專利名稱：鍍敷方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新型的鍍敷方法，該法適用于帶有微孔的鍍敷目標(biāo)。本發(fā)明還涉及一種新型的連續(xù)鍍敷方法，該法除采取已知的鍍敷槽中的振動(dòng)式攪拌裝置，搖動(dòng)鍍敷目標(biāo)的充氣和搖擺裝置之外，還以10至60赫茲的頻率振動(dòng)鍍敷目標(biāo)。本發(fā)明的鍍敷方法可用于電鍍法和化學(xué)鍍法的任一方法，以及電鍍和化學(xué)鍍相結(jié)合的方法。
在從收音機(jī)、電視機(jī)到計(jì)算機(jī)的所有電器設(shè)備上都使用一種印刷線路板作為基板，該板上各種元件彼此用導(dǎo)線連接。在這種印刷線路板的表面安裝形式中，各元件彼此連接在一個(gè)板的表面上，多插頭構(gòu)造和窄間距設(shè)計(jì)最近已普及，而且這種技術(shù)已經(jīng)越來(lái)越改進(jìn)，即已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種60-插頭/1.0mm間距的設(shè)計(jì)，并由400-插頭/0.3mm間距的水平改進(jìn)為400-插頭/0.25mm間距的水平甚至更高水平。
該技術(shù)的這種改進(jìn)促進(jìn)了對(duì)于緊密尺寸和高性能的需求。因此，在層狀印刷線路板的不同層之間的布線要求的微孔直徑以及帶有盲端構(gòu)造(即盲孔)的微孔直徑已大大減小，目前，該直徑已從0.2mm或更小減至0.05mm或更小，進(jìn)一步減至0.03mm或更小。
儲(chǔ)存在這些微孔中的空氣、塵?；蛱幚硪翰灰讖奈⒖字谐?，這樣就會(huì)出現(xiàn)下述缺點(diǎn)，第一個(gè)缺點(diǎn)在于有空氣、塵埃的部分幾乎不被鍍敷，因而出現(xiàn)不被鍍敷的部分。第二個(gè)缺點(diǎn)在于鍍敷液進(jìn)入微孔的入口不夠大，這樣孔外與孔內(nèi)的鍍敷膜厚不一致。第三個(gè)缺點(diǎn)在于孔中會(huì)出現(xiàn)未鍍敷部分，這樣，即使能夠?qū)щ?，電阻值也?huì)增加。
另一方面，本發(fā)明的發(fā)明人以前開(kāi)發(fā)的專利申請(qǐng)公開(kāi)No.平-6-71544所公開(kāi)的技術(shù)包括一種使振動(dòng)板振動(dòng)的技術(shù)，在鍍敷槽中以振動(dòng)幅度為8至20mm，振動(dòng)頻率為每分鐘200至600次，攪拌鍍敷槽，這樣完成鍍敷處理。特別提出，充氣和搖動(dòng)裝置結(jié)合起來(lái)用于待處理的目標(biāo)。本發(fā)明的發(fā)明者已經(jīng)考慮到若采用專利申請(qǐng)公開(kāi)NO.平-6-71544所公開(kāi)的技術(shù)鍍敷帶有微孔的物體的微孔，可避免傳統(tǒng)鍍敷方法中出現(xiàn)的鍍敷失敗。該發(fā)明者還進(jìn)行了許多嘗試。結(jié)果發(fā)現(xiàn)缺陷部分明顯減少，但仍未達(dá)到滿意值。
進(jìn)一步地，日本專利申請(qǐng)公開(kāi)No.昭-62-32690提出一種搖動(dòng)和振動(dòng)鍍敷目標(biāo)進(jìn)行鍍敷的方法。只是通過(guò)向振動(dòng)器提供空氣產(chǎn)生振動(dòng)，但是，諸如振動(dòng)類型等細(xì)節(jié)并不清楚。
本發(fā)明的發(fā)明者在以下各種組合和條件下重復(fù)實(shí)驗(yàn)，包括改變鍍敷槽的振動(dòng)攪拌條件、鍍敷目標(biāo)的充氣條件和搖動(dòng)條件，但是，仍不能得到滿意結(jié)果。最終，該發(fā)明者試圖對(duì)鍍敷目標(biāo)采用用于振動(dòng)攪拌溶液的振動(dòng)裝置。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，缺陷部分顯著減少，并完成本發(fā)明。
本發(fā)明的一個(gè)目的為提供一種鍍敷方法及一種鍍敷裝置，用于穩(wěn)定而均勻鍍敷孔徑為0.2mm或更小的微孔，優(yōu)選直徑為小于0.1mm，更優(yōu)選的直徑為0.05mm或更小，更進(jìn)一步優(yōu)選的直徑為0.03mm或更小，這種尺寸對(duì)印刷線路板、IC板等的細(xì)線必不可少，從而將由于接線不完善引起的缺陷產(chǎn)物的影響盡可能降至零。
為了達(dá)到上述目的，提供一種從鍍敷預(yù)處理至鍍敷處理的連續(xù)處理鍍敷目標(biāo)的鍍敷方法，其特征在于在用于預(yù)處理步驟及鍍敷步驟的一個(gè)清洗槽及至少一個(gè)化學(xué)鍍槽和電鍍槽之一中，所有下述步驟(a)至(d)都同時(shí)完成(a)振動(dòng)攪拌處理槽步驟，(b)在處理槽中完成充氣步驟，(c)搖動(dòng)鍍敷目標(biāo)步驟，(d)對(duì)鍍敷目標(biāo)施加振動(dòng)步驟。
在上述鍍敷方法中，通過(guò)振動(dòng)一個(gè)振動(dòng)葉片來(lái)振動(dòng)攪拌處理槽，振動(dòng)幅度(振動(dòng)寬度)范圍為0.5至3.0mm，振動(dòng)頻率為每分鐘200至800次；通過(guò)使用噴霧管道產(chǎn)生的氣泡完成充氣，管道孔徑為200至400μm，鍍敷目標(biāo)的搖動(dòng)幅度(搖動(dòng)寬度)為10至100mm，搖動(dòng)頻率為每分鐘10至30次，而且，鍍敷目標(biāo)的振動(dòng)幅度為0.5至1.0mm，振動(dòng)頻率為每分鐘100至300次。
為了達(dá)到上述目的，也提供一種從鍍敷預(yù)處理至鍍敷處理的連續(xù)處理鍍敷目標(biāo)的鍍敷方法，其特征在于(A)振動(dòng)攪拌處理槽的裝置，(B)在處理槽中完成充氣的裝置，(C)搖動(dòng)一個(gè)懸掛鍍敷目標(biāo)的電極棒的裝置，(D)通過(guò)電極棒對(duì)鍍敷目標(biāo)施加振動(dòng)的裝置，使用振動(dòng)馬達(dá)使振動(dòng)幅度為0.5至1.0mm，該馬達(dá)的頻率被變換器調(diào)至10至60赫茲，所有裝置都在用于預(yù)處理步驟及鍍敷步驟的一個(gè)清洗槽及至少一個(gè)化學(xué)鍍槽和/或電鍍槽中完成。
在上述鍍敷方法中，用于處理槽的振動(dòng)攪拌裝置優(yōu)選包括含有一個(gè)振動(dòng)馬達(dá)的振動(dòng)發(fā)生裝置，振動(dòng)幅度為0.5至3.0mm、振動(dòng)頻率為每分鐘200至800次的振動(dòng)攪拌裝置，一個(gè)振動(dòng)葉片的多極或一級(jí)固定于振動(dòng)棒上，該振動(dòng)棒與振動(dòng)發(fā)生裝置聯(lián)鎖以便在處理槽中振動(dòng)，變換器用于控制振動(dòng)馬達(dá)以便產(chǎn)生低頻振動(dòng)，其頻率范圍為10至500赫茲，優(yōu)選為30至60赫茲，更優(yōu)選為30至40赫茲，以及在振動(dòng)發(fā)生裝置和振動(dòng)攪拌裝置的連接部分的振動(dòng)應(yīng)力分散裝置。
用于處理槽的充氣設(shè)備不限于特定的一種，但是，可提供一種空氣擴(kuò)散管道，其設(shè)計(jì)方式為包含一個(gè)可用氣泡充分?jǐn)嚢桢兎竽繕?biāo)的區(qū)域。
例如，通過(guò)在合成樹(shù)脂，如PVC管上形成許多孔徑為約1mm的小孔而得到的擴(kuò)散管道，由于氣泡非常大，電解熱不能有效排除，鍍敷所得板上的電阻發(fā)生擴(kuò)散。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的充氣裝置采用一種陶瓷多孔管道作為擴(kuò)散管道，這樣可避免上述問(wèn)題。一種高溫?zé)Y(jié)陶瓷管含有鋁氧粉，如Alundum(商品名)作為骨架材料優(yōu)選用于陶瓷多孔管道。擴(kuò)散管道的孔徑尺寸設(shè)定為200至400微米，孔積率(孔面積與表面積之比)優(yōu)選設(shè)定為30至40％。擴(kuò)散管道的外徑尺寸通常設(shè)定為50至100mm，盡管管道長(zhǎng)度隨處理槽長(zhǎng)度而變，但通常設(shè)定為100至200mm，安裝擴(kuò)散管道的方法不必限于一種，但是，若使用多個(gè)擴(kuò)散管道，它們被安裝在鍍敷目標(biāo)的兩側(cè)。擴(kuò)散管道的間距優(yōu)選設(shè)定為100至200mm，擴(kuò)散管道與鍍敷目標(biāo)的垂直距離優(yōu)選設(shè)定為100至300mm。
施加于懸掛鍍敷目標(biāo)的電極棒上的搖動(dòng)優(yōu)選設(shè)定搖動(dòng)幅度為10至100mm，優(yōu)選為20至60mm，搖動(dòng)頻率為每分鐘10至30次。
引發(fā)電極棒的振動(dòng)馬達(dá)的頻率(Hz)優(yōu)選設(shè)定為振動(dòng)攪拌裝置(A)的振動(dòng)馬達(dá)頻率的50至65％。特別地，其頻率設(shè)定為10至60赫茲，優(yōu)選為20至35赫茲，其幅度設(shè)定為0.5至1.0mm。這種振動(dòng)也振動(dòng)鍍敷目標(biāo)，但是，不引起處理液的流動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明的鍍敷方法非常適用于鍍敷帶有微孔的元件，特別適用于具有塑料表面的層狀板的鍍敷，如印刷線路板、IC板等帶有微孔的板。尤其是，本方法對(duì)于印刷線路板、IC板、金屬板、塑料板等的鍍敷更有效，這些板帶有微孔結(jié)構(gòu)，孔徑為0.2mm或更小，優(yōu)選為0.1mm，更優(yōu)選為0.05mm或更小，進(jìn)一步優(yōu)選為0.03mm或更小。微孔直徑可為0.01mm。
化學(xué)鍍和/或電鍍可以用于銅鍍、鎳鍍、銀鍍、錫鍍、金鍍、鈀鍍、焊料鍍等。
本發(fā)明的預(yù)處理意味著在鍍敷目標(biāo)上的各種預(yù)處理，如酸洗、脫脂、在每一個(gè)鍍敷目標(biāo)上的特別預(yù)處理等，參照“PLATING TECHNIQUE HANDBOOK”Nikkan Kogyo Shinbun有限公司(日本)1971年7月25日出版，117頁(yè)-148頁(yè)，以及在塑料上的預(yù)處理，如清潔、蝕刻、催化、化學(xué)鍍、活化、銅鍍等。鍍敷步驟包括各種電鍍及一化學(xué)鍍步驟。
在連續(xù)鍍敷方法中，至少所有主要步驟都操作(A)、(B)、(C)及(D)裝置，優(yōu)選為在所有步驟中操作。主要步驟包括清潔步驟，如溶劑清洗(溶劑脫脂)，堿洗，乳化液清洗，酸洗及電解清洗。
在鍍敷液的電解過(guò)程中，陰極(待處理目標(biāo))產(chǎn)生氫氣以便在溶液中產(chǎn)生微氣泡，該目標(biāo)的所有表面被氣泡覆蓋，這樣增加電阻，鍍敷速度減慢，進(jìn)而鍍敷的均一性被干擾。但是，通過(guò)提供上述低頻振動(dòng)誘導(dǎo)流動(dòng)的處理液可顯著降低該液體的表面張力，這樣在處理目標(biāo)表面出現(xiàn)的大多數(shù)氣體將直接向外排放。因此，電流分布更均勻，電阻也將下降，這樣能以高于現(xiàn)有技術(shù)幾倍的高速度更均勻地完成電鍍。
當(dāng)鍍敷目標(biāo)的微孔尺寸設(shè)定為很小時(shí)，比如20至50微米，僅僅采用上述振動(dòng)誘導(dǎo)流動(dòng)很難達(dá)到期望的效果，除非處理時(shí)間長(zhǎng)。因此，鍍敷目標(biāo)自身通過(guò)振動(dòng)馬達(dá)以每分鐘100至300次的頻率振動(dòng)，振動(dòng)馬達(dá)的頻率為10至60赫茲，優(yōu)選為20至35赫茲，同時(shí)以每分鐘10至30次的頻率搖動(dòng)，這樣處理液平均以很短的時(shí)間流進(jìn)微孔。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)使用擴(kuò)散管道，當(dāng)整個(gè)鍍敷目標(biāo)被氣泡封蔽，擴(kuò)散管道中產(chǎn)生的許多氣泡向上運(yùn)動(dòng)，然后向外排放。因此，電解熱(焦耳熱)被氣泡有效吸收以便迅速冷卻鍍敷目標(biāo)，而且，從微孔中排出的空氣和塵?？杀粴馀萦行懦?，這樣燃燒沉積物不會(huì)出現(xiàn)在鍍敷目標(biāo)上，從而鍍敷目標(biāo)可被均勻鍍敷。
(A)、(B)、(C)、(D)各裝置結(jié)合使用更易于破壞在處理液，特別是鍍敷液中鍍敷層和鍍敷槽之間易于形成的臨界層，這樣鍍敷槽中的處理液非常平滑地提供給鍍敷目標(biāo)的表面，從而極大地改善鍍敷表面的均一性、平滑性及光澤度。
印刷線路板的連續(xù)鍍敷過(guò)程的典型步驟如下O清洗→水洗(淋洗)→蝕刻→水洗→催化→水洗→O化學(xué)鍍銅→水洗→硫酸洗→O硫酸銅鍍敷(電鍍)→水洗→(干燥)在這些步驟中，每次水洗步驟通常分成兩步并在相應(yīng)的兩個(gè)槽中連續(xù)完成各自步驟，化學(xué)鍍和電鍍也是在分成兩個(gè)槽的分別處理槽中完成。經(jīng)過(guò)固定時(shí)間后，用于提升鍍敷目標(biāo)并將它移至下一個(gè)槽的系統(tǒng)為完成連續(xù)鍍敷的最簡(jiǎn)潔方法。按照本系統(tǒng)，只要具有相同的處理槽數(shù)，需要長(zhǎng)時(shí)間處理的處理槽與需要短時(shí)間處理的處理槽具有相同的處理時(shí)間，因此，對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間處理的處理槽，將處理槽數(shù)設(shè)定為兩個(gè)或更多，可延長(zhǎng)處理時(shí)間。而且，對(duì)于一個(gè)步驟，如水洗步驟用于徹底除去上次步驟的殘留液，就水洗效率而言，最好改變處理槽，從這一點(diǎn)出發(fā)，配置許多水洗槽是有意義的。
在上述連續(xù)鍍敷操作過(guò)程中，(A)、(B)、(C)、及(D)的裝置至少用于標(biāo)有O的步驟中，優(yōu)選用于所有步驟而不僅僅是水洗步驟，更優(yōu)選地，用于所有包含水洗步驟的步驟。
清洗步驟也可稱作脫脂步驟，或除脫脂之外的溶脹塑料的步驟。
蝕刻步驟以前是通過(guò)使用砂噴器或液體刮平法在目標(biāo)的表面以機(jī)械方式形成不均勻而完成的(即機(jī)械弄粗目標(biāo)表面)，但最近通常采用基于化學(xué)液的化學(xué)處理法弄粗目標(biāo)表面。例如要使塑料目標(biāo)的表面粗糙，采用硫酸與鉻酸、無(wú)機(jī)酸、濃堿液的混合液即可。
通過(guò)一種提供催化劑來(lái)完成催化步驟，在該方法中，在經(jīng)蝕刻處理的表面上注入鈀催化層等以便為化學(xué)鍍做初步準(zhǔn)備。作為催化劑提供方法，使用敏化-活化法及催化-加速法。在前一種方法中，塑料材料浸漬在具有強(qiáng)還原力的錫離子液中以便在塑料材料表面沉積錫，然后再浸漬于具有催化作用的鈀液中以便在塑料材料表面引發(fā)還原一個(gè)氧化反應(yīng)，并且在塑料材料表面固定該催化層。在后一種方法中，塑料材料浸漬在含有錫離子和鈀離子的混合物中以便在表面上沉積膠體狀鈀/錫或鈀/錫絡(luò)合物，然后，除去錫并活化鈀(“CHEMICAL FOR ONEMILLON PEOPLE(Ⅱ),PLATING AND HIGH TECHNOLOGY”92頁(yè)-97頁(yè)，1992.9.20,Dainipon Tosho有限公司出版，日本化學(xué)工程師協(xié)會(huì)基金會(huì)編輯)。
根據(jù)本發(fā)明，(1)孔徑尺寸為0.03mm至0.05mm的微孔內(nèi)表面可均勻鍍敷，IC層板及印刷線路板的缺陷部分大大降低；(2)在鍍敷過(guò)程中出現(xiàn)的燃燒沉積時(shí)的電流密度上限值大為提高，這樣鍍敷效率極大地得到改善；(3)由鍍敷粘附力(％)及σ表示的鍍敷膜的均勻性可顯著改善；(4)氣坑缺陷部分(％)極大降低；(5)對(duì)于具有高縱橫比及小孔的印刷線路板可提供一種顯著有效的方法；(6)在較短時(shí)間內(nèi)得到的產(chǎn)品比現(xiàn)有技術(shù)得到的產(chǎn)品更優(yōu)秀。


圖1為顯示本發(fā)明的裝置的一個(gè)實(shí)施例的平面圖；圖2為顯示圖1的裝置的前視圖；圖3為顯示圖1的裝置的側(cè)視圖；圖4為圖3沿y-y線的截面圖；圖5為圖2沿x-x線的截面圖；圖6為振動(dòng)棒部分的放大截面圖；圖7為顯示將振動(dòng)葉片固定于振動(dòng)棒上的方式的放大的部分截面圖；圖8為顯示橫向振動(dòng)攪拌裝置的一個(gè)實(shí)施例的平面圖；圖9為圖8的截面圖；圖10為本發(fā)明的裝置的另一個(gè)實(shí)施例的平面圖；圖11為圖10裝置的前視圖；圖12為圖10裝置的側(cè)視圖；圖13顯示進(jìn)行處理時(shí)，懸掛于陰極棒上的鍍敷目標(biāo)。
圖1至3顯示本發(fā)明的一個(gè)例子，其中，(A)、(B)、(C)及(D)的裝置安裝于預(yù)處理槽或鍍敷槽中，其中，圖1為平面圖，圖2為前視圖，圖3為側(cè)視圖。帶有圖1至3中所示的振動(dòng)馬達(dá)4的振動(dòng)攪拌裝置示于圖4及圖5中，圖4及圖5顯示該裝置的截面圖。圖4為圖3沿y-y線的截面圖，圖5為圖2沿x-x線的截面圖。
在圖1至3中，(B)的充氣裝置包括安置于處理槽(預(yù)處理槽或鍍敷槽)1的底板處的兩個(gè)擴(kuò)散管道12，以及一個(gè)壓縮空氣入口10，壓縮空氣通過(guò)入口供給擴(kuò)散管道12。
在圖1至3中，(C)的搖動(dòng)裝置配有搖動(dòng)馬達(dá)3，搖動(dòng)支架2，由搖動(dòng)馬達(dá)3及懸掛元件5的運(yùn)動(dòng)帶動(dòng)其搖動(dòng)，元件5也作為陰極棒并通過(guò)陰極棒支撐13固定于搖動(dòng)支架2上。待鍍敷的物體(下文指一個(gè)鍍敷目標(biāo))電及機(jī)械固定于陰極棒/懸掛元件5上。搖動(dòng)緩慢，其幅度為10至100mm，優(yōu)選為20至50mm，頻率為每分鐘10至30次。搖動(dòng)支架2在圖1及圖2的右-及-左方向上搖動(dòng)，這樣底部在附著于基座元件9上的引導(dǎo)元件8上運(yùn)動(dòng)，搖動(dòng)馬達(dá)3附著于基座元件9上。
為了對(duì)搖動(dòng)支架2施加振動(dòng)，振動(dòng)馬達(dá)14固定于搖動(dòng)支架2的合適地方。振動(dòng)馬達(dá)14的振動(dòng)使搖動(dòng)支架2振動(dòng)，而搖動(dòng)支架2的振動(dòng)傳至鍍敷目標(biāo)，如IC板等。帶有這些元件，振動(dòng)應(yīng)用裝置(D)形成。振動(dòng)馬達(dá)14產(chǎn)生振動(dòng)，通過(guò)變換器，使其頻率為10至60赫茲，優(yōu)選為20至35赫茲，搖動(dòng)支架2的振動(dòng)幅度為0.5至1.0mm，頻率為每分鐘100至300次。
在圖1中，參照數(shù)6,7,11分別指的是陽(yáng)極、陽(yáng)極支架及加熱器。
用于處理槽的振動(dòng)攪拌裝置(A)的一個(gè)實(shí)施例示于圖4及5中。但是，振動(dòng)攪拌裝置不限于這個(gè)實(shí)施例。例如本申請(qǐng)的發(fā)明人所提出的日本發(fā)明專利申請(qǐng)公開(kāi)No.平-6-304461、No.平-6-312124(對(duì)應(yīng)美國(guó)專利No.5,375,926)、No.平-6-330395、No.平-8-173785、No.平-9-40482以及No.平-6-71544所公開(kāi)的振動(dòng)攪拌裝置也可使用。
在圖4及5中，借助于螺旋彈簧20使基本振動(dòng)元件40加載于槽1中，振動(dòng)馬達(dá)4固定于振動(dòng)元件40上。在每個(gè)彈簧20的內(nèi)部，下部支持桿22垂直安裝于處理槽1上，上部支持桿21垂直安裝于基本振動(dòng)元件40上，并與下部支持桿22成一直線。下部支持桿22的頂端與上部支持桿21的底端相隔一定的距離。
圖6為振動(dòng)棒16的放大截面圖，振動(dòng)棒附著于基本振動(dòng)元件40上。圍繞振動(dòng)棒提供橡膠環(huán)形成的振動(dòng)應(yīng)力分散裝置19，定位于振動(dòng)產(chǎn)生以裝置的基本振動(dòng)元件40與振動(dòng)棒16之間。參考標(biāo)號(hào)46指的是墊圈，48、50、52及54分別指一個(gè)螺母。橡膠環(huán)19的長(zhǎng)度設(shè)定為比振動(dòng)棒16的直徑更長(zhǎng)一些，通常為振動(dòng)棒直徑的3至8倍，橡膠環(huán)的外徑設(shè)定為振動(dòng)棒直徑的1.3至3.0倍，優(yōu)選為1.5只2.5倍，從另一角度看，當(dāng)振動(dòng)棒16為直徑為10至16mm的圓棒時(shí)，橡膠環(huán)19的厚度優(yōu)選設(shè)定為10至15mm，當(dāng)振動(dòng)棒16是直徑為20至25mm的圓棒時(shí)，橡膠環(huán)19的厚度優(yōu)選設(shè)定為20至30mm，若不使用橡膠環(huán)，則振動(dòng)應(yīng)力集中在基本振動(dòng)元件40與振動(dòng)棒16之間的連接部分，這樣振動(dòng)棒易于斷裂。不過(guò)，通過(guò)固定插入橡膠環(huán)可完全解決上述問(wèn)題。
在圖4及5中，在每個(gè)振動(dòng)棒16上，相鄰振動(dòng)葉片17之間定位一個(gè)墊片30，這樣由一對(duì)振動(dòng)葉片固定元件18所支持的每個(gè)葉片都以一定的間隔定位。
振動(dòng)葉片17優(yōu)選由金屬、彈性合成樹(shù)脂、橡膠等組成，其厚度可設(shè)定為至少通過(guò)振動(dòng)馬達(dá)4的垂直振動(dòng)使葉片的頂部顯示顫振現(xiàn)象(就象被并皺一樣)，從而振動(dòng)施加于處理槽系統(tǒng)以便引起流動(dòng)。作為金屬振動(dòng)葉片板，可使用鈦、鋁、銅、鋼、不銹鋼、或其合金。作為合成樹(shù)脂，可使用聚碳酸酯、氯乙烯基樹(shù)脂、聚丙烯等。厚度不限于特定值，但是，為了傳輸振動(dòng)能并改善振動(dòng)效果，金屬振動(dòng)葉片的厚度優(yōu)選設(shè)定為0.2至2mm，塑料振動(dòng)葉片的厚度優(yōu)選設(shè)定為0.5至10mm。若厚度值太大，則影響振動(dòng)攪拌效果。
振動(dòng)葉片可以一級(jí)或多級(jí)安裝至振動(dòng)棒。許多振動(dòng)葉片可與處理液深度一致。若級(jí)數(shù)增加，則振動(dòng)馬達(dá)上的負(fù)載極大地增加，振動(dòng)幅度下降，振動(dòng)馬達(dá)可能被加熱。
進(jìn)一步地，所有振動(dòng)葉片可垂直于振動(dòng)棒或軸，但是，優(yōu)選為傾斜5至30度，當(dāng)垂直于振動(dòng)軸的方向假定為0度，則葉片在(+)或(-)方向上優(yōu)選為10至20度(參見(jiàn)圖4及7)。
從振動(dòng)軸一側(cè)觀察，振動(dòng)葉片固定元件18與振動(dòng)葉片17為整體傾斜及/或彎曲。即使是彎曲，也優(yōu)選傾斜5至30度，整體優(yōu)選傾斜10至20度。
振動(dòng)葉片17固定于振動(dòng)棒16上，通過(guò)振動(dòng)葉片固定元件18從上下兩側(cè)夾緊，以便形成振動(dòng)葉片部分。特別地，在振動(dòng)棒16上形成通孔以便通過(guò)螺紋將葉片17固定于振動(dòng)棒上。但是，振動(dòng)葉片17優(yōu)選由振動(dòng)葉片固定元件18輔助壓緊，這樣，振動(dòng)葉片固定元件18從上下兩側(cè)夾緊，如圖7所示，然后，振動(dòng)葉片固定元件18被螺母24固定，從而固定振動(dòng)葉片17。
當(dāng)振動(dòng)葉片為傾斜和/或彎曲時(shí)，較低的一至二個(gè)振動(dòng)葉片可以是向下傾斜和/或彎曲，而其它的振動(dòng)葉片為向上傾斜和/或彎曲。具有這種構(gòu)造，處理槽的底部攪拌可充分進(jìn)行，并能避免底部出現(xiàn)阱狀凹坑。
當(dāng)處理槽底部不需攪拌時(shí)，可去掉向下彎曲的振動(dòng)葉片。這對(duì)于下面情形特別有效，即不期望的組分，如沉積物等，保留在底部并從底部去除，而槽中不會(huì)發(fā)生這些不期望組分的任何擴(kuò)散。
振動(dòng)攪拌裝置可設(shè)置于處理槽的一端，如圖10至12所示，此處，參考標(biāo)號(hào)28、29及30分別為加熱器、用于充氣的空氣壓縮機(jī)及陰極支承。但是，它也可設(shè)置于處理槽的兩端，如圖1至3所示，以便應(yīng)付大尺寸槽。進(jìn)一步地，上圖所示的任何振動(dòng)攪拌裝置都為這種類型，即振動(dòng)葉片在垂直方向振動(dòng)。但是，如上述日本專利申請(qǐng)公開(kāi)No.平-6-304461所公開(kāi)的振動(dòng)方向也可為水平方向，而振動(dòng)葉片17安置于處理槽1的底部，如圖8至9所示，此處，參考標(biāo)號(hào)25為振動(dòng)傳遞支架，其上安裝振動(dòng)馬達(dá)4，參考標(biāo)號(hào)27為支承彈簧。在此情況下，為平衡包括振動(dòng)馬達(dá)27的左側(cè)重量與右側(cè)重量，優(yōu)選安裝平衡器26，如圖9所示。
振動(dòng)棒可用于直接與振動(dòng)馬達(dá)相連。不過(guò)，上述日本專利申請(qǐng)公開(kāi)No.平-6-304461及No.平-6-330395揭示振動(dòng)馬達(dá)的振動(dòng)通過(guò)振動(dòng)支架25傳輸至振動(dòng)棒16，如圖8至9所示。
進(jìn)一步地，氟基聚合物薄膜23優(yōu)選插入振動(dòng)葉片17與振動(dòng)葉片固定元件18之間，如圖7所示，其原因在于可極大地降低振動(dòng)葉片的損壞率。氟基聚合物可以是聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯/全氟烴基乙烯醚共聚物(PFA)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氯乙烯、乙烯/四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯/氯三氟乙烯共聚物、丙烯/四氟乙烯共聚物等。特別地，氟基橡膠優(yōu)選使用。
如圖13所示，在處理槽64中處理鍍敷目標(biāo)62時(shí)，鍍敷目標(biāo)62被目標(biāo)固定件60夾緊。固定件60包括懸掛至陰極棒5上的一個(gè)吊鉤部分60a，握持鍍敷目標(biāo)62上部的夾持部分60b以及產(chǎn)生夾持力的壓縮彈簧60c。通過(guò)擴(kuò)散管道12可在處理槽64中產(chǎn)生氣泡。鍍敷目標(biāo)62與固定件60一起從一個(gè)處理槽轉(zhuǎn)至另一個(gè)處理槽。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例及比較實(shí)施例將在下文描述，不過(guò)，本發(fā)明并不只限于下列實(shí)施例。
實(shí)例1如圖1至5所示，(A)振動(dòng)攪拌裝置、(B)充氣裝置、(C)用于搖動(dòng)陰極(陽(yáng)極)棒或懸掛鍍敷目標(biāo)的裝置、(D)通過(guò)安裝于處理槽1中的懸掛元件振動(dòng)鍍敷目標(biāo)的裝置，在下列條件下完成預(yù)處理及鍍敷處理
(1)鍍敷目標(biāo)當(dāng)厚度為0.5mm，面積為340×340mm，在涂銅玻纖增強(qiáng)環(huán)氧層板上形成的微孔直徑設(shè)定為下列四個(gè)值(a)0.5mm(b)0.2mm(c)0.1mm(d)0.05mm(2)處理槽的設(shè)置脫脂槽(O)→熱水洗槽→水洗槽→水洗槽→蝕刻槽→蝕刻槽→水洗槽→水洗槽→第一催化槽(O)→第二催化槽(O)→水洗槽→水洗槽→加速槽(O)→水洗槽→水洗槽→化學(xué)鍍銅槽(O)→化學(xué)鍍銅槽(O)→水洗槽→水洗槽→硫酸槽→硫酸銅鍍敷槽(O)→硫酸銅鍍敷槽(O)→水洗槽→水洗槽→干燥槽。
每個(gè)槽的處理時(shí)間設(shè)定為5分鐘，電流密度設(shè)定為2A/dm2。上述四種裝置(A)、(B)、(C)、(D)被安裝于貼有標(biāo)簽(O)的槽中。
(3)振動(dòng)攪拌裝置振動(dòng)馬達(dá)250W×200V×三相振動(dòng)葉片有效面積300×150mm，厚度為0.6mm(使用六個(gè)振動(dòng)葉片)，α=15度(所有葉片向上傾斜)振動(dòng)葉片的幅度1.5mm振動(dòng)馬達(dá)的頻率40赫茲(由換流器調(diào)節(jié))(4)充氣裝置采用兩個(gè)陶瓷擴(kuò)散管道(外徑為75mm，內(nèi)徑為50mm，長(zhǎng)度為500mm，孔徑為200微米)。管道的孔積率設(shè)定為40％，每根管道的空氣量為大約每分鐘40升。
(5)搖動(dòng)裝置由齒輪馬達(dá)或圓柱馬達(dá)施加幅度為每分鐘40mm的前后搖動(dòng)20次。
(6)在搖動(dòng)裝置上配置的振動(dòng)裝置振動(dòng)馬達(dá)14(40W)固定于搖動(dòng)支架2的適宜位置，通過(guò)變換器使振動(dòng)馬達(dá)14搖動(dòng)，其頻率為30赫茲，幅度為0.8mm。
(7)脫脂槽(槽內(nèi)尺寸為450(寬度)×350(長(zhǎng)度)×650m(高度))碳酸鈉40g/升磷酸鈉20g/升氫氧化鈉5g/升表面活性劑1g/升槽溫及時(shí)間60℃,5分鐘(8)蝕刻槽(槽內(nèi)尺寸為450×180×650mm)硫酸(s.g.1.84)500ml/升磷酸(s.g.1.74)100ml/升鉻酸30g/升槽溫及時(shí)間60℃,5分鐘(9)第一催化槽(槽內(nèi)尺寸為450×200×650mm)二氯化錫10g/升濃鹽酸40ml/升槽溫及時(shí)間室溫，5分鐘(10)第二催化槽(槽內(nèi)尺寸為450×350×650mm)氯化鈀0.1g/升鹽酸1ml/升槽溫及時(shí)間室溫，5分鐘(11)加速槽(槽內(nèi)尺寸為450×180×650mm)硫酸75ml/升槽溫及時(shí)間50℃,5分鐘(12)硫酸銅化學(xué)鍍槽(槽內(nèi)尺寸為450×350×650mm)硫酸銅(CuSO4/5H2O):10g/升羅謝爾鹽(KNaC4H4O6/4H2O):35g/升氫氧化鈉8g/升福爾馬林20g/升穩(wěn)定劑少量pH:12.5-13槽溫及時(shí)間40℃,10分鐘(13)硫酸銅鍍敷槽(槽內(nèi)尺寸為450×450×650mm)硫酸銅(CuSO4/5H2O):75g/升硫酸190g/升電導(dǎo)供應(yīng)劑50mg/升光亮劑5ml/升槽溫及時(shí)間40℃,10分鐘在上述條件下進(jìn)行預(yù)處理及鍍敷處理，結(jié)果如表1所示。
對(duì)比例1只安裝充氣裝置(B)及搖動(dòng)裝置(C)，鍍敷目標(biāo)及鍍敷預(yù)處理都與例1相同，其結(jié)果如表1所示。
對(duì)比例2只安裝充氣裝置(B)、搖動(dòng)裝置(C)及振動(dòng)裝置(D)，鍍敷目標(biāo)及鍍敷預(yù)處理都與例1相同，其結(jié)果如表1所示。
對(duì)比例3只安裝振動(dòng)攪拌裝置(A)、充氣裝置(B)及搖動(dòng)裝置(C)，鍍敷目標(biāo)及鍍敷預(yù)處理都與例1相同，其結(jié)果如表1所示。
表1PP…使用的裝置QQ…微孔尺寸(mm)RR…最大電流密度[*1](A/dm2)XX…通孔的鍍敷粘附度[*2](％)YY…標(biāo)準(zhǔn)偏差σ[*4]ZZ…氣坑缺陷部分[*5](％)
PP QQ RR XXYY ZZ對(duì)比例1(B)(C) 0.53 424.5--0.23 404.5200.13 144.5300.05 3 ×[*3]4.5--對(duì)比例2(B)(C)(D)0.53.5 524.0--0.23.5 384.0100.13.5 204.0200.05 3.5 × 4.0--對(duì)比例3(A)(B)(C)0.54.0 603.5--0.24.0 533.550.14.0 423.5100.05 4.0 183.5--例1(A)(B)(C)(D) 0.512.0951.2--0.212.0921.200.112.0901.200.05 12.0861.2--[*1]最大電流密度定義為電流密度逐漸增加時(shí)不出現(xiàn)燃燒沉積物的最大電流密度值。[(在相對(duì)厚度方向中心部位通孔的平均鍍敷厚度)/(鍍敷目標(biāo)平坦表面上的平均鍍敷厚度)]×100[*3]×表示在通孔中不進(jìn)行鍍敷。σ代表鍍敷厚度擴(kuò)散的標(biāo)準(zhǔn)偏差。氣坑缺陷部分(％)的測(cè)定是基于檢測(cè)因氣體等粘附而致的缺陷的方法，采用放大鏡進(jìn)行目測(cè)并用X-光檢測(cè)，將其施加于已通過(guò)鍍敷電導(dǎo)測(cè)試的待測(cè)件。
實(shí)例2
裝置(A)、(B)、(C)及(D)按與例1相同的方式設(shè)置，但是，當(dāng)處理槽排列變成如下方式時(shí)，進(jìn)行鍍鎳。在任何情況下，電流密度都設(shè)定為2A/dm2。
(1)處理槽的設(shè)置脫脂/溶脹槽(O)→水洗槽→蝕刻槽(O)→水洗槽→中和槽→水洗槽→催化槽→水洗槽→加速槽→水洗槽→化學(xué)鍍鎳槽(O)→水洗槽→活化槽→水洗槽→觸擊鍍敷槽→水洗槽→硫酸銅鍍敷槽→水洗槽→鍍鎳槽→水洗槽。
上述四種裝置(A)、(B)、(C)、(D)被安裝于貼有標(biāo)簽(O)的槽中。
(2)脫脂/溶脹槽碳酸鈉90g/升磷酸鈉20g/升氫氧化鈉5g/升表面活性劑1g/升水溶性溶劑80g/升槽溫及時(shí)間80℃,5分鐘(3)蝕刻槽鉻酸400g/升硫酸400g/升槽溫及時(shí)間65℃,5分鐘(4)中和槽鹽酸50ml/升(5)催化槽氯化鈀0.2g/升二氯化錫20g/升濃鹽酸200ml/升槽溫及時(shí)間室溫，5分鐘(6)加速槽硫酸100ml/升槽溫及時(shí)間50℃,5分鐘(7)化學(xué)鍍鎳槽硫酸鎳30g/升次磷酸鈉20g/升檸檬酸銨50g/升槽溫及時(shí)間40℃,10分鐘(8)活化槽硫酸50g/升槽溫及時(shí)間室溫，1分鐘(9)觸擊鍍敷槽硫酸鎳200g/升氯化鎳40g/升硼酸40g/升槽溫及時(shí)間50℃,5分鐘(10)硫酸銅鍍敷槽硫酸銅(CuSO4/5H2O):75g/升硫酸190g/升電導(dǎo)供應(yīng)劑50g/升槽溫及時(shí)間40℃,10分鐘(11)鍍鎳槽硫酸鎳200g/升氯化鎳40g/升硼酸30g/升光亮劑少量槽溫及時(shí)間50℃,10分鐘對(duì)比例4只安裝充氣裝置(B)及搖動(dòng)裝置(C)，鍍敷目標(biāo)及鍍敷處理都與例2相同，其結(jié)果如表2所示。
對(duì)比例5只安裝充氣裝置(B)、搖動(dòng)裝置(C)及振動(dòng)裝置(D)，鍍敷目標(biāo)及鍍敷處理都與例2相同，其結(jié)果如表2所示。
對(duì)比例6只安裝振動(dòng)攪拌裝置(A)、充氣裝置(B)及搖動(dòng)裝置(C)，鍍敷目標(biāo)及鍍敷處理都與例2相同，其結(jié)果如表2所示，其中參考符號(hào)PP、QQ、RR、XX、YY及*3的意義同表1。
表2PP QQ RR XXYY對(duì)比例4(B)(C) 0.53.5 454.70.23.5 404.70.13.5 254.70.05 3.5 ×[*3]4.7對(duì)比例5(B)(C)(D)0.54.0 554.50.24.0 404.50.14.0 304.50.05 4.0 × 4.5對(duì)比例6(A)(B)(C)0.56654.00.26554.00.16454.00.05 6354.0例2(A)(B)(C)(D) 0.514 981.50.214 901.50.114 881.50.05 14 841.5實(shí)例3重復(fù)實(shí)例1的過(guò)程，除印刷線路板厚度設(shè)定為0.8mm，通孔的直徑為0.1mm。在此情形下，厚度設(shè)定為實(shí)例1的1.6倍，(厚度/直徑)=0.8/0.1=8，即縱橫比為8，這是一個(gè)相當(dāng)高的數(shù)值。結(jié)果如表3所示，其中符號(hào)PP、QQ及XX含義同表1。
對(duì)比例7在與例3相同的印刷線路板上重復(fù)對(duì)比例1的處理過(guò)程，除縱橫比設(shè)定為8之外。結(jié)果如表3所示。
對(duì)比例8在與例3相同的印刷線路板上重復(fù)對(duì)比例2的處理過(guò)程，除縱橫比設(shè)定為8之外。結(jié)果如表3所示。
對(duì)比例9在與例3相同的印刷線路板上重復(fù)對(duì)比例3的處理過(guò)程，除縱橫比設(shè)定為8之外。結(jié)果如表3所示。
表3TT…板厚(mm)VV…縱橫比PP TT QQVV XX對(duì)比例7(B)(C) 0.80.18 20對(duì)比例8(B)(C)(D)0.80.18 30對(duì)比例9(A)(B)(C)0.80.18 45例3(A)(B)(C)(D) 0.80.18 86對(duì)表1至3的全部數(shù)據(jù)進(jìn)行估算，發(fā)現(xiàn)與僅使用裝置B、C結(jié)果相比較，裝置B、C及D或A、B及C的結(jié)合使用可在一定程度上改善通孔中的鍍敷的粘附以及鍍敷厚度擴(kuò)散標(biāo)準(zhǔn)偏差。
但是，根據(jù)本發(fā)明四種裝置A、B、C及D的結(jié)合使用，通孔中的鍍敷的粘附以及標(biāo)準(zhǔn)偏差及氣坑缺陷都能得到顯著改善，通過(guò)比較對(duì)比例2,3及例1、比較對(duì)比例5,6及例2、比較對(duì)比例8,9及例3，這種效果更為明顯。
實(shí)例4使用圖10至12中所示裝置。
-鍍敷目標(biāo)厚度為8mm，尺寸為A4大小的玻璃增強(qiáng)環(huán)氧層板，每塊板都鍍銅并帶有孔徑為0.05mm的微孔，彼此平行懸掛，然后進(jìn)行鍍敷。
使用與例1相同的振動(dòng)攪拌裝置。
充氣裝置使用兩個(gè)擴(kuò)散管道，其外徑為75mm，內(nèi)徑為50mm，孔徑為200微米，孔積率為40％。
搖動(dòng)裝置的搖動(dòng)頻率為每分鐘20次，幅度為30mm。
1．脫脂/溶脹槽(使用Emplate MLB-496(商品名)，包含有乙基溶纖劑及堿性組分形成的水溶性溶劑)槽內(nèi)尺寸為180×750×500mm(寬×長(zhǎng)×高)處理?xiàng)l件操作四臺(tái)裝置(A)、(B)、(C)及(D)并于60℃下處理5分鐘。
2．水洗步驟處理?xiàng)l件操作裝置(B)以便完成室溫下水洗5分鐘。
3．蝕刻步驟(使用Emplate MLB-497(商品名)，包含高錳酸鉀)槽內(nèi)尺寸為180×750×500處理?xiàng)l件操作四臺(tái)裝置(A)、(B)、(C)及(D)并于70℃下處理5到10分鐘。
4．水洗步驟槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
5．水洗步驟槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
6．還原步驟(使用含有H2SO4的Emplate MLB-791(商品名))槽內(nèi)尺寸為180×750×500處理?xiàng)l件操作四臺(tái)裝置(A)、(B)、(C)及(D)并于60℃下處理5分鐘。
7．水洗步驟槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
8．調(diào)節(jié)步驟(含有表面活性劑的Melplate PC-321(商品名))槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于60℃下處理5分鐘。
9．水洗步驟槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
10．微蝕步驟(使用含有過(guò)硫酸鹽的MelplateAD-331(商品名))槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于65℃下處理5分鐘。
11．水洗步驟槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
12．稀硫酸酸洗步驟(10％H2SO4)槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
13．水洗步驟槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘14．預(yù)浸漬步驟(使用含有氯酸鹽的Emplate PC-236(商品名))槽內(nèi)尺寸為180×450×500
處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
15．活化步驟(使用含有錫離子和鈀離子的膠體狀溶液Emplate活化劑444(商品名))槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
16．水洗步驟槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
17．加速步驟(使用含有表面活性劑的Melplate PA-360(商品名))槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
18．水洗步驟槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘19．化學(xué)鍍鍍銅步驟(使用與例1一致的Melplate Cu-390(商品名))槽內(nèi)尺寸為180×750×500處理?xiàng)l件操作四臺(tái)裝置(A)、(B)、(C)及(D)并于室溫下處理20分鐘。
20．水洗步驟槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
21．稀硫酸酸洗步驟(10％H2SO4)槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件于室溫下處理1分鐘。
22．電鍍步驟(與例1組成一致的銅鍍敷槽)槽內(nèi)尺寸為180×750×500處理?xiàng)l件操作四臺(tái)裝置(A)、(B)、(C)及(D)并于30℃下處理20分鐘。
23．水洗步驟槽內(nèi)尺寸為180×450×500處理?xiàng)l件操作裝置(B)并于室溫下處理5分鐘。
對(duì)應(yīng)于裝置(A),1、3、6、19及22號(hào)槽尺寸設(shè)計(jì)更大一些。
-估算最大電流密度 12.0A/dm2通孔的鍍敷粘附大于90％σ1.2氣坑缺陷部分 0％
權(quán)利要求
1．連續(xù)處理鍍敷目標(biāo)的一種鍍敷方法，從預(yù)處理步驟到鍍敷處理，其特征在于下列(a)至(d)的所有步驟都同時(shí)在一個(gè)清洗槽中完成，并且在至少?gòu)念A(yù)處理步驟到鍍敷處理的化學(xué)鍍槽及電鍍槽的一個(gè)中完成(a)振動(dòng)攪拌處理槽步驟，(b)在處理槽中完成充氣的步驟，(c)搖動(dòng)鍍敷目標(biāo)的步驟，(d)對(duì)鍍敷目標(biāo)施加振動(dòng)的步驟。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍敷方法，其特征在于通過(guò)振動(dòng)一個(gè)振動(dòng)葉片來(lái)達(dá)到振動(dòng)攪拌處理槽的目的，葉片的振動(dòng)幅度為0.5至3.0mm，振動(dòng)頻率為每分鐘200至800次。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍敷方法，其特征在于通過(guò)孔徑為200至400μm擴(kuò)散裝置產(chǎn)生的氣泡完成充氣過(guò)程。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍敷方法，其特征在于鍍敷目標(biāo)的搖動(dòng)幅度為10至100mm，搖動(dòng)頻率為每分鐘10至30次。
5．根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍敷方法，其特征在于鍍敷目標(biāo)的振動(dòng)幅度為0.5至1.0mm，振動(dòng)頻率為每分鐘100至300次。
6．根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍敷方法，其特征在于通過(guò)振動(dòng)一個(gè)振動(dòng)葉片來(lái)達(dá)到振動(dòng)攪拌處理槽的目的，葉片的振動(dòng)幅度為0.5至3.0mm，振動(dòng)頻率為每分鐘200至800次；通過(guò)孔徑為200至400μm擴(kuò)散裝置產(chǎn)生的氣泡完成充氣過(guò)程；鍍敷目標(biāo)的搖動(dòng)幅度為10至100mm，搖動(dòng)頻率為每分鐘10至30次；鍍敷目標(biāo)的振動(dòng)幅度為0.5至1.0mm，振動(dòng)頻率為每分鐘100至300次。
7．根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍敷方法，其特征在于鍍敷目標(biāo)的每個(gè)孔的開(kāi)口尺寸小于0.1mm。
8．根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍敷方法，其特征在于鍍敷目標(biāo)為層狀板，其表面由塑料制成。
9．連續(xù)處理鍍敷目標(biāo)的一種鍍敷方法，從預(yù)處理步驟到鍍敷處理，其特征在于(A)振動(dòng)攪拌處理槽的裝置，(B)在處理槽中完成充氣的裝置，(C)搖動(dòng)一個(gè)懸掛鍍敷目標(biāo)的電極棒的裝置，(D)通過(guò)電極棒對(duì)鍍敷目標(biāo)施加振動(dòng)的裝置，使用振動(dòng)馬達(dá)使振動(dòng)幅度為0.5至1.0mm，該馬達(dá)的頻率被變換器調(diào)至10至60赫茲，所有裝置都在用于預(yù)處理步驟及鍍敷步驟的一個(gè)清洗槽及至少一個(gè)化學(xué)鍍槽和電鍍槽之一中完成。
10．根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍敷方法，其特征在于振動(dòng)攪拌裝置(A)包括含有一個(gè)振動(dòng)馬達(dá)的振動(dòng)產(chǎn)生裝置，振動(dòng)幅度為0.5至3.0mm、振動(dòng)頻率為每分鐘200至800次的振動(dòng)攪拌裝置，一個(gè)振動(dòng)葉片一級(jí)或多級(jí)固定于振動(dòng)棒上，該振動(dòng)棒與振動(dòng)產(chǎn)生裝置聯(lián)鎖以便在處理槽中振動(dòng)，變換器用于控制振動(dòng)攪拌裝置(A)的振動(dòng)馬達(dá)以便產(chǎn)生頻率范圍為10至500赫茲的任何頻率的振動(dòng)，以及在振動(dòng)產(chǎn)生裝置和振動(dòng)攪拌裝置的連接部分的振動(dòng)應(yīng)力分散裝置；而充氣裝置(B)包括陶瓷擴(kuò)散管道，每個(gè)管道的孔徑尺寸設(shè)定為200至400微米，孔積率設(shè)定為30至40％；搖動(dòng)裝置(C)通過(guò)電極棒在鍍敷目標(biāo)上產(chǎn)生搖動(dòng)幅度為10至100mm、搖動(dòng)頻率為每分鐘10至30次的搖動(dòng)；裝置(D)振動(dòng)以便對(duì)鍍敷目標(biāo)施加頻率為每分鐘100至300次的振動(dòng)。
11．根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍敷方法，其特征在于鍍敷目標(biāo)的每個(gè)孔的開(kāi)口尺寸小于0.1mm。
12．根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍敷方法，其特征在于鍍敷目標(biāo)為層狀板，其表面由塑料制成。
13．根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍敷方法，其特征在于處理槽包括至少一個(gè)清洗槽、一個(gè)第一水洗槽、一個(gè)催化槽、一第二催化槽、一個(gè)化學(xué)鍍槽、一個(gè)第三水洗槽、一個(gè)電鍍槽、及一個(gè)第四水洗槽，其排列順序?yàn)閺念A(yù)處理步驟至鍍敷步驟，每隔固定的時(shí)間將鍍敷目標(biāo)在不同槽之間移動(dòng)。
14．根據(jù)權(quán)利要求10所述的鍍敷方法，其特征在于裝置(D)上振動(dòng)馬達(dá)的頻率與振動(dòng)攪拌裝置(A)上振動(dòng)馬達(dá)的頻率之比設(shè)定為50-65％。
15．根據(jù)權(quán)利要求10所述的鍍敷方法，其特征在于借助于氟基聚合物膜，通過(guò)振動(dòng)葉片固定元件以?shī)A心方式固定振動(dòng)攪拌裝置的振動(dòng)葉片。
16．至少使用于鍍敷過(guò)程中的鍍敷步驟及預(yù)處理步驟之一的裝置包括(A)用于處理槽的振動(dòng)攪拌裝置；(B)用于處理槽的充氣裝置；(C)用于搖動(dòng)懸掛鍍敷目標(biāo)的電極棒的裝置；(D)對(duì)電極棒施加振動(dòng)裝置。
17．根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于振動(dòng)攪拌裝置(A)包括含有一個(gè)振動(dòng)馬達(dá)的振動(dòng)產(chǎn)生裝置，振動(dòng)幅度為0.5至3.0mm、振動(dòng)頻率為每分鐘200至800次的振動(dòng)攪拌設(shè)備，一個(gè)振動(dòng)葉片一級(jí)或多級(jí)固定于振動(dòng)棒上，該振動(dòng)棒與振動(dòng)產(chǎn)生裝置聯(lián)鎖以便在處理槽中振動(dòng)，變換器用于控制振動(dòng)攪拌裝置(A)的振動(dòng)馬達(dá)以便產(chǎn)生頻率范圍為10至500赫茲的任何頻率的振動(dòng)，以及在振動(dòng)產(chǎn)生裝置和振動(dòng)攪拌裝置的連接部分的振動(dòng)應(yīng)力分散裝置；而充氣裝置(B)包括陶瓷擴(kuò)散管道，每個(gè)管道的孔徑尺寸設(shè)定為200至400微米，孔積率設(shè)定為30至40％；搖動(dòng)裝置(C)通過(guò)電極棒在鍍敷目標(biāo)上產(chǎn)生搖動(dòng)幅度為10至100mm、搖動(dòng)頻率為每分鐘10至30次的搖動(dòng)；裝置(D)振動(dòng)以便通過(guò)使用振動(dòng)馬達(dá)對(duì)鍍敷目標(biāo)施加頻率為每分鐘100至300次的振動(dòng)，用變換器將振動(dòng)馬達(dá)的頻率調(diào)節(jié)為10到60赫茲。
18．根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于裝置(D)帶有一個(gè)連接于搖動(dòng)裝置(C)的振動(dòng)馬達(dá)，借助于電極棒將振動(dòng)馬達(dá)的振動(dòng)傳至鍍敷目標(biāo)。
19．根據(jù)權(quán)利要求書(shū)16所述的裝置，其特征在于借助于氟基聚合物膜，通過(guò)振動(dòng)葉片固定元件以?shī)A心方式固定振動(dòng)攪拌裝置(A)的振動(dòng)葉片。
全文摘要
連續(xù)處理鍍敷目標(biāo)的一種鍍敷方法,從預(yù)處理步驟到鍍敷處理,(A)用于處理槽的充氣裝置;(B)用于處理槽的振動(dòng)攪拌裝置;(C)用于搖動(dòng)懸掛鍍敷目標(biāo)的電極棒的裝置;(D)對(duì)電極棒施加振動(dòng)的裝置。所有步驟都在一個(gè)清洗槽中完成,并且在至少?gòu)念A(yù)處理步驟到鍍敷處理的化學(xué)鍍槽及電鍍槽之一中完成。
文檔編號(hào)C25D5/00GK1215096SQ9810848
公開(kāi)日1999年4月28日 申請(qǐng)日期1998年5月14日 優(yōu)先權(quán)日1997年10月21日
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