本申請涉及振動電鍍，具體涉及一種振動電鍍裝置及振動電鍍系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、在例如mlcc(片式多層陶瓷電容器)等陶瓷元件的生產(chǎn)過程中，需要對其表面的某些區(qū)域進行電鍍，以形成相應(yīng)的鍍層。當(dāng)前，業(yè)界一般采用振動電鍍工藝進行電鍍，即，將產(chǎn)品放入振盤，再將振盤浸入電鍍液中，振動源帶動振盤振動，使得電鍍液在產(chǎn)品表面流動并使陽極金屬離子沉積于產(chǎn)品表面，從而形成鍍層。但是，在現(xiàn)有的振動電鍍裝置中，振盤設(shè)置的篩孔較少，甚至某些廠商的振盤未設(shè)有篩孔而僅是通過上端的開口交換電解液，這導(dǎo)致了振盤內(nèi)外的電鍍液流動通道較少，電鍍液的流動量小，陽極金屬離子在產(chǎn)品表面的沉積速度較慢、沉積量容易不足，尤其是在沉積過程中容易出現(xiàn)氧化現(xiàn)象，導(dǎo)致鍍層品質(zhì)較差，產(chǎn)品可焊性能下降，嚴(yán)重威脅產(chǎn)品品質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N振動電鍍裝置及振動電鍍系統(tǒng)，可以改善現(xiàn)有振動電鍍裝置中電鍍液的流動量小，以及由此導(dǎo)致陽極金屬離子沉積較慢、且在沉積過程中容易氧化而導(dǎo)致鍍層品質(zhì)較差的問題。

2、本申請?zhí)峁┑囊环N振動電鍍裝置，包括：

3、轉(zhuǎn)動軸，所述轉(zhuǎn)動軸的一端用于連接振動源；

4、振盤，包括底板、側(cè)壁及提供有弧形橋面的分料件；所述側(cè)壁圍設(shè)于所述底板上以形成收容腔，所述轉(zhuǎn)動軸的另一端延伸至所述收容腔內(nèi)且與所述底板連接；所述底板和/或所述側(cè)壁設(shè)置有篩孔；所述底板包括沿所述振動源的螺旋方向依次設(shè)置的低位區(qū)、過渡區(qū)和高位區(qū)；所述分料件設(shè)置于所述收容腔內(nèi)并位于所述低位區(qū)的上方，且所述弧形橋面的兩端分別連通所述高位區(qū)和過渡區(qū)，以形成穿過所述分料件下方且連通所述高位區(qū)和過渡區(qū)的通道；

5、多組陰極柱，延伸至所述收容腔內(nèi)且暴露于所述底板。

6、可選的，滿足如下至少一項：

7、設(shè)置于所述側(cè)壁的篩孔的直徑大于設(shè)置于所述底板的篩孔的直徑；

8、設(shè)置于所述側(cè)壁的篩孔沿所述螺旋方向呈螺旋狀排布于所述側(cè)壁上；

9、設(shè)置于所述側(cè)壁的篩孔呈陣列均勻排布于所述側(cè)壁上。

10、可選的，所述分料件設(shè)置有內(nèi)擋板，位于所述弧形橋面靠近所述轉(zhuǎn)動軸的一側(cè)，且朝向所述過渡區(qū)的一端與所述轉(zhuǎn)動軸相對設(shè)置而形成缺口；所述振動電鍍裝置還包括第一擋塊，所述第一擋塊封擋所述缺口。

11、可選的，沿垂直于所述底板的方向，所述第一擋塊背向所述轉(zhuǎn)動軸的一側(cè)與所述內(nèi)擋板的曲率相同。

12、可選的，在所述通道的入口所在的振盤半徑上，所述通道的入口的寬度為d1，所述側(cè)壁至所述通道的長度為d2，且d1<d2。

13、可選的，所述分料件設(shè)置有內(nèi)擋板，位于所述弧形橋面靠近所述轉(zhuǎn)動軸的一側(cè)，所述內(nèi)擋板朝向所述過渡區(qū)的一端與所述轉(zhuǎn)動軸連接。

14、可選的，所述分料件設(shè)置有外擋板，位于所述弧形橋面靠近所述側(cè)壁的一側(cè)；所述振動電鍍裝置還包括第二擋塊，設(shè)置于所述外擋板與所述側(cè)壁的連接處但未封擋所述通道。

15、可選的，所述第二擋塊與所述外擋板的頂部平齊，或者，所述第二擋塊的頂面為傾斜面，所述傾斜面的高度沿所述側(cè)壁朝向所述轉(zhuǎn)動軸的方向逐漸降低。

16、可選的，所述弧形橋面連通所述過渡區(qū)的一端相對于所述過渡區(qū)懸空設(shè)置；和/或，所述高位區(qū)連通所述通道的一端相對于所述低位區(qū)懸空設(shè)置。

17、可選的，所述弧形橋面連通所述過渡區(qū)的一端相對于所述過渡區(qū)的懸空高度為h1，且2cm<h1≤3.5cm；和/或，所述高位區(qū)連通所述通道的一端相對于所述低位區(qū)的懸空高度為h2，且0<h2≤1cm。

18、本申請還提供一種振動電鍍系統(tǒng)，包括振動源、陽極及上述任一項所述的振動電鍍裝置，所述振動源與所述轉(zhuǎn)動軸連接，所述陽極可延伸至所述收容腔的電鍍液并通過所述電鍍液與所述陰極柱形成閉環(huán)電路。

19、如上所述，本申請通過振盤的底板和/或側(cè)壁設(shè)置有篩孔，增多了振盤內(nèi)外的電鍍液流動通道，從而可以增大電鍍液的流動量，以此提高陽極金屬離子在產(chǎn)品表面的沉積速度和沉積量，降低在沉積過程中出現(xiàn)氧化現(xiàn)象的風(fēng)險，從而有利于改善鍍層以及電鍍后產(chǎn)品的品質(zhì)。

20、并且，通過設(shè)置于振盤內(nèi)的分料件形成通道，產(chǎn)品運轉(zhuǎn)通過分料件時，振盤內(nèi)圈產(chǎn)品與振盤外圈的產(chǎn)品發(fā)生均勻交換，所振鍍出的產(chǎn)品鍍層均勻且產(chǎn)品端頭鍍層完整，從而可以進一步改善鍍層以及電鍍后產(chǎn)品的品質(zhì)。

21、另外，通過設(shè)置第一擋塊來封擋分料件的內(nèi)擋板與轉(zhuǎn)動軸之間的缺口，或者設(shè)置分料件的內(nèi)擋板與轉(zhuǎn)動軸連接，可以避免分料件的內(nèi)擋板與轉(zhuǎn)動軸之間出現(xiàn)死角，從而避免產(chǎn)品滯留于該死角內(nèi)而影響電鍍品質(zhì)。

技術(shù)特征：

1.一種振動電鍍裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振動電鍍裝置，其特征在于，滿足如下至少一項：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振動電鍍裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振動電鍍裝置，其特征在于，沿垂直于所述底板的方向，所述第一擋塊背向所述轉(zhuǎn)動軸的一側(cè)與所述內(nèi)擋板的曲率相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振動電鍍裝置，其特征在于，在所述通道的入口所在的振盤半徑上，所述通道的入口的寬度為d1，所述側(cè)壁至所述通道的長度為d2，且d1<d2。

6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項所述的振動電鍍裝置，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的振動電鍍裝置，其特征在于，所述第二擋塊與所述外擋板的頂部平齊，或者，所述第二擋塊的頂面為傾斜面，所述傾斜面的高度沿所述側(cè)壁朝向所述轉(zhuǎn)動軸的方向逐漸降低。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振動電鍍裝置，其特征在于，所述弧形橋面連通所述過渡區(qū)的一端相對于所述過渡區(qū)懸空設(shè)置；和/或，所述高位區(qū)連通所述通道的一端相對于所述低位區(qū)懸空設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的振動電鍍裝置，其特征在于，所述弧形橋面連通所述過渡區(qū)的一端相對于所述過渡區(qū)的懸空高度為h1，且2cm<h1≤3.5cm；

10.一種振動電鍍系統(tǒng)，其特征在于，包括振動源、陽極及權(quán)利要求1至9任一項所述的振動電鍍裝置，所述振動源與所述轉(zhuǎn)動軸連接，所述陽極可延伸至所述收容腔的電鍍液并通過所述電鍍液與所述陰極柱形成閉環(huán)電路。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)岢鲆环N振動電鍍裝置及振動電鍍系統(tǒng)。該裝置包括轉(zhuǎn)動軸、振盤和多組陰極柱；轉(zhuǎn)動軸用于連接振動源；振盤的側(cè)壁圍設(shè)于底板上以形成收容腔，轉(zhuǎn)動軸延伸至收容腔內(nèi)且與底板連接；振盤的底板和/或側(cè)壁設(shè)有篩孔；底板包括沿振動源的螺旋方向依次設(shè)置的低位區(qū)、過渡區(qū)和高位區(qū)；振盤的分料件設(shè)置于收容腔內(nèi)并位于低位區(qū)的上方，其弧形橋面的兩端分別連通高位區(qū)和過渡區(qū)；陰極柱延伸至收容腔內(nèi)且暴露于底板。本申請可增大電鍍液的流動量，降低在沉積過程中出現(xiàn)氧化現(xiàn)象的風(fēng)險，提高產(chǎn)品及電鍍媒介在振盤中的交換性，改善鍍層及產(chǎn)品的品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：佘世堯
受保護的技術(shù)使用者：佘世堯
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/11