涂層導(dǎo)體Ni-5at.%W合金基帶的電化學(xué)拋光方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及涂層導(dǎo)體Ni-5at.％W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，以Ni-5at.％W合金基帶作為陽(yáng)極，以純鎳片作為陰極，將Ni-5at.％W合金基帶在靜態(tài)下浸漬于電解拋光液中，開啟電源對(duì)Ni-5at.％W合金基帶進(jìn)行拋光處理，拋光處理后的合金基帶再經(jīng)去離子水反復(fù)沖洗，并用無(wú)水乙醇脫水、風(fēng)機(jī)吹干即可，電解拋光液為磷酸、硫酸、乙二醇按體積比為2-4∶3-5∶2-3混合而成的電解拋光液。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明拋光后的合金基帶通過原子力顯微鏡分析，在5×5μm范圍內(nèi)RMS小于1納米，消除了由RABiTS制備基帶產(chǎn)生的晶界溝槽效應(yīng)，且對(duì)原始基帶立方織構(gòu)無(wú)影響，滿足涂層導(dǎo)體對(duì)基帶表面平整度的要求。
【專利說明】涂層導(dǎo)體N1-5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于涂層導(dǎo)體帶材制備領(lǐng)域，涉及一種涂層導(dǎo)體鎳基合金基帶電化學(xué)表面處理技術(shù)，具體涉及一種涂層導(dǎo)體N1-5at.% W合金基帶電化學(xué)拋光工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]超導(dǎo)材料由于其獨(dú)特的物理性能(無(wú)阻、抗磁、隧道效應(yīng)等)，近百年來(lái)一直吸引著眾多科學(xué)家的關(guān)注。利用超導(dǎo)帶材制備的超導(dǎo)電纜、超導(dǎo)電機(jī)、超導(dǎo)變壓器、超導(dǎo)限流器、超導(dǎo)磁分離器和超導(dǎo)儲(chǔ)能系統(tǒng)等器件和設(shè)備具有常規(guī)產(chǎn)品無(wú)法比擬的體積小、重量輕、效率高、能耗低和容量大等優(yōu)點(diǎn)，在電力、能源、醫(yī)療設(shè)備、國(guó)防裝備等多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
[0003]YBa2Cu307-x, (YBCO)體系的高溫超導(dǎo)材料由于自身的優(yōu)點(diǎn)，如在77K的液氮溫區(qū)下高的不可逆場(chǎng)(7T) 、高的載流能力(IO5?107A/cm2)、低的交流損耗等,一經(jīng)發(fā)現(xiàn)即引起了人們的極大興趣。20世紀(jì)90年中期，人們?cè)诮饘倩鶐喜捎猛繉臃椒ㄖ苽涠痰腨BCO帶材獲得成功，預(yù)示著基于YBCO的柔性長(zhǎng)超導(dǎo)帶材完全有可能研制出來(lái)。然而，要在柔性基帶上制備出具有立方織構(gòu)的超導(dǎo)層，首先要獲得具有類似立方織構(gòu)的基帶，然后外延生長(zhǎng)超導(dǎo)層，而基帶織構(gòu)及表面狀態(tài)的好壞是制備涂層導(dǎo)體的關(guān)鍵。1996年，美國(guó)橡樹嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(ORNL)的Goyal等采用軋制輔助雙軸織構(gòu)基底技術(shù)(RABiTS)使金屬鎳在大變形量0 99%)冷軋后，經(jīng)過適當(dāng)?shù)臒崽幚砜尚纬蓮?qiáng)的立方織構(gòu)。然而，由于高純Ni基帶具有鐵磁性、屈服極限低和退火后晶界較深等不可克服的本征缺點(diǎn)，不是作為涂層超導(dǎo)基帶的最佳選擇。研究發(fā)現(xiàn)，在Ni中固溶一定量的W、V、Cr、Mo、Ta、Nb、Ag等合金元素可解決上述存在問題，目前應(yīng)用比較廣泛的是N1-5at% W合金基帶。
[0004]為獲得實(shí)用超導(dǎo)帶材，就必須避免材料中的大角晶界，消除超導(dǎo)相之間的弱連接。基帶材料表面質(zhì)量即便是小角度晶界的存在、納米級(jí)的表面粗糙度、表面清潔度以及晶界溝槽效應(yīng)等缺陷都會(huì)嚴(yán)重影響帶材的性能，而這些缺陷帶來(lái)的基帶表面質(zhì)量對(duì)隔離層和YBCO的生長(zhǎng)都是至關(guān)重要的。目前尚未有系統(tǒng)的有關(guān)表面粗糙度及表面清潔度影響的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，但任何表面缺陷和殘留物(如來(lái)自軋制中的潤(rùn)滑劑)等，都將會(huì)影響膜的附著力及膜的外延生長(zhǎng)，必須通過后續(xù)的表面處理技術(shù)改善基帶的表面質(zhì)量。
[0005]電化學(xué)拋光是20世紀(jì)初開發(fā)的一項(xiàng)金屬表面精飾技術(shù)，迄今已有100年的歷史。電化學(xué)拋光類似于電鍍，但過程相反，被拋光體作為陽(yáng)極，在某一特定條件下進(jìn)行的金屬陽(yáng)極溶解過程，使金屬表面變得光滑、平整，且具有鏡面反射能力。
[0006]高鎳合金的電化學(xué)拋光過程中，在合金表面反復(fù)生成和溶解的氧化膜是獲得拋光表面的必要條件。高鎳合金屬于強(qiáng)鈍化金屬，在電化學(xué)拋光過程中既有金屬的陽(yáng)極溶解，又有在氧作用下形成的氧化膜，使陽(yáng)極溶解受到抑制，而氧化膜本身也因電解拋光液的不斷腐蝕，變得不完整。這樣金屬表面始終處于周期性變換的鈍化一活化狀態(tài)，微觀凸起和微觀凹洼部位的鈍化程度不同，凸起部位的鈍化程度較小，表面氧化膜多孔，溶解較迅速；凹洼部位容易保持穩(wěn)定的鈍化狀態(tài)，因而溶解較慢，其結(jié)果是凸起部位被腐蝕。如此反復(fù)，直至獲得穩(wěn)定、致密的鈍化膜層，使電化學(xué)拋光效果達(dá)到極值。
[0007]中國(guó)專利“涂層超導(dǎo)體鎳基帶電化學(xué)拋光工藝方法”(ZL200410083618.5)公布了以磷酸、丙三醇配制的電解拋光液對(duì)鎳基帶實(shí)施電化學(xué)拋光，拋光后通過原子力顯微鏡觀察，表面粗糙度約為十幾納米。
[0008]中國(guó)專利“一種涂層導(dǎo)體用鎳鎢合金基帶的電化學(xué)拋光方法”(申請(qǐng)?zhí)?00910023984.4)公開了以硫酸、水和丙三醇配制的電化學(xué)拋光液對(duì)Ni_5at.%胃基帶實(shí)施電化學(xué)拋光，拋光后通過原子力顯微鏡觀察，在ΙΟμπιΧΙΟμπι范圍內(nèi)均方根粗糙度在I納米以下。
[0009]中國(guó)專利“一種用于改善Ni5at.% W合金基帶表面質(zhì)量的電解拋光液及其使用方法”(申請(qǐng)?zhí)枮?01110162401.3)公開了一種用于改善Ni5at.% W合金基帶表面質(zhì)量的電解拋光液及其使用方法，將80%?85%磷酸、98%的硫酸、80%的乳酸以7: 5: 3的體積比混合，加入質(zhì)量百分比為10%?15%的丁二酮肟粉末；將Ni5at.% W合金基帶清洗去污；以Ni5at.% W合金基帶作為陽(yáng)極，不銹鋼作為陰極，浸沒在拋光液中；在攪拌、電壓1.5?
2.5V、溫度為20?30°C條件下進(jìn)行拋光，拋光時(shí)間15?20s，拋光極距10?15mm;拋光完畢，放入Na 2CO3中進(jìn)行中和，并清洗。該專利將乳酸作為絡(luò)合劑加入到拋光液中，其目的是通過加入諸如葡萄糖、乳酸、檸檬酸、酒石酸、草酸、醋酸、丙三醇、異丙醇甚至乙醇等在拋光溶液中形成大分子絡(luò)合物改善拋光質(zhì)量，但真正對(duì)電解拋光過程起作用的是電極表面形成一種高粘度的“粘滯層”(或粘液膜、陽(yáng)極膜、擴(kuò)散層)。根據(jù)現(xiàn)代電解拋光粘膜說理論，電極表面形成的粘滯層與整體溶液相比，具有較大的比重和電阻率，凹凸不平的表面粘滯層厚度不同，凸起部分粘滯層薄、電阻小、電流密度較大、離子擴(kuò)散速度快而被迅速地溶解，而凹陷部分粘滯層相對(duì)厚、電阻大、電流密度較小、離子擴(kuò)散速度慢、溶解速率也慢，其結(jié)果是凸起的頂峰逐漸趨于平坦而形成光滑平整的表面。乙二醇粘度適中，在磷酸、硫酸體系中可提高溶液粘稠度，便于拋光過程中形成擴(kuò) 散層，有利于平整和光亮過程的發(fā)生。而丁二酮肟主要用來(lái)檢定鎳基材料的光度，對(duì)平整無(wú)大作用，只有光亮和平整同時(shí)發(fā)生，才能實(shí)現(xiàn)拋光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種涂層導(dǎo)體N1-5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法。
[0011]本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
[0012]涂層導(dǎo)體Ni_5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，其特征在于，該方法以N1-5at.%W合金基帶作為陽(yáng)極，以純鎳片作為陰極，將Ni_5at.%胃合金基帶在靜態(tài)下浸潰于電解拋光液中，開啟電源對(duì)Ni_5at.% W合金基帶進(jìn)行拋光處理，拋光處理后的合金基帶再經(jīng)去離子水反復(fù)沖洗，并用無(wú)水乙醇脫水、風(fēng)機(jī)吹干即可，
[0013]所述的電解拋光液為磷酸、硫酸、乙二醇按體積比為2-4: 3-5: 2-3混合而成的電解拋光液。
[0014]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，磷酸為質(zhì)量百分濃度為83-85%的磷酸溶液，硫酸為質(zhì)量百分濃度為95-98%的硫酸溶液。
[0015]作為更加優(yōu)選的實(shí)施方式，磷酸為質(zhì)量百分濃度為85%的磷酸溶液，硫酸為質(zhì)量百分濃度為98 %的硫酸溶液。[0016]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，N1-5at.% W合金基帶在浸潰之前，表面需用丙酮迸行脫脂處理，再用水基凈洗劑在超聲波中凈洗l_5min，然后用去離子水反復(fù)沖洗，無(wú)水乙醇脫水，風(fēng)機(jī)吹干。
[0017]作為更加優(yōu)選的實(shí)施方式，水基凈洗劑的濃度為5_10wt%，采用的溶質(zhì)為聚氧乙
烯月桂醇醚、聚氧乙烯烷基酚醚、十二酸二乙醇酰胺、碳酸鈉、磷酸鈉、硅酸鈉的多組元混合物。
[0018]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，拋光處理時(shí)控制拋光電流密度為0.7?1.2A.cm_2。
[0019]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，拋光處理時(shí)控制拋光時(shí)間為20?120s。
[0020]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，拋光處理時(shí)控制拋光溫度為25?55°C。
[0021]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，拋光處理時(shí)控制陽(yáng)極與陰極之間的間距為10?20mm。
[0022]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，拋光處理時(shí)控制陽(yáng)極與陰極的面積比為1: 3-5。
[0023]作為更加優(yōu)選的實(shí)施方式，拋光處理時(shí)控制陽(yáng)極與陰極的面積比為1: 4。
[0024]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明拋光處理的Ni_5at.% W合金基帶通過原子力顯微鏡(AFM)分析，合金基帶在5X5 μ m范圍內(nèi)，均方根粗糙度(RMS)為0.718?0.812nm，具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0025]1、以磷酸、硫酸為基液配制的電解拋光液，相比單一磷酸和硫酸電解拋光體系溶液對(duì)基帶腐蝕性更溫和、壽命更長(zhǎng)、性能更穩(wěn)定；且添加適量乙二醇后，溶液整體粘度適中，有利于在金屬/溶液界面處.形成擴(kuò)散層，通過擴(kuò)散控制，最終實(shí)現(xiàn)光滑、平整表面。
[0026]2、采用均勻設(shè)計(jì)方法，通過二次多項(xiàng)式逐步回歸數(shù)據(jù)處理，獲得數(shù)理統(tǒng)計(jì)模型，利用該模型對(duì)電化學(xué)拋光工藝條件進(jìn)行了優(yōu)化，并得到實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。因此，該電化學(xué)拋光工藝技術(shù)參數(shù)易控、穩(wěn)定，操作簡(jiǎn)單，重復(fù)性好，適用于Ni_5at.% W合金長(zhǎng)帶實(shí)現(xiàn)連續(xù)、自動(dòng)化拋光處理。
[0027]3、采用本發(fā)明的一種涂層導(dǎo)體Ni_5at.% W合金基帶電化學(xué)拋光工藝，可使基帶表面均方根粗糙度在5X5 μ m范圍內(nèi)RMS小于I納米，消除了由R A B iTS制備基帶產(chǎn)生的晶界溝槽效應(yīng)，且對(duì)原始基帶立方織構(gòu)無(wú)影響，滿足涂層導(dǎo)體對(duì)基帶表面平整度的要求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1為實(shí)施例1拋光處理的Ni_5at.% W合金基帶經(jīng)原子力顯微鏡的分析結(jié)果；
[0029]圖2為實(shí)施例2拋光處理的Ni_5at.% W合金基帶經(jīng)原子力顯微鏡的分析結(jié)果；
[0030]圖3為實(shí)施例3拋光處理的Ni_5at.% W合金基帶經(jīng)原子力顯微鏡的分析結(jié)果。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0032]實(shí)施例1
[0033]N1-5at.% W合金基帶原始試樣由RABiTS制備的0.08mm厚的長(zhǎng)帶上截取，尺寸為IOXlOmm0電化學(xué)拋光前，試樣表面首先用丙酮進(jìn)行脫脂處理，再在水基凈洗劑中超聲波凈洗2min，然后用去離子水反復(fù)沖洗，無(wú)水乙醇脫水，風(fēng)機(jī)吹干待用。量取60ml乙二醇(密度1.llg/cm3)于500ml電解池中，在外加冷卻和不斷攪拌下依次加入80ml正磷酸(質(zhì)量濃度85% ) ,60ml濃硫酸(質(zhì)量濃度98% )配制成電化學(xué)拋光液。[0034]將Ni_5at.% W合金基帶試樣通過導(dǎo)線與直流穩(wěn)壓/穩(wěn)流電源“ + ”極連接，作為陽(yáng)極。將純鎳片通過導(dǎo)線與直流穩(wěn)壓/穩(wěn)流電源“一”極連接，作為陰極。極間距平行距離為20mm，陽(yáng)、陰極面積比為1:4，靜態(tài)下全浸于已配制好的電解液中，形成完整的電化學(xué)拋光體系。開啟電源，電流密度控制在1.2A/cm2，拋光時(shí)間控制在40S，拋光溫度為25°C。拋光結(jié)束后，關(guān)閉電源，取出基帶試樣，先用去離子水反復(fù)沖洗，再用無(wú)水乙醇脫水、風(fēng)機(jī)吹干后獲得電化學(xué)拋光樣品。
[0035]采用原子力顯微鏡對(duì)電化學(xué)拋光后的基帶試樣表面粗糙度進(jìn)行表征，結(jié)果如圖1所示，在5X5 μ m范圍內(nèi)RMS為0.752nm，消除了由R A BiTS制備基帶產(chǎn)生的晶界溝槽效應(yīng)，且對(duì)原始基帶立方織構(gòu)無(wú)影響，可滿足涂層導(dǎo)體對(duì)基帶表面平整度的要求。
[0036]實(shí)施例2
[0037]N1-5at.% W合金基帶原始試樣由R A BiTS制備的0.08mm厚的長(zhǎng)帶上截取，尺寸為IOX 10mm。電化學(xué)拋光前，試樣表面首先用丙酮進(jìn)行脫脂處理，再在水基凈洗劑中超聲波凈洗2min，然后用去離子水反復(fù)沖洗，無(wú)水乙醇脫水，風(fēng)機(jī)吹干待用。量取60ml乙二醇(密度1.llg/cm3)于500ml電解池中，在外加冷卻和不斷攪拌下依次加入80ml正磷酸(質(zhì)量濃度85% ) ,60m l濃硫酸(質(zhì)量濃度98% )配制成電化學(xué)拋光液。
[0038]將Ni_5at.% W合金基帶試樣通過導(dǎo)線與直流穩(wěn)壓/穩(wěn)流電源“ + ”極連接，作為陽(yáng)極。將純鎳片通過導(dǎo)線與直流穩(wěn)壓/穩(wěn)流電源“一”極連接，作為陰極。極間距平行距離為20mm，陽(yáng)、陰極面積比為1:4，靜態(tài)下全浸于已配制好的電解液中，形成完整的電化學(xué)拋光體系。開啟電源，電流密度控制在1.lA/cm2，拋光時(shí)間控制在60S，拋光溫度為25°C。拋光結(jié)束后，關(guān)閉電源，取出基帶試樣，先用去離子水反復(fù)沖洗，再用無(wú)水乙醇脫水、風(fēng)機(jī)吹干后獲得電化學(xué)拋光樣品。
[0039]采用原子力顯微鏡對(duì)電化學(xué)拋光后的基帶試樣表面粗糙度進(jìn)行表征，結(jié)果如圖2所示，在5X5 μ m范圍內(nèi)RMS為0.812nm，消除了由R A BiTS制備基帶產(chǎn)生的晶界溝槽效應(yīng)，且對(duì)原始基帶立方織構(gòu)無(wú)影響，可滿足涂層導(dǎo)體對(duì)基帶表面平整度的要求。
[0040]實(shí)施例3
[0041]N1-5at.% W合金基帶原始試樣由R A BiTS制備的0.08mm厚的長(zhǎng)帶上截取，尺寸為lOXlOmm。電化學(xué)拋光前，試樣表面首先用丙酮進(jìn)行脫脂處理，再在水基凈洗劑中超聲波凈洗2min，然后用去離子水反復(fù)沖洗，無(wú)水乙醇脫水，風(fēng)機(jī)吹干待用。量取60ml乙二醇(密度1.llg/cm3)于500ml電解池中，在外加冷卻和不斷攪拌下依次加入80ml正磷酸(質(zhì)量濃度85% ) ,60ml濃硫酸(質(zhì)量濃度98% )配制成電化學(xué)拋光液。
[0042]將Ni_5at.% W合金基帶試樣通過導(dǎo)線與直流穩(wěn)壓/穩(wěn)流電源“ + ”極連接，作為陽(yáng)極。將純鎳片通過導(dǎo)線與直流穩(wěn)壓/穩(wěn)流電源極連接，作為陰極。陽(yáng)、陰極面積比為1: 4，靜態(tài)下全浸于已配制好的電解液中，形成完整的電化學(xué)拋光體系。開啟電源，在電流密度為 0.7,0.8,0.9、1.0、1.1、1.2A/cm2，拋光時(shí)間為 20、40、60、80、10、120s，拋光溫度為25、40、55°C，極間距為10mm、20mm試驗(yàn)范圍內(nèi)進(jìn)行電化學(xué)拋光試驗(yàn)。拋光結(jié)束后，關(guān)閉電源，取出基帶試樣，先用去離子水反復(fù)沖洗，再用無(wú)水乙醇脫水、風(fēng)機(jī)吹干，獲得電化學(xué)拋光樣品。
[0043]采用原子力顯微鏡對(duì)電化學(xué)拋光后的基帶試樣表面粗糙度進(jìn)行表征，以RMS作為評(píng)價(jià)指標(biāo)，通過數(shù)據(jù)處理獲得了數(shù)理統(tǒng)計(jì)模型，利用該模型對(duì)電化學(xué)拋光工藝條件進(jìn)行了優(yōu)化，即電流密度0.Th/Cm2,拋光時(shí)間120s，拋光溫度25°C，極間距10mm。結(jié)果如圖3所示，采用上述工藝條件在5X5 μ m范圍內(nèi)RMS為0.718nm，拋光效果非常明顯。
[0044]實(shí)施例4
[0045]涂層導(dǎo)體Ni_5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，以Ni_5at.%胃合金基帶作為陽(yáng)極，以純鎳片作為陰極，將Ni_5at.% W合金基帶在靜態(tài)下浸潰于電解拋光液中，開啟電源對(duì)Ni_5at.% W合金基帶進(jìn)行拋光處理，控制拋光處理時(shí)控制拋光電流密度為
1.0A.αι2，拋光處理時(shí)控制拋光時(shí)間為80s，拋光處理時(shí)控制拋光溫度為25°C，拋光處理時(shí)控制陽(yáng)極與陰極之間的間距為10mm，拋光處理時(shí)控制陽(yáng)極與陰極的面積比為1: 3，拋光處理后的合金基帶再經(jīng)去離子水反復(fù)沖洗，并用無(wú)水乙醇脫水、風(fēng)機(jī)吹干即可。
[0046]其中，使用的電解拋光液為磷酸、硫酸、乙二醇按體積比為2: 5: 3混合而成的電解拋光液，磷酸為質(zhì)量百分濃度為83%的溶液，硫酸為質(zhì)量百分濃度為95%的溶液。N1-5at.% W合金基帶在浸潰之前，表面需用丙酮進(jìn)行脫脂處理，再用聚氧乙烯月桂醇醚、聚氧乙烯烷基酚醚、十二酸二乙醇醚胺、碳酸鈉、磷酸鈉、硅酸鈉的多組元混合物組成濃度為5wt%的水基凈洗劑在超聲波中凈洗5min，然后用去離子水反復(fù)沖洗，無(wú)水乙醇脫水，風(fēng)機(jī)吹干。
[0047]實(shí)施例5
[0048]涂層導(dǎo)體Ni_5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，以Ni_5at.% W合金基帶作為陽(yáng)極，以純鎳片作為陰極，將Ni_5at.% W合金基帶在靜態(tài)下浸潰于電解拋光液中，開啟電源對(duì)N1-5at.% W合金基帶進(jìn)行拋光處理，控制拋光處理時(shí)控制拋光電流密度為0.8A.cm2,拋光處理時(shí)控制拋光時(shí)間為20s，拋光處理時(shí)控制拋光溫度為55°C，拋光處理時(shí)控制陽(yáng)極與陰極之間的間距為20mm，拋光處理時(shí)控制陽(yáng)極與陰極的面積比為1: 5，拋光處理后的合金基帶再經(jīng)去離子水反復(fù)沖洗，并用無(wú)水乙醇脫水、風(fēng)機(jī)吹干即可。
[0049]其中，使用的電解拋光液為磷酸、硫酸、乙二醇按體積比為4: 4: 2混合而成的電解拋光液，磷酸為質(zhì)量百分濃度為85%的溶液，硫酸為質(zhì)量百分濃度為98%的溶液。N1-5at.% W合金基帶在浸潰之前，表面需用丙酮進(jìn)行脫脂處理，再用聚氧乙烯月桂醇醚、聚氧乙烯烷基酚醚、十二酸二乙醇酚胺、碳酸鈉、磷酸鈉、硅酸鈉的多組元混合物組成濃度為10wt%的水基凈洗劑在超聲波中凈洗lmin，然后用去離子水反復(fù)沖洗，無(wú)水乙醇脫水，風(fēng)機(jī)吹干。
【權(quán)利要求】
1.涂層導(dǎo)體N1-5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，其特征在于，該方法以N1-5at.%W合金基帶作為陽(yáng)極，以純鎳片作為陰極，將Ni_5at.%胃合金基帶在靜態(tài)下浸潰于電解拋光液中，開啟電源對(duì)Ni_5at.% W合金基帶進(jìn)行拋光處理，拋光處理后的合金基帶再經(jīng)去離子水反復(fù)沖洗，并用無(wú)水乙醇脫水、風(fēng)機(jī)吹干即可， 所述的電解拋光液為磷酸、硫酸、乙二醇按體積比為2-4: 3-5: 2-3混合而成的電解拋光液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層導(dǎo)體N1-5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，其特征在于，所述的磷酸為質(zhì)量百分濃度為83-85%的磷酸溶液，所述的硫酸為質(zhì)量百分濃度為95-98%的硫酸溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層導(dǎo)體N1-5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，其特征在于，所述的N1-5at.% W合金基帶在浸潰之前，表面需用丙酮進(jìn)行脫脂處理，再用水基凈洗劑在超聲波中凈洗l_5min，然后用去離子水反復(fù)沖洗，無(wú)水乙醇脫水，風(fēng)機(jī)吹干。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的涂層導(dǎo)體N1-5at.%W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，其特征在于，所述的水基凈洗劑的濃度為5-10wt %，采用的溶質(zhì)為聚氧乙烯月桂醇醚、聚氧乙烯烷基酚醚、十二酸二乙醇酰胺、碳酸鈉、磷酸鈉、硅酸鈉的多組元混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層導(dǎo)體N1-5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，其特征在于，拋光處理時(shí)控制拋光電流密度為0.7?1.2A.cm_2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層導(dǎo)體N1-5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，其特征在于，拋光處理時(shí)控制拋光時(shí)間為20?120s。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層導(dǎo)體N1-5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，其特征在于，拋光處理時(shí)控制拋光溫度為25?55°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述 的涂層導(dǎo)體N1-5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，其特征在于，拋光處理時(shí)控制陽(yáng)極與陰極之間的間距為10?20mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層導(dǎo)體N1-5at.% W合金基帶的電化學(xué)拋光方法，其特征在于，拋光處理時(shí)控制陽(yáng)極與陰極的面積比為1: 3-5。
【文檔編號(hào)】C25F3/22GK103436947SQ201310419407
【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月13日
【發(fā)明者】彭東輝, 朱海, 韓婕, 吳向陽(yáng), 徐靜安, 李志剛, 韓坤 申請(qǐng)人:上海化工研究院