功率部分202都可以遵循相同指數(shù)函數(shù)以大致達到電流idc。斜升部分196(例如，在第一時間188與時間210之間)的持續(xù)時間相對于功率部分202和斜降部分206可以更長或更短。

在其它實施例中，斜降部分206可以限定不同輸出形狀或輪廓，諸如從電流idc到表示關閉狀態(tài)的電流電平的線性斜變或階梯式斜變?？商娲?，斜降部分206(例如，在第二時間192與第三時間214之間)的持續(xù)時間相對于功率部分202和斜升部分196可以更長或更短。在其它實施例中，功率部分202與斜降部分206之間的過渡可以限定不同形狀或輪廓。

通過延長波形的過渡時間(例如，將方波168的斜升部分176的過渡時間延長至斜變波形172的斜升部分196的較長持續(xù)時間過渡時間，和/或將方波168的斜降部分184的過渡時間延長至斜變波形172的斜降部分206的較長持續(xù)時間過渡時間)，使過渡的較高頻分量衰減，且因此也使通過在傳感器的接通狀態(tài)與關閉狀態(tài)之間循環(huán)而產生的電噪聲衰減。

圖4b和圖4c提供了延長過渡時間的益處的進一步說明。

圖4b繪制了具有脈寬tp的方波電流脈沖的電流(i)與時間(t)的關系。在圖4b中示出了過渡時間的兩個選項，一個為實線，而一個為虛線。實線的過渡時間是tr，且虛線的過渡時間是tdv,max。隨著過渡時間從tr增加到tdv,max，脈沖電流的高頻分量減小，且因此減小了施加到傳感器的總功率。

圖4c是表示方波電流脈沖的功率譜的曲線圖。對于至多約f＝1/tp的頻率，功率電平大致為一致的。對于約f＝1/tp與約f＝1/tr之間的頻率，存在20分貝/十倍頻(db/dec)的功率下降。在約f＝1/tr處，存在角頻410，且對于高于約f＝1/tr的頻率，存在40db/dec的功率下降。從圖4c中可以看出，隨著1/tr的值減小，角頻410在曲線圖上向左移，且將40db/dec的功率下降施加于更寬的頻率范圍。因此，在tr增加時，使更多的較高頻率衰減，且減小總功率。在一個或多個實施例中，tr大于或等于約10毫秒(ms)。在一個或多個實施例中，tp大于或等于約10ms。

圖5示出了將電力提供到mems裝置100內的傳感器的方法218。在一個實施例中，傳感器是傳感器118，并且傳感器電源是電源149。

在222中，處理器電路116通過控制傳感器電源來初始化傳感器的接通狀態(tài)，以開始向傳感器提供電力。在226中(例如，在圖4a中的第一時間188處)，將電流從傳感器電源提供給傳感器。隨后，在230中，傳感器電源根據(jù)斜升曲線(例如，在圖4a中的第一時間188與斜升時間210之間的斜升部分)提供電流。斜升曲線逐漸將電流增加至斜升電流(例如，圖4a中的斜升電流irq)，然后在234中將電力提供給傳感器(例如，圖4a中的功率部分202)，直到要將傳感器關閉為止(例如，在圖4a中的第二時間192處)。然后，在238中，傳感器電源根據(jù)斜降曲線(例如，圖4a中的斜降部分206)將電流提供給傳感器。在242中，斜降曲線在實現(xiàn)電力的關閉狀態(tài)之前繼續(xù)(例如，在圖4a中的第三時間214處)。在實現(xiàn)關閉狀態(tài)之后，在246中引入時間延遲并持續(xù)預定時間。預定時間將取決于傳感器的類型和期望采樣率。在步驟246中的時間延遲之后，在步驟222中再次初始化接通狀態(tài)，并且方法218重復。

圖6a圖示了根據(jù)一個實施例的用于控制電流脈沖的過渡時間的系統(tǒng)的示例?？刂破?05將一個或多個控制信號606提供給電源610。電源610中的電源邏輯620解釋控制信號606，并通過信號路徑621a、621b、621n將信號提供給相應電路625a、625b、625n，這些電路提供相應輸出626a、626b、626n?？刂破?05可以是例如處理器電路116。電源可以是例如電源149。在一些實施例中，控制器605和電源610一起在單個部件(諸如，asic)中實施。在其它實施例中，將控制器605和電源610實施為單獨部件。

功率邏輯620可以包括數(shù)字或模擬電路或數(shù)字和模擬電路的組合，并且在一些實施例中還可以包括執(zhí)行來自固件或軟件的指令以執(zhí)行所描述的功能中的一個或多個的電路。

控制信號606可以包括通過串行或并行接口提供的命令，或控制線(例如，接線或電路跡線)上的信號的電平或邊沿?？梢蕴峁┛刂菩盘?06，例如以發(fā)起或終止脈沖，發(fā)起給定持續(xù)時間的脈沖，發(fā)起具有給定脈寬的脈沖列，設置脈沖電流過渡時間或其它功能。

功率邏輯620解釋控制信號606，并且經(jīng)由信號路徑621a、621b、621n確定要提供給電路625a、625b、625c的信號，以完成由控制信號606表示的功能。例如，功率邏輯620可以分別在信號路徑621a、621b、621n中的一個或多個上針對電路625a、625b、625c中的一個或多個判定邏輯“接通”信號(這可以是邏輯高或邏輯低)，并且針對電路625a、625b、625c中的另一些判定邏輯“關閉”信號對于以這種方式開啟的電路，在輸出626a、626b、626c處提供輸出。

圖6b圖示了根據(jù)實施例的實施圖6a中的電路625a、625b、625c的電路的示例。在該實施例中，電流鏡650包括參考電流發(fā)生器655和參考晶體管660。參考晶體管660和鏡像晶體管665a、665b、665n共享公共柵極電壓和公共源極電壓。可以通過關閉相應開關670a、670b、670n來啟動每個鏡像晶體管665a、665b、665n，并且電流在被啟動時流過相應輸出680、685、690(out_a、out_b、out_n)。可以將由參考電流發(fā)生器655生成的并且流過參考晶體管660的參考電流i_ref反射到晶體管665a、665b、665n中的所啟動的晶體管?？梢韵鄬τ趨⒖季w管660的相應尺寸設計各個晶體管665a、665b、665n的物理尺寸，以獲得通過晶體管665a、665b、665n的電流相對于i_ref的期望比。因此，例如，如果晶體管665a和參考晶體管660具有相同的設計尺寸，那么當通過開關670a啟動晶體管時，大致等于i_ref的電流將流過晶體管665a(即，out_a≈i_ref)。在一個實施例中，開關670a、670b、670n可以由諸如圖6a中的信號621a、621b、621c等的信號(例如，圖6a中的電路625a可以包括圖6b中的晶體管665a和開關670a)。

再次參照圖4a至圖4c，可能需要限制電流波形的上升沿和下降沿的過渡時間。在一些實施例中，直接提供電流以向接收部件(例如，傳感器)供電，且因此可以直接控制電流波形的上升沿和下降沿的轉換時間，而在其它實施例中，提供電壓以向接收部件供電，并且通過限制電流來控制電流的過渡時間。在任一情況下，圖6a的實施例或圖6b的實施例可以用于提供受控(或限制)量的電流。例如，參考圖6b，所有輸出680、685、690可以電氣連接到公共線，可以啟動開關670a以在輸出680和公共線上提供第一電流，然后可以啟動開關670b以在輸出685上提供第二電流并且提供在公共線上組合的第一電流和第二電流，且然后可以啟動開關670n，同時禁用開關670b以在輸出690上提供第三電流和在公共線上組合的第一電流和第三電流。要理解，這僅僅是可用于控制或限制電流的許多序列和組合的一個示例。

本文所描述的主題有時說明了包含在不同的其它部件內或與不同的其它部件連接的不同部件。要理解，如此描繪的架構僅僅是示例，并且實際上可以實現(xiàn)許多其它架構，這些架構實現(xiàn)相同的功能。在概念意義上，將用于實現(xiàn)相同功能的部件的任何布置有效地“關聯(lián)”，使得能夠實現(xiàn)期望功能。因此，在不考慮架構或中間部件的情況下，本文中組合以實現(xiàn)特定功能的任何兩個部件可被視為與彼此“相關聯(lián)”，使得能夠實現(xiàn)期望的功能。同樣，如此關聯(lián)的任何兩個部件也可以視為彼此“在工作上連接”或“在工作上聯(lián)接”以實現(xiàn)期望功能，并且能夠如此關聯(lián)的任何兩個部件也可以被視為彼此“可操作聯(lián)接”以實現(xiàn)期望功能?？刹僮髀?lián)接的特定示例包括但不限于，物理上可配對和/或物理上交互的部件和/或可無線交互和/或以無線方式交互的部件和/或邏輯上交互和/或邏輯上可交互的部件。

相對于本文中的基本上任何復數(shù)和/或單數(shù)術語的使用，本領域的技術人員可以根據(jù)上下文和/或應用的需要而從復數(shù)轉換為單數(shù)和/或從單數(shù)轉換為復數(shù)。出于清楚起見，在本文中可明確地闡述各種單數(shù)/復數(shù)置換。

本領域的技術人員應理解，一般而言，本文中所使用的術語，尤其是隨附權利要求書(例如，隨附權利要求書的主體)通常旨在作為“開放”術語(例如，術語“包括(including)”應解釋為“包括但不限于”，術語“具有(having)”應解釋為“具有至少”的術語，術語“包含(includes)”應解釋為“包含但不限于”等)。

本領域的技術人員還應當理解，如果需要特定數(shù)量的所引入的權利要求陳述，那么在權利要求中將明確地陳述這種意圖，且在不存在這種陳述的情況下，也不存在這種意圖。例如，為了幫助進行理解，隨附權利要求書可以包含對引導性短語“至少一個”和“一個或多個”的使用以引入權利要求陳述。然而，這些短語的使用不應被解釋為暗示由不定冠詞“一”或“一個”引入的權利要求陳述將包含這種引入的權利要求陳述的任何特定權利要求限制為僅包含一個這種陳述的發(fā)明，即使在相同的權利要求包括引導性短語“一個或多個”或“至少一個”以及諸如“一”或“一個”等的不定冠詞(例如，“一”和/或“一個”通常應被解釋為意味著“至少一個”或“一個或多個”)；這同樣適用于對用于引入權利要求陳述的定冠詞的使用。另外，即使明確地陳述了特定數(shù)量的所引入的權利要求陳述，本領域的技術人員也應認識到，這種陳述通常應該被解釋為至少表示所陳述的數(shù)字(例如，在沒有其它修飾詞的情況下，直接陳述“兩種陳述”通常意味著至少兩種陳述，或兩種或更多種陳述)。

此外，在使用類似于“a、b和c中的至少一個等”的慣例表達的那些情況下，這種結構一般為本領域的技術人員習慣理解的含義(例如，“具有a、b和c中的至少一個的系統(tǒng)”將包括但不限于只具有a、只具有b、只具有c、同時具有a和b、同時具有a和c、同時具有b和c和/或同時具有a、b和c等的系統(tǒng))。在使用類似于“a、b或c中的至少一個等”的慣例表達的那些情況下，這種結構一般為本領域的技術人員習慣理解的含義(例如，“具有a、b或c中的至少一個的系統(tǒng)”將包括但不限于只具有a、只具有b、只具有c、同時具有a和b、同時具有a和c、同時具有b和c和/或同時具有a、b和c等的系統(tǒng))。本領域的技術人員還應當理解，無論在說明書、權利要求書還是附圖中，實際上提出兩個或更多個替代項的任何轉折詞和/或短語都應被理解為是為了構想包括這些項中的一個、這些項中的任一個或這兩項的可能性。例如，短語“a或b”將被理解為包括“a”或“b”或“a和b”的可能性。另外，除非另有說明，否則使用“近似”、“約”、“大約”、“基本上”等詞表示正負百分之十。

已經(jīng)出于說明和描述之目的呈現(xiàn)了說明性實施例的前述描述。并不旨在詳盡地展現(xiàn)所公開的精確形式或限制所公開的精確形式，且鑒于上述教導，修改和變更都是可能的，或者可以根據(jù)對所公開實施例的實踐來獲得這些修改和變更。本發(fā)明的范圍旨在由隨附權利要求書及其等同物限定。