專利名稱：可逆集成電路盤和使用該盤的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及檢驗(yàn)集成電路的方法。本發(fā)明特別應(yīng)用于但并不必須局限于通過使用一個(gè)可逆IC盤來改進(jìn)集成電路檢測的結(jié)果。
背景技術(shù)：
集成電路(ICs)經(jīng)歷了光和電檢測以及老化處理以改善質(zhì)量控制。ICs通常是批量處理的，因而在處理過程中被存儲(chǔ)和傳送于可堆疊式盤中。該盤常通常被稱為電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)盤(JEDEC盤)，其維數(shù)是由電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)規(guī)定的。
IC設(shè)備檢測和檢驗(yàn)可以使用公文格方法或者挑選與放置方法。公文格方法通常包括當(dāng)設(shè)備位于盤容器中時(shí)的ICs的光檢驗(yàn)。由于這些設(shè)備從未被接觸過，因而由人工或者機(jī)器操作帶來的損壞被最小化，因此這種方法是優(yōu)選的。
但是，公文格光檢驗(yàn)的一個(gè)缺點(diǎn)是一些設(shè)備的缺陷不能從設(shè)備的最上層被輕易地檢測出來。

圖1是兩個(gè)IC設(shè)備的導(dǎo)線的代表性側(cè)視圖，該兩個(gè)IC設(shè)備具有不能利用傳統(tǒng)的公文格檢驗(yàn)檢測出的缺陷。左側(cè)設(shè)備的導(dǎo)線100中的一條在導(dǎo)線100的下側(cè)面有一個(gè)毛邊，該毛邊105是不能利用光束110檢測到的。在右側(cè)的設(shè)備包括一條粗導(dǎo)線115，它可能未被設(shè)計(jì)說明書提及而引起設(shè)備故障，但是從上方射下的光束110同樣不能檢測到該缺陷。
有關(guān)公文格檢驗(yàn)的其他問題包括做成JEDEC盤時(shí)的閉塞問題。圖2顯示了包括用來定義一個(gè)其中一個(gè)IC設(shè)備210位于其中的容器215的上部支撐壁205的盤200的代表性側(cè)視圖。該支撐壁205可以在IC設(shè)備的檢驗(yàn)過程中阻礙所使用的光束110的傳播。在圖2中的箭頭指明了在所說明的檢驗(yàn)中使用的掃描方向。因此，需要利用不同角度的視角進(jìn)行兩次檢驗(yàn)，這將造成對檢驗(yàn)設(shè)備或是JEDEC盤的重新調(diào)整。該重新調(diào)整和雙重檢驗(yàn)增加了檢驗(yàn)需要的時(shí)間。
挑選和放置方法檢驗(yàn)過程需要將個(gè)別的IC設(shè)備210從JEDEC盤容器215中挑選出，傳送到一個(gè)檢驗(yàn)站點(diǎn)檢驗(yàn)，而后在最初的JEDEC盤容器215中被替換。因此，徹底的三維設(shè)備檢驗(yàn)是可行的；然而，該方法包括顯著的延遲并且在盤200和檢測站點(diǎn)之間的傳輸中存在許多的破壞設(shè)備210的可能。該IC導(dǎo)線100在設(shè)備210被移走的任何時(shí)刻都特別易碎和易于被破壞。更進(jìn)一步地，該時(shí)間延遲在光檢測系統(tǒng)空閑同時(shí)該IC設(shè)備210被挑選與放置在檢測站點(diǎn)與盤200之間時(shí)特別有問題，因而大大限制了全面檢驗(yàn)的處理量。
因此，需要一種能夠改善IC設(shè)備210的三維檢驗(yàn)，同時(shí)避免與先有技術(shù)相關(guān)的時(shí)間延遲和設(shè)備破壞風(fēng)險(xiǎn)的方法和設(shè)備。
發(fā)明概述根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明是一種檢驗(yàn)集成電路的盤的方法，該方法包括步驟在一個(gè)下部集成電路設(shè)備盤上放置一個(gè)覆蓋盤，其中，該設(shè)備盤包括多個(gè)下側(cè)面朝下上側(cè)面朝上的集成電路設(shè)備，其中所述的覆蓋盤的底部鄰近于所述設(shè)備的所述上側(cè)面；反轉(zhuǎn)所述的覆蓋盤和所述的下部設(shè)備盤；移走所述的下部設(shè)備盤從而所述的設(shè)備停留在覆蓋盤上而所述的設(shè)備的所述下側(cè)面朝上；檢驗(yàn)所述設(shè)備的下側(cè)面；在所述的覆蓋盤上替換所述的下部設(shè)備盤；再一次反轉(zhuǎn)所述的覆蓋盤和所述的下部設(shè)備盤；并移走所述的覆蓋盤。
在另一種形式中，本發(fā)明是一個(gè)用于在一個(gè)可反轉(zhuǎn)的位置保持多個(gè)集成電路設(shè)備的覆蓋盤，該覆蓋盤包括多個(gè)容器，每個(gè)容器包括一個(gè)具有一個(gè)周邊的設(shè)備集中區(qū)域；鄰近于所述多個(gè)容器中的每一個(gè)的多個(gè)支撐壁；多個(gè)定位于每一個(gè)集中區(qū)域的所述周邊的保持路緣；其中，所述的支撐壁在下部設(shè)備盤上被滑動(dòng)地嚙合于相應(yīng)的垂直部件，該盤包括具有上側(cè)面朝上的集成電路設(shè)備，因此，所述的覆蓋盤可以嵌套于所述的下部設(shè)備盤，和其中兩種盤都被反轉(zhuǎn)，該下部設(shè)備盤被移走，從而所述的設(shè)備的所述上表面朝下，并停留在所述的集中區(qū)域。
在該說明書中，包括權(quán)利要求，術(shù)語“comprises”，“comprising”或者類似的術(shù)語并不意味著專有的包含，這樣，包含部件列表的一種方法和裝置不僅僅包含這些部件，也可以包含沒有被列出的其他部件。
附圖的簡要說明為了使本發(fā)明更容易理解和付諸實(shí)踐的效果，將參考關(guān)于相應(yīng)附圖所說明的典型實(shí)施例，其中相同的引用數(shù)字代表相同的部件，其中圖1是具有不能利用根據(jù)先有技術(shù)的傳統(tǒng)的公文格檢驗(yàn)檢測出的缺點(diǎn)的兩個(gè)IC設(shè)備的導(dǎo)線的代表性側(cè)視圖2是包括用來定義一個(gè)其中一個(gè)IC設(shè)備位于其中的容器的上部支撐壁的先有技術(shù)的盤的代表性側(cè)視圖。
圖3是用來說明一種用于根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例執(zhí)行一個(gè)IC設(shè)備的光檢驗(yàn)的方法的示意性流程圖。
圖4是保持32IC設(shè)備和用于本發(fā)明的方法的目的的先有技術(shù)4×8設(shè)備盤的示意性說明。
圖5A是根據(jù)本發(fā)明的堆疊于下部設(shè)備盤上的改進(jìn)型覆蓋盤的一個(gè)實(shí)施例的代表性的示意性說明。
圖5B是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可反轉(zhuǎn)改進(jìn)型覆蓋盤的代表性的示意性說明，該盤也示出了依靠保持路緣而被水平地約束的一個(gè)設(shè)備。
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明參見圖3，是用來說明一種用于根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例執(zhí)行一個(gè)IC設(shè)備210的光檢驗(yàn)的方法300的示意性流程圖。首先，在步驟305，覆蓋盤310被放置在一個(gè)下部集成電路設(shè)備盤200的上面。在現(xiàn)在的實(shí)施例中，覆蓋盤310是JEDEC盤，與下部IC設(shè)備盤200相同。該盤200被設(shè)計(jì)成可堆疊的，因而該覆蓋盤310平穩(wěn)地嵌套于該下部設(shè)備盤200中。如在步驟305中虛線所描繪的輪廓，該下部設(shè)備盤200的上部支撐壁205的外表面滑動(dòng)地嚙合于在覆蓋盤310上的下部支撐壁315的內(nèi)表面。典型地，該覆蓋盤300利用自動(dòng)定位裝置(未示出)而被移動(dòng)到下部設(shè)備盤的上面。例如，該方法300可能在一個(gè)半導(dǎo)體弧前盆地中的質(zhì)量控制(QC)站點(diǎn)發(fā)生，在那里，該設(shè)備盤沿著一個(gè)傳送帶從先前的處理站點(diǎn)移動(dòng)到QC站點(diǎn)(未示出)。在盤310、200根據(jù)步驟305被堆疊后，該IC設(shè)備210在垂直方向上被約束，因?yàn)樗粖A在覆蓋盤310和下部盤200之間。該設(shè)備210也依靠保持路緣320而在水平方向上被約束，從而定位在集中區(qū)域325周邊。
那些本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易理解在圖3中所提供的說明僅僅代表了由多個(gè)容器215組成的盤200的其中一個(gè)單獨(dú)的容器215，其中每一個(gè)容器215被設(shè)計(jì)成保持一個(gè)單獨(dú)的IC設(shè)備210。圖4是保持32IC設(shè)備210和用于本發(fā)明的方法300的目的的先有技術(shù)4×8設(shè)備盤200的示意性說明。每一個(gè)設(shè)備210被安置在一個(gè)容器215的集中區(qū)域325。那些本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)一步理解該盤200可以被按比例放大或縮小，以包含任意行或列，該產(chǎn)品決定了盤200的設(shè)備容量。
參見圖3，在盤310、200被堆疊后，該方法300繼續(xù)到步驟330，在那里盤310、200被反轉(zhuǎn)。該反轉(zhuǎn)處理典型地也使用自動(dòng)機(jī)器人處理設(shè)備(未示出)。接著，在步驟335，現(xiàn)在正停留在IC設(shè)備210上的下部設(shè)備盤200被移走。這樣露出了設(shè)備210的下側(cè)面，包括典型地易被損壞及具有不完整性的導(dǎo)線100的下側(cè)面，例如上述的毛邊105和粗導(dǎo)線115，并需要精密檢驗(yàn)。
該方法300然后繼續(xù)到步驟340，在那里設(shè)備210的光3D檢驗(yàn)發(fā)生。因?yàn)樵O(shè)備導(dǎo)線100在它們被保持在下部設(shè)備盤200中時(shí)通常是向下彎曲的，當(dāng)盤310、200被反轉(zhuǎn)時(shí)，該導(dǎo)線100將尖端向上。這樣將引起導(dǎo)線100被提升而遠(yuǎn)離覆蓋盤310的下部支撐壁315，從而避免了先有技術(shù)中的閉塞問題。該檢驗(yàn)設(shè)備的光束110因而可能掃描到設(shè)備210的整個(gè)下側(cè)面。
接著，在步驟345，該下部設(shè)備盤200在覆蓋盤310的上面被替換。該方法300然后繼續(xù)到步驟350，在那里，該盤200、310被再次反轉(zhuǎn)。最終，在步驟355，該覆蓋盤310被移走，且檢驗(yàn)設(shè)備210隨時(shí)可以移動(dòng)到弧前盆地中的下一個(gè)站點(diǎn)。
注意該標(biāo)準(zhǔn)JEDEC盤200的下側(cè)面通常不包括相應(yīng)的在盤200、310被反轉(zhuǎn)時(shí)，可以約束設(shè)備210的水平移動(dòng)的保持路緣320。那意味著當(dāng)下部設(shè)備盤200被移走時(shí)，該覆蓋盤310任何時(shí)候都不能在步驟335和345之間移動(dòng)是特別重要的。該覆蓋盤310的任何移動(dòng)都可能引起設(shè)備210滑出位置。然后當(dāng)設(shè)備200在覆蓋盤310上被取代時(shí)，導(dǎo)線100的破壞就會(huì)發(fā)生。本發(fā)明的進(jìn)一步的實(shí)施例因此包括被設(shè)計(jì)成約束設(shè)備210在上述方法300的步驟335和345之間的水平移動(dòng)的改進(jìn)型覆蓋盤310。
圖5A是根據(jù)本發(fā)明的堆疊于下部設(shè)備盤200上的改進(jìn)型覆蓋盤310的一個(gè)實(shí)施例的代表性的示意性說明。該覆蓋盤310包括位于它的底面上的保持路緣320。因而，當(dāng)盤200、310根據(jù)上述的步驟330而被反轉(zhuǎn)時(shí)，該覆蓋盤310上的保持路緣320約束該已被反轉(zhuǎn)的設(shè)備210的水平移動(dòng)。圖5B是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可反轉(zhuǎn)改進(jìn)型覆蓋盤310的代表性的示意性說明，該盤包括依靠保持路緣320而被水平地約束的設(shè)備210。當(dāng)位于最初的JEDEC上的保持路緣320約束未反轉(zhuǎn)設(shè)備210的水平運(yùn)動(dòng)時(shí)，該位于改進(jìn)型覆蓋盤310的下側(cè)面上的保持路緣320使得該已反轉(zhuǎn)的盤310移動(dòng)而不必使設(shè)備210變位。該改進(jìn)型覆蓋盤310可以利用多樣化的自動(dòng)化技術(shù)，例如沖壓或者聚合物壓塑技術(shù)而被制造。
那些本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易理解位于覆蓋盤310的下側(cè)面上的保持路緣320可以是多樣化的形態(tài)或者位于多種位置。例如，本發(fā)明的某些實(shí)施例可能定位該保持路緣320，使其環(huán)繞集中區(qū)域325的整個(gè)矩形周邊。其他實(shí)施例可能僅僅將該保持路緣定位于集中區(qū)域325的拐角處。
以上的詳細(xì)描述僅僅提供了一個(gè)優(yōu)選的示范性實(shí)施例，并不被認(rèn)為是對本發(fā)明的范圍、適用性或者結(jié)構(gòu)的限制。相反的，該優(yōu)選的示范性實(shí)施例的詳細(xì)描述向那些本領(lǐng)域技術(shù)人員提供了執(zhí)行本發(fā)明的優(yōu)選的典型性實(shí)施例的一種可實(shí)現(xiàn)的描述。其應(yīng)該被理解成，在不脫離本發(fā)明的附加權(quán)利要求所闡明的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以在功能、部件配置和步驟方面做多種改變。
權(quán)利要求
1.一種用于在可反轉(zhuǎn)的位置保持多個(gè)集成電路設(shè)備的覆蓋盤，該覆蓋盤包括多個(gè)容器，每一個(gè)容器包括具有一個(gè)周邊的設(shè)備集中區(qū)域；多個(gè)鄰近于所述多個(gè)容器中的每一個(gè)的支撐壁；多個(gè)定位于每一個(gè)集中區(qū)域的所述周邊的保持路緣；其中，所述的支撐壁在下部設(shè)備盤上滑動(dòng)地嚙合于相應(yīng)的垂直部件，該盤包括具有上側(cè)面朝上的集成電路設(shè)備，因此，所述的覆蓋盤可以嵌套于所述的下部設(shè)備盤，且其中兩種盤都被反轉(zhuǎn)，該下部設(shè)備盤被移走，從而所述的設(shè)備的所述上表面朝下，并停留在所述的集中區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1的覆蓋盤，其中該下部設(shè)備盤是JEDEC盤。
3.如權(quán)利要求1的覆蓋盤，其中所述的多個(gè)保持路緣被定位在所述的集中區(qū)域的四邊上。
4.如權(quán)利要求1的覆蓋盤，其中所述的多個(gè)保持路緣被定位在所述的集中區(qū)域的所述周邊的拐角處。
5.如權(quán)利要求1的覆蓋盤，其中所述的覆蓋盤利用一個(gè)已壓塑的聚合物制造。
6.一種檢驗(yàn)集成電路盤的方法，該方法包括步驟在一個(gè)下部集成電路設(shè)備盤上放置一個(gè)覆蓋盤，其中，該設(shè)備盤包括多個(gè)下側(cè)面朝下上側(cè)面朝上的集成電路設(shè)備，其中所述的覆蓋盤具有鄰近于所述設(shè)備的所述上側(cè)面的底部；反轉(zhuǎn)所述的覆蓋盤和所述的下部設(shè)備盤；移走所述的下部設(shè)備盤從而所述的設(shè)備停留在覆蓋盤上而所述的設(shè)備的所述下側(cè)面朝上；檢驗(yàn)所述設(shè)備的下側(cè)面；在所述的覆蓋盤上替換所述的下部設(shè)備盤；再次反轉(zhuǎn)所述的覆蓋盤和所述的下部設(shè)備盤；并移走所述的覆蓋盤。
7.如權(quán)利要求6的方法，其中所述的覆蓋盤和所述的下部設(shè)備盤是同樣的
8.如權(quán)利要求6的方法，其中所述的覆蓋盤在所述的底部包括多個(gè)保持路緣，用以防止當(dāng)所述的下部設(shè)備盤被從所述的覆蓋盤移走時(shí)，所述的設(shè)備的水平移動(dòng)。
9.如權(quán)利要求6的方法，其中所述的覆蓋盤在所述的檢驗(yàn)步驟過程中沒有被移動(dòng)。
10.如權(quán)利要求6的方法，其中所述的方法作為存在于弧前盆地中的一個(gè)自動(dòng)質(zhì)量控制處理的一部分而被執(zhí)行。
全文摘要
一種改進(jìn)型集成電路覆蓋盤包括在一個(gè)下側(cè)表面上的保持路緣，以在該盤被反轉(zhuǎn)時(shí)防止IC設(shè)備的水平移動(dòng)。一種檢驗(yàn)IC設(shè)備盤的方法，包括在一個(gè)下部集成電路設(shè)備盤上安置一個(gè)覆蓋盤的步驟，其中該設(shè)備盤包括多個(gè)下側(cè)面朝下上側(cè)面朝上的集成電路設(shè)備，其中所述的覆蓋盤的底部鄰近于所述設(shè)備的所述上側(cè)面；覆蓋盤和下部設(shè)備盤然后都被反轉(zhuǎn)，下部設(shè)備盤被移走從而該設(shè)備停留在覆蓋盤上。該設(shè)備的下側(cè)面然后被檢測，且下部設(shè)備盤在所述的覆蓋盤上被替換；然后再次反轉(zhuǎn)上述覆蓋盤及下部設(shè)備盤，且移走該覆蓋盤。
文檔編號G01R1/04GK1722402SQ20051007703
公開日2006年1月18日 申請日期2005年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月17日
發(fā)明者韓碧光 申請人:國際視測機(jī)器私人有限公司