專利名稱：非破壞性接觸的檢測方法及其檢測設備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非破壞性接觸的檢測方法及其檢測設備，特別是涉及一種可以避免待測物在測量期間被破壞，可使待測物在檢測之后仍可正常動作，而具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值的非破壞性接觸的檢測方法(non-destructive contact test)及其檢測設備。
背景技術(shù)：
通常在產(chǎn)品制造期間或完成后都會進行各項檢測，而針對產(chǎn)品本身是否受到傷害來分類，則可分為破壞性檢測與非破壞性檢測兩種測試方法。其中，非破壞性檢測方法因為不會對產(chǎn)品造成傷害，所以較常應用于制造期間的檢測，以使通過檢測的半成品能繼續(xù)進行制作。然而，目前仍有部分需直接接觸待測物的檢測無法做到非破壞性檢測。
舉例來說，現(xiàn)有技術(shù)中尚無法提出實用的有機發(fā)光二極管(organiclight emitting diode，簡稱OLED)陣列(array)檢測方式，因為有機發(fā)光二極管的陣列基板在完成之后且尚未形成各有機官能層之前，其中所留下與有機發(fā)光二極管相連接的銦錫氧化物(ITO)陽極是電性浮置(floating)的狀態(tài)。如果要測量畫素(pixel)的驅(qū)動電路是否正常動作及均勻性，則需在ITO端提供一個電極，但如果用一般探針作實際的接觸，將會對ITO造成破壞，使最終所制作出的有機發(fā)光二極管無法正常動作。
由此可見，上述現(xiàn)有的非破壞性檢測方法及其檢測設備仍然存在有缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決現(xiàn)有的非破壞性檢測方法及其檢測設備的缺陷，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發(fā)展完成，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的非破壞性檢測方法及其檢測設備存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設計制造多年豐富的實務經(jīng)驗及專業(yè)知識，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設一種新的非破壞性接觸的檢測方法及其檢測設備，能夠改進一般現(xiàn)有的非破壞性檢測方法及其檢測設備，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設計，并經(jīng)反復試作及改進后，終于創(chuàng)設出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的非破壞性檢測方法存在的缺陷，而提供一種新的非破壞性接觸的檢測萬法，所要解決的技術(shù)問題是使其可以避免待測物在測量期間被破壞，而具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種非破壞性接觸的檢測方法，所要解決的技術(shù)問題是使其可以使待測物在檢測之后仍可正常動作。
本發(fā)明的再一目的在于，克服現(xiàn)有的非破壞性檢測設備存在的缺陷，而提供一種新的非破壞性接觸的檢測設備，所要解決的技術(shù)問題是使其可避免待測物在測量期間被破壞，而具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
本發(fā)明的還一目的在于，提供一種非破壞性接觸的檢測設備，所要解決的技術(shù)問題是使其使待測物在檢測之后仍可正常動作，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種非破壞性接觸的檢測方法，適于在一檢測溫度下檢測一待測物的電氣特性，該非破壞性接觸的檢測方法包括以下步驟提供一檢測設備，其包括有一導體，其中該導體在該檢測溫度下呈液態(tài)；以及使用該導體接觸于該待測物的表面，用以檢測該待測物的電氣特性。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的非破壞性接觸的檢測方法，其中所述的導體的熔點低于該檢測溫度，且該導體在低于該檢測溫度的溫度下為固態(tài)，其中使用該導體接觸該待測物的表面前，更包括對該導體進行一加熱步驟，以使該導體成為液態(tài)。
前述的非破壞性接觸的檢測方法，其中所述的導體在低于該檢測溫度的溫度下為液態(tài)，其中該導體包括汞。
前述的非破壞性接觸的檢測方法，其中所述的呈液態(tài)的該導體是藉由真空吸引的方式調(diào)整其高度。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種非破壞性接觸的檢測方法，適于在一檢測溫度下檢測一主動元件陣列的電氣特性，該主動元件陣列上具有復數(shù)個畫素，該非破壞性接觸的檢測方法包括以下步驟a、提供一檢測設備，該檢測設備具有復數(shù)個導體，其中該些導體在該檢測溫度下呈液態(tài)；b、使該些導體接觸部分該些畫素的表面；以及c、藉由該些導體檢測該些畫素的電氣特性。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的非破壞性接觸的檢測方法，其中在步驟c之后更包括d、移動該檢測裝置；以及重復步驟b～d，直到該些導體檢測到每一該些畫素。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種非破壞性接觸的檢測設備，適于在一檢測溫度下檢測一待測物的電氣特性，該非破壞性接觸的檢測設備包括一主體，具有至少一個開口；以及至少一導體，其在該檢測溫度下呈液態(tài)，該導體經(jīng)由該開口曝露于該主體之外，用以接觸該待測物的表面。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的非破壞性接觸的檢測設備，其中所述的導體的熔點低于該檢測溫度，其中該導體在低于該檢測溫度的溫度下為固態(tài)時，更包括一加熱裝置，與該主體相連，用以加熱該些導體。
前述的非破壞性接觸的檢測設備，其中所述的導體在低于該檢測溫度的溫度下為液態(tài)，其中該導體包括汞。
前述的非破壞性接觸的檢測設備，其更包括一真空系統(tǒng)，以藉由真空吸引的方式調(diào)整呈液態(tài)的該導體的高度。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種非破壞性接觸的檢測方法，適于在一檢測溫度下檢測一待測物的電氣特性，該檢測方法是提供一檢測設備，該檢測設備具有呈液態(tài)的一導體，先使用呈液態(tài)的導體接觸待測物表面，再經(jīng)由呈液態(tài)的導體來檢測待測物的電氣特性，以判斷待測物是否故障。
本發(fā)明又提出一種非破壞性接觸的檢測方法，適于在一檢測溫度下檢測一主動元件陣列的電氣特性，該主動元件陣列上具有復數(shù)個畫素，而這種非破壞性接觸的檢測方法，包括先使用呈液態(tài)的復數(shù)個導體接觸畫素的表面，再藉由呈液態(tài)的導體檢測畫素的電氣特性，以找出畫素中的故障。
本發(fā)明另外還提出一種非破壞性接觸的檢測方法，適于在一檢測溫度下檢測具有復數(shù)個畫素的一主動元件陣列的電氣特性，該檢測方法包括以下步驟a、提供一檢測設備，該檢測設備具有復數(shù)個呈液態(tài)的導體。之后，b、使檢測設備的呈液態(tài)的導體接觸部分畫素的表面。接著，c、藉由呈液態(tài)的導體檢測待測物的電氣特性，以判斷畫素中是否有故障。
本發(fā)明再提出一種非破壞性接觸的檢測設備，適于在一檢測溫度下檢測一待測物的電氣特性，該檢測設備包括一主體以及呈液態(tài)的導體，其中主體具有至少一個開口。而呈液態(tài)的導體經(jīng)由開口曝露于主體之外，用以接觸待測物的表面。
經(jīng)以上述可知，本發(fā)明非破壞性接觸的檢測方法，適于在一檢測溫度下檢測一待測物的電氣特性，該檢測方法是先使用呈液態(tài)的一導體接觸待測物表面，再經(jīng)由呈液態(tài)的導體來檢測待測物的電氣特性，以判斷待測物是否故障。由于呈液態(tài)的導體在接觸到待測物時不會傷害其表面，因此可以確保完成后的產(chǎn)品能夠正常動作。
本發(fā)明因為采用較低阻值與低熔點的導體，利用加熱或其它方式使導體變成液態(tài)，此種液體因內(nèi)聚力(cohesion)形成水珠狀，利用水珠狀液態(tài)的導體當作與待測物相連接的介質(zhì)，如此可以避免現(xiàn)有習知技術(shù)中因使用探針接觸所造成的待測物破壞，又可避免所串接的阻值過大，所造成檢測上的誤差。
綜上所述，本發(fā)明新穎特殊結(jié)構(gòu)的非破壞性接觸的檢測方法及其檢測設備，可以避免待測物在測量期間被破壞，而具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值；可以使待測物在檢測之后仍可正常動作，從而更加適于實用。其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并在同類方法、設備中未見有類似的設計公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在方法、結(jié)構(gòu)上或功能上皆有較大的改進，在技術(shù)上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的非破壞性檢測方法及其檢測設備具有增進的多項功效，從而更加適于實用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。


圖1是一種主動元件陣列的俯視示意圖。
圖2是依照本發(fā)明一第一實施例的非破壞性接觸的檢測設備在進行檢測時的立體示意圖。
圖3A與圖3B是依照本發(fā)明一第二實施例的非破壞性接觸的檢測設備在進行檢測時的流程俯視示意圖。
圖4是衣照本發(fā)明第二實施例的非破壞性接觸的檢測設備的立體示意圖。
圖5是依照本發(fā)明第三實施例的非破壞性接觸的檢測設備的立體示意圖。
10基板 100，300陣列(數(shù)組)102掃描配線 104資料配線106畫素電極 108主動元件110，302畫素200，310檢測設備202，311主體204，304開口210電氣特性檢測裝置 212，312導體214，314導線216，316探針具體實施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的非破壞性接觸的檢測方法及其檢測設備其具體方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
本發(fā)明的概念是針對電氣特性檢測的方式作改良，以避免待測物在測量期間被破壞，以下兩個實施例是以主動元件陣列為例。然而在此揭露的僅是其中數(shù)種應用方法，但是應可理解這些實施例是用來舉例之用，而非用以限制本發(fā)明的范圍。
第一實施例圖1是一種主動元件陣列的俯視示意圖。請參閱圖1所示，一般的主動元件陣列100，基本上包括有掃描配線(scan line)102、資料配線(dataline)104、畫素電極106以及主動元件108，其中畫素電極106的材質(zhì)例如是銦錫氧化物(ITO)。而且，掃描配線102與資料配線(即數(shù)據(jù)配線)104定義出復數(shù)個畫素110，畫素電極106即位于每一個畫素110之中，而主動元件108則與掃描配線102、資料配線104及畫素電極106彼此電性相連。如欲檢測本圖中的每一畫素110的驅(qū)動電路是否正常動作及均勻性，則請參閱圖2所示。
圖2是依照本發(fā)明的一第一實施例的非破壞性接觸的檢測設備在進行檢測時的立體示意圖，其中待測物是圖1的II-II剖面的主動元件陣列100的畫素電極106。
請參閱圖2所示，本實施例的非破壞性接觸的檢測設備200適于在一檢測溫度下檢測待測物(即畫素電極106)，該一檢測設備200，包括有一主體202，其具有一開口204以及一電氣特性檢測裝置210，其具有一導體212，且導體212在檢測溫度下呈液態(tài)，其中主體202例如是一移動式裝置，而開口204的形狀可以作各種變形，較佳為圓形。再者，電氣特性檢測裝置210是設置于主體202內(nèi)，且當主體202的材質(zhì)為絕緣材質(zhì)時，電氣特性檢測裝置210更可包括一導線214，其中導體212是經(jīng)由開口204曝露于主體202之外，而接觸畫素電極106表面，導線214則與導體212電性相連。再者，導體212因其內(nèi)聚力(cohesion)作用，而可在檢測時維持水珠狀。而且，導體212的熔點需低于檢測溫度，以在檢測時呈液態(tài)。特別是以本實施例的待測物(即ITO畫素電極106)為例，導體212的熔點需低于攝氏400度，以避免待測物因受熱而變質(zhì)。另外，假使導體212在低于檢測溫度的溫度下為固態(tài)時，可以在檢測設備200中加裝一加熱裝置(圖中未示)，與主體202相連，用以在使用導體212接觸畫素110表面之前，加熱檢測前呈固態(tài)的導體212使其成為液態(tài)；反之，假使導體212在低于檢測溫度的溫度下為液態(tài)，如汞(Hg)則不需加熱裝置。
請繼續(xù)參閱圖2所示，利用本圖的檢測設備200進行檢測時，是先使用呈液態(tài)的導體212接觸形成于基板10上的畫素110中的畫素電極106表面，再藉由呈液態(tài)的導體212檢測其電氣特性，以找出畫素110中的故障。另外，電氣特性檢測裝置210還可以加裝一探針216，該探針216是連接于導線214與呈液態(tài)的導體212。此外，本圖的檢測設備200更可以加裝一真空系統(tǒng)(圖中未示)，以藉由真空吸引的方式調(diào)整導體212的高度。再者，可利用檢測設備200的移動，調(diào)整導體212與畫素110中的畫素電極106的接觸程度。
第二實施例圖3A與圖3B是依照本發(fā)明的一第二實施例的非破壞性接觸的檢測設備在進行檢測時的流程俯視示意圖。請首先參閱圖3A所示，當待測物是由多個畫素302所組成的主動元件陣列300時，可在一檢測溫度下先提供一檢測設備310，該檢測設備310具有復數(shù)個導體312，其中導體312在檢測溫度下呈液態(tài)。之后，使導體312接觸部分的畫素302的表面。接著，藉由導體312檢測畫素302的電氣特性，以判斷其中是否有故障者。此時，從本圖來看，仍有許多畫素302未被檢測。因此，需進行下一步驟。
請參閱圖3B所示，將檢測設備310向右移動一個畫素302的距離，再重復圖3A的檢測方法，其中圖中標示有陰影的畫素302為已經(jīng)經(jīng)過檢測的畫素。因此可以推知，只要移動檢測設備310直到導體312檢測到每一畫素302，即可完成整個陣列300的電氣特性檢測。而本實施例的檢測設備310的立體示意圖如下。
圖4是依照本發(fā)明的第二實施例的非破壞性接觸的檢測設備的立體示意圖。請參閱圖4所示，本實施例的非破壞性接觸的檢測設備310與圖2類似，其中包括具有復數(shù)個開口304的主體311以及復數(shù)個導體312，且導體312在檢測溫度下呈液態(tài)，其中導體312是經(jīng)由開口304曝露于主體311之外，導體312適于接觸待測物(即畫素302)表面，且當主體311的材質(zhì)為導電材質(zhì)時，檢測設備310更可包括一共享導線314，其與主體311相連，以供應相同電壓至導體312。其中，本實施例的開口304例如是以矩陣的方式分布，其排列需配合待測物的形狀與分布作改變，譬如設定檢測的程序，使呈液態(tài)的導體312接觸待測物的面積小于待測物受測部位的面積。
第三實施例以上為本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，不過在不超出本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思涵蓋范圍的情形下，尚可對檢測設備作變形，如圖5所示，是依照本發(fā)明第三實施例的非破壞性接觸的檢測設備的立體示意圖。請參閱圖5所示，本實施例的非破壞性接觸的檢測設備與圖2類似，其中包括一具有復數(shù)個開口304的主體311、導體312以及導線314，且導體312在檢測溫度下呈液態(tài)，其中導體312是經(jīng)由開口304曝露于主體311之外，導線314則與導體312電性相連。其中，本實施例的開口304是以交錯的方式分布。另外，還可以加裝一探針316，其是連接于導線314與導體312。
此外，在前述各實施例所述的檢測設備中還可以增加一些輔助裝置(圖中未示)，譬如加裝一分析用儀器，以藉由檢測而得的電氣特性數(shù)據(jù)，來分析待測物的可靠度。
因此，本發(fā)明的特點之一為采用低熔點的導體，利用加熱或其它方式使導體變成液態(tài)，此種液體因內(nèi)聚力形成水珠狀，利用水珠狀液態(tài)的導體當作與待測物相連接的介質(zhì)，如此可以避免現(xiàn)有習知技術(shù)中因使用探針接觸所造成的待測物破壞，又可避免所串接的阻值過大，所造成檢測上的誤差。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種非破壞性接觸的檢測方法，適于在一檢測溫度下檢測一待測物的電氣特性，其特征在于該非破壞性接觸的檢測方法包括以下步驟提供一檢測設備，其包括有一導體，其中該導體在該檢測溫度下呈液態(tài)；以及使用該導體接觸于該待測物的表面，用以檢測該待測物的電氣特性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非破壞性接觸的檢測方法，其特征在于其中所述的導體的熔點低于該檢測溫度，且該導體在低于該檢測溫度的溫度下為固態(tài)，其中使用該導體接觸該待測物的表面前，更包括對該導體進行一加熱步驟，以使該導體成為液態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非破壞性接觸的檢測方法，其特征在于其中所述的導體在低于該檢測溫度的溫度下為液態(tài)，其中該導體包括汞。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非破壞性接觸的檢測方法，其特征在于其中所述的呈液態(tài)的該導體是藉由真空吸引的方式調(diào)整其高度。
5.一種非破壞性接觸的檢測方法，適于在一檢測溫度下檢測一主動元件陣列的電氣特性，該主動元件陣列上具有復數(shù)個畫素，其特征在于該非破壞性接觸的檢測方法包括以下步驟a、提供一檢測設備，該檢測設備具有復數(shù)個導體，其中該些導體在該檢測溫度下呈液態(tài)；b、使該些導體接觸部分該些畫素的表面；以及c、藉由該些導體檢測該些畫素的電氣特性。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非破壞性接觸的檢測方法，其特征在于其中在步驟c之后更包括d、移動該檢測裝置；以及重復步驟b～d，直到該些導體檢測到每一該些畫素。
7.一種非破壞性接觸的檢測設備，適于在一檢測溫度下檢測一待測物的電氣特性，其特征在于該非破壞性接觸的檢測設備包括一主體，具有至少一個開口；以及至少一導體，其在該檢測溫度下呈液態(tài)，該導體經(jīng)由該開口曝露于該主體之外，用以接觸該待測物的表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非破壞性接觸的檢測設備，其特征在于其中所述的導體的熔點低于該檢測溫度，其中該導體在低于該檢測溫度的溫度下為固態(tài)時，更包括一加熱裝置，與該主體相連，用以加熱該些導體。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非破壞性接觸的檢測設備，其特征在于其中所述的導體在低于該檢測溫度的溫度下為液態(tài)，其中該導體包括汞。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非破壞性接觸的檢測設備，其特征在于其更包括一真空系統(tǒng)，以藉由真空吸引的方式調(diào)整呈液態(tài)的該導體的高度。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種非破壞性接觸的檢測方法，適于在一檢測溫度下檢測一待測物的電氣特性，該檢測方法是先使用呈液態(tài)的一導體接觸待測物表面，再經(jīng)由呈液態(tài)的導體來檢測待測物的電氣特性，以判斷待測物是否故障。由于呈液態(tài)的導體在接觸到待測物時不會傷害其表面，因此可以確保完成后的產(chǎn)品能夠正常動作。該非破壞性接觸的檢測設備包括一主體，具有至少一個開口；以及至少一導體，其在該檢測溫度下呈液態(tài)，該導體經(jīng)由該開口暴露于該主體之外，用以接觸該待測物的表面。本發(fā)明可以避免待測物在測量期間被破壞，而具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值；令其可使待測物在檢測之后仍可正常動作，從而更加適于實用。
文檔編號G01R1/067GK1607395SQ200310100550
公開日2005年4月20日 申請日期2003年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月16日
發(fā)明者郭文源, 孟昭宇 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司