一種防垢型止回閥的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種防垢型止回閥，包括閥體、設(shè)在閥體內(nèi)的閥座及中心軸，還包括設(shè)置在閥體內(nèi)的磁性材料，其磁性材料的磁場范圍作用于中心軸表面。在需要防垢的部位（中心軸）作用10～50高斯的弱磁場，既能保證止回閥的防垢，又能不影響止回閥的性能；其止回閥結(jié)構(gòu)簡單、密封性能好。
【專利說明】 一種防垢型止回閥
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于閥門技術(shù)，尤其涉及一種能防止閥門內(nèi)結(jié)垢的防垢型止回閥。
【背景技術(shù)】
[0002]在閥門行業(yè)中的止回閥，大部分應用于污水、原水系統(tǒng)中，會出現(xiàn)比較嚴重的結(jié)垢現(xiàn)象，尤其我國北方地區(qū)，水質(zhì)偏堿性、硬度偏高，結(jié)垢現(xiàn)象更為嚴重。此類水垢不同于高溫鍋爐等設(shè)備中的結(jié)垢，而是類似于以礦物質(zhì)結(jié)晶析出的方式附著于止回閥的中心軸上，附著力強難以清除，影響閥門密封，引起閥門卡阻，增加閥門啟閉扭矩，嚴重時閥門無法啟閉而功能失效。
[0003]目前常用而又環(huán)保的防垢方法是水磁化處理技術(shù)，采用的是10000高斯以上的強磁場防垢，這種強磁場防垢技術(shù)應用在閥門上，強磁場會影響到閥門的啟閉，反而造成雜物吸附等問題。因此，對于利用磁場對閥門的防垢還需進一步研究，使得既能保證閥門的防垢，又能不影響閥門的性能。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的就是針對上述缺陷，提供一種既能保證閥門的防垢，又能不影響閥門性能的防垢型止回閥。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:提供一種防垢型止回閥，包括閥體、設(shè)在閥體內(nèi)的閥座及中心軸，還包括設(shè)置在閥體內(nèi)的磁性材料，其磁性材料的磁場范圍作用于中心軸表面。
[0006]所述作用于中心軸表面磁場的強度為10?50高斯。
[0007]所述磁性材料設(shè)置在中心軸表面上。
[0008]所述磁性材料內(nèi)嵌在裸露的軸套內(nèi)表面。
[0009]所述設(shè)置在中心軸表面上的磁性材料為磁性材料層。
[0010]所述內(nèi)嵌在裸露的軸套內(nèi)表面的磁性材料為永磁體。
[0011]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果為:在需要防垢的部位(中心軸)作用10?50高斯的弱磁場，既能保證止回閥的防垢，又能不影響止回閥的性能；其止回閥結(jié)構(gòu)簡單、密封性能好。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明防垢型止回閥的示意圖。
【具體實施方式】
[0013]下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明。
[0014]如圖1所示的防垢止回閥，包括閥體301、設(shè)在閥體內(nèi)的閥座、中心軸302及設(shè)置在閥體內(nèi)的磁性材料，其主要結(jié)垢的零部件是中心軸302，中心軸302結(jié)垢后會引起閥門卡阻，經(jīng)常造成閥門無法開啟，從而造成閥門功能失效。因此，磁性材料的磁場范圍作用于中心軸表面，同時，磁場的強度為10?50高斯的弱磁場。
[0015]本實施例中的磁性材料可以是設(shè)置在中心軸302表面的磁性材料層，也可以是內(nèi)嵌在裸露的軸套內(nèi)表面的永磁體303，其中，裸露的軸套是裸露在閥體內(nèi)的軸套。
[0016]磁性材料層可以是附著、也可以是粘連在中心軸表面上；也可以在裸露的軸套內(nèi)開凹槽，將永磁體固定安裝在該凹槽內(nèi)。
[0017]使其達到中心軸表面的磁場強度為10?50高斯的弱磁場。如果磁場強度低于10高斯，磁場太弱則不能磁化部件附近介質(zhì)，如果磁場強度高于50高斯，磁場強度太高影響閥門啟閉、造成雜物吸附等問題。使中心軸周圍的水受到磁場的洛倫茲力作用，正、負離子分別按左、右旋螺線形軌跡運動，在其靜電引力作用下，互相結(jié)合，復合成“溶解狀態(tài)的溶質(zhì)分子”，“溶解狀態(tài)的溶質(zhì)分子”在水中析出大量微小的結(jié)晶核，在析晶過程中晶核不斷長大，而晶體的生長速率小于成核速率，形成了大量微晶體，且微晶體的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，有效降低多個微晶體結(jié)合形成大結(jié)晶體的概率，微晶體最后成為顆粒狀態(tài)的水垢，且分布比較松散，隨著循環(huán)水的流動，失去了與器壁吸附的能力。因此，保護了中心軸2表面不結(jié)垢，又不至于影響閥門的啟閉性能。
[0018]實施例1
[0019]止回閥A:中心軸裸露的軸套內(nèi)表面嵌有永磁體,其磁場強度為10?50高斯,優(yōu)選為10?20高斯；
[0020]止回閥B:常規(guī)止回閥。
[0021]將止回閥A和止回閥B置于相同條件的水中，兩個月后發(fā)現(xiàn)止回閥A的中心軸表面無任何水垢，且密封性能良好，而止回閥B的中心軸表面結(jié)有約Imm厚的水垢，且在低壓時出現(xiàn)滲漏，該水垢也不易清除。
[0022]實施例2
[0023]止回閥A:中心軸裸露的軸套內(nèi)表面嵌有永磁體,其磁場強度為10?50高斯,優(yōu)選為25?35高斯；；
[0024]止回閥B:常規(guī)止回閥。
[0025]將止回閥A和止回閥B置于相同條件的水中，兩個月后發(fā)現(xiàn)止回閥A的中心軸表面無任何水垢，且密封性能良好，而止回閥B的中心軸表面結(jié)有約Imm厚的水垢，且在低壓時出現(xiàn)滲漏，該水垢也不易清除。
[0026]實施例3
[0027]止回閥A:中心軸裸露的軸套內(nèi)表面嵌有永磁體,其磁場強度為10?50高斯,優(yōu)選為25?45高斯；；
[0028]止回閥B:常規(guī)止回閥。
[0029]將止回閥A和止回閥B置于相同條件的水中，兩個月后發(fā)現(xiàn)止回閥A的中心軸表面無任何水垢，且密封性能良好，而止回閥B的中心軸表面結(jié)有約Imm厚的水垢，且在低壓時出現(xiàn)滲漏，該水垢也不易清除。
[0030]實施例4
[0031]止回閥A:中心軸裸露的軸套內(nèi)表面嵌有永磁體,其磁場強度為10?50高斯,優(yōu)選為30?50高斯；；[0032]止回閥B:常規(guī)止回閥。
[0033]將止回閥A和止回閥B置于相同條件的水中，兩個月后發(fā)現(xiàn)止回閥A的中心軸表面無任何水垢，且密封性能良好，而止回閥B的中心軸表面結(jié)有約Imm厚的水垢，且在低壓時出現(xiàn)滲漏，該水垢也不易清除。
[0034]上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的【具體實施方式】，上述的【具體實施方式】僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種防垢型止回閥，包括閥體、設(shè)在閥體內(nèi)的閥座及中心軸，其特征在于，還包括設(shè)置在閥體內(nèi)的磁性材料，其磁性材料的磁場范圍作用于中心軸表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防垢型止回閥，其特征在于，所述作用于中心軸表面磁場的強度為10?50高斯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防垢型止回閥，其特征在于，所述磁性材料設(shè)置在中心軸表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防垢型止回閥，其特征在于，所述磁性材料內(nèi)嵌在裸露的軸套內(nèi)表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防垢型止回閥，其特征在于，所述設(shè)置在中心軸表面上的磁性材料為磁性材料層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防垢型止回閥，其特征在于，所述內(nèi)嵌在裸露的軸套內(nèi)表面的磁性材料為永磁體。
【文檔編號】F16K15/03GK103470820SQ201310428957
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月18日
【發(fā)明者】李習洪, 何銳, 徐夢欣 申請人:武漢大禹閥門股份有限公司