專利名稱:探針卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種用于測量待測物體的電特性的探針卡。
背景技術(shù):
此類探針卡包括如圖9所示的探針卡,其包括一支撐基底10,其具有填充了導(dǎo)電材料的通孔11;多個(gè)探針20,其被設(shè)置在該支撐基底10的表面上并且通過布線圖案12與所述通孔11中的導(dǎo)電材料電連接;以及一主基底30,其被設(shè)置成與支撐基底10的背面相對,且在與所述支撐基底背面相對的主基底30的表面上設(shè)置了凸塊13,其中,在支撐基底10的背面上設(shè)置了將與通孔11中的導(dǎo)電材料電連接的凸塊13,且這些凸塊13可與所述設(shè)置在主基底30上的凸塊13相接觸。
由于這種探針卡可能在溫度變化很大的測量中使用,為了與所要測量的物體的熱膨脹相匹配,所以已將會(huì)與待測物體一同熱膨脹的硅基底用作支撐基底(例如,專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1日本專利特開第2000-121673號但是,考慮到硅基底的卷曲或堅(jiān)實(shí)性,若要將硅基底用作支撐基底,其厚度就必須不小于500微米。在使用厚度不小于500微米的硅基底時(shí)形成通孔極為困難。這是因?yàn)楫?dāng)使用厚度不小于500微米的硅基底時(shí),在形成通孔過程中(在該過程中形成直徑不大于100微米的孔,其將被填充以導(dǎo)電材料),所述孔可被形成但卻無法被適當(dāng)填充以導(dǎo)電材料,或即使所述孔可被適當(dāng)?shù)靥畛洌惨ㄙM(fèi)大量時(shí)間,從而導(dǎo)致了成本增加這一重要問題。
這一問題似乎可通過不在探針卡的支撐基底中形成通孔,而是在支撐基底的表面上設(shè)置凸塊來予以解決,其中所述凸塊將通過布線圖案與探針連接。但是,隨著待測物體的集成性的增大,在某些情況下,凸塊高度變得比越加精細(xì)的探針的高度更高。另外,因?yàn)橥箟K與柔性基底等相連以便與主基底的凸塊電連接,加上了柔性基底高度的凸塊高度變得比探針高度更高。如所描述的,隨著凸塊比探針更高,在使用探針卡來測量待測物體時(shí),凸塊比探針更早地與所要測量的物體的電極或表面相接觸,因而所述探針卡無法再用于測量高度集成的待測物體。換句話說,另一問題在于所述探針卡不適于前述待測物體的測量。雖然可考慮使用高度較探針為小的凸塊,但因?yàn)樵跍y量過程中,探針彈性地變形以便在探針與待測物體的電極之間獲得指定的接觸壓力,所以凸塊仍可能與待測物體相接觸。也就是說,以上問題依然存在。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而產(chǎn)生的,且本發(fā)明的第一目的是提供一種探針卡,其能適用于高度集成的待測物體而不形成前述通孔,同時(shí)將硅基底用作支撐基底。本發(fā)明的第二目的是提供一種探針卡,能輕易在其中形成前述通孔,同時(shí)其將硅基底用作支撐基底。
為了實(shí)現(xiàn)上述第一目的,本發(fā)明的第一種探針卡包括一支撐基底,其一個(gè)表面具有多個(gè)探針和多個(gè)通過布線圖案與所述探針電連接的凸塊;及一主基底,其與所述支撐基底的另一表面相對,且與所述支撐基底上的凸塊電連接,其特征在于所述支撐基底的所述一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的凸形,且所述探針被設(shè)置在支撐基底的所述一個(gè)表面的頂部臺(tái)階的表面上,同時(shí)所述凸塊被設(shè)置在支撐基底的所述一個(gè)表面的較下臺(tái)階的表面上。
為了實(shí)現(xiàn)上述第二目的,本發(fā)明的第二種探針卡包括一支撐基底,其一個(gè)表面具有多個(gè)探針而其另一個(gè)表面具有多個(gè)凸塊,所述凸塊與所述探針電連接;及一主基底,其與所述支撐基底的另一個(gè)表面相對,且與所述支撐基底上的凸塊電連接,其特征在于所述支撐基底的所述一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的凸形,在支撐基底的所述一個(gè)表面上,從頂部臺(tái)階的表面到底部臺(tái)階的表面設(shè)置有多個(gè)布線圖案,所述探針被設(shè)置在所述頂部臺(tái)階的表面上,其中所述探針各自與每一所述布線圖案的一個(gè)端部電連接,而多個(gè)第一通孔被形成于支撐基底的所述一個(gè)表面的底部臺(tái)階中,且每一所述凸塊通過導(dǎo)電材料與每一所述布線圖案的另一端部電連接,其中所述導(dǎo)電材料被設(shè)置在每一所述第一通孔內(nèi)。
在第一種探針卡中,凸塊間的間距比探針間的間距更大。類似地,在第二種探針卡中,第一通孔間的間距比探針間的間距更大。
在支撐基底的所述一個(gè)表面上依次堆疊了接地層(ground layer)和絕緣層,布線圖案被形成于所述絕緣層的表面上。
此外,形成從支撐基底的所述一個(gè)表面的頂部臺(tái)階的表面到支撐基底的另一表面的第二通孔。在這種情況下,最好在支撐基底的所述另一表面上的形成第二通孔之處設(shè)置一凹入部分。
支撐基底的所述一個(gè)表面最好被形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的金字塔形。
在根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求1所述的探針卡的情況下,支撐基底的一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的凸形,且探針被設(shè)置在頂部臺(tái)階的表面上,同時(shí)凸塊被設(shè)置在任一較下臺(tái)階的表面上。這使得即使在探針與待測物體的電極接觸時(shí),也能防止凸塊與待測物體的電極或表面相接觸。因而,即使待測物體的集成性增加及探針隨之變得越加精細(xì),凸塊的位置也不會(huì)比探針的位置更高,從而可充分適應(yīng)所要測量的物體。此外,支撐基底的所述一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的凸形。這種形狀可確保支撐基底具有必要的厚度。
在根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求2所述的探針卡的情況下,支撐基底的一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的凸形,這種形狀可確保支撐基底具有必要的厚度。此外,由于通過將支撐基底的一個(gè)表面形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的凸形而設(shè)置了較薄部分(從支撐基底的所述一個(gè)表面的底部臺(tái)階的表面到支撐基底的另一表面),所以第一通孔的形成可輕易地通過在所述較薄部分中形成第一通孔(其將被填充以導(dǎo)電材料)來實(shí)現(xiàn)。因此,與常規(guī)的例子相比較而言,可減少開通第一通孔所用的加工時(shí)間,而這可促進(jìn)成本降低。此外,這樣形成第一通孔有利于布線圖案的簡易設(shè)置,因?yàn)椴季€圖案也可通過所述第一通孔而被設(shè)置在支撐基底的背面上。
在根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求3所述的探針卡的情況下,凸塊的間距或第一通孔的間距比探針的間距更寬。這可方便布線圖案的設(shè)置。
在根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求4所述的探針卡的情況下,在支撐基底的較厚部分(從支撐基底的一個(gè)表面的頂部臺(tái)階的表面到支撐基底的另一表面)中形成第二通孔,且每一用于連接的探針將被插入于各個(gè)第二通孔中。因?yàn)橛糜谶B接的探針可能用于電源線或信號源線,所以與常規(guī)的例子相比而言,可減少要設(shè)置在支撐基底表面上的布線圖案的數(shù)目。這可方便布線圖案的設(shè)置。
在根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求5所述的探針卡的情況下,在支撐基底的另一表面上的形成第二通孔之處設(shè)置一凹入部分。因此,與第二通孔被形成于支撐基底的較厚部分中的情況相比較而言,將第二通孔形成于所設(shè)置的凹入部分中可方便第二通孔的形成。
在根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求6所述的探針卡的情況下,可產(chǎn)生與權(quán)利要求1的情況相同的效果。
圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的探針卡的示意截面圖。
圖2為相同探針卡的支撐基底的示意平面圖。
圖3為圖1中的α部分的放大示意圖。
圖4為一視圖,其顯示改變了該相同探針卡的設(shè)計(jì)的一個(gè)實(shí)例,其中(a)為支撐基底的示意平面圖,而(b)為沿(a)中的線A-A截取的截面圖。
圖5為支撐基底的示意截面圖,其顯示改變了該相同探針卡的設(shè)計(jì)的另一實(shí)例。
圖6為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的探針卡的示意截面圖。
圖7為一視圖,其顯示改變了該相同探針卡的設(shè)計(jì)的一個(gè)實(shí)例,其中(a)為支撐基底的示意平面圖,而(b)為沿(a)中的線A-A截取的截面圖。
圖8為支撐基底的示意截面圖,其顯示改變了該相同探針卡的設(shè)計(jì)的另一實(shí)例。
圖9為常規(guī)的例子中的探針卡的示意截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下將描述本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)例1首先,將參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的探針卡。圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的探針卡的示意截面圖,圖2為相同探針卡的支撐基底的示意平面圖,圖3為圖1中的α部分的放大示意圖,圖4為一視圖,其顯示改變了該相同探針卡的設(shè)計(jì)的一個(gè)實(shí)例,其中(a)為支撐基底的示意平面圖而(b)為沿(a)中的線A-A截取的截面圖,且圖5為支撐基底的示意截面圖,其顯示改變了該相同探針卡的設(shè)計(jì)的另一實(shí)例。
圖1和圖2所示的探針卡A是用于測量待測物體(未圖示)的測量裝置(未圖示)的感測部分,包括一支撐基底100;多個(gè)探針200,其將設(shè)置于支撐基底100的一個(gè)表面上;及一主基底300,其被布置成與支撐基底100的另一表面相對。每一部件在下文中予以詳細(xì)描述。
將硅基底用作支撐基底100。通過各向異性蝕刻,支撐基底100的一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)臺(tái)階的金字塔形(即,凸形)。支撐基底100的所述一個(gè)表面的這一臺(tái)階部分為傾斜的。此外,通過氣相沉積、電鍍、蝕刻等而形成依次堆疊于支撐基底100的所述一個(gè)表面上的接地層101、絕緣層102及多個(gè)布線圖案120。支撐基底100的較厚部分的厚度為500微米到1500微米,而其較薄部分的厚度為100微米到500微米。
在支撐基底100的較厚部分的表面上(即,在所述布線圖案120的一個(gè)端部上,所述端部在支撐基底100的所述一個(gè)表面的頂部臺(tái)階的表面上),設(shè)置多個(gè)探針200,這些探針呈具有指定間距的兩行。各行中的探針200彼此相對。另一方面,在支撐基底100的較薄部分的表面的每一邊緣上(即,在所述布線圖案120的另一端部上,所述端部在支撐基底100的所述一個(gè)表面的每一較下臺(tái)階的表面上),設(shè)置多個(gè)凸塊110,這些凸塊的間距比探針200的間距更寬。通過多個(gè)布線圖案120,所述探針200和所述凸塊110彼此之間形成電連接。在支撐基底100的所述一個(gè)表面上依次堆疊接地層101、絕緣層102及多個(gè)布線圖案120,以構(gòu)成微帶線(microstrip lines)。
此外,為支撐基底100上的絕緣層102提供電路元件103,所述電路元件103與布線圖案120電連接。這種電路元件103是使用探針200進(jìn)行電測量過程中必要的元件,且在此處,可使用充當(dāng)所謂“passcon”(旁路電容器)的電容器和起到BOST(外置自檢(Build Out Self Test))作用的電路元件,其中所述BOST用于協(xié)助測試(即,測量待測物體B的電特性)。所述電容器用以促進(jìn)高頻特性的改善。取決于對待測物體B的測試內(nèi)容的不同,所述具有如BOST的功能的電路元件以不同方式起作用。
重復(fù)以下過程以便在布線圖案120上一體地形成探針200將一光敏薄膜施加到支撐基底100的較厚部分上的布線圖案120上,在這一光敏薄膜上形成一圖案以進(jìn)行電鍍。如圖3所示,形成的每一探針200具有一個(gè)第一四分之一弧形部分210,其一個(gè)端部由所述絕緣層102支撐,以及一個(gè)第二四分之一弧形部分220,其與第一四分之一弧形部分210的另一端部相連且比第一四分之一弧形部分210略短。探針200的頂部是接觸部件,其用以與待測物體的電極相接觸。
主基底300被安裝成與支撐基底100相接觸,且在此處將印刷電路板用作主基底300。在主基底300中形成多個(gè)填充有導(dǎo)電材料311的通孔310。此外,在主基底300的一個(gè)表面(即安裝支撐基底100的表面)上設(shè)置了多個(gè)凸塊320,這些凸塊320與通孔310中的導(dǎo)電材料311電連接。凸塊320通過柔性基底400而與支撐基底100的凸塊110相連。
在主基底300的另一表面上,形成布線圖案330,其中,每一布線圖案330的一個(gè)端部與通孔310中的導(dǎo)電材料311電連接。布線圖案330的另一個(gè)端部與一未圖示的外部電極電連接,且布線圖案330通過此外部電極而電連接到測量裝置。
換句話說,從測量裝置輸出的信號被依次傳輸通過外部電極、布線圖案330、導(dǎo)電材料311、凸塊320、柔性基底400、凸塊110、布線圖案120及探針200。
這樣構(gòu)成的主基底300被安裝在測量裝置的探針器上,然后探針卡A被用于測量待測物體的電特性。下文將具體描述其使用方法。
首先,啟動(dòng)探針器驅(qū)動(dòng)裝置,并使支撐基底100與待測物體彼此相對接近。這使探針200的頂部與待測物體的電極相接觸。隨后,使支撐基底100與待測物體進(jìn)一步彼此相對接近,以致探針200被待測物體的電極壓迫(換句話說,執(zhí)行過壓(overdrive))。此時(shí),由于探針200是設(shè)置在支撐基底100的較厚部分上,所以支撐基底100不會(huì)在通過探針200而作用于其上的壓力下彎曲。
在此過程中,隨著探針200彈性地變形,每一探針200中的所述第二四分之一弧形部分220的頂部與支撐基底100的表面相接觸,如圖3所示,且接著(按圖3中箭頭方向)在支撐基底100的表面上移動(dòng)。同時(shí),探針200的頂部在待測物體的電極上滑動(dòng)。由此可確保在探針200與待測物體的電極之間導(dǎo)電所需的指定的接觸壓力,以及確保指定的摩擦量(amount scrubbed),以便促進(jìn)穩(wěn)定的接觸。
在如此描述的探針卡A的情況下,由于探針200是設(shè)置在支撐基底100的較厚部分上,所以當(dāng)探針200與待測物體的電極相互接觸時(shí),支撐基底100不會(huì)在通過探針200而作用于其上的壓力下彎曲。這使得可進(jìn)行穩(wěn)定的測量。此外,因?yàn)橹位?00的所述一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)臺(tái)階的金字塔形,且探針200被設(shè)置在較厚部分的表面上(即,在頂部臺(tái)階的表面上),同時(shí)凸塊110被設(shè)置在較薄部分的表面上(即,在較下臺(tái)階的表面上),所以當(dāng)探針200與待測物體的電極接觸時(shí),凸塊110不會(huì)與待測物體相接觸。也就是說,即使待測物體的集成性增加及探針200隨之變得越加精細(xì),凸塊110的位置也不會(huì)比探針200的位置更高,從而可充分適應(yīng)待測物體。
盡管在上文描述中支撐基底100的所述一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)臺(tái)階的金字塔形,但是其也可被形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的凸形,且可(例如)被形成為階梯形。盡管描述了將接地層101和絕緣層102依次堆疊于支撐基底100上,但這些層并非必需設(shè)置的。在未設(shè)置這些層的情況下,凸塊110、布線圖案120和探針200被形成在支撐基底100的所述一個(gè)表面上。此外,在將支撐基底100的所述一個(gè)表面形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的凸形的情況下,凸塊110可被設(shè)置在任一較下臺(tái)階的表面上。此外,盡管描述了所述支撐基底100是硅基底,但當(dāng)然可使用另一種基底。
此外,如圖4所示,可在支撐基底100的較厚部分中形成直徑為50微米到100微米的通孔105(即,第二通孔)。通孔105從支撐基底100的所述一個(gè)表面的頂部臺(tái)階的表面到支撐基底100的另一表面形成。此外,每一用于連接的探針500被插入于各個(gè)通孔105中。在將用于連接的探針500用作電源線的情況下,每一通孔105被設(shè)置于探針200之間,如圖4(b)所示。也就是說,每一用于連接的探針500的前端從探針200之間突出,并與用作待測物體的電源的電極相接觸,而探針500的后端與測量裝置電連接。
另一方面,在將用于連接的探針500用作信號線的情況下,將通孔105形成于這樣的位置中以使用于連接的探針500可與布線圖案120電連接。在用于連接的探針500與布線圖案120接觸的同時(shí),其又與主基底300的一個(gè)表面上的布線圖案(未圖示)相接觸,從而將主基底300與布線圖案120電連接。此外,如圖5所示,可在支撐基底100的較厚部分的另一表面設(shè)置一個(gè)圓柱形凹入部分106,接著從該凹入部分106形成所述通孔105。這種設(shè)置可以方便通孔105的形成。應(yīng)注意用于連接的探針500被配置成具有彈性,以便通過指定的接觸壓力而與待測物體的電極、布線圖案120或主基底300上的布線圖案相接觸。例如,所述探針500可包括介于其間的彈簧等,或可具有一個(gè)彎曲部分(參看圖5)。
所使用的探針200的形狀不限于該實(shí)例中的前述形狀,而可為任意形狀。
實(shí)例2接下來,將參看附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的探針卡。圖6為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的探針卡的示意截面圖,圖7為一視圖,其顯示改變了該相同探針卡的設(shè)計(jì)的一個(gè)實(shí)例,其中(a)為支撐基底的示意平面圖,而(b)為沿(a)中的線A-A截取的截面圖,且圖8為支撐基底的示意截面圖,其顯示改變了該相同探針卡的設(shè)計(jì)的另一實(shí)例。
圖6所示的探針卡A’包括一支撐基底600和多個(gè)設(shè)置在所述支撐基底600上的探針200。這種探針卡A’具有幾乎與探針卡A相同的配置,但不同之處在于多個(gè)通孔630(第一通孔)被形成于支撐基底600的較薄部分中。以下將詳細(xì)描述這一差異,而對重復(fù)部分的說明將省略。
支撐基底600具有幾乎與支撐基底100相同的配置,差異僅在于在較薄部分中形成通孔630,且將凸塊610設(shè)置于支撐基底600的另一表面(而非所述一個(gè)表面)上的一位置處以使其可與通孔630中的導(dǎo)電材料631相接觸。形成從支撐基底600的所述一個(gè)表面的較下臺(tái)階的表面到支撐基底600的另一表面的直徑為50微米到100微米的孔,接著將其填充以導(dǎo)電材料631,從而構(gòu)成通孔630。在形成通孔630后,以與支撐基底100的情況相同的方式,在支撐基底600的所述一個(gè)表面上依次形成接地層601、絕緣層602和多個(gè)布線圖案620。通孔630中的導(dǎo)電材料631使所述接地層601與所述凸塊610電連接。通過在絕緣層602中形成的開口上氣相沉積所述布線圖案620而使接地層601與布線圖案620彼此電連接。當(dāng)這種支撐基底600安裝在主基底300上時(shí),支撐基底600上的凸塊610與主基底300上的凸塊320相接觸。這導(dǎo)致在支撐基底600與主基底300之間形成電連接。
換句話說,從測量裝置輸出的信號被依次傳輸通過主基底300的外部電極(未圖示)、布線圖案330、導(dǎo)電材料311、凸塊320、凸塊610、導(dǎo)電材料631、接地層601、布線圖案620及探針200。
這樣構(gòu)成的探針卡A’的主基底300被安裝在測量裝置的探針器上,然后探針卡A’被用于測量待測物體的電特性。下文將具體描述其使用方法。
首先,啟動(dòng)探針器驅(qū)動(dòng)裝置,并使支撐基底600與待測物體彼此相對接近。這使探針200的頂部與待測物體的電極相接觸。隨后,使支撐基底600與待測物體進(jìn)一步彼此相對接近,以致探針200被待測物體的電極壓迫(換句話說,執(zhí)行過壓)。此時(shí),由于探針200是設(shè)置在支撐基底600的較厚部分上,所以支撐基底600不會(huì)在通過探針200而作用于其上的壓力下彎曲。
在此過程中,隨著探針200彈性地變形,每一探針200中的所述第二四分之一弧形部分220的頂部與支撐基底600的表面相接觸,且接著在支撐基底600的表面上移動(dòng)。同時(shí),探針200的頂部在待測物體的電極上滑動(dòng)。由此可確保在探針200與待測物體的電極之間導(dǎo)電所需的指定的接觸壓力,以及確保指定的摩擦量,以便促進(jìn)穩(wěn)定的接觸。
在如上配置的探針卡A’的情況下,可實(shí)現(xiàn)與探針卡A相同的效果。此外,因?yàn)橥ㄟ^將支撐基底600的一個(gè)表面形成為具有一個(gè)臺(tái)階的金字塔形,而在支撐基底600中提供了較薄部分,所以形成通孔630可輕易地通過在該較薄部分中形成所述通孔630來實(shí)現(xiàn)。換句話說,與常規(guī)的例子相比較而言,可大大減少形成通孔630所用的加工時(shí)間,這可降低生產(chǎn)費(fèi)用從而促進(jìn)成本降低。此外,在這種配置中,僅通過將支撐基底600安裝到主基底300上就可將二者彼此電連接,其導(dǎo)電性與像探針卡A(其中,將柔性基底400用于電連接)一樣的情況相比毫不遜色。也就是說,同樣由于這一方面,因?yàn)榭奢p易組裝探針卡A’,所以可減少生產(chǎn)時(shí)間,從而促進(jìn)了成本降低。
盡管在上文描述中支撐基底600的所述一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)臺(tái)階的金字塔形,但是其也可被形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的凸形,且可(例如)被形成為階梯形。盡管描述了將接地層601和絕緣層602依次堆疊于此支撐基底600上,但這些層并非必需設(shè)置的。此外,盡管描述了所述支撐基底600是硅基底,但當(dāng)然可使用另一種基底。
此外,如圖7所示,可在支撐基底600的較厚部分中形成直徑為50微米到100微米的通孔605(即,第二通孔)。通孔605從支撐基底600的所述一個(gè)表面的頂部臺(tái)階的表面到支撐基底600的另一表面形成。此外,每一用于連接的探針500被插入于各個(gè)通孔605中。在將用于連接的探針500用作電源線的情況下,每一通孔605被設(shè)置于探針200之間。也就是說,每一用于連接的探針500的前端從探針200之間突出,并與用作待測物體的電源的電極相接觸,而探針500的后端與測量裝置電連接。
另一方面,在將用于連接的探針500用作信號線的情況下,將通孔605形成于這樣的位置中以使用于連接的探針500可與布線圖案620電連接。換句話說,在用于連接的探針500與布線圖案620接觸的同時(shí),其又與主基底300的一個(gè)表面上的布線圖案(未圖示)相接觸,從而使支撐基底600與主基底300電連接。此外,如圖8所示,可在支撐基底600的較厚部分的另一表面設(shè)置一個(gè)圓柱形凹入部分606,接著從該凹入部分606形成所述通孔605。這種設(shè)置可以方便通孔605的形成。應(yīng)注意用于連接的探針500被配置成具有彈性,以便通過指定的接觸壓力而與待測物體的電極、布線圖案620或主基底300上的布線圖案相接觸。例如,所述探針500可包括介于其間的彈簧等,或可具有一個(gè)彎曲部分(參看圖8)。
盡管描述了將通孔630配置成被填充以導(dǎo)電材料631,但是導(dǎo)電材料631可被電鍍在通孔630的內(nèi)壁上,以便通過所述內(nèi)壁上的導(dǎo)電材料631使凸塊610與接地層601電連接。
所使用的探針200的形狀不限于該實(shí)例中的前述形狀,而可為任意形狀。
盡管在上面的描述中,主基底300以接觸狀態(tài)安裝在支撐基底100或支撐基底600上,但是當(dāng)然主基底300也可能經(jīng)由諸如螺桿的支撐部件以分離狀態(tài)連接到支撐基底100或支撐基底600。
權(quán)利要求
1.一種探針卡,包括一支撐基底,其一個(gè)表面具有多個(gè)探針和多個(gè)通過布線圖案與所述探針電連接的凸塊;及一主基底,其與所述支撐基底的另一表面相對,且與所述支撐基底上的所述凸塊電連接,其特征在于所述支撐基底的所述一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的凸形,且所述探針被設(shè)置在所述支撐基底的所述一個(gè)表面的頂部臺(tái)階的表面上,同時(shí)所述凸塊被設(shè)置在所述支撐基底的所述一個(gè)表面的較下臺(tái)階的表面上。
2.一種探針卡,包括一支撐基底,其一個(gè)表面具有多個(gè)探針而其另一個(gè)表面具有多個(gè)凸塊,所述凸塊與所述探針電連接;及一主基底,其與所述支撐基底的所述另一個(gè)表面相對,且與所述支撐基底上的所述凸塊電連接,其特征在于所述支撐基底的所述一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的凸形,在所述支撐基底的所述一個(gè)表面上,從頂部臺(tái)階的表面到底部臺(tái)階的表面設(shè)置有多個(gè)布線圖案,所述探針被設(shè)置在所述頂部臺(tái)階的表面上,其中所述探針各自與每一所述布線圖案的一個(gè)端部電連接,而多個(gè)第一通孔被形成于所述支撐基底的所述一個(gè)表面的所述底部臺(tái)階中,且每一所述凸塊通過導(dǎo)電材料與每一所述布線圖案的另一端部電連接,其中所述導(dǎo)電材料被設(shè)置在每一所述第一通孔內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的探針卡,其特征在于所述凸塊的間距或所述第一通孔的間距比所述探針的間距更大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的探針卡,其特征在于多個(gè)第二通孔從所述支撐基底的所述一個(gè)表面的所述頂部臺(tái)階的表面穿透到所述支撐基底的所述另一個(gè)表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的探針卡,其特征在于所述支撐基底的所述另一個(gè)表面形成有一凹入部分,所述第二通孔穿透該部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的探針卡,其特征在于所述支撐基底的所述一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階的金字塔形。
全文摘要
探針卡。本發(fā)明的目的是提供一種可在不形成通孔的情況下輕易地設(shè)置一布線圖案、同時(shí)使用硅基底作為支撐基底的探針卡。所述探針卡包括一支撐基底(100),其一個(gè)表面被形成為具有一個(gè)臺(tái)階的金字塔形;多個(gè)探針(200),其被設(shè)置在所述支撐基底(100)的較厚部分的表面上;多個(gè)凸塊(110),其被設(shè)置在所述支撐基底(100)的較薄部分的表面上;以及多個(gè)布線圖案(120),其被設(shè)置在所述支撐基底(100)的所述一個(gè)表面上且使每一所述探針(200)與每一所述凸塊(110)電連接。
文檔編號G01R1/073GK1661376SQ200510007499
公開日2005年8月31日 申請日期2005年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月24日
發(fā)明者木村哲平 申請人:日本電子材料株式會(huì)社