局限于某一種。
[0082]執(zhí)行步驟206，在所述覆蓋層犧牲材料層上沉積覆蓋層薄層210，以覆蓋所述覆蓋層犧牲材料層209。
[0083]具體地，參照?qǐng)D2c，沉積覆蓋層薄層210，所述覆蓋層薄層210選用和所述覆蓋層犧牲材料層209具有較大蝕刻選擇比的材料。
[0084]然后執(zhí)行平坦化步驟，在該步中可以使用半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中常規(guī)的平坦化方法來(lái)實(shí)現(xiàn)表面的平坦化。該平坦化方法的非限制性實(shí)例包括機(jī)械平坦化方法和化學(xué)機(jī)械拋光平坦化方法?；瘜W(xué)機(jī)械拋光平坦化方法更常用。
[0085]覆蓋層薄層210選用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅、金屬薄膜、硅的合金或者混合物以及有機(jī)覆蓋物中的一種。
[0086]執(zhí)行步驟207，圖案化所述覆蓋層薄層210，以在所述覆蓋層薄層中形成第二開(kāi)口20，露出部分所述覆蓋層犧牲材料層209。
[0087]參照?qǐng)D2d，圖案化所述覆蓋層薄層210，以去除所述MEMS襯底205兩側(cè)的所述覆蓋層薄層210，僅保留位于所述覆蓋層犧牲材料層209上方的所述覆蓋層薄層210，同時(shí)形成第二開(kāi)口 20，露出所述覆蓋層犧牲材料層209，所述第二開(kāi)口 20的數(shù)目以及關(guān)鍵尺寸并不局限于某一尺寸，可以在一定范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。
[0088]所述圖案化方法為在所述覆蓋層薄層210上形成圖案化的光刻膠層，所述光刻膠層中定義所述第二開(kāi)口 20的數(shù)目以及關(guān)鍵尺寸，在該步驟中，通過(guò)濕法清洗或者干法蝕刻所述覆蓋層薄層210，在本發(fā)明中所述蝕刻步驟選用干法蝕刻，所述蝕刻可以選用CF4、CHF3，另外加上N2、CO2中的一種作為蝕刻氣氛，其中氣體流量為CF410-200sccm，CHF310-200sccm, N2 或 CO2 或 0210_400sccm，所述蝕刻壓力為 30_150mTorr，蝕刻時(shí)間為5-120s，優(yōu)選為5-60s，更優(yōu)選為5-30s。
[0089]執(zhí)行步驟208，去除所述覆蓋層犧牲材料層209和所述犧牲材料層207，以在所述底部電極203的上方形成空腔。
[0090]參照?qǐng)D2e，在本發(fā)明中為了在去除所述覆蓋層犧牲材料層209和所述犧牲材料層207同時(shí)不會(huì)對(duì)所述底部電極203造成影響，選用蝕刻選擇比較大的方法進(jìn)行蝕刻，在本發(fā)明具體實(shí)施例中可以選用干法蝕刻，反應(yīng)離子蝕刻(RIE)、離子束蝕刻、等離子體蝕刻。最好通過(guò)一個(gè)或者多個(gè)RIE步驟進(jìn)行干法蝕刻，例如在本發(fā)明中可以選擇N2中的作為蝕刻氣氛，還可以同時(shí)加入其它少量氣體例如CF4、CO2、O2，所述蝕刻壓力可以為50-200mTorr，優(yōu)選為100-150mTorr，功率為200-600W，在本發(fā)明中所述蝕刻時(shí)間為5_80s，更優(yōu)選10_60s，同時(shí)在本發(fā)明中選用較大的氣體流量，作為優(yōu)選，在本發(fā)明所述N2的流量為30-300sCCm，更優(yōu)選為 50_100sccm。
[0091]去除所述覆蓋層犧牲材料層209和所述犧牲材料層207之后在所述底部電極203的上方形成空腔，并在所述底部電極203上方形成懸臂梁，所述懸臂梁與所述MEMS襯底205呈支點(diǎn)連接。
[0092]執(zhí)行步驟208，繼續(xù)沉積覆蓋層薄層填充第二開(kāi)口 20，以形成封閉的覆蓋層。
[0093]參照?qǐng)D2f，繼續(xù)沉積覆蓋層薄層210，填充第二開(kāi)口 20，其中在該步驟中并不會(huì)填充所述開(kāi)口 10，完全填充所述第二開(kāi)口 20之后，覆蓋層薄層210成為一個(gè)完整的覆蓋層，將位于下方的空腔形成密閉的空腔，在該步驟中所述覆蓋層薄層210的沉積方法可以選用步驟206中同樣的方法。
[0094]作為優(yōu)選，在該步驟中還可以包含平坦化步驟。
[0095]進(jìn)一步，在本發(fā)明中形成所述覆蓋層之后還可以進(jìn)一步包含其他常規(guī)的設(shè)置以及處理，在此不再贅述。
[0096]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種運(yùn)動(dòng)傳感器的制備方法，在所述方法中選用覆蓋層薄層來(lái)來(lái)代替現(xiàn)有技術(shù)中的硅覆蓋層，所述方法和現(xiàn)有工藝具有良好的兼容性，使得整個(gè)工藝更加簡(jiǎn)單，成本得到極大降低；同時(shí)通過(guò)所述方法還可以很好地解決晶圓的切割(dicing)、變薄以及測(cè)試過(guò)程對(duì)所述覆蓋層的損壞，使所述傳感器的良率提聞。
[0097]圖3為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述傳感器的制備工藝流程圖，具體包括以下步驟:
[0098]步驟201提供基底，所述基底上形成有CMOS器件，所述基底上還形成有底部電極、以及位于所述底部電極上的犧牲材料層；
[0099]步驟202形成MEMS襯底并圖案化，以形成多個(gè)第一開(kāi)口，露出部分所述犧牲材料層；
[0100]步驟203在所述MEMS襯底上沉積覆蓋層犧牲材料層并圖案化；
[0101]步驟204在所述覆蓋層犧牲材料層上沉積覆蓋層薄層，以覆蓋所述覆蓋層犧牲材料層；
[0102]步驟205圖案化所述覆蓋層薄層，以在所述覆蓋層薄層中形成多個(gè)第二開(kāi)口，露出部分所述覆蓋層犧牲材料層；
[0103]步驟206去除所述覆蓋層犧牲材料層和所述犧牲材料層，以在所述底部電極上方形成空腔；
[0104]步驟207再次沉積所述覆蓋層薄層填充所述第二開(kāi)口，以形成封閉的覆蓋層。
[0105]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以?xún)?nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種運(yùn)動(dòng)傳感器的制備方法，包括: 提供基底，所述基底上形成有CMOS器件，所述基底上還形成有底部電極、以及位于所述底部電極上的犧牲材料層； 形成MEMS襯底并圖案化，以形成多個(gè)第一開(kāi)口，露出部分所述犧牲材料層； 在所述MEMS襯底上沉積覆蓋層犧牲材料層并圖案化； 在所述覆蓋層犧牲材料層上沉積覆蓋層薄層，以覆蓋所述覆蓋層犧牲材料層； 圖案化所述覆蓋層薄層，以在所述覆蓋層薄層中形成多個(gè)第二開(kāi)口，露出部分所述覆蓋層犧牲材料層； 去除所述覆蓋層犧牲材料層和所述犧牲材料層，以在所述底部電極上方形成空腔； 再次沉積所述覆蓋層薄層填充所述第二開(kāi)口，以形成封閉的覆蓋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層薄層選用氧化硅、氮化硅、氮氧化娃、多晶娃、金屬薄膜、娃的合金或者混合物以及有機(jī)覆蓋物中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層犧牲材料層為無(wú)定形碳材料層，所述MEMS襯底選用Si，所述犧牲材料層選用無(wú)定形碳材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底上形成底部電極的方法為: 在所述基底上沉積第一介電層； 圖案化所述第一介電層，以在所述第一介電層中形成第三開(kāi)口 ； 在所述第三開(kāi)口中填充金屬材料，以形成所述底部電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述犧牲材料層的方法為: 在所述底部電極上沉積第二介電層； 圖案化所述第二介電層，形成溝槽，露出位于中間部分的底部電極； 沉積犧牲材料，以填充所述溝槽并形成所述犧牲材料層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第二介電層上形成所述MEMS襯底的方法為: 形成所述MEMS襯底； 將所述MEMS襯底通過(guò)共晶結(jié)合或者熱鍵合的方法和所述第二介電層鍵合，以形成一體的結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一開(kāi)口的關(guān)鍵尺寸小于5um。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟: 在所述MEMS襯底上形成第三介電層； 蝕刻所述第三介電層、所述MEMS襯底、第二介電層，以在所述第一開(kāi)口的一側(cè)形成接觸孔，露出所述底部電極； 選用導(dǎo)電材料填充所述接觸孔，以形成接觸塞。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，圖案化所述覆蓋層薄層，以在所述覆蓋層薄層中形成第二開(kāi)口，同時(shí)去除所述一開(kāi)口兩側(cè)的所述覆蓋層薄層，以露出所述接觸塞。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種運(yùn)動(dòng)傳感器的制備方法，包括：提供基底，所述基底上形成有CMOS器件，所述基底上還形成有底部電極、以及位于所述底部電極上的犧牲材料層；形成MEMS襯底并圖案化，以形成多個(gè)第一開(kāi)口，露出部分所述犧牲材料層；在所述MEMS襯底上沉積覆蓋層犧牲材料層并圖案化；在所述覆蓋層犧牲材料層上沉積覆蓋層薄層，以覆蓋所述覆蓋層犧牲材料層；圖案化所述覆蓋層薄層，以在所述覆蓋層薄層中形成多個(gè)第二開(kāi)口，露出部分所述覆蓋層犧牲材料層；去除所述覆蓋層犧牲材料層和所述犧牲材料層，以在所述底部電極上方形成空腔；再次沉積所述覆蓋層薄層填充所述第二開(kāi)口，以形成封閉的覆蓋層。本發(fā)明所述方法使所述傳感器的良率提高。
【IPC分類(lèi)】B81C1-00
【公開(kāi)號(hào)】CN104743505
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410100750
【發(fā)明人】謝紅梅, 劉煊杰
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2014年3月18日