本發(fā)明涉及地球物理測(cè)井領(lǐng)域，具體涉及一種小直徑陣列感應(yīng)測(cè)井的井眼校正的系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)：

地球物理測(cè)井是在井孔中測(cè)量地層的電、聲、放射性等物理性質(zhì)，以辨別地層巖石和流體性質(zhì)的方法，是勘探和開(kāi)發(fā)油氣，金屬等礦產(chǎn)資源的重要手段。

多年來(lái)，關(guān)于井眼校正方法有很多，國(guó)外Schlumberger通過(guò)正演計(jì)算井眼響應(yīng)數(shù)據(jù)庫(kù)，然后利用切比雪夫多項(xiàng)式擬合該數(shù)據(jù)庫(kù)。在實(shí)際測(cè)井過(guò)程中，利用擬合多項(xiàng)式計(jì)算井眼響應(yīng)，通過(guò)4個(gè)短子陣列測(cè)量值進(jìn)行最小二乘非線性反演泥漿、井眼尺寸和地層電導(dǎo)率值，最后對(duì)測(cè)量信號(hào)進(jìn)行井眼校正。具體見(jiàn)US Patent 5041975。Baker Atlas采用樣條插值函數(shù)擬合井眼影響。Halliburton基于幾何因子建立井眼影響校正方法。中石油測(cè)井公司的MIT基于井眼校正庫(kù)和均值響應(yīng)庫(kù)可以消除未經(jīng)趨膚校正測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)的井眼影響。具體見(jiàn)CN 102562047 A。雖然這些方法均實(shí)際應(yīng)用到測(cè)井過(guò)程中，并取得一定的效果，然而其井眼校正方法都假設(shè)多個(gè)短子陣列的地層電導(dǎo)率值環(huán)境是相同，等效于多個(gè)子陣列視電導(dǎo)率值的加權(quán)平均值，由此基于多個(gè)子陣列共同反演井眼影響，這種假設(shè)混淆了泥漿侵入特征。當(dāng)儀器所處地層為孔隙度滲透率較好的砂巖層或者泥漿與地層電導(dǎo)率值差異較大時(shí)，以上方法基于的假設(shè)會(huì)給后續(xù)信號(hào)處理方法帶來(lái)誤差。對(duì)于小直徑陣列感應(yīng)而言，由于其應(yīng)用的主要方式是過(guò)鉆頭測(cè)量，所處的井眼直徑覆蓋多個(gè)井眼尺寸(根據(jù)地質(zhì)環(huán)境選擇多種鉆頭尺寸)，多個(gè)短子陣列隨著泥漿、侵入的變化特征更加明顯，此時(shí)為了獲得更加理想的井眼校正效果，選擇對(duì)應(yīng)子陣列的可靠的地層電導(dǎo)率值十分關(guān)鍵。普拉德研究及開(kāi)發(fā)股份有限公司也提出用于感應(yīng)測(cè)井井眼校正的有效地層電導(dǎo)率值方法，但是方法的迭代過(guò)程及收斂條件都十分復(fù)雜，具體見(jiàn)CN 101191838。

井眼環(huán)境十分的惡劣，尤其是在井眼尺寸較大或者井內(nèi)外電導(dǎo)率值特征差異較大的條件下，常規(guī)的井眼校正可能無(wú)法反應(yīng)真實(shí)的井眼情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是解決上述問(wèn)題，提出了一種針對(duì)小直徑陣列感應(yīng)測(cè)井的井眼校正系統(tǒng)及方法，基于井眼幾何因子特性，通過(guò)考慮泥漿侵入特性的基礎(chǔ)上，反演小直徑陣列感應(yīng)測(cè)井影響，可實(shí)現(xiàn)多個(gè)井眼尺寸和井內(nèi)外導(dǎo)電率差異較大等復(fù)雜井眼情況下的井眼參數(shù)校正。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明提供了一種井眼校正的裝置，包括：儀器測(cè)量裝置和井眼校正裝置，其中,井眼校正裝置包括：初級(jí)數(shù)據(jù)處理模塊和井眼校正模塊。

初級(jí)數(shù)據(jù)處理模塊，用于接收陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào)并對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào)進(jìn)行趨膚效應(yīng)校正的初級(jí)處理，獲得趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)，并將趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)發(fā)送至井眼校正模塊。

井眼校正模塊，用于接收趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)；根據(jù)趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行分辨率匹配處理，獲得分辨率匹配處理數(shù)據(jù)；根據(jù)分辨率匹配處理數(shù)據(jù)計(jì)算獲得陣列對(duì)應(yīng)的井眼環(huán)境數(shù)據(jù)并根據(jù)陣列對(duì)應(yīng)的井眼環(huán)境數(shù)據(jù)計(jì)算獲得井眼校正的數(shù)據(jù)。

優(yōu)選地，井眼校正模塊包括：分辨率匹配單元、地層初始模型估算單元、井眼校正庫(kù)單元、井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元、井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元和井眼環(huán)境校正單元中的一種或多種。

其中，分辨率匹配單元，用于接收并對(duì)趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行分辨率匹配處理，獲得匹配數(shù)據(jù)；將匹配數(shù)據(jù)發(fā)送至地層初始模型估算單元、井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元和井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元中。此外，分辨率匹配單元具體用于，分辨率匹配單元基于背景電導(dǎo)率值選擇相應(yīng)的差值濾波器，將相鄰子陣列中的差值信息通過(guò)差值濾波器濾出來(lái)，將差值信息迭加到具有低分辨率信息的子陣列上，

其中，差值濾波器按照如下公式計(jì)算：

其中，g_Born,Arrayi(z,σ_b)為子陣列縱向微分Born幾何因子實(shí)部，w(z',σ_b)為分辨率匹配差值濾波器，σ_b為相應(yīng)的背景電導(dǎo)率值，g_Born,Arrayi(z,σ_b)為低分辨率子陣列，為高分辨率子陣列，上述公式通過(guò)最小二乘優(yōu)化算法實(shí)現(xiàn)。

地層初始模型估算單元，用于接收匹配數(shù)據(jù)估算出第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境中的地層電導(dǎo)率值，通過(guò)儀器測(cè)量獲得第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境中的三個(gè)參數(shù)中的任意兩個(gè)參數(shù)，將第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境中的至少三個(gè)參數(shù)發(fā)送至井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元中。

井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元，用于接收匹配數(shù)據(jù)和第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境中的至少三個(gè)參數(shù)；根據(jù)匹配數(shù)據(jù)、第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境中的至少三個(gè)參數(shù)并調(diào)用井眼校正庫(kù)單元中的數(shù)據(jù)，計(jì)算獲得第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境的參數(shù)并發(fā)送至井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元和井眼環(huán)境校正單元中。

井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元，接收匹配數(shù)據(jù)以及第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境的參數(shù)；根據(jù)第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境的參數(shù)和調(diào)用井眼校正庫(kù)單元通過(guò)計(jì)算獲得除了第一子陣列的X個(gè)子陣列ARRAYX井眼環(huán)境的參數(shù)，將X個(gè)子陣列ARRAYX的井眼環(huán)境的參數(shù)發(fā)送至井眼環(huán)境校正單元中。

井眼環(huán)境校正單元，用于接收第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境的參數(shù)和X個(gè)ARRAYX的井眼環(huán)境的參數(shù)并根據(jù)第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境的參數(shù)和X個(gè)ARRAYX的井眼環(huán)境的參數(shù)通過(guò)計(jì)算獲得井眼校正的數(shù)據(jù)。

井眼環(huán)境校正單元中進(jìn)行井眼校正的計(jì)算公式如下所示：

σ_jBHC＝σ_ajSKC-Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)

其中，σ_jBHC為經(jīng)過(guò)井眼校正后的j子陣列曲線，σ_ajSKC為趨膚校正后的j子陣列曲線，Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)為j子陣列的井眼影響值。

另一方面，本發(fā)明提供了一種井眼校正的方法，包括以下步驟：接收陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào)，并對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào)進(jìn)行趨膚效應(yīng)校正的初級(jí)處理，獲得趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)；根據(jù)趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行分辨率匹配處理，獲得分辨率匹配處理數(shù)據(jù)；根據(jù)分辨率匹配處理數(shù)據(jù)計(jì)算獲得陣列對(duì)應(yīng)的井眼環(huán)境數(shù)據(jù)并根據(jù)陣列對(duì)應(yīng)的井眼環(huán)境數(shù)據(jù)計(jì)算獲得井眼校正的數(shù)據(jù)。

優(yōu)選地，根據(jù)趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行分辨率匹配處理，獲得分辨率匹配處理數(shù)據(jù)；根據(jù)分辨率匹配處理數(shù)據(jù)計(jì)算獲得陣列對(duì)應(yīng)的井眼環(huán)境數(shù)據(jù)并根據(jù)陣列對(duì)應(yīng)的井眼環(huán)境數(shù)據(jù)計(jì)算獲得井眼校正的數(shù)的步驟中還包括：

根據(jù)匹配數(shù)據(jù)估算出第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境中的地層電導(dǎo)率值，通過(guò)儀器測(cè)量獲得第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境中的三個(gè)參數(shù)中的任意兩個(gè)參數(shù)，；根據(jù)匹配數(shù)據(jù)以及第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境中的至少三個(gè)參數(shù)并調(diào)用井眼校正庫(kù)單元中的數(shù)據(jù)，計(jì)算獲得第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境的參數(shù)；根據(jù)匹配數(shù)據(jù)、第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境的參數(shù)以及調(diào)用井眼校正庫(kù)單元中的數(shù)據(jù)通過(guò)計(jì)算獲得除了第一子陣列的X個(gè)子陣列ARRAYX井眼環(huán)境的參數(shù)；根據(jù)第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境的參數(shù)以及除了第一子陣列的X個(gè)子陣列ARRAYX井眼環(huán)境的參數(shù)通過(guò)計(jì)算獲得井眼校正的數(shù)據(jù)。

其中，井眼環(huán)境校正單元中進(jìn)行井眼校正的計(jì)算公式如下所示：

σ_jBHC＝σ_ajSKC-Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)

σ_jBHC為經(jīng)過(guò)井眼校正后的j子陣列曲線，σ_ajSKC為趨膚校正后的j子陣列曲線，Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)為j子陣列的井眼影響值。

優(yōu)選地根據(jù)趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行分辨率匹配處理，獲得分辨率匹配處理數(shù)據(jù)的步驟中還包括：基于背景電導(dǎo)率值選擇相應(yīng)的差值濾波器，將相鄰子陣列中的差值信息通過(guò)差值濾波器濾出來(lái)，將差值信息迭加到具有低分辨率信息的子陣列上，差值濾波器按照如下公式計(jì)算：

其中，g_Born,Arrayi(z,σ_b)為子陣列縱向微分Born幾何因子實(shí)部，w(z',σ_b)為分辨率匹配差值濾波器，σ_b為相應(yīng)的背景電導(dǎo)率值，g_Born,Arrayi(z,σ_b)為低分辨率子陣列，為高分辨率子陣列，上述公式通過(guò)最小二乘優(yōu)化算法實(shí)現(xiàn)。

綜上所述的子陣列ARRAYX井眼環(huán)境的參數(shù)包括：地層電導(dǎo)率、泥漿電導(dǎo)率、井徑和偏心率。

本發(fā)明的有益效果包括：第一、設(shè)置地層模型估算單元對(duì)于最短子陣列的地層電導(dǎo)率值估算，是通過(guò)多項(xiàng)式或者其他函數(shù)擬合經(jīng)過(guò)分辨率匹配的各子陣列視電導(dǎo)率值曲線和每個(gè)子陣列的徑向探測(cè)距離獲得方程σ_t(r)，通過(guò)一系列的數(shù)值實(shí)驗(yàn)計(jì)算選定某一徑向深度點(diǎn)rARRAY1的σ_t(rARRAY1)為ARRAY1的地層電導(dǎo)率值。由于短子陣列經(jīng)過(guò)趨膚校正和分辨率匹配校正，認(rèn)為短子陣列視電導(dǎo)率值與真實(shí)電導(dǎo)率值近似相等。

第二、本發(fā)明提供的系統(tǒng)及方法一定程度上反應(yīng)了地層的侵入特征，可以作為之后其他處理(侵入反演等)提供測(cè)井曲線質(zhì)量監(jiān)督。

第三、本發(fā)明提供的系統(tǒng)及方法通過(guò)計(jì)算擬合函數(shù)與視電導(dǎo)率值差值的平方評(píng)價(jià)測(cè)量曲線質(zhì)量，判斷壞的子陣列測(cè)量點(diǎn)進(jìn)行修正。

第四、本發(fā)明提供的系統(tǒng)及方法通過(guò)一參數(shù)反演獲得獲得ARRAY1的井眼參數(shù)更加簡(jiǎn)單可靠，因?yàn)锳RRAY1受到井眼的影響比其他子陣列更大，當(dāng)然如果ARRAY1數(shù)據(jù)由于噪聲影響或其他原因?qū)е聰?shù)據(jù)不可靠，也可以采用ARRAY2進(jìn)行井眼參數(shù)計(jì)算。

第五、本發(fā)明提供的系統(tǒng)及方法由于每個(gè)子陣列的地層電導(dǎo)率值存在差別，尤其當(dāng)小直徑陣列感應(yīng)測(cè)井處于井內(nèi)外電導(dǎo)率值差異較大或大井徑井眼內(nèi)時(shí)，此時(shí)徑向上存在明顯的侵入特征，因此，基于ARRAY1計(jì)算出可靠的井眼參數(shù)(σ_m，Cal，Ecc)經(jīng)過(guò)井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元單獨(dú)計(jì)算每個(gè)子陣列的地層電導(dǎo)率值σ_tj，可以一定程度上降低由于地層電導(dǎo)率值的誤差對(duì)井眼校正的影響。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種測(cè)井裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種井眼校正的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種儀器測(cè)量裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種井眼校正模塊結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種井眼校正的方法的流程圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種垂直分辨率匹配濾波器示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種徑向侵入地層特征的擬合函數(shù)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種井眼校正偽幾何因子示意圖；

圖9為一種現(xiàn)有方法的井眼校正效果示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種井眼校正效果示意圖。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種測(cè)井裝置結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，測(cè)井設(shè)備包括：如圖2所示，井眼校正系統(tǒng)，井眼校正系統(tǒng)包括儀器測(cè)量裝置111和井眼校正裝置112，電纜113和滑輪114。

其中，如圖3所示，儀器測(cè)量裝置111包括陣列感應(yīng)測(cè)井裝置1011、地面記錄單元1012和地面處理單元1013。

井眼校正裝置112包括：初級(jí)數(shù)據(jù)處理模塊100和井眼校正模塊101。

具體地，井眼校正模塊101包括：分辨率匹配單元1010、地層初始模型估算單元1011、井眼校正庫(kù)單元1012、井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元1013、井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元1014和井眼環(huán)境校正單元1015中的一種或多種。

具體步驟如下：通過(guò)布置在泥漿115中的儀器測(cè)量裝置111測(cè)得地層116的陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào)，然后將陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào)通過(guò)電纜113傳輸?shù)骄坌Ｕb置112上進(jìn)行數(shù)據(jù)分析，其中，初級(jí)數(shù)據(jù)處理模塊100接收陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào)并對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào)進(jìn)行趨膚效應(yīng)校正的初級(jí)處理，獲得趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)，并將趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)發(fā)送至井眼校正模塊101。

優(yōu)選地，通過(guò)初級(jí)數(shù)據(jù)處理模塊100中進(jìn)行趨膚效應(yīng)校正的初級(jí)處理有利于將經(jīng)井眼影響消除，得到儀器在徑向無(wú)井眼條件下的響應(yīng)值。其中，井眼環(huán)境由侵入或者原狀地層填充。

井眼校正模塊101中的分辨率匹配單元1010接收并對(duì)趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行分辨率匹配處理，獲得匹配數(shù)據(jù)；將匹配數(shù)據(jù)發(fā)送至地層初始模型估算單元1011和井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元1014中。

其中，分辨率匹配單元1010基于背景電導(dǎo)率值選擇選擇相應(yīng)的差值濾波器，將相鄰子陣列中的差值信息通過(guò)差值濾波器濾出來(lái)，將差值信息迭加到具有低分辨率信息的子陣列上，差值濾波器按照如下公式計(jì)算：

g_Born,Arrayi(z,σ_b)為子陣列縱向微分Born幾何因子實(shí)部，w(z',σ_b)為分辨率匹配差值濾波器，σ_b為相應(yīng)的背景電導(dǎo)率值，g_Born,Arrayi(z,σ_b)為低分辨率子陣列，為高分辨率子陣列，上述公式通過(guò)最小二乘優(yōu)化算法實(shí)現(xiàn)。

將差值濾波加載到高分辨率子陣列的曲線上獲得σ_ajSKC’，將原高分辨率曲線σ_ajSKC減去σ_ajSKC’獲得相鄰子陣列的差值信息Δσ_j,j+1，并將差值信息迭

加到低分辨率曲線上得到具有同一分辨率的曲線，具體如下式，

Δσ_j,j+1＝σ_ajSKC(z)-σ_ajSKC(z)'

σ_aj+1VRM(z)＝σ_aj+1SKC(z)+Δσ_j,j+1

σ_ajSKC’為差值濾波加載到高分辨率子陣列的曲線，j是子陣列標(biāo)號(hào)，SKC表示趨膚校正后的數(shù)據(jù)。這樣對(duì)X個(gè)子陣列依次處理可以得到具有同一分辨率的Y條曲線，可以認(rèn)為分辨率匹配后的曲線受到同樣的圍巖影響，(Y為正整數(shù))。

地層初始模型估算單元1011接收匹配數(shù)據(jù)并估算出第一子陣列ARRAY1的地層電導(dǎo)率值，通過(guò)儀器測(cè)量獲得第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境中的三個(gè)參數(shù)(泥漿、偏心和井徑)中的任意兩個(gè)參數(shù)，將獲得的第一子陣列ARRAY1的地層電導(dǎo)率值以及井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率的值中任意兩個(gè)已知值，一個(gè)未知值發(fā)送至井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元1013中。

具體地，地層初始模型估算單元1011是為井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元1013提供井眼環(huán)境的參數(shù)，一般由于條件限制，可能無(wú)法全部獲得井眼環(huán)境參數(shù)，因此地層模型估算單元1011可以提供兩種方式：第一、常規(guī)校正：所有井眼參數(shù)泥漿電導(dǎo)率值σ_m，井徑Cal及偏心率Ecc均直接通過(guò)儀器測(cè)量獲得。第二、一參數(shù)反演校正，泥漿電導(dǎo)率值σ_m，井徑Cal及偏心率Ecc的其中任意兩個(gè)參數(shù)通過(guò)儀器測(cè)量獲得，另一個(gè)參數(shù)未知。地層電導(dǎo)率值σ_t1通過(guò)多項(xiàng)式擬合多個(gè)子陣列分辨率匹配數(shù)據(jù)σ_ajVRM(j＝1,2,3,......)和相應(yīng)子陣列的探測(cè)深度得到方程σ_t(r)，通過(guò)反復(fù)數(shù)值實(shí)驗(yàn)設(shè)定對(duì)應(yīng)子陣列ARRAY1的徑向深度rARRAY1，通過(guò)對(duì)數(shù)值試驗(yàn)分析，一般短子陣列對(duì)應(yīng)rARRAY1基本不會(huì)變化，而且由于數(shù)值經(jīng)過(guò)趨膚校正和分辨率匹配，短子陣列對(duì)應(yīng)的視電導(dǎo)率值與地層電導(dǎo)率值基本相同(高電導(dǎo)率值井眼環(huán)境略有差距)，尤其對(duì)于所采用的短子陣列ARRAY1(第一子陣列ARRAY1)而言。

其中，依照子陣列徑向深度等信息通過(guò)擬合函數(shù)估算地層電導(dǎo)率值的圖像，其中第一子陣列的地層電導(dǎo)率值由擬合函數(shù)獲得，而井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率則是通過(guò)一參數(shù)反演獲得，一參數(shù)反演為根據(jù)兩個(gè)已知參數(shù)獲得另外一個(gè)參數(shù)，圖像如圖7所示。

具體地，子陣列的井眼環(huán)境是指泥漿電導(dǎo)率值、地層電導(dǎo)率值、井徑和偏心率，每一個(gè)子陣列都有不同的地層電導(dǎo)率值，子陣列包括第一子陣列和第X子陣列(X＝2,3,......)。

井眼校正庫(kù)單元1012，用于正演模型計(jì)算的井眼校正偽幾何因子G_j(σ_m,σ_t,Cal,Ecc)(j＝1,2,3,......)。通過(guò)設(shè)定泥漿電導(dǎo)率值σ_m，地層電導(dǎo)率值σt，井徑Cal，偏心率Ecc的井眼參數(shù)計(jì)算子陣列的響應(yīng)值σ_aj(j＝1,2,3,......)。

其中，G_j(σ_m,σ_t,Cal,Ecc)＝(σ_aj-σ_t)/(σ_m-σ_t)式中，G_j(σ_m,σ_t,Cal,Ecc)為井眼校正偽幾何因子。井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元1013，用于接收匹配數(shù)據(jù)和第一子陣列ARRAY1的地層電導(dǎo)率值以及井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率的值中的中任意兩個(gè)已知值，一個(gè)未知值并調(diào)用井眼校正庫(kù)單元1012中的數(shù)據(jù)，計(jì)算獲得第一子陣列ARRAY1對(duì)應(yīng)的井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率的值并將第一子陣列ARRAY1對(duì)應(yīng)的井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率的值發(fā)送至井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元1014中，將第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境參數(shù)(地層電導(dǎo)率，泥漿電導(dǎo)率，井徑和偏心)發(fā)送至井眼環(huán)境校正單元1015中。具體地，由地層初始模型估算單元1011選擇相應(yīng)子陣列ARRAY1的井眼校正偽幾何因子，若為常規(guī)校正，則直接帶入井眼環(huán)境校正單元1015計(jì)算井眼影響；若為一參數(shù)反演校正則通過(guò)將ARRAY1對(duì)應(yīng)的地層電導(dǎo)率和其他兩個(gè)已知井眼參數(shù)，一個(gè)未知井眼參數(shù)(未知井眼參數(shù)預(yù)先設(shè)定一個(gè)值)，通過(guò)下式計(jì)算相應(yīng)的視電導(dǎo)率σ_a1Gborn(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)與子陣列ARRAY1的視電導(dǎo)率σ_a1VRM對(duì)比確定未知井眼參數(shù)是否合適,如果所選擇的未知井眼參數(shù)不合適則重新選擇，直到σ_a1Gborn(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)-σ_a1VRM的絕對(duì)值最小，如果最小絕對(duì)值為零，則所選擇的未知井眼參數(shù)是合適的井眼參數(shù)，如果最小絕對(duì)值不為零，則通過(guò)實(shí)現(xiàn)最小的兩個(gè)絕對(duì)值的點(diǎn)組成的區(qū)間，在區(qū)間內(nèi)插值計(jì)算獲得相應(yīng)子陣列的未知井眼參數(shù)，最后可以獲得井眼環(huán)境的所有參數(shù)σ_m，σ_t1，Cal，Ecc相應(yīng)井眼校正偽幾何因子G₁(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)。具體公式為：

σ_a1Gborn(σ_m,σ_t,Cal,Ecc)＝σ_m*G₁(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)+σ_t1*(1-G₁(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc))。

其中，σ_a1Gborn(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)為視電導(dǎo)率值，G₁(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)為井眼校正偽幾何因子。

井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元1014，接收井眼環(huán)境的參數(shù)中的泥漿電導(dǎo)率、井徑和偏心率的值；根據(jù)泥漿電導(dǎo)率、井徑和偏心率的值并調(diào)用井眼校正庫(kù)單元1012的數(shù)據(jù)通過(guò)計(jì)算依次獲得除了第一子陣列其他的X個(gè)子陣列ARRAYX井眼環(huán)境的參數(shù)，將X個(gè)子陣列ARRAYX的井眼環(huán)境的參數(shù)發(fā)送至井眼環(huán)境校正單元1015中。

具體地，由井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元1013計(jì)算的井眼參數(shù)σ_m，Cal，Ecc，預(yù)先設(shè)定的地層電導(dǎo)率值帶入井眼校正庫(kù)單元1012，選擇相應(yīng)的井眼校正偽幾何因子G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)(j＝2,3,......)，通過(guò)下式計(jì)算ARRAYX(X＝2,3,......)的視電導(dǎo)率σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)與ARRAYX的視電導(dǎo)率σ_ajVRM比較驗(yàn)證所選擇的地層電導(dǎo)率是否合適，如果所選擇的未知井眼參數(shù)不合適則重新選擇，直到σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)-σ_ajVRM的絕對(duì)值最小，如果最小絕對(duì)值為零，則預(yù)先設(shè)定的地層電導(dǎo)率值是合適的井眼參數(shù)，如果最小絕對(duì)值不為零，則通過(guò)實(shí)現(xiàn)最小的兩個(gè)絕對(duì)值的點(diǎn)組成的區(qū)間，在區(qū)間內(nèi)通過(guò)插值計(jì)算獲得相應(yīng)X個(gè)子陣列的地層電導(dǎo)率σ_tj(j＝2,3,......)，最后可以獲得ARRAYX的井眼環(huán)境的參數(shù)和井眼校正偽幾何因子G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)。具體公式如下：

σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)＝σ_m*G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)+σ_tj*(1-G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc))。

井眼環(huán)境校正單元1015，用于接收并根據(jù)第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境參數(shù)和除了第一子陣列其他X個(gè)子陣列ARRAYX的井眼環(huán)境參數(shù)通過(guò)計(jì)算獲得井眼校正量的數(shù)據(jù)Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)，其中，井眼環(huán)境校正單元1015計(jì)算Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)具體公式如下：

Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)＝σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)-σ_tj。

根據(jù)獲得的井眼校正量數(shù)據(jù)Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)，通過(guò)校正公式形成測(cè)井曲線，測(cè)井曲線效果圖如圖10所示。

上述井眼環(huán)境校正單元1015中進(jìn)行井眼校正的計(jì)算公式如下所示：

σ_jBHC＝σ_ajSKC-Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)

其中，σ_jBHC為經(jīng)過(guò)井眼校正后的j子陣列曲線，σ_ajSKC為趨膚校正后的j子陣列曲線，Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)為j子陣列的井眼影響值。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種儀器測(cè)量裝置結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，儀器測(cè)量裝置111包括陣列感應(yīng)測(cè)井裝置1011、地面記錄單元1012和地面處理單元1013。

其中，儀器測(cè)量裝置111，用于獲取地層中的(不限于地層)陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào)，并將此信號(hào)通過(guò)電纜113傳輸?shù)骄坌Ｕb置112上。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種井眼校正模塊結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，井眼校正模塊101包括：分辨率匹配單元1010、地層初始模型估算單元1011、井眼校正庫(kù)單元1012、井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元1013、井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元1014和井眼環(huán)境校正單元1015中的一種或多種。

其中，分辨率匹配單元1010基于背景電導(dǎo)率值選擇相應(yīng)的差值濾波器，將相鄰子陣列中的差值信息通過(guò)差值濾波器濾出來(lái)，將差值信息迭加到具有低分辨率信息的子陣列上，差值濾波器按照如下公式計(jì)算：

g_Born,Arrayi(z,σ_b)為子陣列縱向微分Born幾何因子實(shí)部，w(z',σ_b)為分辨率匹配差值濾波器，σ_b為相應(yīng)的背景電導(dǎo)率值，g_Born,Arrayi(z,σ_b)為低分辨率子陣列，為高分辨率子陣列，上述公式通過(guò)最小二乘優(yōu)化算法實(shí)現(xiàn)。

將差值濾波加載到高分辨率子陣列的曲線上獲得σ_ajSKC’，將原高分辨率曲線σ_ajSKC減去σ_ajSKC’獲得相鄰子陣列的差值信息Δσ_j,j+1，并將差值信息迭

加到低分辨率曲線上得到具有同一分辨率的曲線，具體如下式，

Δσ_j,j+1＝σ_ajSKC(z)-σ_ajSKC(z)'

σ_aj+1VRM(z)＝σ_aj+1SKC(z)+Δσ_j,j+1

σ_ajSKC’為差值濾波加載到高分辨率子陣列的曲線，j是子陣列標(biāo)號(hào)，SKC表示趨膚校正后的數(shù)據(jù)。這樣對(duì)X個(gè)子陣列依次處理可以得到具有同一分辨率的Y條曲線，可以認(rèn)為分辨率匹配后的曲線受到同樣的圍巖影響，(X和Y為正整數(shù))。

地層初始模型估算單元1011接收匹配數(shù)據(jù)并根據(jù)匹配數(shù)據(jù)并估算出第一子陣列ARRAY1的地層電導(dǎo)率值，通過(guò)儀器測(cè)量獲得第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境中的三個(gè)參數(shù)(泥漿、偏心和井徑)中的任意兩個(gè)參數(shù)，將獲得的第一子陣列ARRAY1的地層電導(dǎo)率值以及井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率的值中任意兩個(gè)已知值，一個(gè)未知值發(fā)送至井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元1013中。

具體地，地層初始模型估算單元1011是為井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元1013提供井眼環(huán)境的參數(shù)，一般由于條件限制，可能無(wú)法全部獲得井眼環(huán)境參數(shù)，因此地層模型估算單元1011可以提供兩種方式：第一、常規(guī)校正：所有井眼參數(shù)泥漿電導(dǎo)率值σ_m，井徑Cal及偏心率Ecc均直接通過(guò)儀器測(cè)量獲得。第二、一參數(shù)反演校正，泥漿電導(dǎo)率值σ_m，井徑Cal及偏心率Ecc的其中任意兩個(gè)參數(shù)通過(guò)儀器測(cè)量獲得，另一個(gè)參數(shù)未知。地層電導(dǎo)率值σ_t1通過(guò)多項(xiàng)式擬合多個(gè)子陣列分辨率匹配數(shù)據(jù)σ_ajVRM(j＝1,2,3,......)和相應(yīng)子陣列的探測(cè)深度得到方程σ_t(r)，通過(guò)反復(fù)實(shí)驗(yàn)數(shù)值設(shè)定對(duì)應(yīng)子陣列ARRAY1的徑向深度rARRAY1，通過(guò)對(duì)數(shù)值試驗(yàn)分析，一般短子陣列對(duì)應(yīng)RARRAY1基本不會(huì)變化，而且由于數(shù)值經(jīng)過(guò)趨膚校正和分辨率匹配，短子陣列對(duì)應(yīng)的視電導(dǎo)率值與地層電導(dǎo)率值基本相同(高電導(dǎo)率值井眼環(huán)境略有差距)，尤其對(duì)于所采用的短子陣列ARRAY1(第一子陣列ARRAY1)而言。

其中，依照子陣列徑向深度等信息通過(guò)擬合函數(shù)估算地層電導(dǎo)率值的圖像，其中第一子陣列的地層電導(dǎo)率值由擬合函數(shù)獲得，而井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率則是通過(guò)一參數(shù)反演獲得，一參數(shù)反演為根據(jù)兩個(gè)已知參數(shù)獲得另外一個(gè)參數(shù)，圖像如圖7所示。

具體地，子陣列的井眼環(huán)境是指泥漿電導(dǎo)率值、地層電導(dǎo)率值、井徑和偏心率，每一個(gè)子陣列都有不同的地層電導(dǎo)率值，子陣列包括第一子陣列和第X子陣列(X＝2,3,......)。

井眼校正庫(kù)單元1012，用于正演模型計(jì)算的井眼校正偽幾何因子G_j(σ_m,σ_t,Cal,Ecc)(j＝1,2,3,......)。通過(guò)設(shè)定泥漿電導(dǎo)率值σ_m，地層電導(dǎo)率值σ_t，井徑Cal，偏心率Ecc的井眼參數(shù)計(jì)算子陣列的響應(yīng)值σ_aj(j＝1,2,3,......)。

其中，G_j(σ_m,σ_t,Cal,Ecc)＝(σ_aj-σ_t)/(σ_m-σ_t)式中，G_j(σ_m,σ_t,Cal,Ecc)為井眼校正偽幾何因子。井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元1013，用于接收匹配數(shù)據(jù)和第一子陣列ARRAY1的地層電導(dǎo)率值以及井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率的值中的中任意兩個(gè)已知值，一個(gè)未知值并調(diào)用井眼校正庫(kù)單元1012中的數(shù)據(jù)，計(jì)算獲得第一子陣列ARRAY1對(duì)應(yīng)的井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率的值并將第一子陣列ARRAY1對(duì)應(yīng)的井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率的值發(fā)送至井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元1014中，將第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境參數(shù)(地層電導(dǎo)率，泥漿電導(dǎo)率，井徑和偏心)發(fā)送至井眼環(huán)境校正單元1015中。具體地，由地層初始模型估算單元1011選擇相應(yīng)子陣列ARRAY1的井眼校正偽幾何因子，若為常規(guī)校正，則直接帶入井眼環(huán)境校正單元1015計(jì)算井眼影響；若為一參數(shù)反演校正則通過(guò)將ARRAY1對(duì)應(yīng)的地層電導(dǎo)率和其他兩個(gè)已知井眼參數(shù)，一個(gè)未知井眼參數(shù)(未知井眼參數(shù)預(yù)先設(shè)定一個(gè)值)，通過(guò)下式計(jì)算相應(yīng)的視電導(dǎo)率σ_a1Gborn(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)與子陣列ARRAY1的視電導(dǎo)率σ_a1VRM對(duì)比確定未知井眼參數(shù)是否合適如果所選擇的未知井眼參數(shù)不合適則重新選擇，直到σ_a1Gborn(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)-σ_a1VRM的絕對(duì)值最小，如果最小絕對(duì)值為零，則所選擇的未知井眼參數(shù)是合適的井眼參數(shù)，如果最小絕對(duì)值不為零，則通過(guò)實(shí)現(xiàn)最小兩個(gè)絕對(duì)值的點(diǎn)組成的區(qū)間，在區(qū)間內(nèi)插值計(jì)算獲得相應(yīng)子陣列的未知井眼參數(shù)，最后可以獲得井眼環(huán)境的所有參數(shù)σ_m，σ_t1，Cal，Ecc相應(yīng)井眼校正偽幾何因子G₁(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)。具體公式為：

σ_a1Gborn(σ_m,σ_t,Cal,Ecc)＝σ_m*G₁(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)+σ_t1*(1-G₁(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc))。

井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元1014，接收匹配數(shù)據(jù)以及井眼環(huán)境的參數(shù)中的泥漿電導(dǎo)率、井徑和偏心率的值；根據(jù)泥漿電導(dǎo)率、井徑和偏心率的值并調(diào)用井眼校正庫(kù)單元1012的數(shù)據(jù)通過(guò)計(jì)算依次獲得除了第一子陣列其他的X個(gè)子陣列ARRAYX井眼環(huán)境的參數(shù)，將X個(gè)子陣列ARRAYX的井眼環(huán)境的參數(shù)發(fā)送至井眼環(huán)境校正單元1015中。

具體地，由井眼環(huán)境ARRAY1計(jì)算單元1013計(jì)算的井眼參數(shù)σ_m，Cal，Ecc，預(yù)先設(shè)定的地層電導(dǎo)率值帶入井眼校正庫(kù)單元1012，選擇相應(yīng)的井眼校正偽幾何因子G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)(j＝2,3,......)，通過(guò)下式計(jì)算ARRAYX(X＝2,3,......)的視電導(dǎo)率σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)與ARRAYX的視電導(dǎo)率σ_ajVRM比較驗(yàn)證所選擇的地層電導(dǎo)率是否合適，如果所選擇的未知井眼參數(shù)不合適則重新選擇，直到σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)-σ_ajVRM的絕對(duì)值最小，如果最小絕對(duì)值為零，則預(yù)先設(shè)定的地層電導(dǎo)率值是合適的井眼參數(shù)，如果最小絕對(duì)值不為零，則通過(guò)實(shí)現(xiàn)最小兩個(gè)絕對(duì)值的點(diǎn)組成的區(qū)間，在區(qū)間內(nèi)通過(guò)插值計(jì)算獲得相應(yīng)X個(gè)子陣列的地層電導(dǎo)率σ_tj(j＝2,3,......)，最后可以獲得ARRAYX的井眼環(huán)境的參數(shù)和井眼校正偽幾何因子G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)。具體公式如下：

σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)＝σ_m*G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)+σ_tj*(1-G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc))。井眼環(huán)境校正單元1015，用于接收并根據(jù)第一子陣列ARRAY1的地層電導(dǎo)率和除了第一子陣列其他X個(gè)子陣列ARRAYX的地層電導(dǎo)率通過(guò)計(jì)算獲得井眼校正的數(shù)據(jù)，根據(jù)獲得的井眼校正數(shù)據(jù)形成測(cè)井曲線，測(cè)井曲線效果圖如圖10所示。

井眼環(huán)境校正單元1015，用于接收并根據(jù)第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境參數(shù)和除了第一子陣列其他X個(gè)子陣列ARRAYX的井眼環(huán)境參數(shù)通過(guò)計(jì)算獲得井眼校正量的數(shù)據(jù)Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)，

其中，井眼環(huán)境校正單元1015計(jì)算Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)具體公式如下：

Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)＝σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)-σ_tj。

上述井眼環(huán)境校正單元1015中進(jìn)行井眼校正的計(jì)算公式如下所示：

σ_jBHC＝σ_ajSKC-Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)

其中，σ_jBHC為經(jīng)過(guò)井眼校正后的j子陣列曲線，σ_ajSKC為趨膚校正后的j子陣列曲線，Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)為j子陣列的井眼影響值。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種井眼校正的方法的流程圖。如圖5所示，該方法包括步驟S501-S503：

步驟S501:接收陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào)，并對(duì)陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào)進(jìn)行趨膚效應(yīng)校正的初級(jí)處理，獲得趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)。

步驟S502:接收并對(duì)趨膚效應(yīng)校正測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行分辨率匹配處理，獲得匹配數(shù)據(jù)。

具體地，基于背景電導(dǎo)率值選擇相應(yīng)的差值濾波器，將相鄰子陣列中的差值信息通過(guò)差值濾波器濾出來(lái)，將差值信息迭加到具有低分辨率信息的子陣列上。

其中，差值濾波器按照如下公式計(jì)算：

其中，g_Born,Arrayi(z,σ_b)為子陣列縱向微分Born幾何因子實(shí)部，w(z',σ_b)為分辨率匹配差值濾波器，σ_b為相應(yīng)的背景電導(dǎo)率值，g_Born,Arrayi(z,σ_b)為低分辨率子陣列，為高分辨率子陣列，上述公式通過(guò)最小二乘優(yōu)化算法實(shí)現(xiàn)。

將差值濾波加載到高分辨率子陣列的曲線上獲得σ_ajSKC’，將原高分辨率曲線σ_ajSKC減去σ_ajSKC’獲得相鄰子陣列的差值信息Δσ_j,j+1，并將差值信息

迭加到低分辨率曲線上得到具有同一分辨率的曲線，具體如下式，

Δσ_j,j+1＝σ_ajSKC(z)-σ_ajSKC(z)'

σ_aj+1VRM(z)＝σ_aj+1SKC(z)+Δσ_j,j+1

σ_ajSKC’為差值濾波加載到高分辨率子陣列的曲線，j是子陣列標(biāo)號(hào)，SKC表示趨膚校正后的數(shù)據(jù)。這樣對(duì)第一子陣列和X個(gè)子陣列依次處理可以得到具有同一分辨率的Y條曲線，可以認(rèn)為分辨率匹配后的曲線受到同樣的圍巖影響，(Y為正整數(shù))。

步驟S503：根據(jù)分辨率匹配處理數(shù)據(jù)計(jì)算獲得陣列對(duì)應(yīng)的井眼環(huán)境數(shù)據(jù)并根據(jù)陣列對(duì)應(yīng)的井眼環(huán)境數(shù)據(jù)計(jì)算獲得井眼校正的數(shù)據(jù)。

具體地，根據(jù)匹配數(shù)據(jù)并估算出第一子陣列ARRAY1的地層電導(dǎo)率值，通過(guò)儀器測(cè)量獲得第一子陣列ARRAY1的井眼環(huán)境中的三個(gè)參數(shù)(泥漿、偏心和井徑)中的任意兩個(gè)參數(shù)。

接收匹配數(shù)據(jù)和第一子陣列ARRAY1的地層電導(dǎo)率值以及井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率的值中的中任意兩個(gè)已知值，一個(gè)未知值并調(diào)用井眼校正庫(kù)單元1012中的數(shù)據(jù)，計(jì)算獲得第一子陣列ARRAY1對(duì)應(yīng)的井徑、泥漿電導(dǎo)率值和偏心率的值。具體地，由地層初始模型估算單元1011選擇相應(yīng)子陣列ARRAY1的井眼校正偽幾何因子，若為常規(guī)校正，則直接帶入井眼環(huán)境校正單元1015計(jì)算井眼影響；若為一參數(shù)反演校正則通過(guò)將ARRAY1對(duì)應(yīng)的地層電導(dǎo)率和其他兩個(gè)已知井眼參數(shù)，一個(gè)未知井眼參數(shù)(未知井眼參數(shù)預(yù)先設(shè)定一個(gè)值)，通過(guò)下式計(jì)算相應(yīng)的視電導(dǎo)率σ_a1Gborn(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)與子陣列ARRAY1的視電導(dǎo)率σ_a1VRM對(duì)比確定未知井眼參數(shù)是否合適如果所選擇的未知井眼參數(shù)不合適則重新選擇，直到σ_a1Gborn(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)-σ_a1VRM的絕對(duì)值最小，如果最小絕對(duì)值為零，則所選擇的未知井眼參數(shù)是合適的井眼參數(shù)，如果最小絕對(duì)值不為零，則通過(guò)實(shí)現(xiàn)最小兩個(gè)絕對(duì)值的點(diǎn)組成的區(qū)間，在區(qū)間內(nèi)插值計(jì)算獲得相應(yīng)子陣列的未知井眼參數(shù)，最后可以獲得井眼環(huán)境的所有參數(shù)σ_m，σ_t1，Cal，Ecc相應(yīng)井眼校正偽幾何因子G₁(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)。具體公式為：

σ_a1Gborn(σ_m,σ_t,Cal,Ecc)＝σ_m*G₁(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)+σ_t1*(1-G₁(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc))

其中，σ_a1Gborn(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)為視電導(dǎo)率值，G₁(σ_m,σ_t1,Cal,Ecc)為井眼校正偽幾何因子。

根據(jù)泥漿電導(dǎo)率、井徑和偏心率的值并調(diào)用井眼校正庫(kù)單元1012的數(shù)據(jù)通過(guò)計(jì)算依次獲得除了第一子陣列其他的X個(gè)子陣列ARRAYX井眼環(huán)境的參數(shù)。具體地，預(yù)先設(shè)定的地層電導(dǎo)率值帶入井眼校正庫(kù)單元1012，選擇相應(yīng)的井眼校正偽幾何因子G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)(j＝2,3,......)，通過(guò)下式計(jì)算ARRAYX(X＝2,3,......)的視電導(dǎo)率σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)與ARRAYX的視電導(dǎo)率σ_ajVRM比較驗(yàn)證所選擇的地層電導(dǎo)率是否合適，如果所選擇的未知井眼參數(shù)不合適則重新選擇，直到σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)-σ_ajVRM的絕對(duì)值最小，如果最小絕對(duì)值為零，則預(yù)先設(shè)定的地層電導(dǎo)率值是合適的井眼參數(shù)，如果最小絕對(duì)值不為零，則通過(guò)實(shí)現(xiàn)最小兩個(gè)絕對(duì)值的點(diǎn)組成的區(qū)間，在區(qū)間內(nèi)通過(guò)插值計(jì)算獲得相應(yīng)N-1個(gè)子陣列的地層電導(dǎo)率σ_tj(j＝2,3,......)，最后可以獲得ARRAYX的井眼環(huán)境的參數(shù)和井眼校正偽幾何因子G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)。具體公式如下：

σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)＝σ_m*G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)+σ_tj*(1-G_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc))。其中，井眼環(huán)境校正單元1015計(jì)算Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)具體公式如下：

Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)＝σ_ajGborn(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)-σ_tj。

根據(jù)獲得的井眼校正量數(shù)據(jù)Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)，通過(guò)校正公式形成測(cè)井曲線，根據(jù)獲得的井眼校正數(shù)據(jù)形成測(cè)井曲線。

上述進(jìn)行井眼校正的計(jì)算公式如下所示：

σ_jBHC＝σ_ajSKC-Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)

其中，σ_jBHC為經(jīng)過(guò)井眼校正后的j子陣列曲線，σ_ajSKC為趨膚校正后的j子陣列曲線，Δσ_j(σ_m,σ_tj,Cal,Ecc)為j子陣列的井眼影響值。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種垂直分辨率匹配濾波器示意圖。如圖6所示，為垂直分辨匹配濾波器庫(kù)的波形圖示，包括：Array1-Array2濾波器、Array2-Array3濾波器、Array3-Array4濾波器、Array4-Array5濾波器和Array5-Array6濾波器。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種徑向侵入地層特征的擬合函數(shù)示意圖。如圖7所示，縱坐標(biāo)代表地層電導(dǎo)率值，橫坐標(biāo)代表徑向深度，所示圖像為各子陣列對(duì)不同徑向深度地層響應(yīng)的測(cè)量值擬合曲線。

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種井眼校正偽幾何因子示意圖。如圖8所示，縱坐標(biāo)為井眼影響偽幾何因子，縱坐標(biāo)為徑向探測(cè)深度。圖中包括Array1濾波器、Array2濾波器、Array3濾波器、Array4濾波器、Array5濾波器和Array6濾波器的井眼校正偽幾何因子圖像。

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種井眼校正效果示意圖。如圖10所示，某井為咸水泥漿，且圍巖地層為電阻率較高的碳酸鹽巖，只有在2170m到2220m之間為泥巖層段。圖9為一種現(xiàn)有方法的井眼校正效果示意圖，圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種井眼校正效果示意圖。可以看出由于井內(nèi)外電導(dǎo)率值的差異較大，短子陣列出現(xiàn)了子陣列亂序的現(xiàn)象，這是因?yàn)楝F(xiàn)有方法對(duì)測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)過(guò)校正造成的，經(jīng)過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種合理的井眼校正方法，短子陣列曲線保持正確的序列，反應(yīng)了井眼附近的地質(zhì)情況。

本發(fā)明的有益效果包括：第一、設(shè)置地層模型估算單元對(duì)于最短子陣列的地層電導(dǎo)率值估算，是通過(guò)多項(xiàng)式或者其他函數(shù)擬合經(jīng)過(guò)分辨率匹配的各子陣列視電導(dǎo)率值曲線和每個(gè)子陣列的徑向探測(cè)距離獲得方程σ_t(r)，通過(guò)一系列的數(shù)值實(shí)驗(yàn)計(jì)算選定某一徑向深度點(diǎn)rARRAY1的σ_t(rARRAY1)為ARRAY1的地層電導(dǎo)率值。由于短子陣列經(jīng)過(guò)趨膚校正和分辨率匹配校正，認(rèn)為短子陣列視電導(dǎo)率值與真實(shí)電導(dǎo)率值近似相等。

第二、本發(fā)明提供的系統(tǒng)及方法一定程度上反應(yīng)了地層的侵入特征，可以作為之后其他處理(侵入反演等)提供測(cè)井曲線質(zhì)量監(jiān)督。

第三、本發(fā)明提供的系統(tǒng)及方法通過(guò)計(jì)算擬合函數(shù)與視電導(dǎo)率值差值的平方評(píng)價(jià)測(cè)量曲線質(zhì)量，判斷壞的子陣列測(cè)量點(diǎn)進(jìn)行修正。

第四、本發(fā)明提供的系統(tǒng)及方法通過(guò)一參數(shù)反演獲得獲得ARRAY1的井眼參數(shù)更加簡(jiǎn)單可靠，因?yàn)锳RRAY1受到井眼的影響比其他子陣列更大，當(dāng)然如果ARRAY1數(shù)據(jù)由于噪聲影響或其他原因?qū)е聰?shù)據(jù)不可靠，也可以采用ARRAY2進(jìn)行井眼參數(shù)計(jì)算。

第五、本發(fā)明提供的系統(tǒng)及方法由于每個(gè)子陣列的地層電導(dǎo)率值存在差別，尤其當(dāng)小直徑陣列感應(yīng)測(cè)井處于井內(nèi)外電導(dǎo)率值差異較大或大井徑井眼內(nèi)時(shí)，此時(shí)徑向上存在明顯的侵入特征，因此，基于ARRAY1計(jì)算出可靠的井眼參數(shù)(σ_m，Cal，Ecc)經(jīng)過(guò)井眼環(huán)境ARRAYX計(jì)算單元單獨(dú)計(jì)算每個(gè)子陣列的地層電導(dǎo)率值σ_tj，可以一定程度上降低由于地層電導(dǎo)率值的誤差對(duì)井眼校正的影響。

以上所述的具體實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式而已，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。