專利名稱：壓電/電致伸縮膜型傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及為了防止介質(zhì)擊穿和靜電破壞的壓電/電致伸縮膜型傳感器。
背景技術(shù)：
壓電/電致伸縮膜型傳感器是利用設(shè)在其上的膜狀壓電/電致伸縮體夾在一 對(duì)電極之間而形成的壓電/電致伸縮元件的機(jī)械-電轉(zhuǎn)換作用來測(cè)定流體的粘 度、密度、濃度等特性。例如，在流體中振動(dòng)壓電/電致伸縮膜型傳感器(壓 電/電致伸縮元件)時(shí)，因流體的粘性阻力而受到^4成阻力，壓電/電致伸縮元 件的電常數(shù)與該機(jī)械阻力成一定關(guān)系地變化，所以可以檢測(cè)該電常數(shù)來測(cè)定流 體的粘度等。
另外，還沒有發(fā)現(xiàn)與以下所示的本發(fā)明課題相同或存在共同之處的現(xiàn)有技 術(shù)文獻(xiàn)，作為供參考的壓電/電致伸縮膜型傳感器的現(xiàn)有文獻(xiàn)，可以列舉專利
文獻(xiàn)1-6。
專利文獻(xiàn)l:特開平8-201265號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:特開平5-267742號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3:特開平6-260694號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)4:特開2005-164495號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)5:特開平2-51023號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)6:特開平-8-98884號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
近年，如上所述的壓電/電致伸縮膜型傳感器(也筒稱為傳感器)，與半導(dǎo) 體集成電路芯片(IC、 LSI)等同樣，存在以下問題。
首先，膜狀的壓電/電致伸縮體(絕緣體)產(chǎn)生介質(zhì)擊穿，存在壓電/電致 伸縮膜型傳感器不能工作的問題。就硅制的芯片而言，已知的問題有為了推 進(jìn)高速化而實(shí)現(xiàn)薄膜化以及施加高電壓(電場(chǎng))，正因如此，氧化膜(絕緣體) 容易介質(zhì)擊穿。與此相同，就壓電/電致伸縮膜型傳感器而言，例如在縱效果振動(dòng)子中，使壓電/電致伸縮體薄膜化，提高施加電壓時(shí)，振幅增大，有效地 提高傳感器的靈敏度，因此有時(shí)就使壓電/電致伸縮體薄膜化并提高施加電壓， 但這樣做時(shí)，壓電/電致伸縮體容易被介質(zhì)擊穿，其結(jié)果，會(huì)導(dǎo)致壓電/電致伸 縮膜型傳感器的可靠性降低，因此，形成了為解決防止介質(zhì)擊穿的課題。
另外，與上述介質(zhì)擊穿相關(guān)，由靜電產(chǎn)生的破壞(靜電破壞)成為問題。 所有的物質(zhì)在原子中帶有電子，由這樣的物質(zhì)構(gòu)成的物與物或者人與物，在4妄 觸(包括摩擦、沖撞等)或者剝離之時(shí)，電子移動(dòng)，成為電不穩(wěn)定的狀態(tài)，從 而產(chǎn)生靜電。就該靜電的產(chǎn)生而言，伴隨著電子的移動(dòng)，接受電子的一方為"-" 極，放出電子的一方為"+"極。在壓電/電致伸縮膜型傳感器的情形中，作為 絕緣體的壓電/電致伸縮體，在其表面上，從其他的物、人或者空氣中接受電 子，成為"-"極帶電的狀態(tài)。而且，當(dāng)從該狀態(tài)向其他的物、人或者空氣中
放出電子(放電)時(shí)，該放電時(shí)涉及數(shù)kV的電壓，壓電/電致伸縮體被破壞(靜 電破壞)。另外，在帶電為"-，，極的狀帶中，在壓電/電致伸縮體的表面吸引 附著靠近+極的塵埃、塵土等時(shí)，由于這些而使夾著壓電/電致伸縮體的一對(duì) 電極之間短路，不能對(duì)壓電/電致伸縮體施加希望的電壓，作為傳感器的振動(dòng) 不穩(wěn)定，或者，因塵土等的質(zhì)量而使傳感器的共振頻率產(chǎn)生偏差從而產(chǎn)生4普誤 檢測(cè)等，可能不能正確地測(cè)定流體的特性或者流體的有無。
本發(fā)明是鑒于以上的情況而創(chuàng)造的，其目的在于提供一種不吸引塵埃、塵 土等的壓電/電致伸縮膜型傳感器，其中，耐受電壓以上的高電壓難以作用于 壓電/電致伸縮體，因此，可防止介質(zhì)擊穿，并且，難以帶上靜電，因此，可 防止靜電破壞。經(jīng)反復(fù)研究后發(fā)現(xiàn)，通過在壓電/電致伸縮體的表面附近適當(dāng) 地存在硫化物以及端子電極的主成分的壓電/電致伸縮膜型傳感器，可以實(shí)現(xiàn) 上述目的。
即，根據(jù)本發(fā)明提供一種壓電/電致伸縮膜型傳感器，其具備陶覺基體、
極，所述陶瓷基體具有薄隔膜部和與該薄隔膜部的周緣設(shè)置成一體的厚部，通 過這些薄隔膜部與厚部形成與外部連通的空腔，所述壓電/電致伸縮體配設(shè)在 該陶乾基體的薄隔膜部的外表面上，具有膜狀的壓電/電致伸縮體以及夾持該 壓電/電致伸縮體的下部電極和上部電極的層疊結(jié)構(gòu)，通過與該壓電/電致伸縮體的驅(qū)動(dòng)聯(lián)動(dòng)，陶資基體的薄隔膜部發(fā)生振動(dòng)，其中，壓電/電致伸縮體含有 堿金屬或者堿土金屬，同時(shí)，在該壓電/電致伸縮體的表面附近含有硫化物以 及端子電極的主成分。
本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器中，可以設(shè)置輔助電極，從而對(duì) 配設(shè)在陶乾基體上(上部電極用的)的端子電極和形成在壓電/電致伸縮體上 的上部電極進(jìn)行連接。設(shè)置輔助電極時(shí)，可以用與上部電極相同的材料來形成。 另夕卜，可以作為上部電極的一部分來構(gòu)成輔助電極。下部電極被配設(shè)在陶瓷基
下部電極和(下部電極用的)端子電極之間，不需要輔助電極。另夕卜，在本說 明書中，所說的壓電/電致伸縮體的表面附近，不僅是指表面的附近，而是意 味著表面及其附近，是指表面的附近部分，該部分包括表面。
就本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器而言，壓電/電致伸縮體的表面 附近所含有的硫化物，優(yōu)選為壓電/電致伸縮體所含有的堿金屬或堿土金屬和 硫通過加熱處理而(在壓電/電致伸縮體的表面附近)結(jié)合的硫化物。
換言之，本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器可通過如下方法來得到 在其制造之時(shí)進(jìn)行加熱處理(例如，燒成處理)，使壓電/電致伸縮體所含有的 堿金屬或堿土金屬與空氣中的硫進(jìn)行反應(yīng)，在壓電/電致伸縮體的表面附近生 成硫化物。在空氣中，只要不是特別的潔凈室，就一定存在硫，但其量很少。 因而，壓電/電致伸縮體的表面附近所含有的硫化物是極;微小的量。
另外，可以預(yù)先使電極材料中含有硫，以該硫來形成硫化物。這是用于得 到本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的優(yōu)選手段。這是因?yàn)橥ㄟ^調(diào)節(jié)電 極材料所含有的疏的量，可使壓電/電致伸縮體的表面附近所含有的硫化物的 量極少。
就本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器而言，壓電/電致伸縮體的表面 附近所含有的端子電極的主成分，優(yōu)選通過形成該端子電^1后的加熱處理，使 得從其端子電極擴(kuò)散至壓電/電致伸縮體的表面附近。
換言之，本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器可通過如下方法得到 在形成端子電極后進(jìn)行加熱處理(例如，燒成處理)，使構(gòu)成端子電極的導(dǎo)電 材料的主成分?jǐn)U散(熱擴(kuò)散)至壓電/電致伸縮體的表面附近。因而，壓電/電致伸縮體的表面附近所含有的端子電極的主成分是極少的量。
在本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器中，端子電極優(yōu)選由銀或以其 為主成分的導(dǎo)電材料來構(gòu)成。
在本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器中，上部電極優(yōu)選由金或以其 為主成分的導(dǎo)電材料來構(gòu)成。
在本發(fā)明涉及的壓電/電敢伸縮膜型傳感器中，下部電極優(yōu)選由鉑或以其 為主成分的導(dǎo)電材料來構(gòu)成。另外，在本說明書中，單指電極時(shí)，是指端子電 極、上部電極、下部電極以及(存在時(shí))輔助電極這些所有的電極。
在本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器中，壓電/電致伸縮體優(yōu)選由
(Bia5Nao.5)Ti03或者以其為主成分的壓電/電致伸縮材料構(gòu)成。即，作為壓電/ 電致伸縮體所含有的堿金屬或堿土金屬的合適的例子，可以舉出鈉。
本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，具備配設(shè)在薄隔膜部上的壓電/ 電致伸縮元件，由于與壓電/電致伸縮元件的驅(qū)動(dòng)相聯(lián)動(dòng)而薄隔膜部振動(dòng)，因 此可以用作以往已知的傳感器來測(cè)定粘度、密度、濃度等流體的特性(參照專 利文獻(xiàn)1~4)。在流體中使壓電/電致伸縮膜型傳感器(壓電/電致伸縮元件)振 動(dòng)時(shí)，因流體的粘性阻力而受到機(jī)械阻力，壓電/電致伸縮元件的電常數(shù)與該 機(jī)械阻力以一定的關(guān)系變化，因此檢測(cè)其電常數(shù)，可以測(cè)定流體的粘度。
并且，除此之外，本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，在壓電/電致 伸縮體的表面附近含有硫化物，耐受電壓以上的高電壓難以作用于壓電/電致 伸縮體上，因此，可以防止介質(zhì)擊穿，其可靠性高。辟"匕物在一定濕度下，發(fā) 揮導(dǎo)電性，因此壓電/電致伸縮體的表面附近中含有硫化物的部分，使夾持絕 緣體即壓電/電致伸縮體的上部電極和下部電極之間的絕緣電阻降低。因而， 在施加電壓高的使用狀況下，即使因不知名的原因而有高電壓作用，也可通過 其絕緣電阻低的部分導(dǎo)通(極少的短路電流流過)，使得不至于在電極之間放 電。因此，本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器中，作用于壓電/電致伸縮 體的電壓難以為其耐受電壓以上的高電壓。另外，通過使膜狀的壓電/電致伸 縮體的表面中的介質(zhì)擊穿比膜狀的壓電/電致伸縮體的厚度方向的介質(zhì)擊穿先 發(fā)生，從而可以防止膜狀的壓電/電致伸縮體的厚度方向的致命的破壞。因而， 可以防止上述介質(zhì)擊穿。本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，在周圍的濕度增高時(shí)，通過在 壓電/電致伸縮體的表面漏泄電流，可以防止水分浸透至壓電/電致伸縮體的內(nèi) 部而形成破壞，因此，即使?jié)穸纫蚣竟?jié)而變動(dòng)，也難以被破壞。
此前所知的壓電/電致伸縮膜型傳感器中，不存在在壓電/電致伸縮體的表 面附近含有^5克化物的傳感器。而且，以往也并不知道在壓電/電致伸縮膜型傳 感器中，使壓電/電致伸縮體的表面附近含有硫化物的技術(shù)。因此，就至今的 壓電/電致伸縮膜型傳感器而言，與硅制的芯片等同樣，會(huì)產(chǎn)生介質(zhì)擊穿的問 題，但是根據(jù)本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，可以避免這樣的問題。
根據(jù)本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，可以防止膜狀的壓電/電致 伸縮體的介質(zhì)擊穿，因此與以往的壓電/電致伸縮膜型傳感器相比，可以使壓 電/電致伸縮體更薄，進(jìn)一步提高施加電壓。因此，與以往的壓電/電致伸縮膜 型傳感器相比，可以以更大的振幅進(jìn)行振動(dòng)，可以提高傳感器的靈敏度。
本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，在其優(yōu)選的方式中，壓電/電致 伸縮體表面附近所含有的硫化物，是壓電/電致伸縮體所含有的堿金屬或者堿 土金屬與空氣中的硫或者電極材料所含有的硫通過加熱處理而(在壓電/電致 伸縮體的表面附近)結(jié)合而成的，因此，壓電/電致伸縮體的表面附近所含有 的硫化物是極少的量。因此，難以對(duì)壓電/電致伸縮體作用耐受電壓以上的高 電壓，但由于在上部電極和下部電極之間流過的短路電流是極少的，因此可對(duì) 壓電/電致伸縮體作用想要的電壓。因而，可以使壓電/電致伸縮元件驅(qū)動(dòng)，與 其驅(qū)動(dòng)相聯(lián)動(dòng)而使薄隔膜部振動(dòng)，作為傳感器來發(fā)揮優(yōu)異的性能。
在本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器中，在其優(yōu)選的方式中，電極 材料中含有金和鉑的至少一種。因而，壓電/電致伸縮體的表面附近所含有的
硫化物，是壓電/電致伸縮體所含有的堿金屬或堿土金屬與空氣中的疏或電極 材料所含的(燒成后也殘留)硫結(jié)合而成的硫化物時(shí)，金和鉑的至少一種就成 為催化劑，促進(jìn)該結(jié)合反應(yīng)。因而，此時(shí)，辟"匕物的量盡管極少，《旦是一定被 含于壓電/電致伸縮體的表面附近。
此外，本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，在壓電/電致伸縮體的表 面附近含有端子電極的主成分，難以帶上靜電，因此，可以防止介質(zhì)擊穿，在 這一點(diǎn)上就可提高可靠性。端子電極的主成分是導(dǎo)電材料，因此，在壓電/電的壓電/電致伸縮體，即使在其表面接受電子，該電子直接通過該低電阻部被 放出。因此，本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，難以成為電子滯留而 帶上靜電的狀態(tài)。因而，除了實(shí)現(xiàn)防止上述靜電破壞之外，還不會(huì)在表面吸引 附著塵埃、塵土等，難以產(chǎn)生由它們所引起的如下問題，即，夾持壓電/電致 伸縮體的上部電極和下部電極短路，不會(huì)對(duì)壓電/電致伸縮體作用希望的電壓， 導(dǎo)致作為傳感器的精度降低。
本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，即使是^ ?；餂]有局部地存在 于表面附近的狀態(tài)，也可以防止上述致命的介質(zhì)擊穿。即，即使在高濕度下， 生成結(jié)露(包含壓電/電致伸縮體的表面的微小的結(jié)露)，硫化物局部地聚集， 表面的電子也不會(huì)移動(dòng)。因而，以穩(wěn)定的狀態(tài)得到壓電/電致伸縮膜型傳感器 的性能。
此前所知的壓電/電致伸縮膜型傳感器中，不存在在壓電/電致伸縮體的表 面附近含有端子電極的主成分的傳感器。另外，以往，在壓電/電致伸縮膜型 傳感器中，也不知道使壓電/電致伸縮體的表面附近含有端子電極的主成分的 技術(shù)。因此，此前的壓電/電致伸縮膜型傳感器，與含有半導(dǎo)體集成電路芯片 的其他的電子部件一樣，經(jīng)常產(chǎn)生靜電破壞的問題，但根據(jù)本發(fā)明涉及的壓電 /電致伸縮膜型傳感器，則可以避免這樣的問題。
本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，在其優(yōu)選的方式中，壓電/電致 伸縮體的表面附近所含有的端子電極的主成分，是通過形成起端子電極后的加 熱處理，從該端子電極擴(kuò)散至壓電/電致伸縮體的表面附近，因此，壓電/電致 伸縮體的表面附近所含有的端子電極的主成分是極少的量。因此，難以帶上靜 電，另一方面，僅僅是由于在壓電/電致伸縮體的表面附近含有端子電極的主 成分，因此不至于4吏上部電極和下部電極短路，可以對(duì)壓電/電致伸縮體施加 所希望的電壓。因而，可以驅(qū)動(dòng)壓電/電致伸縮元件，與其驅(qū)動(dòng)相聯(lián)動(dòng)而振動(dòng) 薄隔膜部，作為傳感器可發(fā)揮優(yōu)異的性能。
本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，在其優(yōu)選的方式中，端子電極 是由作為低熔點(diǎn)材料的銀或者以其為主成分的導(dǎo)電材料構(gòu)成，輔助電極和上部 電極是由熔點(diǎn)高于銀的金或者以其為主成分的導(dǎo)電材料構(gòu)成，因此，通過伴隨著上述加熱處理的擴(kuò)散，容易使壓電/電致伸縮體的表面附近僅含有端子電極 的主成分即銀。即，可以說該優(yōu)選方式的本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳 感器容易制造。
本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，在其優(yōu)選的方式中，壓電/電致
伸縮體由殘留極化大的(Bio.5Naa5)Ti03或以其為主成分的壓電/電致伸縮材料
構(gòu)成，因此可以實(shí)現(xiàn)高輸出。


圖1是表示本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的一個(gè)實(shí)施方式的平 面圖。
圖2是表示圖1中的AA斷面的斷面圖。 圖3是表示圖1中的BB斷面的斷面圖。
圖4是表示本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的一個(gè)實(shí)施方式的圖， 是通過掃描電子顯微鏡得到的壓電/電致伸縮體的表面的照片。
圖5是表示本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的一個(gè)實(shí)施方式的圖， 是表示通過X射線微量分析儀(EPMA， Electron Probe Micro Analyzer)得到 的壓電/電致伸縮體的表面的照片，是表示作為端子電極的材料的銀擴(kuò)散至壓 電/電致伸縮體的樣子的圖。
圖6是表示本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的一個(gè)實(shí)施方式的圖， 是表示通過掃描電子顯微鏡得到的壓電/電致伸縮體的表面的照片。
圖7是表示本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的一個(gè)實(shí)施方式的圖， 是表示通過X射線微量分析儀(EPMA， Electron Probe Micro Analyzer)得到 的壓電/電致伸縮體的表面的照片，是表示在壓電/電致伸縮體存在鈉的樣子的 圖。
圖8是表示本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的一個(gè)實(shí)施方式的圖， 是表示通過X射線微量分析儀(EPMA, Electron Probe Micro Analyzer)得到 的壓電/電致伸縮體的表面的照片，是表示在壓電/電致伸縮體存在硫的樣子的 圖。
圖9是表示本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的一個(gè)實(shí)施方式的圖， 是表示通過X射線微量分析儀(EPMA， Electron Probe Micro Analyzer)得到的壓電/電致伸縮體的表面的照片，是表示壓電/電致伸縮體含有硫化物即鈉和 硫的化合物的樣子的圖。
符號(hào)說明
1陶瓷基體
2厚部
3薄隔膜部
4下部電才及
5壓電/電致伸縮體
6上部電極
7結(jié)合層
8輔助電極
9貫通孔
10空腔
12壓電/電致伸縮元件 18端子電極 19端子電極
20壓電/電致伸縮膜型傳感器
具體實(shí)施例方式
以下，針對(duì)本發(fā)明，適當(dāng)?shù)貐⒄崭綀D來說明實(shí)施方式，但本發(fā)明并不受限 于這些實(shí)施方式的解釋。在不損害本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，基于本領(lǐng)域技術(shù)人員 的知識(shí)，可以添加各種變更、修正、改良、取代。例如，附圖表示合適的本發(fā) 明的實(shí)施方式,但本發(fā)明并不受限于附圖所表示的方式和附圖所表示的信息。 為了實(shí)施或驗(yàn)證本發(fā)明，可以采用與說明書中記述的手段同樣或類似的手段， 但優(yōu)選的手段如下所述。
首先，對(duì)本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖1 是表示本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的一個(gè)實(shí)施方式的平面圖(俯 視圖)。圖2是表示圖1中的AA斷面的斷面圖，圖3是表示圖1中的BB斷 面的斷面圖。
圖1~圖3所示的壓電/電致伸縮膜型傳感器20,具備陶瓷基體1和壓電/電致伸縮元件12。陶乾基體1具有薄隔膜部3和在該薄隔膜部3的周緣上設(shè) 置成一體的厚部2，在該陶瓷基體1上通過這些薄隔膜部3和厚部2形成空腔 10，該空腔10通過貫通孔9與外部連通。壓電/電致伸縮元件12配設(shè)在陶瓷 基體1的薄隔膜部3的外表面上，呈現(xiàn)由膜狀壓電/電致伸縮體5和將該壓電/ 電致伸縮體5夾在中間的一對(duì)膜狀電極(上部電極6和下部電極4)形成的層 疊結(jié)構(gòu)。
在壓電/電致伸縮膜型傳感器20中，在壓電/電致伸縮體5的下側(cè)且形成在 陶瓷基體1的薄隔膜部3之上的下部電極4，與(下部電極用的)端子電極18 直接連接導(dǎo)通。形成在壓電/電致伸縮體5的上側(cè)的上部電極6，與(上部電極 用的)端子電極19通過輔助電極8導(dǎo)通連接。另外，輔助電極8本來是構(gòu)成 上部電極6的一部分，但在本實(shí)施方式(壓電/電致伸縮膜型傳感器20)中， 為了便于理解功能，表示為輔助電極8。
(上部電極用的)端子電極19和下部電極4因隔著結(jié)合層7而絕緣。該 結(jié)合層7以進(jìn)入壓電/電致伸縮體5的下側(cè)的方式來形成，是起到使壓電/電致 伸縮體5與薄隔膜部3結(jié)合的作用的層。壓電/電致伸縮體5以覆蓋下部電極4 的大小來形成，以橫跨該壓電/電致伸縮體5的方式來形成上部電4及6。在上部 電極6和輔助電極8未覆蓋的壓電/電致伸縮體5的露出表面附近，含有硫化 物和后述的端子電極18、 19的主成分。另外，結(jié)合層7根據(jù)傳感器的用途， 可適當(dāng)?shù)貞?yīng)用，可以使結(jié)合層7的部分為不完全結(jié)合狀態(tài)。
在壓電/電致伸縮膜型傳感器20中，在驅(qū)動(dòng)壓電/電致伸縮元件12 (發(fā)生 位移)時(shí)，陶瓷基體1的薄隔膜部3與之聯(lián)動(dòng)，發(fā)生振動(dòng)。為了不妨礙壓電/ 電致伸縮體5的振動(dòng)，陶瓷基體1的薄隔膜部3的厚度一般為50!im以下，優(yōu) 選為30pm以下，更優(yōu)選為15ium以下。薄隔膜部的平面形狀可以采用長(zhǎng)方形、 正方形、三角形、橢圓形、正圓形等任何形狀，然而在需要簡(jiǎn)化激發(fā)的共振模 式的傳感器應(yīng)用中，根據(jù)需要選擇長(zhǎng)方形或正圓形。
接著，對(duì)本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的各構(gòu)成要素的材料， 以上述壓電/電致伸縮膜型傳感器20為例進(jìn)行說明。
在陶瓷基體1中使用的材料優(yōu)選是具有耐熱性、化學(xué)穩(wěn)定性和絕緣性的材 料。這是由于在使下部電極4、壓電/電致伸縮體5、上部電極6—體化時(shí)經(jīng)常需要熱處理，以及在壓電/電致伸縮膜型傳感器20感測(cè)液體特性的情況下該液
體具有導(dǎo)電性和腐蝕性。作為優(yōu)選的可使用的材料，可以舉出穩(wěn)定化的氧化鋯、 部分穩(wěn)定化的氧化鋯、氧化鋁、氧化鎂、莫來石、氮化鋁、氮化硅和玻璃等。 在這些當(dāng)中，穩(wěn)定化的氧化鋯和部分穩(wěn)定化的氧化鋯是最優(yōu)選的，因?yàn)榧词箻O
薄地形成薄隔膜部3時(shí)，也能保持高的機(jī)械強(qiáng)度和優(yōu)異的韌性等。
作為壓電/電致伸縮體5的材料，只要是含有堿金屬或堿土金屬并顯示出 壓電/電致伸縮效果的材料，就可以是任何材料。作為滿足條件的合適的材料， 可以舉出(Bi0.5Nao.5)Ti03或者以其為主成分的材料或者(l-x)(Bi0.5Na0.5) TiOrxKNb03(其中x以摩爾分?jǐn)?shù)計(jì)，為0"幼.06 )或者以其為主成分的材料。 作為結(jié)合層7的材料，可以使用與壓電/電致伸縮體5和陶瓷基體1雙方 密合性、結(jié)合性高的有機(jī)材料或者無機(jī)材料。為了得到可靠性高的結(jié)合性，使 用的材料優(yōu)選是這樣的材料，即，其熱膨脹系數(shù)具有陶瓷基體l的材料的熱膨 脹系數(shù)和用于壓電/電致伸縮體5的材料的熱膨脹系數(shù)的中間值。熱處理壓電/ 電致伸縮體5的情形中，優(yōu)選使用具有壓電/電致伸縮體5的熱處理溫度以上 的軟化點(diǎn)的玻璃材料。為了使壓電/電致伸縮體5與陶瓷基體1牢固地結(jié)合， 由于軟化點(diǎn)高，可以抑制由熱處理所引起的變形。此外，壓電/電致伸縮體5 由上述例舉的2種合適材料構(gòu)成時(shí)，作為結(jié)合層7的材料，優(yōu)選采用以 (l-x)(Bi0.5Na0.5) TiOrxKNb03 (其中x以摩爾分?jǐn)?shù)計(jì)，為0.08Sx^).5 )為主成 分的材料。這是因?yàn)榕c壓電/電致伸縮體5和陶瓷基體1的雙方的密合性高， 可以抑制熱處理時(shí)對(duì)壓電/電致伸縮體5和陶瓷基體1的不良影響。即，由于 具有與壓電/電致伸縮體5相同的成分，因此，與壓電/電致伸縮體5的密合性 高，而且，由使用玻璃時(shí)產(chǎn)生的異種元素的擴(kuò)散所引起的問題也少，此外，由 于含有較多的KNb03，因此與陶瓷基體1的反應(yīng)性高，可以牢固地結(jié)合。另 外，(l-x)(Bio.5Na0.5) TiOrxKNb03 (其中x以摩爾分?jǐn)?shù)計(jì)，為0.08Sx幼.5 )幾 乎不顯示壓電/電致伸縮特性，因此，對(duì)于使用時(shí)在下部電極4和輔助電極8 之間所產(chǎn)生的電場(chǎng)，不發(fā)生位移，所以可以得到穩(wěn)定的傳感特性。
對(duì)于各電極材料，端子電極采用銀或以其為主成分的導(dǎo)電材料，輔助電極 和上部電極采用金或以其為主成分的導(dǎo)電材料，下部電極采用鉑或以其為主成 分的導(dǎo)電材料。接著，對(duì)本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的制造方法，以制造上
述壓電/電致伸縮膜型傳感器20的情況為例進(jìn)行說明。 工序1.陶瓷基體的制作
陶瓷基體1可通過生片層疊法來制造。具體地說，準(zhǔn)備以上述陶瓷材料為 主成分的預(yù)定數(shù)目的陶瓷生片，使用例如具有沖頭和模頭的沖孔加工機(jī)，將所 需數(shù)目的所得陶瓷生片層疊后在其中穿開構(gòu)成空腔10的預(yù)定形狀的孔部，在 層疊另外必需的片數(shù)之后，穿開構(gòu)成貫通孔9的預(yù)定形狀的孔部。此后，依次 將構(gòu)成薄隔膜部3的陶瓷生片、穿開形成空腔IO的孔部的陶瓷生片、穿開形 成貫通孔9的孔部的陶瓷生片層合，得到層疊坯體，將該坯體燒成，獲得陶瓷 基體l。除了構(gòu)成所述的薄隔膜部3之外， 一片陶瓷生片的厚度為100~300|im 左右。
陶瓷生片可以通過以往已知的陶瓷制造方法來制作。舉一個(gè)例子，準(zhǔn)備所 希望的陶瓷材料粉末，按照所需組成將它與粘合劑、溶劑、分散劑、增塑劑等 混合，制備漿料，在對(duì)其消泡處理后，通過刮涂法、逆轉(zhuǎn)輥涂布法、逆轉(zhuǎn)輥筒 刮刀涂布法等片成型法，可以獲得陶瓷生片。
工序2.下部電極的形成
通過各種公知的成膜方法成膜后，經(jīng)過對(duì)形成的膜進(jìn)行干燥、燒成，在陶 瓷基體1的薄隔膜部3的外表面上形成膜狀的下部電極4。具體來講，作為成 膜方法，可以適當(dāng)?shù)剡x擇離子束、濺射、真空蒸鍍、CVD、離子鍍、鍍敷等 薄膜形成方法或者絲網(wǎng)印刷、噴涂、浸涂等厚膜形成方法。尤其，適宜選擇濺 射法和絲網(wǎng)印刷法。干燥在50 150。C下進(jìn)行。燒成在1100 130(TC下進(jìn)行，燒 成時(shí)間是1 2小時(shí)左右。
工序3.結(jié)合層的形成
在結(jié)合層7的形成中，使用通常的厚膜方法，尤其適合選擇壓印法、絲網(wǎng) 印刷法。而且，應(yīng)該形成的部分的大小為數(shù)十微米 數(shù)百微米左右的情形中， 優(yōu)選使用噴墨法。結(jié)合層7需要熱處理時(shí)，可在接下來的壓電/電致伸縮體5 形成前進(jìn)行熱處理，也可在形成壓電/電致伸縮體5之后同時(shí)進(jìn)行熱處理。
工序4.壓電/電致伸縮體的形成
膜狀的壓電/電致伸縮體5與下部電極4同樣，通過公知的各種成膜法來成膜，經(jīng)過燒成而形成。作為成膜方法，從低成本的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用絲網(wǎng)
印刷。膜厚優(yōu)選為100(im以下，此外，為了增大位移量(即提高特性)，優(yōu)選 為50ium以下，更優(yōu)選的膜厚為5~20pm。由此形成的壓電/電致伸縮體5在燒 成時(shí)，與先形成的下部電極4和結(jié)合層7—體化。燒成的溫度為900~1400°C 左右，燒成時(shí)間為2 50小時(shí)左右。優(yōu)選與壓電/電致伸縮材料的蒸發(fā)源一起進(jìn) 行氛圍的控制，同時(shí)進(jìn)行燒成，使得壓電/電致伸縮體5在高溫時(shí)不會(huì)不穩(wěn)定。 工序5.端子電極的形成
下部電極4同樣的成膜法進(jìn)行成膜，經(jīng)過干燥、燒成來形成。端子電極18在 燒成時(shí)，與下部電極4和壓電/電致伸縮體5接合，形成一體結(jié)構(gòu)。 工序6.上部電^l的形成
上部電極6，通過與下部電極4同樣的成膜法來成膜，經(jīng)過干燥、燒成來 形成。燒成在500-900。C下進(jìn)行，燒成時(shí)間為1 2小時(shí)左右。
在上部電極的形成工序中，先形成的端子電極18、 19的主成分(《艮)因 熱而發(fā)生擴(kuò)散，含有在先形成的壓電/電致伸縮體5的表面附近。圖4和圖5 是表示本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的一個(gè)實(shí)施方式的圖。圖4是 表示由掃描電子顯微鏡得到的壓電/電致伸縮體的表面的照片。圖5是表示由 X射線微量分析儀(EPMA, Electron Probe Micro Analyzer)得到的壓電/電致 伸縮體的表面的照片，表示端子電極材料即銀擴(kuò)散至壓電/電致伸縮體的樣子。 另外，在由EPMA得到的照片中，以藍(lán)、綠、黃、朱紅、紅的順序來表示對(duì) 象物質(zhì)逐漸增多(存在)(藍(lán)是最少，紅是最多)。形成(包括燒成)端子電極 之后，通過形成(包括燒成)上部電極，如圖5所示，可使壓電/電致伸縮體5 的表面附近含有作為端子電極18、 19材料的銀。銀優(yōu)選存在于厚度方向的極 表層，可通過'減射等使銀存在于壓電/電致伸縮體5的表面附近，從可更薄、 容易且均勻地?cái)U(kuò)散于極表層的角度考慮，以及從可在保持絕緣的狀態(tài)下略微地 降低電阻的角度考慮，優(yōu)選利用熱來進(jìn)行擴(kuò)散。另外，在使壓電/電致伸縮體5 的膜厚為5~20|im的實(shí)施例中，確認(rèn)出銀的擴(kuò)散是2iim以下的狀態(tài)，可得到 良好的特性。
另外，通過調(diào)節(jié)上述燒成溫度，或者通過調(diào)節(jié)為形成端子電極18、 19而使用的材料所含有主成分(銀)的含量，可以調(diào)節(jié)得到的壓電/電致伸縮膜型
傳感器20的壓電/電致伸縮體5的表面附近所含有的端子電極18、 19的主成 分(銀)的量。
工序7.輔助電極的形成
輔助電極8，通過與上部電極6同樣的成膜法來成膜，經(jīng)過干燥、燒成來 形成。輔助電極8在燒成時(shí)，與上部電極6、壓電/電致伸縮體5以及端子電極 19接合，形成一體結(jié)構(gòu)。
按以上方法操作得到壓電/電致伸縮元件12，但也可單獨(dú)地只制作出壓電/ 電致伸縮元件12后，貼附于陶資基體1上，也可以直接形成于陶瓷基體1上。
另外，只要在端子電極18， 19的形成工序中進(jìn)行燒成，在上部電極6的 形成工序中進(jìn)行燒成，則下部電極4、結(jié)合層7、壓電/電致伸縮體5以及端子 電極18、 19，除了象上述那樣每次各自形成時(shí)進(jìn)行燒成(熱處理)之外，也 可以依次將各自成膜而一并同時(shí)地進(jìn)行燒成(熱處理)。另外，上部電極6和 輔助電極8除了每次各自形成時(shí)進(jìn)行燒成(熱處理)之外，也可以依次將各自 成膜而一并同時(shí)地進(jìn)行燒成(熱處理)。這些時(shí)候，為了實(shí)現(xiàn)良好的接合性， 而適當(dāng)?shù)剡x擇溫度，這是不言而喻的。
通過以上工序，具備陶資基體1和壓電/電致伸縮元件12的壓電/電致伸縮 膜型傳感器20在結(jié)構(gòu)上就完成了 。
工序8.極化
在壓電/電致伸縮膜型傳感器20的壓電/電致伸縮元件12中的上部電才及和 下部電極之間，施加直流高電壓(作為一個(gè)例子有DC300V的電壓)，進(jìn)行極 化處理。
工序9.位移測(cè)定
外加0 200V、 lkHz的交流正弦波電壓，使用激光多普勒振動(dòng)計(jì)，對(duì)實(shí)施 了極化處理的壓電/電致伸縮膜型傳感器20的壓電/電致伸縮元件12進(jìn)行位移 測(cè)定。
工序10.貼附UV片
壓電/電致伸縮膜型傳感器20，通常以一次包含多個(gè)的方式來制造。此時(shí)， UV片作為固定手段貼附在壓電/電致伸縮膜型傳感器20的與壓電/電致伸縮元件12相反側(cè)的面上，固定于規(guī)定的場(chǎng)所。 工序11.外形剪切
形成多個(gè)傳感器時(shí)，直到此前的工序還未進(jìn)行剪切，但在這里，〗吏用切塊 機(jī)進(jìn)行剪切，得到單獨(dú)的壓電/電致伸縮膜型傳感器20。 工序12.分選
只選擇合格品，在工序9中位移在基準(zhǔn)值以下的產(chǎn)品被作為次品而排除在外。
工序13.力口熱處理
外形剪切通常一邊水洗一邊來進(jìn)行，因此，為排除水分而對(duì)合格品實(shí)施加 熱處理使其干燥。溫度條件是60 90。C。通過調(diào)節(jié)該工序中的溫度，也可以來 調(diào)節(jié)在得到的壓電/電致伸縮膜型傳感器20的壓電/電致伸縮體5的表面附近所 含有的端子電極18、 19的主成分(銀)的量。
通過包含該最后的加熱處理以及此前進(jìn)行的燒成的多次的加熱處理，壓電 /電致伸縮體5所含有的堿金屬或者堿土金屬，與空氣中的硫或者電極材料所 含有并在燒成后殘留的硫進(jìn)行反應(yīng)，在壓電/電致伸縮體的表面附近生成硫化 物，并被含有于此。壓電/電致伸縮體5為(Bio.5Nao.5)Ti03時(shí)，在壓電/電致伸縮 體5的表面附近含有鈉和硫的化合物。這種情況與所述的含有端子電極的主成 分相結(jié)合，壓電/電致伸縮膜型傳感器20成為本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型 傳感器。
圖6~圖9是表示本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的一個(gè)實(shí)施方式 的圖。圖6是表示由掃描電子顯微鏡得到的壓電/電致伸縮體的表面的照片。 圖7和圖8是表示由X射線微量分析儀(EPMA, Electron Probe Micro Analyzer) 得到的壓電/電致伸縮體的表面的照片，其中，圖7表示壓電/電致伸縮體中存 在鈉的樣子，圖8表示壓電/電致伸縮體中存在硫的樣子。另外，如上所述， 在由EPMA得到的照片中，按照藍(lán)、綠、黃、朱紅、紅的順序來表示對(duì)象物 質(zhì)逐漸增多(存在)(藍(lán)是最少，紅是最多)。另外，圖9是表示由掃描電子顯 微鏡得到的壓電/電致伸縮體的表面的照片，表示在壓電/電致伸縮體中含有(存 在)硫化物即鈉與硫的化合物的樣子。在圖9中，黑點(diǎn)所示的部分就是鈉與硫 的化合物。作為壓電/電致伸縮體，使用含有堿金屬或堿土金屬的物質(zhì)，通過進(jìn)行加熱處理(包括燒成)，如圖6~圖9所示，可使壓電/電致伸縮體5的表面 附近含有作為硫化物的鈉與硫的化合物。
另外，通過調(diào)節(jié)燒成和最后的加熱處理的溫度，或者通過調(diào)節(jié)壓電/電致 伸縮體材料所含有的堿金屬或堿土金屬的含量，可以調(diào)節(jié)在所得到的壓電/電 致伸縮膜型傳感器20的壓電/電致伸縮體5的表面附近所含有的硫化物(鈉和 硫的化合物)的量。鈉(Na)和硫(S)的化合物的組成中，鈉與硫的摩爾比 Na/S優(yōu)選為0.5-2的范圍。另外，鈉和硫的化合物的大小以及形狀，從表面的 投影形狀優(yōu)選為100 500nm的圓形或者橢圓形，此外，鈉和硫的化合物，優(yōu) 選存在于壓電粒子的晶界或顆粒上，存在于顆粒上時(shí)，優(yōu)選存在于斜面部而不 是脊部。根據(jù)這些優(yōu)選的方式，在高濕的條件下不產(chǎn)生介質(zhì)擊穿等，可以滿足 特性。
工序14.外觀;險(xiǎn)查
最后，進(jìn)行外觀檢查，然后，出廠。
接著，對(duì)本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器的用途進(jìn)行說明。本發(fā) 明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，可以用作構(gòu)成流體特性檢測(cè)裝置的傳感 器。流體特性測(cè)定裝置可包括本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器、在上 部電極和下部電極之間施加電壓以驅(qū)動(dòng)該壓電/電致伸縮膜型傳感器的壓電/電 致伸縮元件的電源、用于檢測(cè)隨著壓電/電致伸縮膜型傳感器的薄隔膜部的振 動(dòng)而發(fā)生的電常數(shù)變化的電常數(shù)監(jiān)視裝置。
流體特性測(cè)定裝置是可通過利用電常數(shù)監(jiān)視裝置檢測(cè)電常數(shù)來測(cè)定流體 的特性的裝置。在流體中，驅(qū)動(dòng)壓電/電致伸縮膜型傳感器中的壓電/電致伸縮 元件，使薄隔膜部振動(dòng)時(shí)，因流體的粘性阻力而受到才幾械阻力，與該機(jī)械阻力 成一定關(guān)系的壓電/電致伸縮元件的電常數(shù)發(fā)生變化，因此通過檢測(cè)該電常數(shù) 變化，可以測(cè)定流體的粘度。
該流體特性測(cè)定裝置的流體特性測(cè)定的基本原理是利用振動(dòng)子即壓電/電 致伸縮元件和薄隔膜部的振幅和與該振動(dòng)子接觸的流體的特性之間的相關(guān)性。 流體特性為粘性阻力時(shí)，在該流體粘性阻力大時(shí)，振動(dòng)子的振幅變小，如果粘 性阻力小，則振動(dòng)子的振幅變大。而且，像振動(dòng)子振動(dòng)這種機(jī)械系統(tǒng)中的振動(dòng) 形態(tài)可以用電系統(tǒng)的等效電路來置換，在該情況下，還可以認(rèn)為振幅與電流對(duì)應(yīng)。另外，雖然等效電路的振動(dòng)狀態(tài)顯示了共振點(diǎn)附近的各種電常數(shù)的變化， 但在流體特性測(cè)定裝置中，在這些損耗因數(shù)、位相、電阻、電抗、電導(dǎo)率、電 納、感應(yīng)系數(shù)和電容等電常數(shù)中，具有等效電路共振頻率附近的變化極大或極 小的一個(gè)變化點(diǎn)的損耗因數(shù)或者位相優(yōu)選用作指標(biāo)。與其他電常數(shù)相比，損耗 因數(shù)或位相更容易進(jìn)行檢測(cè)。
不用說，即使在流體特性為粘性阻力以外的情況下(例如，流體的壓力(無 需說流體的有無))，在要測(cè)定特性的流體中存在影響振動(dòng)子振動(dòng)的要素時(shí)，通 過將該特性與壓電/電致伸縮元件和薄隔膜部的振動(dòng)變化關(guān)聯(lián)，即可以進(jìn)行測(cè) 定。流體為溶液且改變?cè)撊芤旱臐舛?，使得粘度或密度變化的話，由于溶液?的壓電/電致伸縮元件和薄隔膜部的振動(dòng)形態(tài)改變，因此可以測(cè)定溶液濃度。 即，本發(fā)明涉及的流體特性測(cè)定裝置可以進(jìn)行溶液的粘度測(cè)定、密度測(cè)定和濃 度測(cè)定。
應(yīng)用本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器可測(cè)定流體的特性的功能， 可以判斷流體的流動(dòng)狀態(tài)、流體是否存在。例如，如果不存在作為測(cè)定對(duì)象的 流體，振動(dòng)子(壓電/電致伸縮元件和薄隔膜部)的振幅變化也顯著，容易檢 測(cè)變化。具體來講，本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，包含監(jiān)視醫(yī)療 用的點(diǎn)滴裝置的點(diǎn)滴狀態(tài)的功能，優(yōu)選用作測(cè)量?jī)x器的傳感器，用于監(jiān)視一切 液體的進(jìn)料或輸液的狀態(tài)，即液體是否(按計(jì)劃)流動(dòng)(關(guān)于點(diǎn)滴的以往技術(shù)，
參照專利文獻(xiàn)5和專利文獻(xiàn)6 )。
在包括裝有藥液的瓶子、管、可目視藥液滴下的滴液室、注射針的點(diǎn)滴裝 置中，在瓶子、管、滴液室的任一方中(如有必要就在多處)安裝本發(fā)明涉及 的壓電/電致伸縮膜型傳感器，將由其檢測(cè)的流體的流動(dòng)狀態(tài)、流體是否存在 (電常數(shù)的變化)的信息進(jìn)行輸入，通過設(shè)置進(jìn)行演算、顯示、通信等的控制 監(jiān)視裝置，可以構(gòu)建點(diǎn)滴管理裝置。演算包括基于控制監(jiān)視裝置所具備的定時(shí) 器對(duì)點(diǎn)滴結(jié)束時(shí)刻的預(yù)測(cè)以及伴隨著規(guī)定時(shí)間的經(jīng)過而產(chǎn)生的異常檢測(cè)等，顯 示對(duì)象包括流量等數(shù)據(jù)和警報(bào)等，通信包括對(duì)護(hù)士 (nurse)臺(tái)的輸出等。通 過將該點(diǎn)滴管理裝置用于醫(yī)療用的點(diǎn)滴裝置，可使患者放心，減輕護(hù)士和看護(hù) 人的負(fù)擔(dān)。
工業(yè)上的應(yīng)用性本發(fā)明涉及的壓電/電致伸縮膜型傳感器，可以用作流體特性測(cè)定用傳感 器。具體來講，可以用作粘度、密度、濃度的各測(cè)定計(jì)量?jī)x器的傳感器，而且， 包含監(jiān)視醫(yī)療用的點(diǎn)滴裝置的點(diǎn)滴狀態(tài)的功能，可以適合用作計(jì)量?jī)x器的傳感 器來監(jiān)視一 切液體的進(jìn)料或者輸液的狀態(tài)。
權(quán)利要求
1. 一種壓電/電致伸縮膜型傳感器，其具備陶瓷基體，所述陶瓷基體具有薄隔膜部和與該薄隔膜部的周緣設(shè)置成一體的厚部，通過這些薄隔膜部與厚部形成與外部連通的空腔，壓電/電致伸縮元件，所述壓電/電致伸縮元件配設(shè)在該陶瓷基體的所述薄隔膜部的外表面上，具有由膜狀的壓電/電致伸縮體以及夾持該壓電/電致伸縮體的下部電極和上部電極構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)，以及，用于將所述下部電極和上部電極連接于電源的各個(gè)端子電極；通過與所述壓電/電致伸縮元件的驅(qū)動(dòng)聯(lián)動(dòng)，所述陶瓷基體的薄隔膜部發(fā)生振動(dòng)；其中，所述壓電/電致伸縮體含有堿金屬或者堿土金屬，同時(shí)，在該壓電/電致伸縮體的表面附近含有硫化物以及所述端子電極的主成分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電/電致伸縮膜型傳感器，其中，所述壓電/電致伸縮體的表面附近所含有的所述硫化物，是所述壓電/電致伸縮體所含有的堿金屬或堿土金屬與硫通過加熱處理來結(jié)合而成的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的壓電/電致伸縮膜型傳感器，其中，所述壓電/電致伸縮體的表面附近所含有的所述端子電極的主成分，通過形成該端子電極后的加熱處理，從其端子電極擴(kuò)散至所述壓電/電致伸縮體的表面附近。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的壓電/電致伸縮膜型傳感器，其中，所述端子電極由銀或以其為主成分的導(dǎo)電材料構(gòu)成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓電/電致伸縮膜型傳感器，其中，所述上部電極由金或以其為主成分的導(dǎo)電材料構(gòu)成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的壓電/電致伸縮膜型傳感器，其中，所述下部電極由鉑或以其為主成分的導(dǎo)電材料構(gòu)成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的壓電/電致伸縮膜型傳感器，其中，所述壓電/電致伸縮體由(Bio.5Nao.5)Ti03或以其為主成分的壓電/電致伸縮材料構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種壓電/電致伸縮膜型傳感器20，其中，壓電/電致伸縮體5含有堿金屬或堿土金屬，同時(shí)，該壓電/電致伸縮體5的表面附近含有硫化物和端子電極18、19的主成分。該壓電/電致伸縮膜型傳感器20中，耐受電壓以上的高電壓難以作用于壓電/電致伸縮體5，因此，可防止介質(zhì)擊穿，并且，難以帶上靜電，因而，可防止靜電破壞，不吸引塵埃、塵土等。
文檔編號(hào)G01N11/14GK101484791SQ20078002509
公開日2009年7月15日 申請(qǐng)日期2007年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月4日
發(fā)明者大西孝生, 小泉貴昭, 清水秀樹 申請(qǐng)人:日本礙子株式會(huì)社