專利名稱：物質(zhì)成分測定裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對生化物質(zhì)進行快速測定的微型裝置，具體為具有片上溫度控制器的多通道微型物質(zhì)成分快速測定裝置，屬于物質(zhì)成分快速檢測裝置技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前的檢測裝置都具有檢測時間長、設(shè)備復(fù)雜、體積龐大、成本高、機動性差等缺點，難以滿足實際使用的要求。為了應(yīng)對戰(zhàn)場上可能出現(xiàn)的化學武器襲擊，為了預(yù)防并阻止針對平民的恐怖襲擊，為了維護環(huán)境的安全，迫切需要研制靈敏度高、功耗低、微型化、實時性強、可靠性高的環(huán)境監(jiān)測裝置，以提高對環(huán)境的監(jiān)測能力。
本微型物質(zhì)成分測定系統(tǒng)是基于高場非對稱波形離子遷移譜技術(shù)的生化物質(zhì)探測裝置，主要利用高場強下不同離子的遷移率會隨電場強度的變化不同的特性來分離并檢測不同種類的化合物。一種離子在低電場條件下的遷移率系數(shù)K0與電場強度無關(guān)。當電場強度高到一定值以后(約11000V/cm以上)，這種離子的遷移率系數(shù)K就會發(fā)生變化，并以一種非線性的方式隨電場強度而變化，此時，K＝K0[1+α(E/N)]，E是電場強度，N是離子濃度，a(E/N)為離子遷移率有效系數(shù)。有些離子的遷移率隨著電場強度的升高而增大，而有些離子的遷移率隨著電場強度的先增大，后又減小，而另一些離子的遷移率卻隨著電場強度的升高而減小，這就使在低電場強度條件下離子遷移率相同或相近的離子能夠在高電場強度條件下被分離開來。當把周期性高場非對稱波形電場施加于一對電極板形成的狹窄空間并且有氣流攜帶離子通過時，離子就會在兩個電極板之間發(fā)生振動，其振動方向與電極板垂直，在一個周期內(nèi)離子在與電極板垂直方向上有一個凈位移，不同的離子在載氣和電場共同作用下形成各自特定的運動軌跡。若與射頻電壓同時加在過濾電極上的還有一個直流補償電壓，調(diào)節(jié)這個補償電壓能夠使離子在一個周期內(nèi)與電極板垂直方向上的凈位移為零，并保持在沿平行于極板方向的某一直線附近上下振動。在周期性高場非對稱波形電場和直流電場的共同作用下，特定的離子將沿平行于過濾電極的方向運動，通過兩電極之間的遷移區(qū)，到達探測電極被檢測到，而不會撞擊到過濾電極上。其它離子會與過濾電極發(fā)生碰撞，被中和后由載氣流帶出遷移區(qū)。每種離子都有各自特定的這種直流補償電壓。在一定范圍內(nèi)對補償電壓進行掃描，可以得到被測樣品的離子遷移譜圖，從而能夠測定樣品的成分。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供了一種便攜式痕量物質(zhì)成分快速測定裝置，它具有微型化、低功耗、高可靠性、高集成度、高靈敏度、快速等特點，它不僅適用于現(xiàn)場實時探測生化戰(zhàn)劑和爆炸物，還可應(yīng)用于毒品檢測、物質(zhì)分析、藥物提取、環(huán)境污染監(jiān)測等。微型物質(zhì)成分快速測定系統(tǒng)一般是對氣態(tài)樣品或待測樣品顆粒的蒸汽進行檢測，并工作在大氣氣壓環(huán)境下。
1.單通道微型物質(zhì)成分快速測定裝置一個基本的單通道微型物質(zhì)成分快速測定裝置包括離子源2、遷移管12、上離子探測器5、下離子探測器19、信號處理電路6、微控制器7、高場非對稱波形電源8，如圖1所示。其中，遷移管12包括遷移區(qū)上電極4、遷移區(qū)下電極15、溫度傳感器11、溫度傳感器18、溫度控制器10、溫度控制器16。遷移管12是離子分離的場所。遷移管12是微型物質(zhì)成分快速測定裝置核心部件，其性能的好壞直接決定著整個物質(zhì)成分測定系統(tǒng)檢測性能的高低。
在痕量物質(zhì)成分測定過程中，溫度是影響系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性的最主要原因之一。離子在遷移區(qū)運動的過程中，離子從遷移區(qū)電極獲得能量，離子通過與其它粒子多次碰撞把能量傳遞給其它粒子，最后達到熱平衡并使氣體溫度升高，這必然會改變離子的遷移率，導(dǎo)致被檢測樣品對應(yīng)的補償電壓改變，另外，環(huán)境溫度的變化也會引起補償電壓的改變，因此，微控制器7通過峰值查找算法提取離子遷移譜波峰位置并與數(shù)據(jù)庫中的比對模板相比較時，系統(tǒng)會出錯，無法準確測定樣品的成分。熱的控制和冷卻成為物質(zhì)成分快速測定系統(tǒng)穩(wěn)定可靠和長壽命應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。傳統(tǒng)的致冷或加熱方式，如風扇、熱交換器、電阻加熱等，體積大，功耗高，制冷或加熱速度慢，與待致冷或加熱器件是相對獨立的，致冷工作時兩者之間即使是處于緊密接觸狀態(tài)，依然存在一定的熱阻，不利于集成和局部高效致冷；雖然半導(dǎo)體熱電致冷器沒有機械轉(zhuǎn)動部分，無需致冷劑，但是半導(dǎo)體熱電致冷器采用塊狀材料制備，制備工藝與MEMS工藝不兼容，需采取混合貼片裝配方式與待致冷器件相連，熱傳導(dǎo)效率低，不利于系統(tǒng)的微型化和集成化。
本發(fā)明利用基于MEMS工藝的新型薄/厚膜微型溫度控制器來提高物質(zhì)成分快速測定裝置可靠性和集成度，如圖1所示。采用MEMS工藝在基片9的一個面上制備一層金屬膜(如Ti/Pt/Au等)形成遷移區(qū)上電極4，在基片17的一個面上制備一層金屬膜(如Ti/Pt/Au等)形成遷移區(qū)下電極15，然后在基片9的另一個面上制備薄/厚膜(如鐵電薄/厚膜等)微型化陣列10和溫度傳感器11，在基片17的另一個面上制備薄/厚膜(如鐵電薄/厚膜等)微型化陣列15和溫度傳感器18，基片9和基片17與硅或其它材料通過鍵合工藝或其它方法制成平行板遷移管12。
單通道物質(zhì)成分快速測定裝置的原理如圖1所示。離子源位于遷移管12的入口處，遷移區(qū)下電極15接地，遷移區(qū)上電極4與高場非對稱波形電源8相連，高場非對稱波形電源8與微控制器7相連，溫度傳感器11和溫度傳感器18與微控制器7相連，溫度控制器10和溫度控制器16與微控制器7相連，上離子探測器5和下離子探測器19位于遷移管12的末端，上離子探測器5和下離子探測器19與信號處理電路6相連，信號處理電路6與微控制器7相連。
待測樣品分子1在載氣的帶動下到達離子源2被電離，離子源可以是電暈放電離子源或其它的離子源。離子3在載氣的繼續(xù)推動下進入遷移管12。在遷移區(qū)上電極4上加上高場非對稱波形驅(qū)散電壓，其頻率一般為200KHz～750KHz，如圖2所示。高場非對稱波形驅(qū)散電壓在遷移區(qū)上電極4和遷移區(qū)下電極15之間形成非對稱波形射頻電場。在高場非對稱波形驅(qū)散電壓和補償電壓共同產(chǎn)生的射頻電場的作用下，只有符合一定補償電壓的離子才能通過遷移管12被上離子探測器5或下離子探測器19檢測到，而其它種類的離子因撞到遷移區(qū)上電極4或下電極15上被中和吸收。不同物質(zhì)對應(yīng)的補償電壓不同。高場非對稱波形電源在微控制器7的控制下，補償電壓在一定范圍內(nèi)掃描就可得到待測樣品的離子遷移譜圖。微控制器7首先對離子遷移譜信號進行采集，然后經(jīng)信號處理電路6濾波除去離子遷移譜中的噪聲信號，通過峰值查找算法提取離子遷移譜波峰位置，再與數(shù)據(jù)庫中的比對模板相比較，就可以準確的測定待測樣品的化學成分。
利用溫度傳感器11和溫度傳感器18實時監(jiān)測遷移區(qū)氣體的溫度，然后將溫度信息反饋給微控制器7，微控制器7根據(jù)遷移區(qū)氣體溫度與設(shè)定溫度的差值控制微型薄/厚膜溫度控制器陣列10和微型薄/厚膜溫度控制器陣列16的驅(qū)動電源開關(guān)電路并自動對遷移管12致冷或加熱。當遷移管12內(nèi)氣體溫度比設(shè)定溫度低時，外加電場使微型薄/厚膜陣列10和微型薄/厚膜溫度控制器陣列16溫度升高，對遷移管12加熱；當遷移管12內(nèi)氣體溫度比設(shè)定溫度高時，外加電場自動反向，使微型薄/厚膜溫度控制器陣列10和微型薄/厚膜溫度控制器陣列16溫度降低，對遷移管12致冷。因此，只需改變電源極性，易于實現(xiàn)系統(tǒng)的恒溫控制。該薄/厚膜微型溫度控制器10和薄/厚膜微型溫度控制器16可采用MEMS平面加工技術(shù)，與遷移區(qū)電極4、遷移區(qū)電極15、溫度傳感器11、溫度傳感器18等制備于同一襯底，有很好的兼容性，易于集成，符合單片系統(tǒng)集成特征，同時具有很高的熱傳導(dǎo)效率；其外加電場閥值電場強度低(一般低于3V)，便于實現(xiàn)數(shù)字化控制，而且靈敏度高、響應(yīng)快、功耗低。
2.多通道微型物質(zhì)成分快速測定裝置一個基本的多通道微型物質(zhì)成分快速測定裝置包括離子源2、多個遷移管12、多個上離子探測器5、多個下離子探測器19、信號處理電路6、微控制器7、高場非對稱波形電源8，如圖3所示。其中，每個遷移管12包括遷移區(qū)上電極4、遷移區(qū)下電極15、溫度傳感器11、溫度傳感器18、溫度控制器10、溫度控制器16。遷移管12是離子分離的場所。遷移管12是多通道微型物質(zhì)成分快速測定裝置核心部件，其性能的好壞直接決定著整個物質(zhì)成分測定系統(tǒng)檢測性能的高低。
微型物質(zhì)成分快速測定系統(tǒng)檢測速度主要取決于補償電壓完成一次掃描所需時間和遷移譜圖峰值查找所消耗的時間，靈敏度取決于通過遷移管并最終到達離子探測器的離子量。本發(fā)明提供了具有高靈敏度、高可靠性和高集成度等特點的便攜式痕量物質(zhì)成分快速測定裝置。
本發(fā)明利用基于MEMS工藝的新型薄/厚膜微型溫度控制器來提高物質(zhì)成分快速測定裝置可靠性和集成度，如圖2所示。采用MEMS工藝在基片9的一個面上制備一層金屬膜(如Ti/Pt/Au等)形成遷移區(qū)上電極4，在基片17的一個面上制備一層金屬膜(如Ti/Pt/Au等)形成遷移區(qū)下電極15，然后在基片9的另一個面上制備薄/厚膜(如鐵電薄/厚膜等)微型化陣列10和溫度傳感器11，在基片17的另一個面上制備薄/厚膜(如鐵電薄/厚膜等)微型化陣列15和溫度傳感器18，基片9和基片17與硅或其它材料通過鍵合工藝或其它方法制成平行板遷移管12。每個遷移管與一對離子探測器5和離子探測器19構(gòu)成一個離子檢測通道，多個檢測通道形成多通道結(jié)構(gòu)。
多通道物質(zhì)成分快速測定裝置的原理如圖3所示。離子源位于多個遷移管12的入口處，每個遷移管的遷移區(qū)下電極15接地，每個遷移管的遷移區(qū)上電極4與高場非對稱波形電源8相連，高場非對稱波形電源8與微控制器7相連，每個溫度傳感器11和溫度傳感器18與微控制器7相連，每個溫度控制器10和溫度控制器16與微控制器7相連，每個上離子探測器5和下離子探測器19位于遷移管12的末端，每個上離子探測器5和下離子探測器19與信號處理電路6相連，信號處理電路6與微控制器7相連。
每個通道有三種工作模式，即全掃面模式、分段掃描模式、非掃描模式，任何一個通道都可隨意從這三種工作模式中選擇一種。
當采用全掃面工作模式時，微控制器通過程序控制補償電壓在整個掃描電壓范圍內(nèi)進行掃描，檢測電流等于處于該工作種模式下的各通道離子探測器輸出電流之和，從而提高了系統(tǒng)的靈敏度。
當采用分段掃描工作模式時，把整個掃描電壓范圍分成若干段，微控制器通過程序控制處于該工作種模式下的各個通道的補償電壓在不同的掃描電壓段進行掃描，然后把處于該工作種模式下的各個通道所得到的離子遷移譜圖結(jié)合起來，就可得到完整的離子遷移譜圖，當系統(tǒng)工作在這種模式下，有效的縮短了掃描時間，提高了檢測速度，從而能夠快速測定待測樣品的成分。
當采用非掃描工作模式時，微控制器通過程序給處于該工作種模式下的檢測通道設(shè)定一個補償電壓值，若在特殊場合懷疑某種或某幾種物質(zhì)存在并需要進行快速測定，可采用這種工作模式，補償電壓無需掃描，也不需要經(jīng)過復(fù)雜的峰值查找計算，可以大大提高系統(tǒng)檢測速度。
待測樣品分子1在載氣的帶動下到達離子源2被電離，離子源可以是電暈放電離子源或其它的離子源。離子3在載氣的繼續(xù)推動下進入每個遷移管12。在每個遷移區(qū)上電極4上加上高場非對稱波形驅(qū)散電壓，其頻率一般為200KHz～750KHz，如圖2所示。高場非對稱波形驅(qū)散電壓在每個遷移區(qū)上電極4和每個遷移區(qū)下電極15之間形成非對稱波形射頻電場。在高場非對稱波形驅(qū)散電壓和補償電壓共同產(chǎn)生的射頻電場的作用下，只有符合一定補償電壓的離子才能通過每個遷移管12被上離子探測器5或每個下離子探測器19檢測到，而其它種類的離子因撞到每個遷移區(qū)上電極4或每個下電極15上被中和吸收。不同物質(zhì)對應(yīng)的補償電壓不同。高場非對稱波形電源在微控制器7的控制下，補償電壓在一定范圍內(nèi)掃描就可得到待測樣品的離子遷移譜圖。微控制器7首先對離子遷移譜信號進行采集，然后經(jīng)信號處理電路6濾波除去離子遷移譜中的噪聲信號，通過峰值查找算法提取離子遷移譜波峰位置，再與數(shù)據(jù)庫中的比對模板相比較，就可以準確的測定待測樣品的化學成分。
利用每個溫度傳感器11和溫度傳感器18實時監(jiān)測遷移區(qū)氣體的溫度，然后將溫度信息反饋給微控制器7，微控制器7根據(jù)遷移區(qū)氣體溫度與設(shè)定溫度的差值控制每個微型薄/厚膜溫度控制器陣列10和微型薄/厚膜溫度控制器陣列16的驅(qū)動電源開關(guān)電路并自動對每個遷移管12致冷或加熱。當每個遷移管12內(nèi)氣體溫度比設(shè)定溫度低時，外加電場使微型薄/厚膜陣列10和微型薄/厚膜溫度控制器陣列16溫度升高，對每個遷移管12加熱；當遷移管12內(nèi)氣體溫度比設(shè)定溫度高時，外加電場自動反向，使每個微型薄/厚膜溫度控制器陣列10和微型薄/厚膜溫度控制器陣列16溫度降低，對每個遷移管12致冷。因此，只需改變電源極性，易于實現(xiàn)系統(tǒng)的恒溫控制。每個薄/厚膜微型溫度控制器10和薄/厚膜微型溫度控制器16可采用MEMS平面加工技術(shù)，與每個遷移區(qū)電極4、每個遷移區(qū)電極15、每個溫度傳感器11、每個溫度傳感器18等制備于同一襯底，有很好的兼容性，易于集成，符合單片系統(tǒng)集成特征，同時具有很高的熱傳導(dǎo)效率；其外加電場閥值電場強度低(一般低于3V)，便于實現(xiàn)數(shù)字化控制，而且靈敏度高、響應(yīng)快、功耗低。


圖1微型物質(zhì)成分快速測定系統(tǒng)原理圖。
圖2高場非對稱波形示意圖。
圖3多通道結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合具體實施例說明本發(fā)明。
具體實施例1利用微型物質(zhì)成分快速測定裝置對熱帶空氣污染物進行測定，由于氣溫T比微型物質(zhì)成分快速測定裝置的標準工作溫度T0低高，溫度傳感器11、18實時監(jiān)測遷移區(qū)氣體的溫度T，然后將溫度T反饋給微控制器7，微控制器7根據(jù)遷移區(qū)氣體溫度T與標準工作溫度T0的差值控制微型薄/厚膜溫度控制器陣列10、16的驅(qū)動電源開關(guān)電路并自動對遷移管12制冷，使遷移區(qū)保持在標準工作溫度T0下工作。
具體實施例2利用微型物質(zhì)成分快速測定裝置對寒冷地帶空氣污染物進行測定，由于氣溫T比微型物質(zhì)成分快速測定裝置的標準工作溫度T0低，溫度傳感器11、18實時監(jiān)測遷移區(qū)氣體的溫度T，然后將溫度T反饋給微控制器7，微控制器7根據(jù)遷移區(qū)氣體溫度T與標準工作溫度T0的差值控制微型薄/厚膜溫度控制器陣列10、16的驅(qū)動電源開關(guān)電路，改變電源極性并自動對遷移管12加熱，使遷移區(qū)保持在標準工作溫度T0下工作。
具體實施例3利用微型物質(zhì)成分快速測定裝置對食品中農(nóng)藥殘留成分進行測定，由于農(nóng)藥殘留成分一般含量很低，單通道微型物質(zhì)成分快速測定裝置的靈敏度太低，就需要選用全掃描工作模式。將微型物質(zhì)成分快速測定裝置控制面板上工作模式選擇按鈕調(diào)至全掃描工作模式，微控制器7使所有通道工作在全掃描工作模式，農(nóng)藥殘留成分被離子源2電離成離子，離子在載氣帶動下進入檢測通道12，微控制器7通過程序控制補償電壓在整個掃描電壓范圍內(nèi)進行掃描，在補償電壓和高場非對稱波形產(chǎn)生的電場的共同作用下，不同的離子依次通過通道12到達離子探測器5、19，離子探測器的總檢測電流等于各通道離子探測器輸出電流之和，微控制器7首先對離子探測器輸出信號進行采集，然后經(jīng)信號處理電路6濾波除去噪聲信號，通過峰值查找算法提取離子遷移譜波峰位置，再與數(shù)據(jù)庫中的比對模板相比較，就可以準確的測定食品中殘留農(nóng)藥成分。
具體實施例4利用微型物質(zhì)成分快速測定裝置對毒品進行快速偵測，可選用分段掃描工作模式。將微型物質(zhì)成分快速測定裝置控制面板上工作模式選擇按鈕調(diào)至分段掃描工作模式，微控制器7使所有通道工作在分段掃描工作模式并給不同的通道分配不同的掃描電壓范圍，擴散到空氣中的毒品分子隨空氣進入離子源2被電離成離子，離子在載氣帶動下進入檢測通道12，微控制器7通過程序控制各個通道的補償電壓在各自的掃描電壓范圍內(nèi)進行掃描，在補償電壓和高場非對稱波形產(chǎn)生的電場的共同作用下，不同的離子依次通過通道12到達離子探測器5、19，微控制器7首先對各個離子探測器輸出信號進行采集，然后把各個離子探測器的輸出信號結(jié)合起來，再經(jīng)信號處理電路6濾波除去噪聲信號，通過峰值查找算法提取離子遷移譜波峰位置，再與數(shù)據(jù)庫中的比對模板相比較，就可以準確快速的完成對毒品進行偵測。
具體實施例5利用微型物質(zhì)成分快速測定裝置對懷疑遭到沙林毒氣恐怖襲擊的場所進行快速偵測，由于沙林毒氣殺傷力極強，很少量的沙林毒氣就可以迅速的致人于死地，需要選用非掃描工作模式。將微型物質(zhì)成分快速測定裝置控制面板上工作模式選擇按鈕調(diào)至非掃描工作模式，然后將測定對象選為沙林毒氣，微控制器7使所有通道工作在非掃描工作模式并將所有通道的補償電壓調(diào)到沙林毒氣的補償電壓，補償電壓為一個固定值，無需掃描，擴散到空氣中的沙林毒氣分子隨空氣進入離子源2被電離成離子，沙林毒氣離子在載氣帶動下進入檢測通道12，在固定的補償電壓和高場非對稱波形產(chǎn)生的電場的共同作用下，沙林毒氣離子通過通道12到達離子探測器5、19，微控制器7首先對離子探測器輸出信號進行采集，然后經(jīng)信號處理電路6濾波除去噪聲信號，再通過判斷是否有波峰出現(xiàn)來卻定沙林毒氣是否存在，就可以準確快速的完成對沙林毒氣進行偵測。
權(quán)利要求
1.一種物質(zhì)成分測定裝置，其特征在于，該裝置包括離子源(2)、遷移管(12)、上離子探測器(5)、下離子探測器(19)、信號處理電路(6)、微控制器(7)、高場非對稱波形電源(8)，其中，遷移管(12)包括遷移區(qū)上電極(4)、遷移區(qū)下電極(15)、第一溫度傳感器(11)、第二溫度傳感器(18)、第一溫度控制器(10)、第二溫度控制器(16)；離子源(2)位于遷移管12的入口處；遷移區(qū)下電極(15)接地；遷移區(qū)上電極(4)與高場非對稱波形電源(8)相連，高場非對稱波形電源(8)與微控制器(7)相連，第一溫度傳感器(11)和第二溫度傳感器(18)與微控制器(7)相連，第一溫度控制器(10)和第二溫度控制器(16)與微控制器(7)相連，上離子探測器(5)和下離子探測器(19)位于遷移管(12)的末端，上離子探測器(5)和下離子探測器(19)與信號處理電路(6)相連，信號處理電路(6)與微控制器(7)相連。
2.一種物質(zhì)成分測定裝置，其特征在于，該裝置包括離子源(2)、多個遷移管(12)、多個上離子探測器(5)、多個下離子探測器(19)、信號處理電路(6)、微控制器(7)、高場非對稱波形電源(8)；其中，每個遷移管(12)包括遷移區(qū)上電極(4)、遷移區(qū)下電極(15)、第一溫度傳感器(11)、第二溫度傳感器(18)、第一溫度控制器(10)、第二溫度控制器(16)；離子源(2)位于多個遷移管(12)的入口處；每個遷移管的遷移區(qū)下電極(15)接地，每個遷移管的遷移區(qū)上電極(4)與高場非對稱波形電源(8)相連，高場非對稱波形電源(8)與微控制器(7)相連，每個第一溫度傳感器(11)和第二溫度傳感器(18)與微控制器(7)相連，每個第一溫度控制器(10)和第二溫度控制器(16)與微控制器(7)相連，每個上離子探測器(5)和下離子探測器(19)位于遷移管(12)的末端，每個上離子探測器(5)和下離子探測器(19)與信號處理電路(6)相連，信號處理電路(6)與微控制器(7)相連。
全文摘要
物質(zhì)成分測定裝置，屬于物質(zhì)成分快速檢測裝置技術(shù)領(lǐng)域。包括離子源(2)、遷移管(12)、上離子探測器(5)、信號處理電路(6)等。離子源(2)位于遷移管入口處；高場非對稱波形電源(8)與微控制器(7)相連，離子探測器(5)與信號處理電路(6)相連，信號處理電路(6)與微控制器(7)相連。待測樣品在載氣的帶動下到達離子源(2)被電離進入遷移管(12)。在電場作用下離子被探測器(5)檢測到，經(jīng)過微控制器等處理，就可以測定待測樣品的化學成分。本發(fā)明具有微型化、低功耗、高可靠性、高集成度、高靈敏度、快速等特點，不僅適用于現(xiàn)場實時探測生化戰(zhàn)劑和爆炸物，還適用于毒品檢測、物質(zhì)分析、藥物提取、環(huán)境污染監(jiān)測等。
文檔編號G01N23/00GK101082594SQ200710118470
公開日2007年12月5日 申請日期2007年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月6日
發(fā)明者唐飛, 王曉浩, 王志剛, 高磊 申請人:清華大學