專利名稱：場(chǎng)校驗(yàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及直流輸變電設(shè)備和線路電磁環(huán)境領(lǐng)域，特別涉及一種場(chǎng)校 驗(yàn)裝置。
背景技術(shù)：
目前，直流場(chǎng)強(qiáng)儀或離子流密度測(cè)量設(shè)備在測(cè)量的時(shí)候，測(cè)量環(huán)境往往比 較復(fù)雜，其對(duì)周圍環(huán)境的抗干擾能力還有待校驗(yàn)考證。比如，直流場(chǎng)強(qiáng)儀實(shí)際 是靠感應(yīng)電流工作，當(dāng)其工作(測(cè)量)時(shí)，周邊的離子流同樣也能流入場(chǎng)強(qiáng)儀 中形成電流。這個(gè)電流是否會(huì)影響到直流場(chǎng)強(qiáng)儀的輸出值。如果這種影響比較 大而不能避免，那就要通過(guò)某種方法修正直流場(chǎng)強(qiáng)儀的輸出值。因此，很有必 要借助某種場(chǎng)校驗(yàn)裝置開(kāi)展對(duì)被校驗(yàn)儀器(如直流場(chǎng)強(qiáng)儀或離子流密度測(cè)量設(shè) 備)的測(cè)量進(jìn)行校驗(yàn)研究，研究直流靜電場(chǎng)或離子流場(chǎng)對(duì)被校驗(yàn)儀器的測(cè)量是 否產(chǎn)生影響以及影響的大小。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種場(chǎng)校驗(yàn)裝置，可以通過(guò)可控的進(jìn)入 校核電場(chǎng)區(qū)的離子和可控的校核電場(chǎng)區(qū)的直流靜電場(chǎng)來(lái)觀察離子產(chǎn)生的電場(chǎng)或 直流電場(chǎng)對(duì)被校驗(yàn)儀器的干擾影響是否存在，并且有助于開(kāi)展被校驗(yàn)儀器在不 同狀態(tài)下校驗(yàn)結(jié)杲的比對(duì)試驗(yàn)研究。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案 一種場(chǎng)校驗(yàn)裝置，包括依次設(shè)置的一離子發(fā)生單元、 一控制電場(chǎng)區(qū)和一校 核電場(chǎng)區(qū)，所述離子發(fā)生單元用于產(chǎn)生離子，所述控制電場(chǎng)區(qū)用于控制離子電 流的大小，所述校驗(yàn)電場(chǎng)區(qū)用于產(chǎn)生可調(diào)節(jié)大小的直流靜電場(chǎng)，所述離子產(chǎn)生 的電場(chǎng)與所述直流靜電場(chǎng)形成合成場(chǎng)強(qiáng)。
所述離子發(fā)生單元包括一通第一直流高壓電源的平行電暈絲網(wǎng)，平行電暈絲網(wǎng)周圍產(chǎn)生離子。
所述第一直流高壓電源的輸出電壓可調(diào)節(jié)大小。 所述平行電暈絲網(wǎng)上方間隔設(shè)置一絕緣或金屬蓋板。 所述絕緣或金屬蓋板外側(cè)設(shè)有防暈環(huán)。
所述控制電場(chǎng)區(qū)由間隔平行設(shè)置的離子電流控制柵網(wǎng)和上校核極板產(chǎn)生的 電場(chǎng)所形成，用以控制經(jīng)離子電流控制柵網(wǎng)進(jìn)入控制電場(chǎng)區(qū)的所述離子電流的 大小。
所述校核電場(chǎng)區(qū)由間隔平行設(shè)置的上校核極板和下校核極板產(chǎn)生的電場(chǎng)所 形成，其與經(jīng)上校核極板流入校核電場(chǎng)區(qū)的所述離子產(chǎn)生的電場(chǎng)形成合成場(chǎng)強(qiáng)。 所述上、下校核極板之間設(shè)有均壓裝置。
所述均壓裝置包括若干個(gè)均壓環(huán)和若干個(gè)均壓電阻，所述均壓環(huán)和均壓電 阻串聯(lián)于所述上校核極板與下校核極板之間。
本實(shí)用新型的有益效果可以通過(guò)可控的進(jìn)入校核電場(chǎng)區(qū)的離子電流和可 控的校核電場(chǎng)區(qū)內(nèi)的直流靜電場(chǎng)來(lái)觀察離子產(chǎn)生的電場(chǎng)或直流靜電場(chǎng)對(duì)被校驗(yàn) 儀器如直流場(chǎng)強(qiáng)儀或離子流密度測(cè)量設(shè)備的干擾影響是否存在以及影響的大
圖l是本實(shí)用新型的場(chǎng)4交驗(yàn)裝置的示意圖。
圖中1-平行電暈絲網(wǎng)，2-離子電流控制柵網(wǎng)，3-上校核極板，4-下校核極 板離子發(fā)生單元，10-電暈發(fā)生區(qū)，20-控制電場(chǎng)區(qū)，30-校核電場(chǎng)區(qū)，51-均壓環(huán)， 52-均壓電阻，6-絕緣支柱，7-金屬支架，8-絕緣或金屬蓋板，9-防暈環(huán)，11-直 流場(chǎng)強(qiáng)儀或離子流密度測(cè)量設(shè)備。
具體實(shí)施方式
如圖l所示，為本實(shí)用新型一實(shí)施例的場(chǎng)4交-驗(yàn)裝置的示意圖。 這種場(chǎng)校驗(yàn)裝置，包括依次設(shè)置的一離子發(fā)生單元、 一控制電場(chǎng)區(qū)20和一 校核電場(chǎng)區(qū)30，所述離子發(fā)生單元用于產(chǎn)生離子，所述控制電場(chǎng)區(qū)20用于控制 離子電流的大小，所述校驗(yàn)電場(chǎng)區(qū)30用于產(chǎn)生可調(diào)節(jié)大小的直流靜電場(chǎng)，所述離子產(chǎn)生的電場(chǎng)與所述直流靜電場(chǎng)形成合成場(chǎng)強(qiáng)。
所述離子發(fā)生單元包括一通第一直流高壓電源的平行電暈絲網(wǎng)1，平行電暈
絲網(wǎng)1周圍即電暈發(fā)生區(qū)IO產(chǎn)生離子(圖中未示)。所述第一直流高壓電源的
輸出電壓可調(diào)節(jié)大小。
所述平行電暈絲網(wǎng)1上方間隔平行設(shè)置一絕緣或金屬蓋板8，本實(shí)施例中為 絕緣蓋板8，并在絕緣蓋板的外側(cè)設(shè)有防暈環(huán)9，用以對(duì)外界電場(chǎng)起屏蔽作用。
所述控制電場(chǎng)區(qū)20由接可調(diào)第二直流高壓電源的間隔平行設(shè)置的離子電流 控制柵網(wǎng)2和上校核極板3產(chǎn)生的電場(chǎng)形成，用以控制經(jīng)離子電流控制柵網(wǎng)2 進(jìn)入控制電場(chǎng)區(qū)20的所述離子電流的大小。雖然，當(dāng)所述第一直流高壓電源的 輸出電壓可調(diào)節(jié)時(shí)，可以用來(lái)調(diào)節(jié)平行電暈絲網(wǎng)1產(chǎn)生的帶電離子數(shù)。但當(dāng)帶 電離子達(dá)到比較穩(wěn)態(tài)的飽和數(shù)量時(shí)，并不能增加注入到校核電場(chǎng)區(qū)30的帶電離 子數(shù)目。因此必須通過(guò)調(diào)節(jié)第二直流高壓電源來(lái)改變離子電流控制柵網(wǎng)2與上 校核極板3間的電場(chǎng)，通過(guò)該電場(chǎng)來(lái)控制控制電場(chǎng)區(qū)20內(nèi)的離子電流的密度， 進(jìn)而控制流進(jìn)校核電場(chǎng)區(qū)30內(nèi)離子流的密度。只有離子達(dá)到比較穩(wěn)態(tài)的飽和數(shù) 量時(shí)，所控制的離子流密度才能穩(wěn)定，達(dá)到控制離子電流大小的目的。另外， 所述離子電流控制柵網(wǎng)2與所述平行電暈絲網(wǎng)1平行間隔設(shè)置。
所述校核電場(chǎng)區(qū)30由接可調(diào)第三直流高壓電源的間隔平行設(shè)置的上校核極 板3和下校核極板4產(chǎn)生的電場(chǎng)形成，在校核電場(chǎng)區(qū)30形成可調(diào)節(jié)大小的直流 靜電場(chǎng)，使之與經(jīng)上校核極板3流入校核電場(chǎng)區(qū)30的離子產(chǎn)生的電場(chǎng)形成合成 場(chǎng)強(qiáng)。另外，所述上校核極板3與所述離子電流控制柵網(wǎng)2平行間隔設(shè)置。
所述上、下校核極板3、 4之間設(shè)有均壓裝置。所述均壓裝置包括若干個(gè)均 壓環(huán)51和若干個(gè)均壓電阻52，所述均壓環(huán)51和均壓電阻52串聯(lián)于所述上校核 極板3與下校核極板4之間。目的是為了本場(chǎng)校驗(yàn)裝置不受其它電暈放電所產(chǎn) 生的離子影響和受到非均勻電場(chǎng)的影響，確保4交核電場(chǎng)區(qū)30內(nèi)具有均勻電場(chǎng)。
另外，在本實(shí)施例中為保證絕緣，所述絕緣蓋板8、平行電暈絲網(wǎng)l、離子 電流控制柵網(wǎng)2、上校核極板3及下校核極板4兩端分別相互平行地間隔固定連 接于一絕緣支柱6。并且該絕緣支柱6由金屬支架7支撐。當(dāng)然上述各個(gè)部件也 可用掛起的方式設(shè)置。
本實(shí)用新型場(chǎng)4L驗(yàn)裝置的使用方法當(dāng)被校驗(yàn)儀器為直流場(chǎng)強(qiáng)儀時(shí)，該場(chǎng)校驗(yàn)方法包括如下步驟
首先，將該直流場(chǎng)強(qiáng)4義放置在4文核電場(chǎng)區(qū)30，在該4交核電場(chǎng)區(qū)30內(nèi)生成直 流靜電場(chǎng)，讀取該直流場(chǎng)強(qiáng)儀11的測(cè)量值。其中，該直流靜電場(chǎng)是通過(guò)對(duì)上、 下校核極板3、 4施加第三直流高壓電源而形成的。
然后，在該校核電場(chǎng)區(qū)30內(nèi)形成不同大小的離子流，分別讀取該直流場(chǎng)強(qiáng) 儀11在該直流合成電場(chǎng)內(nèi)的測(cè)量值。其中，校核電場(chǎng)區(qū)30內(nèi)的離子流的形成 過(guò)程如下先將平行電暈絲網(wǎng)1接通第一直流高壓電源，以在平行電暈絲網(wǎng)1 周圍即電暈發(fā)生區(qū)IO產(chǎn)生離子，接著在所述離子電流控制柵網(wǎng)2和上校核極板 3施加可調(diào)節(jié)的第二直流高壓電源，以在控制電場(chǎng)區(qū)20形成可調(diào)節(jié)大小的電場(chǎng)， 該電場(chǎng)用以控制控制電場(chǎng)區(qū)20內(nèi)的離子流的密度，進(jìn)而控制流進(jìn)校核電場(chǎng)區(qū)30 內(nèi)的離子流的密度。
最后，分析該直流場(chǎng)強(qiáng)儀11在沒(méi)有離子電場(chǎng)干擾和不同大小的離子流電場(chǎng) 干擾的情況下的測(cè)量值，來(lái)判斷該離子流電場(chǎng)對(duì)該直流場(chǎng)強(qiáng)儀ll的測(cè)量是否產(chǎn) 生影響及影響的大小。
這種場(chǎng)4交驗(yàn)方法可以通過(guò)可控的才文核電場(chǎng)區(qū)30的離子電場(chǎng)和可控的才交核電 場(chǎng)區(qū)30內(nèi)的直流靜電場(chǎng)來(lái)觀察離子電場(chǎng)對(duì)被校驗(yàn)儀器如直流場(chǎng)強(qiáng)儀的干擾影響 是否存在以及影響的大小。
當(dāng)被校驗(yàn)儀器為離子流密度測(cè)量設(shè)備，本實(shí)用新型的使用方法包括如下步
驟
首先，將該離子流密度測(cè)量設(shè)備11放置在校核電場(chǎng)區(qū)30，在該校核電場(chǎng)區(qū) 30內(nèi)形成一定大小的離子流電場(chǎng)，并讀取該離子流密度測(cè)量設(shè)備11的測(cè)量值。 其中，校核電場(chǎng)區(qū)30內(nèi)的離子流電場(chǎng)的形成過(guò)程如下先將平行電暈絲網(wǎng)l接 通第一直流高壓電源，以在平行電暈絲網(wǎng)l周圍即電暈發(fā)生區(qū)IO產(chǎn)生離子流， 接著在所述離子電流控制柵網(wǎng)2和上校核極板3施加可調(diào)節(jié)的第二直流高壓電 源，以在控制電場(chǎng)區(qū)20形成可調(diào)節(jié)大小的電場(chǎng)，該電場(chǎng)用以控制經(jīng)離子電流控 制柵網(wǎng)2流入控制電場(chǎng)區(qū)20的離子流的密度，進(jìn)而控制有多少帶電離子經(jīng)上校 核極板3進(jìn)入校核電場(chǎng)區(qū)30。
接著，在該校核電場(chǎng)區(qū)30內(nèi)生成大小不同的直流靜電場(chǎng)，并分別讀取該離 子電流密度測(cè)量設(shè)備11在不同大小直流靜電場(chǎng)干擾情況下的測(cè)量值。該直流靜
6電場(chǎng)是通過(guò)對(duì)上、下4交核極板3、 4施加第三直流高壓電源而形成的。
最后，分析該離子流密度測(cè)量設(shè)備11在沒(méi)有直流靜電場(chǎng)干擾和不同大小直
流靜電場(chǎng)干擾的情況下的測(cè)量值，來(lái)判斷直流靜電場(chǎng)對(duì)該離子電流密度測(cè)量設(shè)
備11的測(cè)量是否產(chǎn)生影響及影響的大小。
這種場(chǎng)才交l^方法可以通過(guò)可控的4交核電場(chǎng)區(qū)30的離子電場(chǎng)和可控的4交核電
場(chǎng)區(qū)30直流靜電場(chǎng)來(lái)觀察直流靜電場(chǎng)對(duì)被校驗(yàn)儀器如離子電流密度測(cè)量設(shè)備的
干擾影響是否存在以及影響的大小。
綜上所述本實(shí)用新型可以通過(guò)可控的41核電場(chǎng)區(qū)30的離子流電場(chǎng)和可控
的校核電場(chǎng)區(qū)30的直流靜電場(chǎng)來(lái)觀察離子電場(chǎng)或直流靜電場(chǎng)對(duì)被校驗(yàn)儀器如直
流場(chǎng)強(qiáng)儀或離子流密度測(cè)量設(shè)備的千擾影響是否存在以及影響的大小，進(jìn)行校
驗(yàn)工作，并借助它開(kāi)展其它相關(guān)的研究工作，如有助于開(kāi)展被校驗(yàn)儀器在不同
狀態(tài)下校驗(yàn)結(jié)果的比對(duì)試驗(yàn)研究。
權(quán)利要求1、一種場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于包括依次設(shè)置的一離子發(fā)生單元、一控制電場(chǎng)區(qū)和一校核電場(chǎng)區(qū)，所述離子發(fā)生單元用于產(chǎn)生離子，所述控制電場(chǎng)區(qū)用于控制離子電流大小，所述校驗(yàn)電場(chǎng)區(qū)用于產(chǎn)生可調(diào)節(jié)大小的直流靜電場(chǎng)，所述離子產(chǎn)生的電場(chǎng)與所述直流靜電場(chǎng)形成合成場(chǎng)強(qiáng)。
2. 如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于所述離子發(fā)生單元包 括一通第一直流高壓電源的平行電暈絲網(wǎng)，平行電暈絲網(wǎng)周圍產(chǎn)生離子。
3. 如權(quán)利要求2所述的場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于所述第一直流高壓電 源的輸出電壓可調(diào)節(jié)大小。
4. 如權(quán)利要求2所述的場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于所述平行電暈絲網(wǎng)上 方間隔設(shè)置一絕緣或金屬蓋板。
5. 如權(quán)利要求4所述的場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于所述絕緣或金屬蓋板 外側(cè)設(shè)有防暈環(huán)。
6. 如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于所述控制電場(chǎng)區(qū)由間 隔平行設(shè)置的離子電流控制柵網(wǎng)和上校核極板產(chǎn)生的電場(chǎng)所形成，用以控制離 子在電場(chǎng)的作用下，向下運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生離子電流，以控制進(jìn)入控制電場(chǎng)區(qū)的所述 離子電流的大小。
7. 如權(quán)利要求6所述的場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于所述校核電場(chǎng)區(qū)由間 隔平行設(shè)置的所述上校核極板和一下校核極板產(chǎn)生的直流靜電場(chǎng)所形成，其與 經(jīng)所述上校核極板流入校核電場(chǎng)區(qū)的所述離子產(chǎn)生的電場(chǎng)形成合成場(chǎng)強(qiáng)。
8. 如權(quán)利要求7所述的場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于所述上、下校核極板 之間設(shè)有均壓裝置。
9. 如權(quán)利要求8所述的場(chǎng)校驗(yàn)裝置，其特征在于所述均壓裝置包括若 千個(gè)均壓環(huán)和若干個(gè)均壓電阻，所述均壓環(huán)和均壓電阻串聯(lián)于所述上、下核it 極板之間。
專利摘要本實(shí)用新型涉及直流輸變電設(shè)備和線路電磁環(huán)境領(lǐng)域，特別涉及一種場(chǎng)校驗(yàn)裝置。公開(kāi)了一種場(chǎng)校驗(yàn)裝置，包括依次設(shè)置的一離子發(fā)生單元、一控制電場(chǎng)區(qū)和一校核電場(chǎng)區(qū)，所述離子發(fā)生單元用于產(chǎn)生離子，所述控制電場(chǎng)區(qū)用于控制所述離子電流大小，所述校驗(yàn)電場(chǎng)區(qū)用于產(chǎn)生可調(diào)節(jié)大小的直流靜電場(chǎng)，所述離子產(chǎn)生的電場(chǎng)與所述直流靜電場(chǎng)形成合成場(chǎng)強(qiáng)。本實(shí)用新型的有益效果可以通過(guò)可控的進(jìn)入校核電場(chǎng)區(qū)的離子電流和可控的校核電場(chǎng)區(qū)內(nèi)的直流靜電場(chǎng)來(lái)觀察離子產(chǎn)生的電場(chǎng)或直流靜電場(chǎng)對(duì)被校驗(yàn)儀器進(jìn)行校驗(yàn)，并且有助于開(kāi)展被校驗(yàn)儀器在不同狀態(tài)下校驗(yàn)結(jié)果的比對(duì)試驗(yàn)研究。
文檔編號(hào)G01R35/00GK201269925SQ200820153380
公開(kāi)日2009年7月8日 申請(qǐng)日期2008年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月23日
發(fā)明者江建華, 齊振生 申請(qǐng)人:華東電力試驗(yàn)研究院有限公司