法蝕刻溫度為25_90°C，所述濕法蝕刻時(shí)間為lOs-lOOOs，但是并不局限于該示例，還可以選用本領(lǐng)域常用的其他方法。
[0098]在去除所述第一犧牲材料層202和所述第二犧牲材料層205之后，在所述定極板206和所述震蕩膜之間形成空腔，形成電容器結(jié)構(gòu)的介電質(zhì)。
[0099]至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的MEMS器件制備的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實(shí)施例的制備方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。
[0100]通過(guò)對(duì)本發(fā)明所述方法制備得到的MEMS器件進(jìn)行模擬發(fā)現(xiàn)，在接收到相同壓強(qiáng)下，震蕩膜(Membrane)上下震動(dòng)幅度得到有效的減少，例如在收到20uN的力作用下，振動(dòng)幅度從現(xiàn)有技術(shù)中的6u將為本發(fā)明的2.4u，有效地保護(hù)了因Membrane震動(dòng)幅度過(guò)大導(dǎo)致的破裂。
[0101]進(jìn)一步，所述方法制備到的器件靈敏度進(jìn)一步提高，通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，在20uN的力作用下，在加入高K(High-K)材料的震蕩膜結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的電容變化量更大。
[0102]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種MEMS器件及其制備方法，在所述MEMS器件制備中在震蕩膜中引入線形的高K材料層，所述高K材料層可以增加所述震蕩膜的抗沖擊能力，而且不會(huì)影響所述震蕩膜的靈敏度，通過(guò)震蕩膜(Membrane)形狀與結(jié)構(gòu)的改變，防止震蕩膜(Membrane)受到?jīng)_擊導(dǎo)致的破裂現(xiàn)象.
[0103]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0104](1)增加Membrane的抗沖擊能力。
[0105](2)完全避免了限位件(Stoper)結(jié)構(gòu)對(duì)Membrane造成的緩沖損傷。
[0106](3)簡(jiǎn)化工藝流程，降低成本，提高產(chǎn)能。
[0107](4)改善了 MEMS器件的提前失效現(xiàn)象。
[0108](5)引入了 HK材料，提高/保持了 MEMS器件的靈敏度(sensitivity)。
[0109]圖3為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述MEMS器件的制備工藝流程圖，具體包括以下步驟:
[0110]步驟S1:提供基底，在所述基底上形成有第一犧牲材料層和位于所述第一犧牲材料層上的震蕩膜材料層，其中，在所述震蕩膜材料層中形成有若干開口，以露出所述第一犧牲材料層；
[0111]步驟S2:沉積高K材料層并平坦化，以填充所述開口，形成震蕩膜。
[0112]實(shí)施例2
[0113]本發(fā)明還提供了一種MEMS器件，如圖2h所示，所述MEMS器件包括:
[0114]震蕩膜，包括震蕩膜材料層203和鑲嵌于所述震蕩膜材料層中的高K材料層204 ；
[0115]定極板206，包括若干相互間隔的部分，位于所述震蕩膜的上方；
[0116]空腔，位于所述震蕩膜和所述定極板206之間。
[0117]其中，所述高K材料層呈線形結(jié)構(gòu)。
[0118]所述若干線形結(jié)構(gòu)的高K材料層呈橫向和/或縱向排列，以形成線形結(jié)構(gòu)陣列。
[0119]所述高K材料層貫穿鑲嵌于所述震蕩膜材料層中。
[0120]所述震蕩膜材料層203呈多邊形結(jié)構(gòu)，例如呈六邊形結(jié)構(gòu)，在所述六邊形結(jié)構(gòu)的每個(gè)角上都形成有震蕩膜錨部。
[0121 ] 進(jìn)一步，所述MEMS器件還進(jìn)一步包括位于所述震蕩膜下方的傳感開口，用于實(shí)現(xiàn)壓力的傳感。
[0122]本發(fā)明所述MEMS器件在震蕩膜中引入線形的高K材料層，所述高K材料層可以增加所述震蕩膜的抗沖擊能力，而且不會(huì)影響所述震蕩膜的靈敏度，通過(guò)震蕩膜(Membrane)形狀與結(jié)構(gòu)的改變，防止震蕩膜(Membrane)受到?jīng)_擊導(dǎo)致的破裂現(xiàn)象，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低成本，提高產(chǎn)能。
[0123]實(shí)施例3
[0124]本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括實(shí)施例2所述的MEMS器件。其中，半導(dǎo)體器件為實(shí)施例2所述的MEMS器件，或根據(jù)實(shí)施例1所述的制備方法得到的MEMS器件。
[0125]本實(shí)施例的電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、V⑶、DVD、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括所述MEMS器件的中間產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置，由于使用了上述的MEMS器件，因而具有更好的性能。
[0126] 本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MEMS器件的制備方法，包括: 步驟S1:提供基底，在所述基底上形成有第一犧牲材料層和位于所述第一犧牲材料層上的震蕩膜材料層，其中，在所述震蕩膜材料層中形成有若干開口，以露出所述第一犧牲材料層； 步驟S2:沉積高K材料層并平坦化，以填充所述開口，形成震蕩膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述開口呈線形。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述若干開口呈橫向和/或縱向排列，以形成開口陣列。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述震蕩膜材料層呈多邊形結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，所述震蕩膜材料層呈六邊形結(jié)構(gòu)，在所述六邊形結(jié)構(gòu)的每個(gè)角上都形成有震蕩膜錨部。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2之后，所述方法還包括: 步驟S3:沉積第二犧牲材料層，以覆蓋所述震蕩膜； 步驟S4:在所述第二犧牲材料層上、所述震蕩膜的上方形成相互間隔的若干定極板； 步驟S5:沉積限制層，以覆蓋所述定極板和所述第二犧牲材料層； 步驟S6:圖案化所述基底的背面，以露出所述第一犧牲材料層； 步驟S7:去除所述震蕩膜中間部位下方和的上方的所述第一犧牲材料層和所述第二犧牲材料層，以形成空腔。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟S7中選用雙面蝕刻工藝，以同時(shí)去除所述震蕩膜下方和的上方的所述第一犧牲材料層和所述第二犧牲材料層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1包括: 步驟S11:提供基底，并在所述基底上沉積所述第一犧牲材料層； 步驟S12:在所述第一犧牲材料層上形成震蕩膜材料層； 步驟S13:在所述震蕩膜材料層上形成圖案化的掩膜層； 步驟S14:以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述震蕩膜材料層，以形成所述開口。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S4包括: 步驟S41:在所述第二犧牲材料層上形成導(dǎo)電材料層； 步驟S42:在所述導(dǎo)電材料層上形成圖案化的掩膜層； 步驟S43:以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述導(dǎo)電材料層，以形成相互間隔的所述定極板。10.一種MEMS器件，包括: 震蕩膜，包括震蕩膜材料層和鑲嵌于所述震蕩膜材料層中的高K材料層； 定極板，包括若干相互間隔的部分，位于所述震蕩膜的上方； 空腔，位于所述震蕩膜和所述定極板之間。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MEMS器件，其特征在于，所述高K材料層呈線形結(jié)構(gòu)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的MEMS器件，其特征在于，所述若干線形結(jié)構(gòu)的高K材料層呈橫向和/或縱向排列，以形成線形結(jié)構(gòu)陣列。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MEMS器件，其特征在于，所述高K材料層貫穿鑲嵌于所述震蕩膜材料層中。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MEMS器件，其特征在于，所述震蕩膜材料層呈多邊形結(jié)構(gòu)。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MEMS器件，其特征在于，所述震蕩膜材料層呈六邊形結(jié)構(gòu)，在所述六邊形結(jié)構(gòu)的每個(gè)角上都形成有震蕩膜錨部。16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件還進(jìn)一步包括位于所述震蕩膜下方的傳感開口，用于實(shí)現(xiàn)壓力的傳感。17.—種電子裝置,包括權(quán)利要求10-16之一所述的MEMS器件。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置，所述方法包括步驟S1：提供基底，在所述基底上形成有第一犧牲材料層和位于所述第一犧牲材料層上的震蕩膜材料層，其中，在所述震蕩膜材料層中形成有若干開口，以露出所述第一犧牲材料層；步驟S2：沉積高K材料層并平坦化，以填充所述開口，形成震蕩膜。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：(1)增加Membrane的抗沖擊能力。(2)完全避免了限位件(Stoper)結(jié)構(gòu)對(duì)Membrane造成的緩沖損傷。(3)簡(jiǎn)化工藝流程，降低成本，提高產(chǎn)能。(4)改善了MEMS器件的提前失效現(xiàn)象。(5)引入了HK材料，提高/保持了MEMS器件的靈敏度(sensitivity)。
【IPC分類】B81B7/00, B81C1/00
【公開號(hào)】CN105439078
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410389156
【發(fā)明人】鄭超, 李衛(wèi)剛, 王偉
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2014年8月8日