專利名稱：改善擴散板表面特性的方法
改善擴散板表面特性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體技術(shù)領(lǐng)域中的擴散板，尤其涉及一種用于等離子體輔助化學 氣相沉積設(shè)備的改善擴散板表面特性的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置的制程中，首先須在玻璃基板上制作大量組件如薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)，請參閱附圖1所示，為玻璃基板10在等離子體輔助化學氣相沉積 (Plasma-Enhanced Chemical Vapor D印osition，PECVD)反應(yīng)室腔體 1 中的示意圖。在 所述等離子體輔助化學氣相沉積反應(yīng)室腔體1中，擴散板(Diffuser) 12作為上電極，其材 質(zhì)通常以鋁作為基材，加熱器(Susc印tor) 14則作為下電極，其中擴散板12具有多個孔洞 (未圖示)以供氣體或液體通過。擴散板12與加熱器14兩者之間充滿等離子體16。進行 化學氣相沉積時，將所需的反應(yīng)氣體由氣體入口 18導入，氣體經(jīng)過均熱板20及擴散板12 的孔洞(未圖示)后，由于擴散板12與加熱器14的電位差及等離子體16的作用，而能在 玻璃基板10上成膜來制作組件，最后工藝反應(yīng)后的廢氣經(jīng)由氣體出口 22排出。然而在工藝反應(yīng)所產(chǎn)生的副產(chǎn)物，例如氮化硅、非晶硅、多晶硅、氧化硅、硼摻雜非 晶硅和磷摻雜非晶硅等，會沉積于擴散板12的表面，當擴散板12使用一段時間后，工藝環(huán) 境會影響擴散板12表面特性，例如激發(fā)態(tài)離子表面轟擊、沉積膜應(yīng)力以及氟、氯、氧等高 活性元素與鋁基材的擴散板12反應(yīng)皆會影響表面特性，再加上洗凈(Cleaning)與翻新 (Refurbishment)過程導致擴散板表面的輪廓數(shù)學平均粗糙度(Ra)提高的問題，上述擴散 板12表面特性退化會造成后續(xù)工藝反應(yīng)的表現(xiàn)與新品有所差異，甚至會因其與沉積膜的 附著力下降而成為產(chǎn)生微塵粒子(Particle)的來源。因此，確有需要對上述擴散板表面特性因工藝過程中的使用、洗凈或翻修導致退 化改變的問題提出解決方法。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種改善擴散板表面特性的方法，使得所述 擴散板在使用一段時間后的表面特性盡可能與新品的表面特性相同。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種改善擴散板表面特性的方法，包括清潔所 述擴散板表面；對所述擴散板表面進行噴砂；以及利用一第一酸性溶液去除所述擴散板表 面的氧化物。于較佳實施例中，本發(fā)明的改善擴散板表面特性的方法進一步包括利用一第二 酸性溶液對所述擴散板進行陽極電鍍，用以形成一陽極電鍍模在所述擴散板表面；以及利 用一堿性溶液去除所述擴散板表面的所述陽極電鍍模。本發(fā)明的優(yōu)點在于，通過將所述擴散板表面特性盡可能恢復至與新品的表面特性 相同，包括表面氧化程度及表面物理特性，避免所述擴散板表面特性退化后導致后續(xù)工藝 中反應(yīng)的表現(xiàn)與新品有所差異的問題。
附圖1所示是玻璃基板在等離子體輔助化學氣相沉積反應(yīng)室腔體中的示意圖；以 及附圖2所示是根據(jù)本發(fā)明改善擴散板表面特性的方法的工藝流程圖。
具體實施方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的改善擴散板表面特性的方法的具體實施方式
做詳 細說明。請參閱附圖2所示，是根據(jù)本發(fā)明所述改善擴散板表面特性的方法的工藝流程 圖，包括如下步驟步驟S200，清潔所述擴散板表面；步驟S210，對所述擴散板表面進行噴 砂；步驟S220，利用一第一酸性溶液去除所述擴散板表面的氧化物；步驟S230，利用一第 二酸性溶液對所述擴散板進行陽極電鍍，用以在所述擴散板表面形成一陽極電鍍模；步驟 S240中，利用一堿性溶液去除所述擴散板表面的所述陽極電鍍模。步驟S200中，清潔所述擴散板表面，用以去除表面的副產(chǎn)物，所述副產(chǎn)物包括氮 化硅、非晶硅、多晶硅、氧化硅、硼摻雜非晶硅和磷摻雜非晶硅等，清潔的方式選自高壓純水 沖洗、化學浸漬除膜以及精細拋磨所構(gòu)成群組中的至少一種。步驟S210中，對所述擴散板表面進行噴砂，通過選擇適合的噴砂砂材號數(shù)(即選 擇顆粒尺寸)、砂材種類與加壓空氣壓力的配合，改變所述擴散板表面輪廓的數(shù)學平均粗糙 度，使其表面均勻一致且盡可能與新品狀態(tài)的輪廓數(shù)學平均粗糙度相同，較佳而言，所述擴 散板表面的輪廓數(shù)學平均粗糙度在噴砂后實質(zhì)上為1 μ m至1. 5 μ m。噴砂所使用的砂材包 括氧化鋁砂或氧化硅砂。步驟S220中，利用一第一酸性溶液去除所述擴散板表面的氧化物，由于所述擴散 板使用過一定時間后，其表面氧化程度增加，因此所述步驟的目的是用以去除所述擴散板 表面的氧化物，使得表面氧化程度盡可能與新品的狀態(tài)相同。于一實施例中，所述第一酸性 溶液為硝酸溶液，其濃度為10%至80%重量百分比(Weight Percent,Wt. %)，將所述擴散 板浸漬于所述硝酸溶液中，從而降低其表面的氧分子濃度。去除所述擴散板表面的氧化物后，進一步包括以加熱的純水清潔所述擴散板表面 的步驟，清潔的方式例如沖洗和/或浸泡，所述加熱的純水的溫度為30°C至60°C。步驟S230中，利用一第二酸性溶液對所述擴散板進行陽極電鍍，用以在所述擴散 板表面形成一陽極電鍍模。所述第二酸性溶液包括硫酸、草酸或是兩者混合的溶液。步驟S240中，利用一堿性溶液去除所述擴散板表面的所述陽極電鍍模。所述堿性 溶液包括氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液。要特別說明的是，步驟S210進行的噴砂步驟系用以控制所述擴散板表面的物理 特性，即輪廓數(shù)學平均粗糙度，使其表面均勻一致且盡可能與新品狀態(tài)的輪廓數(shù)學平均粗 糙度相同。步驟S220進行的去氧化步驟是用以恢復所述擴散板例如鋁基材表面的純度， 使其純度盡可能與新品相同。步驟S230以及步驟S240進行的陽極電鍍步驟同樣用以控制 所述擴散板表面的物理特性，改善因為等離子體輔助化學氣相沉積工藝中高能量等離子體 (如附圖1所示)導致的表面損壞，并且能讓粗糙表面尖端處的輪廓圓滑。因此，噴砂、去氧化以及電鍍的目的皆在于使擴散板表面特性盡可能與新品擴散板表面特性相同，以避免擴 散板表面特性退化造成后續(xù)工藝表現(xiàn)變差的問題。 綜上所述，雖然本發(fā)明已用較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本發(fā) 明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動 與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種改善擴散板表面特性的方法，包括 清潔所述擴散板表面；對所述擴散板表面進行噴砂；以及利用一第一酸性溶液去除所述擴散板表面的氧化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括利用一第二酸性溶液對所述擴散板進行陽極電鍍，用以在所述擴散板表面形成一陽極 電鍍模；以及利用一堿性溶液去除所述擴散板表面的所述陽極電鍍模。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二酸性溶液為硫酸溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二酸性溶液為草酸溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二酸性溶液為硫酸及草酸兩者的 混合溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述堿性溶液為氫氧化鈉溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述堿性溶液為氫氧化鉀溶液。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，清潔所述擴散板表面的方式選自于高壓 純水沖洗、化學浸漬除膜以及精細研磨所構(gòu)成群組中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述擴散板表面進行噴砂所使用的砂 材為氧化鋁砂。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述擴散板表面進行噴砂所使用的砂 材為氧化硅砂。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對該擴散板表面進行噴砂后，所述擴散 板表面的輪廓數(shù)學平均粗糙度為1 μ m至1. 5 μ m。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一酸性溶液為硝酸溶液。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述硝酸溶液的濃度為10%至80%重量百分比。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在利用所述第一酸性溶液去除所述擴散 板表面的氧化物的步驟中，進一步包括以加熱的純水清潔所述擴散板表面的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述加熱的純水的溫度為30°C至60°C。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種改善擴散板表面特性的方法。該方法包括下列步驟清潔所述擴散板表面；對所述擴散板表面進行噴砂；以及利用一第一酸性溶液去除所述擴散板表面的氧化物。通過本發(fā)明，能將所述擴散板表面特性盡可能恢復至與新品的表面特性相同。
文檔編號C25D11/04GK102102209SQ20091026524
公開日2011年6月22日 申請日期2009年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月18日
發(fā)明者劉芳鈺, 樸炳俊, 蘇金種 申請人:世界中心科技股份有限公司