專利名稱:光纖型隔離器的測試裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明是涉及一種光學(xué)器件的測試裝置和方法,特別涉及一光纖型隔離器的測試裝置和方法。
背景技術(shù):
光纖型隔離器是高速光纖通信系統(tǒng)、光纖放大器、光傳感系統(tǒng)以及各種高精度光測試設(shè)備中的關(guān)鍵性器件。因此,光纖型隔離器的生產(chǎn)廠家和各使用單位需要準(zhǔn)確測試它的各種性能的設(shè)備。
根據(jù)國內(nèi)外現(xiàn)已發(fā)表的各種文獻(xiàn)可知,測試光纖型隔離器各種性能還是采用光隔離器的測試設(shè)備,必須將光纖型隔離器正反向兩次接入光路進(jìn)行測試,正向通光(光由光纖型隔離器的0度偏振片一側(cè)入射,經(jīng)過法拉第旋光片、45度偏振片,由光纖端射出)可以測試插損,反向通光(光由光纖端射入,經(jīng)過光纖型隔離器的45度偏振片、法拉第旋光片,由0度偏振片射出)可以測試隔離度。但是從正向通光測試插損需要有激光器和透鏡,并且需要大量的時(shí)間來進(jìn)行調(diào)節(jié),最后卻又往往不能測試出理想的插損。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題,本實(shí)用新型提供了一個(gè)測試準(zhǔn)確且簡便有效的光纖型隔離器的測試裝置和方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明測試裝置包括一帶正向磁場的磁管的法蘭盤和帶反向磁場的磁管的法蘭盤,所述法蘭盤和功率計(jì)的光探頭連接,這樣,當(dāng)測試時(shí),上述法蘭盤的磁管將隔離芯套入其中,所述隔離器包括45度偏振片和法拉第旋光片,0度偏振片,磁場作用于隔離芯的法拉第旋光片。
在測試時(shí)根據(jù)光路可逆原理,讓光源發(fā)射的光由尾纖一端入射(反向通光),經(jīng)過45度偏振片和法拉第旋光片,再由0度偏振片射出,由功率計(jì)接收測試。其中光纖型隔離器為半成品狀態(tài),即不含磁管。當(dāng)利用此光路測試插損時(shí),將上述帶有反向磁場的磁管的法蘭盤和功率計(jì)的光探頭連接,這樣在隔離芯上施加一反向磁場。而測試隔離度也同樣使用此光路,僅需換上帶有正向磁場的法蘭盤,這是對法拉第旋光片施加正向磁場。這樣測試成品的插損和隔離度就不需要分別對兩端入光進(jìn)行測試,而只需光源發(fā)射的光束一直從尾纖一端入射,進(jìn)行變換磁場方向就可以實(shí)現(xiàn)。其中變換磁場方向可以分別使用兩個(gè)磁管,將磁場方向相反使用即可;也可以使用電磁裝置來控制磁場方向,這樣將會更加方便。本發(fā)明的測試方法不僅準(zhǔn)確的測試出產(chǎn)品的性能,而且大大的簡化了測試繁瑣程度,提高了生產(chǎn)效率。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是待測光纖型隔離器只需一次接入,不需調(diào)向,便可完成綜合測試其各性能??稍跍y試插入損耗的同時(shí)測量其隔離度。
下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
圖1為本發(fā)明光纖型隔離器的測試裝置法蘭盤的結(jié)構(gòu)剖面圖。
圖2為本發(fā)明光纖型隔離器的測試方法的原理圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明光纖型隔離器的測試方法在作進(jìn)一步說明。
圖1為本發(fā)明光纖型隔離器的測試裝置,如圖1所示,本發(fā)明包括一帶正向磁場的法蘭盤51和一帶反向磁場的法蘭盤52,所述帶正向磁場的法蘭盤51包括一磁管511和一連接端512,所述磁管511包含隔離器4的隔離芯41,從而對隔離芯41施加磁場;如圖2所示,所述連接端512用以和光功率計(jì)3的光探頭31連接形成光路通路。帶反向磁場的法蘭盤52和所述帶正向磁場的法蘭盤51結(jié)構(gòu)一致,唯一區(qū)別在于磁管521和磁管511所施加的磁場方向相反。
本發(fā)明光纖型隔離器的測試光路如圖2所示,其中光源1連接一偏振控制器2,所述偏振控制器2通過熔接和光纖型隔離器4的光纖端42連接,光纖型隔離器4的近隔離器端通過法蘭盤51和光功率計(jì)3的光探頭31相互連接。其中光纖型隔離器4為半成品狀態(tài),即未固定磁管511。
本發(fā)明光纖型隔離器的測試方法步驟包括1.如圖1和圖2所示,當(dāng)測量光纖型隔離器4的隔離度(IS)時(shí),將帶正向磁場的法蘭盤51和功率計(jì)的光探頭31相互連接,這樣所述光源1發(fā)射的光束經(jīng)過偏振控制器2進(jìn)行偏振態(tài)調(diào)節(jié),使光束偏振態(tài)與45度偏振片413的偏振態(tài)一致,光束通過45度偏振片413后,由于法蘭盤51對法拉第旋光片412施加正向磁場,光束借由法拉第旋光片412旋轉(zhuǎn)45度后光束變?yōu)?0度而和0度偏振片411的偏振方向垂直,而被隔離,后通過光功率計(jì)3對接收到的功率進(jìn)行測量,此時(shí)法蘭盤51中的磁管511對隔離芯施加正向磁場,這樣通過光功率計(jì)3測得本光纖型隔離器4的隔離度(IS)參數(shù)。
2.如圖1和圖2所示,當(dāng)測量光纖型隔離器4的插入損耗(IL)時(shí),將帶反向磁場的法蘭盤52和功率計(jì)3的光探頭32相互連接,這樣所述光源1發(fā)射的光束經(jīng)過偏振控制器2進(jìn)行偏振方向調(diào)節(jié),使光束偏振方向與45度偏振片413的偏振方向一致,光束通過45度偏振片后,由于法蘭盤52中的磁管521對法拉第旋光片412施加反向磁場,光束借由法拉第旋光片412旋轉(zhuǎn)45度后光束偏振方向變?yōu)榕c0度偏振片413的偏振方向一致,而射出,后通過光功率計(jì)3對接收到的功率進(jìn)行測量,此時(shí)法蘭盤52中的磁管521對隔離芯4施加反向磁場,這樣通過光功率計(jì)3測得本光纖型隔離器4的插入損耗(IL)參數(shù)。
同樣上述測試可通過使用電磁場來控制磁場方向,在此不再重述。
由于利用如上方式和裝置測試所述隔離器4的插損和隔離度不需要分別兩端入光進(jìn)行測試,而只需要光源1發(fā)射的光束從尾纖端42一端入射,進(jìn)行變換磁場方向就可以實(shí)現(xiàn)。變換磁場方向可以分別使用兩個(gè)帶有正、反磁場的磁管511、521的法蘭盤51、52,將磁場方向相反使用即可;也可以使用電磁裝置來控制磁場方向,這樣將會更加方便。本發(fā)明的測試方法不僅準(zhǔn)確的測試出產(chǎn)品的性能,而且大大的簡化了測試繁瑣程度,提高了生產(chǎn)效率。
以上所述者,僅為本發(fā)明的最佳實(shí)施例而已,并非用于限制本發(fā)明的范圍,凡依本發(fā)明申請專利范圍所作的等效變化或修飾,皆為本發(fā)明所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一光纖型隔離器的測試方法,包括a)讓光源發(fā)射的光由尾纖一端入射,經(jīng)過偏振控制器、光纖端和隔離器芯、以及帶磁管的法蘭盤,光功率計(jì)接收光束;b)測試光纖型隔離器的插入損耗時(shí),帶有反向磁場的法蘭盤和功率計(jì)的光探頭連接,通過光功率計(jì)測得數(shù)據(jù)得出插入損耗參數(shù);c)而測試隔離度時(shí),對光隔離器施加正向磁場的法蘭盤,這時(shí)對法拉第旋光片施加正向磁場,通過光功率計(jì)測得數(shù)據(jù)得出隔離度參數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的光纖型隔離器的測試方法,其特征在于,步驟b)可以通過對隔離器施加一反向電磁場實(shí)現(xiàn)。
3.如權(quán)利要求1所述的光纖型隔離器的測試方法,其特征在于,步驟c)可以通過對隔離器施加一正向電磁場實(shí)現(xiàn)。
4.一光纖型隔離器的測試裝置,包括一光源、一偏振控制器,以及一光功率計(jì),光源連接一所述偏振控制器,所述偏振控制器通過熔接和光纖型隔離器的光纖端連接,光纖型隔離器的近隔離器端和光功率計(jì)的光探頭相互連接,其特征在于,還包括至少一帶磁管的法蘭盤。所述帶磁管的法蘭盤的連接端和光功率計(jì)的光探頭連接。
5.如權(quán)利要求4所述的光纖型隔離器的測試裝置,其特征在于,其中法蘭盤的磁管可以通過改變電流方向來改變磁場方向。
全文摘要
本發(fā)明光纖型隔離器在測試時(shí)根據(jù)光路可逆原理,讓光源發(fā)射的光由尾纖一端入射(反向通光),經(jīng)過45度偏振片和法拉第旋光片,后借由0度偏振片射出,通過變換磁場進(jìn)行插損和隔離度的測量。其中變換磁場方向可以分別使用兩個(gè)磁管,將磁場方向相反使用即可;也可以使用電磁場來控制磁場方向,這樣將會更加方便。本發(fā)明的測試方法不僅準(zhǔn)確的測試出產(chǎn)品的性能,而且大大的簡化了測試繁瑣程度,提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號G01M11/00GK1702441SQ200410027299
公開日2005年11月30日 申請日期2004年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月24日
發(fā)明者陳貴明, 王偉 申請人:昂納信息技術(shù)(深圳)有限公司