雙桿多級(jí)繞射無(wú)源單控變阻尼磁流變阻尼器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及變阻尼磁流變液儀器領(lǐng)域，特指一種雙桿多級(jí)繞射無(wú)源單控變阻尼磁流變阻尼器。
【背景技術(shù)】
[0002]磁流變阻尼器是一種廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、建筑等結(jié)構(gòu)減振控制領(lǐng)域中的半主動(dòng)減振儀器，具有體積小、響應(yīng)快、阻尼力可調(diào)等特點(diǎn)。現(xiàn)有技術(shù)的磁流變阻尼器工作原理基本相同，即利用勵(lì)磁線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)改變?cè)诤愣üぷ鏖g隙中流動(dòng)的磁流變液的剪切屈服強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)阻尼力的控制。雖然現(xiàn)有的磁流變阻尼器實(shí)現(xiàn)了變阻尼，但仍存在著一定的缺陷:(I)工作間隙恒定，阻尼力調(diào)節(jié)范圍有限；(2)勵(lì)磁線圈通電時(shí)耗能多，斷電時(shí)又導(dǎo)致流變液中顆粒沉降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明需解決的技術(shù)問(wèn)題是:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的工作間隙恒定、耗能多等技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、漸變工作間隙、無(wú)顆粒沉降零耗能的磁流變阻尼器。
[0004]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提出的解決方案為:雙桿多級(jí)繞射無(wú)源單控變阻尼磁流變阻尼器，它包括流變液缸體、兩組結(jié)構(gòu)相同對(duì)稱裝設(shè)于所述流變液缸體兩端的端蓋模塊、兩組結(jié)構(gòu)相同對(duì)稱裝設(shè)于所述流變液缸體內(nèi)部的繞射磁鐵活塞模塊；所述流變液缸體為內(nèi)部空心的圓柱體。
[0005]本發(fā)明的端蓋模塊包括端蓋本體、設(shè)于所述端蓋本體中心處的軸承孔、裝設(shè)于所述軸承孔內(nèi)的軸承、密封所述軸承孔的密封裝置；所述繞射磁鐵活塞模塊包括繞射活塞、一端設(shè)有所述繞射活塞另一端通過(guò)所述密封裝置和軸承伸到所述流變液缸體外部的活塞桿、裝設(shè)于所述繞射活塞側(cè)面凹槽內(nèi)的活塞磁鐵、裝設(shè)于所述活塞磁鐵上的磁鐵保護(hù)層。
[0006]本發(fā)明的繞射活塞上設(shè)有蛇形彎曲、內(nèi)徑漸變的多級(jí)繞射孔；所述多級(jí)繞射孔的一端入口直徑較大，為工作間隙大口，另一端的入口直徑較小，為工作間隙小口 ；所述繞射磁鐵活塞模塊將所述流變液缸體分割為流變液中心室和流變液側(cè)室。
[0007]所述繞射活塞的直徑等于所述流變液缸體的內(nèi)徑，磁流變液通過(guò)所述多級(jí)繞射孔在所述流變液側(cè)室、所述流變液中心室之間流動(dòng)；兩組所述繞射磁鐵活塞模塊向外運(yùn)動(dòng)時(shí)，所述流變液中心室的磁場(chǎng)強(qiáng)度將減小。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明的雙桿多級(jí)繞射無(wú)源單控變阻尼磁流變阻尼器設(shè)有活塞磁鐵，兩組繞射磁鐵活塞模塊向外運(yùn)動(dòng)時(shí)，磁場(chǎng)強(qiáng)度減??；本發(fā)明的繞射活塞設(shè)有內(nèi)徑漸變的多級(jí)繞射孔，兩活塞向外運(yùn)動(dòng)時(shí)，阻尼力減小，反之阻尼力增加。由此可知，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、實(shí)現(xiàn)了漸變工作間隙和變磁場(chǎng)強(qiáng)度控制阻尼力的大小、節(jié)約了能量，有效防止了顆粒沉降。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是本發(fā)明的雙桿多級(jí)繞射無(wú)源單控變阻尼磁流變阻尼器的結(jié)構(gòu)原理示意圖。
[0010]圖中，I一流變液缸體；2—端蓋模塊；21 —端蓋本體；22—軸承孔；23—軸承；24—密封裝置；3—繞射磁鐵活塞模塊；31—繞射活塞；32—活塞桿；33—活塞磁鐵；34—磁鐵保護(hù)層；35—多級(jí)繞射孔；351—工作間隙大口 ；352—工作間隙小口 ；41 一流變液中心室；42—流變液側(cè)室。
【具體實(shí)施方式】
[0011]以下將結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0012]參見(jiàn)圖1所示，本發(fā)明的雙桿多級(jí)繞射無(wú)源單控變阻尼磁流變阻尼器，包括流變液缸體1、兩組結(jié)構(gòu)相同對(duì)稱裝設(shè)于流變液缸體I兩端的端蓋模塊2、兩組結(jié)構(gòu)相同對(duì)稱裝設(shè)于流變液缸體I內(nèi)部的繞射磁鐵活塞模塊3 ;流變液缸體I為內(nèi)部空心的圓柱體。
[0013]參見(jiàn)圖1所示，端蓋模塊2包括端蓋本體21、設(shè)于端蓋本體21中心處的軸承孔22、裝設(shè)于軸承孔22內(nèi)的軸承23、密封軸承孔22的密封裝置24 ;繞射磁鐵活塞模塊3包括繞射活塞31、一端設(shè)有繞射活塞31另一端通過(guò)密封裝置24和軸承23伸到流變液缸體I外部的活塞桿32、裝設(shè)于繞射活塞31側(cè)面凹槽內(nèi)的活塞磁鐵33、裝設(shè)于活塞磁鐵33上的磁鐵保護(hù)層34。
[0014]參見(jiàn)圖1所示，繞射活塞31上設(shè)有蛇形彎曲、內(nèi)徑漸變的多級(jí)繞射孔35 ;多級(jí)繞射孔35的一端入口直徑較大，為工作間隙大口 351，另一端的入口直徑較小，為工作間隙小口 352 ;繞射磁鐵活塞模塊3將流變液缸體I分割為流變液中心室41和流變液側(cè)室42 ?’繞射活塞31的直徑等于流變液缸體I的內(nèi)徑，磁流變液通過(guò)多級(jí)繞射孔35在流變液側(cè)室42、流變液中心室41之間流動(dòng)；兩組繞射磁鐵活塞模塊3向外運(yùn)動(dòng)時(shí)，流變液中心室41的磁場(chǎng)強(qiáng)度將減小。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.雙桿多級(jí)繞射無(wú)源單控變阻尼磁流變阻尼器，其特征在于:包括流變液缸體(I)、兩組結(jié)構(gòu)相同對(duì)稱裝設(shè)于所述流變液缸體(I)兩端的端蓋模塊(2)、兩組結(jié)構(gòu)相同對(duì)稱裝設(shè)于所述流變液缸體(I)內(nèi)部的繞射磁鐵活塞模塊(3);所述流變液缸體(I)為內(nèi)部空心的圓柱體；所述端蓋模塊(2)包括端蓋本體(21)、設(shè)于所述端蓋本體(21)中心處的軸承孔(22)、裝設(shè)于所述軸承孔(22)內(nèi)的軸承(23)、密封所述軸承孔(22)的密封裝置(24);所述繞射磁鐵活塞模塊(3)包括繞射活塞(31)、一端設(shè)有所述繞射活塞(31)另一端通過(guò)所述密封裝置(24)和軸承(23)伸到所述流變液缸體(I)外部的活塞桿(32)、裝設(shè)于所述繞射活塞(31)側(cè)面凹槽內(nèi)的活塞磁鐵(33)、裝設(shè)于所述活塞磁鐵(33)上的磁鐵保護(hù)層(34);所述繞射活塞(31)上設(shè)有蛇形彎曲、內(nèi)徑漸變的多級(jí)繞射孔(35);所述多級(jí)繞射孔(35)的一端入口直徑較大，為工作間隙大口(351)，另一端的入口直徑較小，為工作間隙小口(352);所述繞射磁鐵活塞模塊(3)將所述流變液缸體(I)分割為流變液中心室(41)和流變液側(cè)室(42);所述繞射活塞(31)的直徑等于所述流變液缸體(I)的內(nèi)徑，磁流變液通過(guò)所述多級(jí)繞射孔(35)在所述流變液中心室(41)、所述流變液側(cè)室(42)間流動(dòng)；兩組所述繞射磁鐵活塞模塊⑶向外運(yùn)動(dòng)時(shí)，所述流變液中心室(41)的磁場(chǎng)強(qiáng)度將減小。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了雙桿多級(jí)繞射無(wú)源單控變阻尼磁流變阻尼器，屬于變阻尼磁流變液儀器領(lǐng)域。它包括流變液缸體、兩組結(jié)構(gòu)相同對(duì)稱裝設(shè)于流變液缸體兩端的端蓋模塊、兩組結(jié)構(gòu)相同對(duì)稱裝設(shè)于流變液缸體內(nèi)部的繞射磁鐵活塞模塊；流變液缸體為內(nèi)部空心的圓柱體；繞射磁鐵活塞模塊包括繞射活塞、活塞桿、裝設(shè)于繞射活塞側(cè)面凹槽內(nèi)的活塞磁鐵、裝設(shè)于活塞磁鐵上的磁鐵保護(hù)層；繞射活塞上設(shè)有蛇形彎曲、內(nèi)徑漸變的多級(jí)繞射孔；多級(jí)繞射孔的一端入口直徑較大，為工作間隙大口，另一端的入口直徑較小，為工作間隙小口。本發(fā)明是一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、漸變工作間隙、無(wú)顆粒沉降零耗能的磁流變阻尼器。
【IPC分類】F16F9/53
【公開(kāi)號(hào)】CN105041955
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510428831
【發(fā)明人】班書(shū)昊, 李曉艷, 蔣學(xué)東, 華同曙, 席仁強(qiáng), 譚鄒卿
【申請(qǐng)人】常州大學(xué)
【公開(kāi)日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年7月20日