專利名稱：有機發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及有機發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，更具體地，涉及具有電荷產(chǎn)生層的有機發(fā)光顯示設(shè)備和其制造方法。
背景技術(shù)：
電致發(fā)光(EL)設(shè)備為自發(fā)射顯示設(shè)備，由于其優(yōu)點如寬視角、高對比和短的響應(yīng)時間而倍受關(guān)注。根據(jù)用于形成EL設(shè)備的發(fā)射層的材料，將EL設(shè)備分為無機EL設(shè)備和有機EL設(shè)備。有機EL設(shè)備具有良好的亮度和驅(qū)動電壓以及短的響應(yīng)時間。有機EL設(shè)備還能顯示彩色圖象。
通常，有機發(fā)光顯示設(shè)備具有形成在襯底上的陽極。有機EL設(shè)備還包括依次堆疊在陽極上的空穴傳遞層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳遞層(ETL)和陰極。這里，HTL、EML和ETL包括由有機化合物形成的有機薄膜。
上面描述的有機EL設(shè)備可按如下工作。在陽極和陰極之間施加電壓。然后，通過空穴傳遞層從陽極注入空穴到發(fā)射層。通過電子傳遞層從陰極注入電子到發(fā)射層。電子和空穴在發(fā)射層中彼此再結(jié)合，由此形成具有激發(fā)能態(tài)的激子。激子在從激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時會使發(fā)射層的熒光分子發(fā)射光。
在頂部-發(fā)射型有機發(fā)光顯示設(shè)備中，設(shè)備外形越厚，微腔效應(yīng)就越好。微腔效應(yīng)是指從顯示設(shè)備發(fā)射的光的波長依賴于光在設(shè)備內(nèi)行進路徑的現(xiàn)象。另外，具有厚外形的設(shè)備可使粒子引起的圖象缺陷最小。
但是，當設(shè)備的總厚度增加時，會出現(xiàn)驅(qū)動電壓的增加，這可能是個問題。為了使它的效率最大化，需要提供一種合適的光路徑，其允許光具有最接近其原始波長的波長?？赏ㄟ^改變設(shè)備的有機層的厚度來調(diào)整光路徑。通常，有機層越厚，光波長越長。有機層的最厚部分是紅色(R)發(fā)射層，有機層的最薄部分是藍色(B)發(fā)射層。厚度范圍具有可優(yōu)選的周期厚度，并可得到最大光引出效率。一個周期厚度太薄而不能防止由于粒子引起的差的發(fā)射。二個周期厚度太厚而不能防止驅(qū)動電壓的升高，即使二個周期厚度可防止由于粒子引起的差的發(fā)射。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面提供一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括第一電極；第二電極；插在第一和第二電極之間的發(fā)射層；插在第一電極和發(fā)射層之間的第一空穴注入層；插在第一空穴注入層和發(fā)射層之間的第二空穴注入層；插在第一空穴注入層和第二空穴注入層之間的電荷產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層摻雜有p-型摻雜劑。
電荷產(chǎn)生層可包括用式1表示的化合物式1 其中R為腈基(-CN)、砜基(-SO2R’)、亞砜基(-SOR’)、砜酰胺基(-SO2NR’2)、磺酸基(-SO3R’)、硝基(-NO2)或三氟甲基(-CF3)；并且其中R’是具有1-60個碳原子且為未取代或被胺、酰胺、醚或酯取代的烷基、芳基或雜環(huán)基。
p-型摻雜劑可包括選自六腈基六氮雜三苯撐(hexanitrilehexaazatriphenylene)、四氟-四氰基喹啉并二甲烷(tetrafluoro-tetraacyanoquinodimethane，F(xiàn)4-TCNQ)、FeCl3、F16CuPc和金屬氧化物中的至少一種。金屬氧化物可包括選自氧化釩(V2O5)、氧化錸(Re2O7)和氧化銦錫(ITO)中的至少一種。p-型摻雜劑可具有最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級。第一和第二空穴注入層中的至少一個可包括具有最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級的材料。p-型摻雜劑的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級與第一和第二空穴注入層中至少一個的材料的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級之間的差可在約-2eV和約+2eV之間。
設(shè)備可包括大量像素，電荷產(chǎn)生層可形成至少兩個像素的共用層。電荷產(chǎn)生層可具有約10-約200的厚度。電荷產(chǎn)生層可具有約20-約80的厚度。
有機發(fā)光顯示設(shè)備還可包括插在第一電極和發(fā)射層之間的空穴傳遞層，和插在發(fā)射層和第二電極之間的空穴阻擋層、電子傳遞層和電子注入層中的至少一個。有機發(fā)光顯示設(shè)備還可包括插在第二電極和發(fā)射層之間的電子傳遞層。有機發(fā)光顯示設(shè)備還可包括襯底，其中第一電極形成在襯底上。有機發(fā)光顯示設(shè)備還可包括插在電子傳遞層和第二電極之間的電子注入層。有機發(fā)光顯示設(shè)備還可包括插在電子傳遞層和發(fā)射層之間的空穴阻擋層。
本發(fā)明的另一方面提供一種包括上述有機發(fā)光顯示設(shè)備的電子設(shè)備。
本發(fā)明的又一方面提供一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括在第一電極上形成第一空穴注入層；在第一空穴注入層上形成電荷產(chǎn)生層，電荷產(chǎn)生層摻雜有p-型摻雜劑；和在電荷產(chǎn)生層上形成第二空穴注入層。
該方法還可包括在第二空穴注入層上形成發(fā)射層；和在發(fā)射層上形成第二電極。該方法還可包括在形成第二空穴注入層后和形成發(fā)射層前形成空穴傳遞層；和在形成發(fā)射層后和形成第二電極前形成空穴阻擋層、電子傳遞層和電子注入層中的至少一個。
電荷產(chǎn)生層可包括用式1表示的化合物式1
其中R為腈基(-CN)、砜基(-SO2R’)、亞砜基(-SOR’)、砜酰胺基(-SO2NR’2)、磺酸基(-SO3R’)、硝基(-NO2)或三氟甲基(-CF3)；并且其中R’是具有1-60個碳原子且為未取代或被胺、酰胺、醚或酯取代的烷基、芳基或雜環(huán)基。
p-型摻雜劑可包括選自六腈基六氮雜三苯撐、四氟-四氰基喹啉并二甲烷(F4-TCNQ)、FeCl3、F16CuPc和金屬氧化物中的至少一種。金屬氧化物可為選自氧化釩(V2O5)、氧化錸(Re2O7)和氧化銦錫(ITO)中的至少一種。p-型摻雜劑可具有最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級。第一和第二空穴注入層中的至少一個可包括具有最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級的材料。p-型摻雜劑的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級與第一和第二空穴注入層中至少一個的材料的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級之間的差可在約-2eV和約+2eV之間。
形成電荷產(chǎn)生層可包括使用電阻加熱氣相沉積、電子束氣相沉積、激光束氣相沉積或濺射沉積。電荷產(chǎn)生層可具有約10-約200的厚度。
本發(fā)明的另一方面提供一種具有降低的驅(qū)動電壓的有機發(fā)光顯示設(shè)備和其制造方法。
本發(fā)明的又一方面提供一種在第一電極和第二電極之間具有發(fā)射層的有機發(fā)光顯示設(shè)備，該設(shè)備包括在第一電極和發(fā)射層之間的第一空穴注入層和第二空穴注入層；和在第一空穴注入層和第二空穴注入層之間的摻雜有p-型摻雜劑的電荷產(chǎn)生層。
本發(fā)明的還一方面提供制造在第一電極和第二電極之間具有發(fā)射層的有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括在第一電極上形成第一空穴注入層；在第一空穴注入層上形成摻雜有p-型摻雜劑的電荷產(chǎn)生層；和在電荷產(chǎn)生層上形成第二空穴注入層。


通過參考附圖詳細描述示例性實施方案將更清楚本發(fā)明的上述和其它方面，其中圖1為有機發(fā)光顯示設(shè)備的橫截面圖；和圖2A至2C為圖示根據(jù)一種實施方案制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法的橫截面圖。
具體實施例方式
下文中，將通過參考

某些發(fā)明實施方案來詳細描述本公開。
根據(jù)一種實施方案的在第一電極和第二電極之間具有發(fā)射層的有機電致發(fā)光(EL)顯示設(shè)備包括在第一電極和發(fā)射層之間的第一空穴注入層和第二空穴注入層。有機EL設(shè)備可在第一空穴注入層和第二空穴注入層之間包括電荷產(chǎn)生層。電荷產(chǎn)生層可摻雜有p-型摻雜劑。
根據(jù)這種實施方案的電荷產(chǎn)生層可包括用式1表示的化合物式1 在式1中，R為腈基(-CN)、砜基(-SO2R’)、亞砜基(-SOR’)、砜酰胺基(-SO2NR’2)、磺酸基(-SO3R’)、硝基(-NO2)或三氟甲基(-CF3)(其中R’是具有1-60個碳原子且為未取代或被胺、酰胺、醚或酯取代的烷基、芳基或雜環(huán)基)。式1的化合物的例子包括但不限于用下面的式表示的化合物
在上面的式中，R’是具有1-60個碳原子且為未取代或被胺、酰胺、醚或酯取代的烷基、芳基或雜環(huán)。用上面的式表示的形成電荷產(chǎn)生層的有機材料只用于說明目的，而不是限制于此。
電荷產(chǎn)生層中的p-型摻雜劑可為選自六腈基六氮雜三苯撐、四氟-四氰基喹啉并二甲烷(F4-TCNQ)、FeCl3、F16CuPc和金屬氧化物中的一種。金屬氧化物可為氧化釩(V2O5)、氧化錸(Re2O7)或氧化銦錫(ITO)。
p-型摻雜劑材料可為能級不同于第一和/或第二空穴注入層材料的能級的材料。p-型摻雜劑材料的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級和第一空穴注入層和/或第二空穴注入層材料的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級之間的差可為約-2eV到約+2eV。
例如，六氮雜三苯撐具有約9.6eV到約9.7eV的HOMO能級，和約5.5eV的LUMO能級。另外，四氟-四氰基喹啉并二甲烷(F4-TCNQ)具有約8.53eV的HOMO能級，和約6.23eV的LUMO能級。根據(jù)本實施方案的有機發(fā)光顯示設(shè)備中使用的第一和第二空穴注入層材料具有約4.5eV到約5.5eV的HOMO能級。因此，當使用六氮雜三苯撐作為p-型摻雜劑材料時，電荷產(chǎn)生層的LUMO能級和第一空穴注入層材料或第二空穴注入層材料的HOMO能級之間的差異為約-1.0eV到0eV。另外，當使用四氟-四氰基喹啉并二甲烷(F4-TCNQ)作為電荷產(chǎn)生層中的p-型摻雜劑材料時，電荷產(chǎn)生層的LUMO能級和第一空穴注入層或第二空穴注入層的HOMO能級之間的差異為約-0.73到約1.73eV。
通過使用電荷產(chǎn)生材料在第一空穴注入層和第二空穴注入層之間形成電荷產(chǎn)生層，可降低有機發(fā)光顯示設(shè)備的驅(qū)動電壓。
根據(jù)一種實施方案，可使用電阻加熱氣相沉積、電子束氣相沉積、激光束氣相沉積、濺射沉積等形成電荷產(chǎn)生層。電荷產(chǎn)生層可由用式1表示的化合物形成，其中式1中的R’是未取代的或被胺、酰胺、醚或酯取代的C5-C60烷基?？赏ㄟ^噴墨印刷、旋涂、刮涂、輥涂等形成電荷產(chǎn)生層。在這些方法中，使用溶液代替使用氣相沉積方法形成電荷產(chǎn)生層。
在一種實施方案中，電荷產(chǎn)生層可形成多個像素的每一個的共用層。電荷產(chǎn)生層可具有約10-約200的厚度，任選地約20-約80。當電荷產(chǎn)生層的厚度小于10時，電荷產(chǎn)生作用較低。當產(chǎn)生層的厚度大于200時，由于會出現(xiàn)泄漏電流而導(dǎo)致驅(qū)動電壓增加或串擾。
根據(jù)當前實施方案的有機發(fā)光顯示設(shè)備還可在第一電極和發(fā)射層之間包括空穴傳遞層。該設(shè)備還可在發(fā)射層和第二電極之間包括空穴阻擋層、電子傳遞層和電子注入層中的至少一個。
根據(jù)另一實施方案，提供制造在第一電極和第二電極之間具有發(fā)射層的有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括在第一電極上形成第一空穴注入層；在第一空穴注入層上形成摻雜有p-型摻雜劑的電荷產(chǎn)生層；和在電荷產(chǎn)生層上形成第二空穴注入層。現(xiàn)在將詳細描述根據(jù)目前實施方案的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
圖2A至2C圖示了根據(jù)一個實施方案的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。首先，在襯底上沉積陽極(第一電極)材料形成陽極。這里，可使用任何適用于有機發(fā)光顯示設(shè)備的襯底作為襯底。襯底的例子可包括但不限于具有良好透明度、表面光滑度、易處理性和防水性的玻璃或透明塑料襯底。陽極材料可包括高功函金屬(≥約4.5eV)或透明且高度導(dǎo)電的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)等。
第一空穴注入(HIL)層可形成在陽極上?？赏ㄟ^在高真空中熱蒸發(fā)空穴注入層材料來形成第一空穴注入層。在其它實施方案中，可使用溶液形式的材料。在這些實施方案中，可通過旋涂、浸涂、刮涂、噴墨印刷或熱轉(zhuǎn)移、有機氣相沉積(OVPD)等形成層。
如上所述，可使用真空熱沉積、旋涂等形成第一空穴注入層(HIL)。第一空穴注入層的厚度可為約100-約1500。當?shù)谝豢昭ㄗ⑷雽拥暮穸刃∮?00時，空穴注入特性下降。當?shù)谝豢昭ㄗ⑷雽拥暮穸却笥?500時，驅(qū)動電壓增加。在頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示設(shè)備的一種實施方案中，第一空穴注入層的厚度可在約1000-約1500的范圍內(nèi)。
第一空穴注入層材料的例子包括但不限于銅酞菁(CuPc)或星放射狀胺系列如TCTA、m-MTDATA、IDE406(可從日本東京IdemitsuKosan公司得到)等。下面是CuPc、TCTA和m-MTDATA的化學(xué)式。
可在第一空穴注入層上形成電荷產(chǎn)生層。形成電荷產(chǎn)生層的材料可為但不限于用如下式1表示的化合物
式1 在式1中，，R為腈基(-CN)、砜基(-SO2R’)、亞砜基(-SOR’)、砜酰胺基(-SO2NR’2)、磺酸基(-SO3R’)、硝基(-NO2)或三氟甲基(-CF3)。R’是具有1-60個碳原子且為未取代或被胺、酰胺、醚或酯取代的烷基、芳基或雜環(huán)基。
電荷產(chǎn)生層可摻雜有p-型摻雜劑。p-型摻雜劑可為選自六腈基六氮雜三苯撐、四氟-四氰基喹啉并二甲烷(F4-TCNQ)、FeCl3、F16CuPc和金屬氧化物中的至少一種。金屬氧化物可為氧化釩(V2O5)、氧化錸(Re2O7)或氧化銦錫(ITO)。
可通過使用電阻加熱氣相沉積、電子束氣相沉積、激光束氣相沉積、濺射等在第一空穴注入層上沉積電荷產(chǎn)生層材料來形成電荷產(chǎn)生層。電荷產(chǎn)生層可形成多個像素的共用層。電荷產(chǎn)生層可具有約10-約200的厚度，任選地約20-約80。當電荷產(chǎn)生層的厚度小于10時，電荷產(chǎn)生作用降低。當電荷產(chǎn)生層的厚度大于200時，驅(qū)動電壓增加。
可通過在電荷產(chǎn)生層上沉積第二空穴注入層材料形成第二空穴注入層(HIL)?？墒褂酶鞣N方法如真空熱沉積、旋涂等形成第二HIL。對第二空穴注入層的材料沒有特殊限制，但可與第一空穴注入層所用的材料相同。第二空穴注入層的厚度可為約50-約1000。
當?shù)诙昭ㄗ⑷雽拥暮穸刃∮?0時，空穴傳遞特性下降。當?shù)诙昭ㄗ⑷雽拥暮穸却笥?000時，驅(qū)動電壓增加。
可通過在第二空穴注入層上沉積空穴傳遞層材料任選地形成空穴傳遞層(HTL)?？墒褂酶鞣N方法如真空熱沉積、旋涂等形成HTL?？昭▊鬟f層材料的例子包括但不限于N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1-聯(lián)苯基]-4，4’-二胺(TPD)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基聯(lián)苯胺(α-NPD)、IDE 320(可從Idemitsu Kosan公司得到)等。空穴傳遞層的厚度可為約50-約500。
當空穴傳遞層的厚度小于50時，空穴傳遞特性下降。當空穴傳遞層的厚度大于500時，驅(qū)動電壓增加。
可在空穴傳遞層上形成發(fā)射層(EML)。對形成發(fā)射層的方法沒有特殊限制，可使用各種方法如真空沉積、噴墨印刷、激光感應(yīng)熱成像、光刻、有機氣相沉積(OVPD)等形成發(fā)射層。發(fā)射層的厚度可為約100-約800。
當發(fā)射層的厚度小于100時，其效率和壽命降低。當發(fā)射層的厚度大于800時，驅(qū)動電壓增加。可通過使用如上所述的真空沉積或旋涂在發(fā)射層上沉積形成空穴阻擋層(HBL)的材料來任選地形成HBL。對形成HBL的材料沒有特殊限制，但可為具有電子傳遞能力和電離勢比發(fā)射化合物高的材料。形成HBL的材料的例子包括Balq、BCP、TPBI等?？昭ㄗ钃鯇拥暮穸瓤蔀榧s30-約500。
當空穴阻擋層的厚度小于30時，空穴阻擋特性差，導(dǎo)致效率降低。當空穴阻擋層的厚度大于500時，驅(qū)動電壓增加。
可使用真空沉積或旋涂在空穴阻擋層上形成電子傳遞層(ETL)。對電子傳遞層的材料沒有特殊限制，并可為Alq3。電子傳遞層的厚度可為約50-約600。
當電子傳遞層的厚度小于50時，設(shè)備壽命減少。當電子傳遞層的厚度大于600時，驅(qū)動電壓增加。
另外，可在電子傳遞層上任選地形成電子注入層(EIL)。形成電子注入層的材料可為LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、Liq等。電子注入層的厚度可為約1-約100。
當電子注入層的厚度小于1時，不能有效地用作電子注入層。當電子注入層的厚度大于100時，其用作絕緣層，從而具有高的驅(qū)動電壓。
隨后，可通過在電子注入層上沉積用于形成陰極的金屬來形成陰極(或第二電極)?？墒褂谜婵諢岢练e、濺射、金屬-有機化學(xué)氣相沉積等形成陰極。用于形成陰極的金屬的例子包括但不限于鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)和鎂-銀(Mg-Ag)。
如上所述，根據(jù)本實施方案的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括陽極、第一空穴注入層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴注入層、空穴傳遞層、發(fā)射層、電子傳遞層、電子注入層和陰極。該設(shè)備還可在上述層兩個之間包括中間層。該設(shè)備還可在發(fā)射層和空穴傳遞層之間包括電子阻擋層。
下文中，將結(jié)合下面的實施例更詳細地描述本公開。這些實施例只用于說明性目的，并不意欲限制本發(fā)明的范圍。
實施例1將作為陽極的15Ω/cm2(1200)Corning ITO玻璃襯底(可從Corning，Inc.，Corning，NY得到)切至50mm×50mm×0.7mm，并分別在異丙醇和純水中各自用超聲波洗滌5分鐘，然后用UV和臭氧清洗30分鐘。
在襯底上真空沉積m-MTDATA形成1300厚的第一空穴注入層。使用電阻熱氣相沉積在第一空穴注入層上沉積作為形成電荷產(chǎn)生層的材料的六氮雜三苯撐至20的厚度。在電荷產(chǎn)生層上真空沉積銅m-MTDATA形成200厚的第二空穴注入層。在第二空穴注入層上真空沉積N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基聯(lián)苯胺(α-NPD)形成200厚的空穴傳遞層。
使用有機氣相沉積(OVPD)形成厚度約400的發(fā)射層。在發(fā)射層上沉積電子傳遞材料Alq3形成300厚的電子傳遞層。在電子傳遞層上依次真空沉積10的LiF(電子注入層)和200的Mg-Ag合金(陰極)形成LiF/Al電極，這樣就完成了有機發(fā)光顯示設(shè)備。
實施例2按與實施例1相同的方式制造有機發(fā)光顯示設(shè)備，除了電荷產(chǎn)生層的厚度為50。
實施例3按與實施例1相同的方式制造有機發(fā)光顯示設(shè)備，除了電荷產(chǎn)生層的厚度為80。
對比實施例1將作為陽極的15Ω/cm2(1200)Corning ITO玻璃襯底切至50mm×50mm×0.7mm，并分別在異丙醇和純水中各自用超聲波洗滌5分鐘，然后用UV和臭氧清洗30分鐘。
在襯底上真空沉積m-MTDATA形成1500厚的空穴注入層。在空穴注入層上真空沉積N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基聯(lián)苯胺(α-NPD)形成200厚的空穴傳遞層。
使用有機氣相沉積(OVPD)形成厚度約400的發(fā)射層。在發(fā)射層上沉積電子傳遞材料Alq3形成300厚的電子傳遞層。在電子傳遞層上依次真空沉積10的LiF(電子注入層)和200的Mg-Ag合金(陰極)形成LiF/Al電極，這樣就制造了如圖1所示的有機發(fā)光顯示設(shè)備。
測量根據(jù)實施例1至3和對比實施例1制造的有機發(fā)光顯示設(shè)備的驅(qū)動電壓、效率和壽命，結(jié)果顯示在下面的表1中。
表1

在實施例1至3中，驅(qū)動電壓為5.73-5.60V，在對比實施例1中，驅(qū)動電壓為7.59V。另外，在實施例1至3中，在1900cd/m2的亮度下的效率為27.18-26.90cd/A，在對比實施例1中，在1900cd/m2的亮度下的效率為26.85cd/A。
另外，壽命被定義為亮度降低至初始亮度50％所需要的時間。在實施例1至3中，在9500cd/m2下的壽命為約1500小時，在對比實施例1中，在9500cd/m2下的壽命為約1000小時。因此，可看出實施例1-3的壽命是對比實施例1的壽命的約1.5倍。
根據(jù)本公開的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括電荷產(chǎn)生層，從而降低了有機發(fā)光顯示設(shè)備的驅(qū)動電壓，并提高了其效率和壽命。
盡管參考示例性的實施方案具體地說明和描述了本公開，但本領(lǐng)域的那些普通技術(shù)人員能認識到，只要不脫離如下面的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍，可作出形式和細節(jié)上的各種變化。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括第一電極；第二電極；插在第一和第二電極之間的發(fā)射層；插在第一電極和發(fā)射層之間的第一空穴注入層；插在第一空穴注入層和發(fā)射層之間的第二空穴注入層；插在第一空穴注入層和第二空穴注入層之間的電荷產(chǎn)生層，該電荷產(chǎn)生層摻雜有p-型摻雜劑。
2.權(quán)利要求1的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中電荷產(chǎn)生層包括用式1表示的化合物式1 其中R為腈基(-CN)、砜基(-SO2R’)、亞砜基(-SOR’)、砜酰胺基(-SO2NR’2)、磺酸基(-SO3R’)、硝基(-NO2)或三氟甲基(-CF3)；和其中R’是具有1-60個碳原子且為未取代或被胺、酰胺、醚或酯取代的烷基、芳基或雜環(huán)基。
3.權(quán)利要求1的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中p-型摻雜劑包括選自六腈基六氮雜三苯撐、四氟-四氰基喹啉并二甲烷(F4-TCNQ)、FeCl3、F16CuPc和金屬氧化物中的至少一種。
4.權(quán)利要求3的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中金屬氧化物包括選自氧化釩(V2O5)、氧化錸(Re2O7)和氧化銦錫(ITO)中的至少一種。
5.權(quán)利要求1的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中p-型摻雜劑具有最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級，其中第一和第二空穴注入層中的至少一個包括具有最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級的材料，并且其中p-型摻雜劑的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級與第一和第二空穴注入層中至少一個的材料的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級之間的差在約-2eV和約+2eV之間。
6.權(quán)利要求1的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中該設(shè)備包括大量像素，并且其中電荷產(chǎn)生層形成至少兩個像素的共用層。
7.權(quán)利要求1的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中電荷產(chǎn)生層具有約10-約200的厚度。
8.權(quán)利要求1的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中電荷產(chǎn)生層具有約20-約80的厚度。
9.權(quán)利要求1的有機發(fā)光顯示設(shè)備，還包括插在第一電極和發(fā)射層之間的空穴傳遞層，和插在發(fā)射層和第二電極之間的空穴阻擋層、電子傳遞層和電子注入層中的至少一個。
10.權(quán)利要求1的有機發(fā)光顯示設(shè)備，還包括插在第二電極和發(fā)射層之間的電子傳遞層。
11.權(quán)利要求10的有機發(fā)光顯示設(shè)備，還包括襯底，其中第一電極形成在襯底上。
12.權(quán)利要求11的有機發(fā)光顯示設(shè)備，還包括插在電子傳遞層和第二電極之間的電子注入層。
13.權(quán)利要求12的有機發(fā)光顯示設(shè)備，還包括插在電子傳遞層和發(fā)射層之間的空穴阻擋層。
14.一種電子設(shè)備，包括權(quán)利要求1的有機發(fā)光顯示設(shè)備。
15.一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括在第一電極上形成第一空穴注入層；在第一空穴注入層上形成電荷產(chǎn)生層，該電荷產(chǎn)生層摻雜有p-型摻雜劑；和在電荷產(chǎn)生層上形成第二空穴注入層。
16.權(quán)利要求15的方法，還包括在第二空穴注入層上形成發(fā)射層；和在發(fā)射層上形成第二電極。
17.權(quán)利要求16的方法，還包括在形成第二空穴注入層后和形成發(fā)射層前形成空穴傳遞層；和在形成發(fā)射層后和形成第二電極前形成空穴阻擋層、電子傳遞層和電子注入層中的至少一個。
18.權(quán)利要求15的方法，其中電荷產(chǎn)生層包括用式1表示的化合物式1 其中R為腈基(-CN)、砜基(-SO2R’)、亞砜基(-SOR’)、砜酰胺基(-SO2NR’2)、磺酸基(-SO3R’)、硝基(-NO2)或三氟甲基(-CF3)；和其中R’是具有1-60個碳原子且為未取代或被胺、酰胺、醚或酯取代的烷基、芳基或雜環(huán)基。
19.權(quán)利要求15的方法，其中p-型摻雜劑包括選自六腈基六氮雜三苯撐、四氟-四氰基喹啉并二甲烷(F4-TCNQ)、FeCl3、F16CuPc和金屬氧化物中的至少一種。
20.權(quán)利要求19的方法，其中金屬氧化物為選自氧化釩(V2O5)、氧化錸(Re2O7)和氧化銦錫(ITO)中的至少一種。
21.權(quán)利要求15的方法，其中p-型摻雜劑具有最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級，其中第一和第二空穴注入層中的至少一個包括具有最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級的材料，并且其中p-型摻雜劑的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級與第一和第二空穴注入層中至少一個的材料的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級之間的差在約-2和約+2eV之間。
22.權(quán)利要求15的方法，其中形成電荷產(chǎn)生層包括使用電阻加熱氣相沉積、電子束氣相沉積、激光束氣相沉積或濺射沉積。
23.權(quán)利要求15的方法，其中電荷產(chǎn)生層具有約10-約200的厚度。
全文摘要
公開了一種在第一電極和第二電極之間具有發(fā)射層的有機發(fā)光顯示設(shè)備。該設(shè)備的一種實施方案包括在第一電極和發(fā)射層之間的第一空穴注入層和第二空穴注入層；和在第一空穴注入層和第二空穴注入層之間的摻雜有p－型摻雜劑的電荷產(chǎn)生層。該設(shè)備具有降低的驅(qū)動電壓和增強的效率和壽命。
文檔編號H01L51/56GK1988203SQ20061016908
公開日2007年6月27日 申請日期2006年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月20日
發(fā)明者千民承, 金美更, 金東憲, 孫正河, 郭在見 申請人:三星Sdi株式會社