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      聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列及其制備方法

      文檔序號:6126269閱讀:272來源:國知局
      專利名稱:聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及有機-無機納米復(fù)合材料氣體傳感器領(lǐng)域,具體涉及聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列及其制備方法。
      背景技術(shù)
      氣體傳感器在環(huán)境檢測、化學(xué)氣體檢測和食品工業(yè)等方面都有著重要的應(yīng)用前景,因此發(fā)展具有高靈敏度、高選擇性和良好穩(wěn)定性的高性能傳感器也勢在必行。這一切都對氣體傳感器的核心-氣敏材料提出了新的更高的要求。單一的無機半導(dǎo)體材料或?qū)щ娋酆衔餁饷舨牧洗嬖谥憫?yīng)慢、選擇性差、靈敏度低及穩(wěn)定性欠佳等缺點,將有機無機氣敏材料通過不同方式進行復(fù)合是解決這些問題的有效方法。由于有機/無機納米復(fù)合材料既能發(fā)揮無機納米粒子自身的特性及粒子間的協(xié)同效應(yīng),又具有有機材料本身的優(yōu)點,因此可以在一定程度上提高材料的可加工性能,改變單一氣敏材料的靈敏度、選擇性,并獲得單一材料不具備的新氣敏特性。目前氣敏材料的發(fā)展已呈現(xiàn)出由單一材料向復(fù)合材料發(fā)展的趨勢。
      聚吡咯、聚噻吩和聚苯胺等導(dǎo)電聚合物材料在常溫下對特定氣體具有敏感性。其中聚苯胺以其獨特的摻雜機制、可逆的氧化-還原特性、良好的穩(wěn)定性和原料價廉易得等優(yōu)點及其在可充電電池、化學(xué)傳感器等多方面廣泛的應(yīng)用而成為目前最有希望獲得實際應(yīng)用的導(dǎo)電聚合物材料。將無機半導(dǎo)體納米顆粒和聚苯胺制成納米復(fù)合材料,其光電性能和氣敏特性等與純聚苯胺相比均有所改變,因此聚苯胺納米復(fù)合材料在敏感材料、儲能材料等方面顯示出誘人的應(yīng)用前景。
      關(guān)于聚苯胺復(fù)合材料的相關(guān)報道及發(fā)明專利較多,其中發(fā)明專利申請公開說明書CN 1718612A和CN 1821315A分別報道了無機氧化物導(dǎo)電粉/聚苯胺導(dǎo)電高分子材料和聚苯胺包覆二氧化鈦復(fù)合材料及其制備方法。但目前對聚苯胺復(fù)合材料的報道大多集中在復(fù)合材料的制備及表征上,在聚苯胺復(fù)合薄膜的制備及氣體傳感器應(yīng)用方面則報道較少,Ram等(Ram,M.K.,Yavuz,O.,Lahsangah,V.,Aldissi.M.,Sens.Actuators B,2005,106750)報道了聚苯胺/二氧化錫(二氧化鈦)自組裝復(fù)合薄膜在室溫下對CO和SO2的敏感性,A.Z.Sadek等(A.Z.Sadek,W.Wlodarski,K.Shin,R.Bkaner,K.Kalantar-zadeh,Nanotechnology,2006,174488)報道了基于聚苯胺/氧化銦復(fù)合材料的氣體傳感器,主要用于CO、H2和NO2的檢測。Parvatikar等(N.Parvatikar,S.Jain,S.Khasim,M.Revansiddappa,S.V Bhoraskar,M.V.N.Ambika Prasad,Sens.Actuators B,2006,114599)報道了聚苯胺/氧化鎢復(fù)合濕度傳感器。
      然而,雖然聚苯胺/無機半導(dǎo)體復(fù)合材料用于氣體傳感器可提高傳感器的各項性能,但A.Z.Sadek等研究者指出聚苯胺復(fù)合材料傳感器仍然存在著交叉敏感性和穩(wěn)定性差等問題。氣體傳感器陣列是解決單一氣體傳感器交叉敏感性的有效途徑。目前文獻報道的氣體傳感器陣列一般是由(i)商用氣體傳感器(Santiago Marco,Arturo Ortega,Antonio Pardo,Josep Samitier,IEEE Transactionson Instrumentation and Measurement,1998,47(1)316);(ii)基于不同的半導(dǎo)體材料或含不同摻雜劑的半導(dǎo)體材料的氣體傳感器(Dae-sik Lee,Duk-Dong Lee,Sang-Woo Ban,Minho Lee,Youn Tae Kim,IEEE Sensors Journal,2002,2(3)1;鄧俊泳,馮勇建,吳青海,傳感器技術(shù),2002,21(8)44);(iii)基于不同聚合物及聚合物/炭黑復(fù)合材料的氣體傳感器(Frank Zee,Jack W.Judy,Sens.Actuators B,2001,72120)等氣體傳感器單元構(gòu)成。在關(guān)于氣體傳感器陣列的發(fā)明專利方面,發(fā)明專利申請公開說明書CN 1542444A報道了由銦錫比不同的銦錫氧化物薄膜氣體傳感器構(gòu)成的氣體傳感器陣列,用于鑒別包括苯、甲苯、二甲苯及甲醇等幾種常見的室內(nèi)污染氣體,而發(fā)明專利申請公開說明書CN 1635372A則報道了電子聚合物場效應(yīng)管氣體傳感器陣列對NOX混合氣體的檢測。但是以不同的納米氧化物制備聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜氣體傳感器單元并構(gòu)建氣體傳感器陣列的研究則尚未見報道,也沒有相關(guān)發(fā)明專利的申請。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是如何提供一種聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列,該陣列能夠解決單一的半導(dǎo)體或?qū)щ娋酆衔飩鞲衅鞯倪x擇性問題,同時具有更高的靈敏度和更快的響應(yīng)恢復(fù)特性;本發(fā)明還提供該陣列的制備方法,該制備方法操作簡便易行。
      本發(fā)明所提出的技術(shù)問題是這樣解決的構(gòu)造一種聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列,它是由2個以上的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元集成在同一基底上構(gòu)成的,其特征在于所述聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元包括基片、叉指電極、聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜和導(dǎo)電引線,其中聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜有由以下原料制成苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液、分散劑和無機氧化物溶膠或粉體。
      按照本發(fā)明所提供的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列,其特征在于,每個陣列中至少包括兩個不同類型的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元,該聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元的區(qū)別在于其聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜由以下不同的原料制成A、苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液和納米二氧化鈦溶膠;B、苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液和納米氧化誥溶膠;C、苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液、分散劑和納米氧化錫粉體;D、苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液、分散劑和納米氧化銦粉體;E、苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液、分散劑和納米氧化鎢粉體。
      按照本發(fā)明所提供的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列,其特征在于,苯胺單體與氧化劑的摩爾比為1;摻雜酸溶液為2.0M的鹽酸溶液;無機氧化物溶膠的重量百分含量為0.05~1%,無機氧化物粉體與苯胺單體的質(zhì)量比為0.020~0.030∶0.5~2;所述氧化劑為過硫酸銨;所述分散劑為十二烷基苯磺酸鈉。
      按照本發(fā)明所提供的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列,其特征在于,所述基片是5mm×8mm的硅片,所述叉指電極材料為金,其電極間距和寬度均為50μm。
      一種聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列的制備方法,其特征在于,包括以下步驟(1)、運用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝在基片上制備叉指電極;(2)、在叉指電極部分采用靜電力自組裝和原位聚合沉積法生長較高導(dǎo)電率的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合敏感薄膜,在兩個電極端引出導(dǎo)線;(3)、將運用不同納米氧化物制備的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元集成在同一塊基底上構(gòu)成微氣體傳感器陣列。
      按照本發(fā)明所提供的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列的制備方法,其特征在于,步驟(2)中采用靜電力自組裝和原位聚合沉積法生長較高導(dǎo)電率的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合敏感薄膜包括以下步驟①將平面叉指電極式器件放入聚二烯丙基氯化銨水溶液中浸泡6~12min,取出后用去離子水洗滌,再用氮氣吹干;②再將基片浸入聚對苯乙烯磺酸鈉溶液中7~13min,取出后用去離子水洗滌并吹干;③溫度在0~25℃內(nèi),將處理過的無機納米氧化物溶膠或粉體加入到摻雜酸溶液中,然后再將苯胺單體加入其中,最后將氧化劑溶液滴加到上述混合物進行反應(yīng);④混合液靜置3~10min,用有機過濾器過濾;⑤將處理后的基片浸入到濾液中,15~25min后取出,室溫條件下自然晾干。
      按照本發(fā)明所提供的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列的制備方法,其特征在于A、納米無機氧化物粉體的處理方法是將十二烷基苯磺酸鈉按比例加入到稀鹽酸中,攪拌均勻后添加二氧化錫、氧化銦或氧化鎢納米粉體;該混合懸浮液首先高速攪拌10~30min,然后再放入超聲波清洗機中超聲振蕩20~40min;B、納米無機氧化物溶膠的處理方法是加入一定量的去離子水稀釋納米二氧化鈦溶膠和納米氧化誥溶膠,然后放入超聲波清洗機中超聲振蕩10~20min。
      本發(fā)明的有益效果為從有機-無機納米復(fù)合材料角度著手,在化學(xué)氧化聚合聚苯胺的過程中加入適量的無機氧化物納米溶膠或粉體,由于納米粒子起著原位吸附聚合載體的作用,因此苯胺單體吸附在納米粒子表面,氧化劑引發(fā)單體在納米粒子表面進行聚合,導(dǎo)致了聚苯胺圍繞納米粒子的受限生長,從而使得聚苯胺大分子或其鏈段在納米粒子表面的排列更加規(guī)整有序,提高了薄膜的電導(dǎo)率,因此本發(fā)明提出的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列的輸出信號很容易采集和進一步處理。同時,聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微傳感器響應(yīng)快,易恢復(fù),靈敏度高。通過選擇不同的納米氧化物組成聚苯胺復(fù)合薄膜氣體傳感器陣列,能夠滿足混合氣體的快速精確檢測和識別。本發(fā)明以聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器為單元構(gòu)建氣體傳感器陣列,結(jié)合模式識別技術(shù),很好地解決了單一聚苯胺復(fù)合薄膜氣體傳感器基線漂移、混合氣體的分辨力差等問題。復(fù)合薄膜制備方法合理簡單,容易操作。


      圖1是本發(fā)明所提供的微氣體傳感器陣列的的平面示意圖;圖2是本發(fā)明所提供的氣體傳感器單元的平面示意圖;其中,其中,1是陣列基底;2是氣體傳感器單元;21是基片;22是叉指電極;23是聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜;24是焊點;25是引線。
      具體實施例方式
      下面結(jié)合附圖以及具體實施例對本發(fā)明作進一步的說明。
      如圖1、圖2所示,本發(fā)明提出的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列單元2是由基片21、叉指電極22、聚苯胺/納米氧化物復(fù)合敏感薄膜23和導(dǎo)電引出端(包括引線25和焊點24)組成,基片為5mm×8mm的硅片,運用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝在硅片上制備叉指電極,電極材料為金,電極間距和寬度均為50μm,在叉指電極部分采用靜電力自組裝和原位聚合沉積法生長較高導(dǎo)電率的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合敏感薄膜,在兩個電極端引出導(dǎo)線。將運用不同納米氧化物制備的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元集成在同一塊基底1上構(gòu)成微氣體傳感器陣列。
      本發(fā)明提出的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜具有以下原料物質(zhì)苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液、分散劑和無機氧化物溶膠或粉體。其中苯胺單體與氧化劑的摩爾比為1;摻雜酸溶液為2.0M的鹽酸溶液;所述的無機氧化物溶膠或粉體指的是納米二氧化鈦溶膠、納米氧化誥溶膠,納米氧化錫粉體、納米氧化銦粉體和納米氧化鎢粉體;優(yōu)選的氧化物溶膠的重量比為0.1%,優(yōu)選的氧化物粉體與苯胺單體的質(zhì)量比為0.025∶1;所述的氧化劑指的是過硫酸銨;所指的分散劑是十二烷基苯磺酸鈉。
      本發(fā)明提出的運用靜電力自組裝與原位聚合沉積法制備復(fù)合薄膜的過程如下首先將平面叉指電極式器件放入聚二烯丙基氯化銨水溶液中浸泡6~12min(最優(yōu)10min或者8min或者11min),取出后用去離子水洗滌,再用氮氣吹干;再將基片浸入一定濃度的聚(對苯乙烯磺酸鈉)溶液中7~13min(最優(yōu)10min或者8min或者11min),取出后用去離子水洗滌并吹干。同時,在一定溫度下,將處理過的無機納米氧化物溶膠或粉體加入到摻雜酸溶液中,然后再將苯胺單體加入其中,最后將氧化劑溶液滴加到上述混合物進行反應(yīng)。混合液靜置若干分鐘后,用0.45μm的有機過濾器過濾。將處理后的基片浸入到濾液中,一定時間后取出,室溫條件下自然晾干。
      納米溶膠和粉體要經(jīng)過一定的處理。納米粉體的處理方法是納米粉體的處理方法是將十二烷基苯磺酸鈉按比例加入到稀鹽酸中,攪拌均勻后添加二氧化錫、氧化銦或氧化鎢納米粉體;該混合懸浮液首先高速攪拌10~30min(最優(yōu)有20min或者15min或者25min),然后再放入超聲波清洗機中超聲振蕩20~40min(最優(yōu)30min或者25或者35min);納米溶膠的處理方法是加入一定量的去離子水稀釋納米二氧化鈦溶膠和納米氧化誥溶膠,然后放入超聲波清洗機中超聲振蕩10~20min(最優(yōu)15min或者18min)。
      按照本發(fā)明,氧化聚合反應(yīng)在在0~25℃(最優(yōu)10℃或者8℃或者12℃或者25℃)下進行。混合溶液靜置時間為3~10min(最優(yōu)6min或者8min或者4min等),基片浸入時間15~25min(最優(yōu)15min或者20min或者18min等)。
      以下是本發(fā)明的具體實施例實施例1首先將如圖2所示的平面叉指電極式單元器件進行表面預(yù)處理。將叉指電極式器件放入1%聚二烯丙基氯化銨水溶液中浸泡10分鐘,取出后用去離子水洗滌,再用氮氣吹干;再將基片浸入2mg/mL的聚(對苯乙烯磺酸鈉)溶液中10分鐘,取出后用去離子水洗滌并吹干。
      用移液管取0.2mL TiO2納米溶膠,加去離子水稀釋至0.1wt%;超聲15min。稱取0.1254g過硫酸銨,溶解在10mL2 mol/L的鹽酸中。溫度在10℃時,將超聲過的TiO2溶膠加入到20mL2.0mol/L的鹽酸溶液中,然后將0.1mL苯胺單體加入其中。最后將過硫酸銨的鹽酸溶液緩慢滴入到混合液中,體系的顏色由淺藍逐漸加深,最后轉(zhuǎn)變?yōu)槟G色。靜置6min后,用0.45μm的有機過濾器過濾。將預(yù)處理后的叉指電極式器件浸入到聚苯胺/二氧化鈦濾液中,反應(yīng)20min,取出后在空氣中自然晾干,放置在純凈的氮氣中保存12h后測試。
      實施例2首先將如圖2所示的平面叉指電極式單元器件進行表面預(yù)處理。將叉指電極式器件放入1%聚二烯丙基氯化銨水溶液中浸泡10分鐘,取出后用去離子水洗滌,再用氮氣吹干;再將基片浸入2mg/mL的聚(對苯乙烯磺酸鈉)溶液中10分鐘,取出后用去離子水洗滌并吹干。
      將分散劑十二烷基苯磺酸鈉0.1g溶于20mL 0.2mol/L的鹽酸溶液中,攪拌均勻后加入0.144g SnO2納米粉體,并用磁力攪拌器攪拌高速攪拌20min,這時分散體系呈乳白色;然后再放入超聲波清洗機中超聲振蕩30min。稱取0.1254g過硫酸銨,溶解在10mL 2mol/L的鹽酸中。溫度在10℃時,將0.1mL苯胺單體加入到超聲過的SnO2溶膠中,最后將過硫酸銨的鹽酸溶液緩慢滴入到混合液中,體系的顏色由淺藍逐漸加深,最后轉(zhuǎn)變?yōu)槟G色。靜置5min后,用0.45μm的有機過濾器過濾。將預(yù)處理后的叉指電極式器件浸入到聚苯胺/二氧化錫濾液中,反應(yīng)20min,取出后在空氣中自然晾干,放置在純凈的氮氣中保存12h后測試。
      權(quán)利要求
      1.一種聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列,它是由2個以上的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元集成在同一基底上構(gòu)成的,其特征在于所述聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元包括基片、叉指電極、聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜和導(dǎo)電引線,其中聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜有由以下原料制成苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液、分散劑和無機氧化物溶膠或粉體。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列,其特征在于,每個陣列中至少包括兩個不同類型的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元,該聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元的區(qū)別在于其聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜由以下不同的原料制成A、苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液和納米二氧化鈦溶膠;B、苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液和納米氧化誥溶膠;C、苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液、分散劑和納米氧化錫粉體;D、苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液、分散劑和納米氧化銦粉體;E、苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液、分散劑和納米氧化鎢粉體。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列,其特征在于,苯胺單體與氧化劑的摩爾比為1;摻雜酸溶液為2.0M的鹽酸溶液;無機氧化物溶膠的重量百分含量為0.05~1%,無機氧化物粉體與苯胺單體的質(zhì)量比為0.020~0.030∶0.5~2;所述氧化劑為過硫酸銨;所述分散劑為十二烷基苯磺酸鈉。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列,其特征在于,所述基片是5mm×8mm的硅片,所述叉指電極材料為金,其電極間距和寬度均為50μm。
      5.一種聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列的制備方法,其特征在于,包括以下步驟(1)、運用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝在基片上制備叉指電極;(2)、在叉指電極部分采用靜電力自組裝和原位聚合沉積法生長較高導(dǎo)電率的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合敏感薄膜,在兩個電極端引出導(dǎo)線;(3)、將運用不同納米氧化物制備的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元集成在同一塊基底上構(gòu)成微氣體傳感器陣列。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列的制備方法,其特征在于,步驟(2)中采用靜電力自組裝和原位聚合沉積法生長較高導(dǎo)電率的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合敏感薄膜包括以下步驟①將平面叉指電極式器件放入聚二烯丙基氯化銨水溶液中浸泡6~12min,取出后用去離子水洗滌,再用氮氣吹干;②再將基片浸入聚對苯乙烯磺酸鈉溶液中7~13min,取出后用去離子水洗滌并吹干;③溫度在0~25℃內(nèi),將處理過的無機納米氧化物溶膠或粉體加入到摻雜酸溶液中,然后再將苯胺單體加入其中,最后將氧化劑溶液滴加到上述混合物進行反應(yīng);④混合液靜置3~10min,用有機過濾器過濾;⑤將處理后的基片浸入到濾液中,15~25min后取出,室溫條件下自然晾干。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列的制備方法,其特征在于A、納米無機氧化物粉體的處理方法是將十二烷基苯磺酸鈉按比例加入到稀鹽酸中,攪拌均勻后添加二氧化錫、氧化銦或氧化鎢納米粉體;該混合懸浮液首先高速攪拌10~30min,然后再放入超聲波清洗機中超聲振蕩20~40min;B、納米無機氧化物溶膠的處理方法是加入一定量的去離子水稀釋納米二氧化鈦溶膠和納米氧化誥溶膠,然后放入超聲波清洗機中超聲振蕩10~20min。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器陣列,它是由2個以上的聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元集成在同一基底上構(gòu)成的,其特征在于所述聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器單元包括基片、叉指電極、聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜和導(dǎo)電引線,其中聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜有由以下原料制成苯胺單體、摻雜酸溶液、氧化劑酸溶液、分散劑和無機氧化物溶膠或粉體。本發(fā)明以聚苯胺/納米氧化物復(fù)合薄膜微氣體傳感器為單元構(gòu)建氣體傳感器陣列,結(jié)合模式識別技術(shù),很好地解決了單一聚苯胺復(fù)合薄膜氣體傳感器基線漂移、混合氣體的分辨力差等問題。
      文檔編號G01N27/00GK101042363SQ20071004897
      公開日2007年9月26日 申請日期2007年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月27日
      發(fā)明者蔣亞東, 太惠玲, 謝光忠, 杜曉松 申請人:電子科技大學(xué)
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