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      超導(dǎo)磁鐵裝置及磁共振成像裝置的制作方法

      文檔序號(hào):6145859閱讀:250來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱:超導(dǎo)磁鐵裝置及磁共振成像裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及超導(dǎo)磁鐵裝置及使用該裝置的磁共振成像(以下稱之為
      "MRT)裝置,尤其涉及不會(huì)對(duì)被檢測(cè)體造成堵塞感的開(kāi)放型的適于MR1分 析的超導(dǎo)磁鐵裝置及使用它的MRI裝置。
      背景技術(shù)
      MRI裝置利用核^茲共振(Nuclear Magnetic Resonance,以下稱之為"NMR") 現(xiàn)象測(cè)量氫原子核自旋放出的電磁波,將該電磁波作為信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算處理,從 而通過(guò)氬原子核密度對(duì)一皮;險(xiǎn)測(cè)體進(jìn)行斷層成像。
      由氳原子核自旋放出的電磁波得到的電磁場(chǎng)的強(qiáng)度與測(cè)量區(qū)域的靜磁場(chǎng) 的強(qiáng)度成比例,所以為了提高斷層像的分辨率有必要提高靜磁場(chǎng)的強(qiáng)度。于是, 為了產(chǎn)生高強(qiáng)度的靜磁場(chǎng)而使用超導(dǎo)磁鐵裝置。另外,為了消除畸變而使斷層 像具有高的圖像質(zhì)量、高析像度,還有必要提高測(cè)量區(qū)域的磁場(chǎng)均勻度。為此, 在超導(dǎo)磁鐵裝置內(nèi)設(shè)有磁性材料。這樣,在測(cè)量區(qū)域中生成具有高強(qiáng)度、高靜 磁場(chǎng)均勻度的均勻磁場(chǎng)區(qū)域。
      磁性材料一般配置在常溫的大氣中,但也提出了設(shè)置在充滿冷卻超導(dǎo)線圈 的極低溫度的液體氦的線圈容器內(nèi)的MRI裝置的方案(例如,參照專(zhuān)利文獻(xiàn) 1—日本特開(kāi)2001 -224571號(hào)公報(bào)、專(zhuān)利文獻(xiàn)2—日本特開(kāi)平10-97917號(hào)公 報(bào))。另外,還提出了將磁性材料設(shè)置在屏蔽來(lái)自覆蓋極低溫度的線圈容器的 真空容器的輻射熱的中低溫的熱屏蔽部件中的MRI裝置的方案(例如,參照 專(zhuān)利文獻(xiàn)3—日本特開(kāi)2005 - 144132號(hào)公報(bào))。
      在常溫的大氣中配置磁性材料的場(chǎng)合,可以認(rèn)為磁性材料的溫度隨著室溫 的變化而變化,磁性材料的尺寸移位,磁場(chǎng)均勻度產(chǎn)生變化。并且,在線圈容 器內(nèi)配置磁性材料的場(chǎng)合,可以認(rèn)為,雖然磁性材料的溫度不隨室溫的變化而 變化,但由于磁性材料配置在線圈容器內(nèi),因而磁性材料必然遠(yuǎn)離均勻磁場(chǎng)區(qū) 域,磁性材料對(duì)均勻磁場(chǎng)區(qū)域的影響靈敏度降低,有必要增加磁性材料的體積。另外,在熱屏蔽板上配置磁性材料的場(chǎng)合,可以認(rèn)為,由于實(shí)質(zhì)上熱屏蔽材料 的熱容量增加,所以冷卻時(shí)花費(fèi)時(shí)間。
      于是,可以考慮將磁性材料配置在常溫的真空容器內(nèi)。由此,由于磁性材 料放置在真空中,所以能夠抑制磁性材料的溫度隨著室溫的變化而變化。另外, 在均勻磁場(chǎng)區(qū)域形成于真空容器的表側(cè)時(shí),由于能將磁性材料配置在該真空容 器的正里側(cè),所以能夠提高磁性材料對(duì)均勻磁場(chǎng)區(qū)域的影響靈敏度。并且,通 過(guò)將磁性材料絕熱地支撐在線圈容器上,因而能夠避免向熱屏蔽板配置磁性材 料。
      但是,在將磁性材料配置在常溫的真空容器內(nèi)的場(chǎng)合,可以認(rèn)為產(chǎn)生以下 兩個(gè)問(wèn)題。
      (1 )由于磁性材料位于真空中,所以磁性材料的溫度短時(shí)間內(nèi)不會(huì)變化, 但受到季節(jié)變動(dòng)這樣的經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間的室溫變化而平穩(wěn)地變化。由于該變化,磁性 材料的尺寸移位,磁場(chǎng)均勻度產(chǎn)生變化。
      (2)由于磁性材料的溫度只平穩(wěn)地變化,所以若要搬運(yùn)超導(dǎo)磁鐵裝置并 重裝在其它地方時(shí),則存在磁性材料的溫度因搬運(yùn)中的外部氣溫而上升的情 況。這樣,當(dāng)磁性材料的溫度因任何原因而變動(dòng)時(shí),則其后磁性材料的溫度變 得非常不穩(wěn)定,直到磁場(chǎng)均勻度達(dá)到恒定要花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間,在短時(shí)間內(nèi)無(wú)法 返回到磁性材料的溫度。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明就是要解決上述問(wèn)題,其目的在于提供一種即使對(duì)于經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間的室 溫變化也能將磁性材料的溫度變化抑制得較小且減少磁場(chǎng)均勻度的變化,另一 方面還能在短時(shí)間內(nèi)改變磁性材料的溫度的超導(dǎo)磁鐵裝置及MRI裝置。
      為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的超導(dǎo)》茲鐵裝置及MRI裝置的特點(diǎn)是具有設(shè) 置在上述真空容器的外側(cè)并與上述真空容器熱連接且供給或者吸收熱的第一 熱供給吸收部,以及設(shè)置在上述真空容器的內(nèi)側(cè)并熱連接上述真空容器和上述 磁性材料的第 一導(dǎo)熱材料。
      本發(fā)明具有如下效果。
      根據(jù)這種超導(dǎo)磁鐵裝置及MRI裝置,能夠提供即使對(duì)于經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間的室溫 變化也能將磁性材料的溫度變化抑制得較小且減少磁場(chǎng)均勻度的變化,另一方
      5面還能在短時(shí)間內(nèi)改變磁性材料的溫度的超導(dǎo)磁鐵裝置及MRI裝置。


      圖1是實(shí)施方式的^F茲共振成像裝置的立體圖。
      圖2是從實(shí)施方式的超導(dǎo)磁鐵裝置的上方看到的透視圖。
      圖3是圖2的A-A方向的剖視圖。
      圖4是圖2的B -B方向的剖視圖的上半部分。
      圖5是實(shí)施方式的超導(dǎo)磁鐵裝置的磁性材料的溫度的控制方框圖。
      圖6是實(shí)施方式的變形例的超導(dǎo)磁鐵裝置的磁性材料的溫度的控制方框
      圖。 圖中
      1-磁共振成像裝置(MRI裝置),2-超導(dǎo)磁鐵裝置,3-真空容器, 8-熱屏蔽部件,9-線圈容器,11-超導(dǎo)線圈, 12a、 12b、 13a、 13b-磁性材料,14-制冷劑,24-溫度控制部, 25、 26、 27-導(dǎo)熱材料,28-第一電源,29-第二電源, 34 -均勻-茲場(chǎng)區(qū)域,41 -凹入部,42 -凹入部側(cè)壁,43 -凹入部底部, 44 -第 一熱供給吸收部,45 -第二熱供給吸收部,46 -絕熱材料, 47 -傳熱板。
      具體實(shí)施例方式
      下面,參照適當(dāng)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。 如圖1所示,作為MRI (磁共振成像裝置)裝置1,可列舉開(kāi)放型MRI 裝置1。開(kāi)放型MRI裝置具有超導(dǎo)磁鐵裝置2, RF線圈5,放置被檢測(cè)體 的床6,以及控制超導(dǎo)磁鐵裝置2、 RF線圈5和床6并對(duì)來(lái)自被檢測(cè)體的任何 位置的核磁共振信號(hào)進(jìn)行解析的控制裝置7。超導(dǎo)磁鐵裝置2具有內(nèi)部保持 為真空的真空容器3,溫度控制部24和通過(guò)溫度控制部24控制輸出的第一電 源28和第二電源29。真空容器3具有壁面凹入的凹入部36和凹入部41 、 上下配置的一對(duì)第一真空容器3a和第二真空容器3b以及真空連接管3c。在 第二真空容器3b上立起兩根真空連接管3c,通過(guò)這些真空連接管3c支撐第 一真空容器3a。由于真空連接管3c與第一真空容器3a和第二真空容器3b連 通,所以能夠?qū)⒌谝徽婵杖萜?a和第二真空容器3b的內(nèi)部氣壓設(shè)置為相等壓
      6力的減壓狀態(tài)。
      開(kāi)放型MRI裝置由于在由真空連接管3c分離的第一真空容器3a和第二 真空容器3b之間放入被檢測(cè)體進(jìn)行診療,所以被檢測(cè)體的視野不被封閉而是 敞開(kāi)的,得到祐)險(xiǎn)測(cè)體稱贊。在凹入部36的內(nèi)部配置有RF線圈5。在凹入部 41的內(nèi)部以鋪滿的方式配置絕熱材料46。第一真空容器3a和第二真空容器 3b分別是將Z軸作為共用的中心軸的圓柱形。另外,第一真空容器3a和第二 真空容器3b^f故成相對(duì)以Z軸為法線的R面為相互面對(duì)稱的形狀。
      圖2是從超導(dǎo)磁鐵裝置2的上方看到的透視圖。圖3是圖2的A - A方向 的剖視圖,圖4是圖2的B-B方向的剖面的上半部分。
      如圖3所示,超導(dǎo)磁鐵裝置2具有永久電流流過(guò)并產(chǎn)生均勻磁場(chǎng)區(qū)域 34且中心軸與Z軸一致的圓環(huán)狀的兩對(duì)超導(dǎo)線圈lla、 lib;將超導(dǎo)線圈lla、 llb與制冷劑14一起容納的線圈容器9;以包圍線圈容器9的方式設(shè)置的熱屏 蔽部件8;包圍線圈容器9和熱屏蔽部件8且內(nèi)部保持為真空的真空容器3; 以及設(shè)置在真空容器3的內(nèi)側(cè)且配置在熱屏蔽部件8的外側(cè)并由線圈容器9 被絕熱地支撐且對(duì)均勻磁場(chǎng)區(qū)域34的磁場(chǎng)進(jìn)行補(bǔ)償?shù)拇判圆牧?2a、 12b、 13a、 13b。在均勻磁場(chǎng)區(qū)域34產(chǎn)生的磁場(chǎng)與Z軸平行,被檢測(cè)體通過(guò)該均勻磁場(chǎng) 區(qū)域34,進(jìn)行由斷層攝像得到的診斷。
      制冷劑14直接冷卻超導(dǎo)線圈lla、 lib,使用液體氦(He)。線圈容器9 以沿著圓環(huán)狀的超導(dǎo)線圈lla、 llb并容納它們的方式形成為以Z軸為中心軸 的圓環(huán)狀,使容積盡可能得小。同樣地,熱屏蔽部件8以沿著圓環(huán)狀的線圈容 器9覆蓋的方式形成為以Z軸為中心軸的圓環(huán)狀,從阻斷熱侵入的關(guān)系出發(fā) 使表面積盡可能減小。
      超導(dǎo)磁鐵裝置2即使配置在室溫的室內(nèi),由于真空容器3內(nèi)為真空,所以 室內(nèi)的熱不會(huì)因傳導(dǎo)或?qū)α鞫鴤鬟f到線圈容器9。另外,熱屏蔽部件8由于通 過(guò)用未圖示的冷凍機(jī)冷卻而吸收來(lái)自真空容器3的輻射熱并向冷凍機(jī)放出,所 以線圈容器9不會(huì)因輻射熱而升溫。再有,熱屏蔽部件8設(shè)定為制冷劑14的 溫度的極低溫度和室溫之間的中低溫即可。超導(dǎo)線圈lla、 11b和線圏容器9 能夠穩(wěn)定地設(shè)定為制冷劑14的極低溫度。
      磁場(chǎng)補(bǔ)償用的上述磁性材料12a、 12b是以Z軸為中心軸的圓環(huán)狀,外徑
      7比超導(dǎo)線圈lla、 llb的內(nèi)徑小。磁場(chǎng)補(bǔ)償用的上述石茲性材料13a、 13b是以Z軸為中心軸的圓柱狀,直徑比^f茲性材料12a、 12b的內(nèi)徑小。
      上述線圈容器9具有內(nèi)部裝有上述超導(dǎo)線圈11a的第一線圈容器9a;內(nèi)部裝有上述超導(dǎo)線圈11b并從第一線圈容器9a離開(kāi)的第二線圏容器9b;以及連接第一線圈容器9a和第二線圈容器9b并通有制冷劑14的線圈連接管9c。線圈連接管9c配置在第一線圈容器9a和第二線圈容器9b的外周部。線圈連接管9c既可以是l根,也可以是2根以上。
      上述熱屏蔽部件8具有內(nèi)部裝有第一線圈容器9a的第一熱屏蔽部件8a;內(nèi)部裝有第二線圈容器9b并從第一熱屏蔽部件8a離開(kāi)的第二熱屏蔽部件8b;以及連接第一熱屏蔽部件8a和第二熱屏蔽部件8b且內(nèi)部裝有線圈連接管9c的屏蔽連接管8c。屏蔽連接管8c配置在第一熱屏蔽部件8a和第二熱屏蔽部件8b的外周部。屏蔽連接管8c與線圈連接管9c的根數(shù)相符,既可以是1根,也可以是2根以上。
      上述真空容器3具有內(nèi)部裝有第一線圈容器9a和第一熱屏蔽部件8a和磁性材料12a、 13a的第一真空容器3a;內(nèi)部裝有第二線圈容器9b和第二熱屏蔽部件8b和磁性材料12b、 13b且從第一真空容器3a離開(kāi)的第二真空容器3b;以及連接第一真空容器3a和第二真空容器3b且內(nèi)部裝有上述線圈連接管9c和屏蔽連接管8c的真空連接管3c。真空連接管3c配置在第一真空容器3a和第二真空容器3b的外周部。真空連接管3c與線圈連接管9c的根數(shù)相符,既可以是l根,也可以是2根以上。
      這樣,以兩對(duì)、至少一對(duì)的超導(dǎo)線圈lla、 lib相對(duì)的方式配置一對(duì)第一線圈容器9a和第二線圏容器9b, —對(duì)第一屏蔽部件8a和第二屏蔽部件8b,一對(duì)第一真空容器3a和第二真空容器3b, 一對(duì)磁性材料12a、 12b,以及一對(duì)磁性材料13a、 13b。由此,能夠在一對(duì)第一真空容器3a和第二真空容器3b之間形成均勻磁場(chǎng)區(qū)域34。超導(dǎo)磁鐵裝置2大致構(gòu)成為以Z軸為對(duì)稱軸的對(duì)稱構(gòu)造,并且,構(gòu)成為以R面為對(duì)稱面的對(duì)稱構(gòu)造。
      再有,超導(dǎo)線圈lla、 11b支撐在線圈容器9上,熱屏蔽部件8絕熱地支撐在線圈容器9上。總載荷變大的線圈容器9絕熱地支撐在作為底座的真空容器3上。在第一真空容器3a和第二真空容器3b的彼此相對(duì)的壁面的凹入部36上按照從均勻磁場(chǎng)區(qū)域34側(cè)朝向真空容器3側(cè)的順序依次分別設(shè)有RF線圈5、傾斜磁場(chǎng)線圈31及可對(duì)均勾磁場(chǎng)區(qū)域34的磁場(chǎng)進(jìn)行微調(diào)的調(diào)整板32。 RF線圈5、傾斜磁場(chǎng)線圈31、調(diào)整板32固定在第一真空容器3a和第二真空容器3b上。MRI裝置1通過(guò)利用NMR現(xiàn)象測(cè)量氬原子核自旋放出的核磁共振信號(hào),并對(duì)該核磁共振信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算處理,從而通過(guò)氫原子核密度而對(duì)被檢測(cè)體內(nèi)進(jìn)行斷層成像。此時(shí),在被檢測(cè)體進(jìn)入的均勻磁場(chǎng)區(qū)域34內(nèi)產(chǎn)生強(qiáng)度為0.2T以上的高強(qiáng)度、并具有高靜磁場(chǎng)均勻度的靜磁場(chǎng)。均勻磁場(chǎng)區(qū)域34的上下一對(duì)傾斜磁場(chǎng)線圏31以得到均勻磁場(chǎng)區(qū)域34內(nèi)的位置信息為目的而將使磁場(chǎng)在空間上變化的的傾斜磁場(chǎng)施加到均勻磁場(chǎng)區(qū)域34上。再有,均勻磁場(chǎng)區(qū)域34的上下一對(duì)的RF線圈5將用于引起NMR現(xiàn)象的共振頻率的電磁波施加到均勻磁場(chǎng)區(qū)域34上。這樣一來(lái),通過(guò)對(duì)均勻磁場(chǎng)區(qū)域34內(nèi)的每一個(gè)微小區(qū)域測(cè)量氫原子核自旋放出的核磁共振信號(hào),并對(duì)該核磁共振信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算處理,從而能夠由氫原子核密度對(duì)被檢測(cè)體內(nèi)進(jìn)行斷層成像。
      另外,當(dāng)為產(chǎn)生傾斜磁場(chǎng)而對(duì)傾斜/磁場(chǎng)線圈31通電時(shí),則在傾斜磁場(chǎng)線圏31上作用電磁力,使傾斜磁場(chǎng)線圈31和固定著傾斜磁場(chǎng)線圈31的真空容器3振動(dòng)。該振動(dòng)由于不容易傳遞到僅通過(guò)第一導(dǎo)熱材料25、 27而連接的磁性材料12a、 12b、 13a、 13b上,所以磁性材料12a、 12b、 13a、 13b不振動(dòng)。超導(dǎo)線圈lla、 11b和磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的位置關(guān)系不產(chǎn)生變化,不擔(dān)心磁場(chǎng)均勻度產(chǎn)生變化。
      如圖2、圖3、圖4所示,上述磁性材料12a和13a用非磁性的金屬性連接部件17結(jié)合并做成一體。另外,上述磁性材料13b、 13b用非磁性的金屬性的連接部件17結(jié)合并做成一體。 一體化后的磁性材料12a、 13a與一體化后的磁性材料12b、 13b的各自的載荷通過(guò)絕熱性的支撐體15支撐在線圈容器9上。由于由液體氦溫度的線圈容器9支撐室溫的磁性材料12a、 12b、 13a、 13b,所以支撐體15用減少?gòu)腲磁性材料12a、 12b、 13a、 13b向線圈容器3的導(dǎo)熱之類(lèi)的原材料構(gòu)成。例如,作為支撐體15使用低導(dǎo)熱系數(shù)的纖維強(qiáng)化性塑料(FRP)管。也可以使用做成板狀或者棒狀的FRP來(lái)代替管狀。支撐體15在與Z軸平行的鉛直方向上豎立設(shè)置。支撐體15的一端固定在連接部件17上,另一端通過(guò)非磁性的金屬性連接部件16固定在線圏容器9上。連接部件16連接著支撐體15和線圈容器9。磁性材料12a、 12b、 13a、 13b支撐在支撐體15上。
      上述支撐體15通過(guò)設(shè)置成貫通熱屏蔽部件8,從而磁性材料12a、 12b、13a、 13b配置在熱屏蔽部件8的外側(cè)而不會(huì)被熱屏蔽部件8覆蓋。為了覆蓋連接部件16而在熱屏蔽部件8上設(shè)有熱屏蔽袋18。在熱屏蔽袋18上設(shè)有孔23,支撐體15穿過(guò)該孔23。
      磁性材料12a、 12b、 13a、 13b雖設(shè)置在真空容器3中的真空中,但由于設(shè)置在熱屏蔽部件8的外側(cè),所以磁性材料12a、 12b、 13a、 13b因來(lái)自真空容器3的輻射熱而基本上與室溫相等。另外,^磁性材料12a、 12b、 13a、 13b即使從極低溫度的線圈容器9被絕熱地支撐,也可將磁性材料12a、 12b、 13a、13b的溫度大致維持為室溫。這時(shí),由于;茲性材料12a、 12b、 13a、 13b的熱容量大,所以磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度不會(huì)受到因室溫在短時(shí)間內(nèi)的變化而引起的真空容器3的溫度的變化左右,不會(huì)使磁性材料12a、 12b、13a、 13b的位置、尺寸變化。
      磁性材料12a、 12b、 13a、 13b由于不被熱屏蔽部件8支撐,所以熱不會(huì)從熱屏蔽部件8傳導(dǎo),不易產(chǎn)生磁性材料12a、 12b、 13a、 13b因熱屏蔽部件8的溫度變化而引起的溫度變化,也不易產(chǎn)生磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的位置、尺寸的變化,所以不擔(dān)心磁場(chǎng)均勻度降低。由此,在因停電等引起的冷凍機(jī)停止等導(dǎo)致的熱屏蔽部件8的溫度上升時(shí),也可抑制均勻磁場(chǎng)區(qū)域34的磁場(chǎng)均勻度的變化。另外,超導(dǎo)線圈lla、 lib斷開(kāi)時(shí)等,即便對(duì)熱屏蔽部件8施加過(guò)大的電磁力而產(chǎn)生塑形變形,熱屏蔽部件8的位置產(chǎn)生變化,超導(dǎo)線圈lla、 11b和磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的位置關(guān)系也不會(huì)產(chǎn)生變化,因而斷開(kāi)后不擔(dān)心^f茲場(chǎng)均勻度產(chǎn)生變化。
      再有,支撐體15的長(zhǎng)度方向的中間點(diǎn)成為熱匯,從該中間點(diǎn)向熱屏蔽部件8連接傳熱片19。傳熱片19雖然不能相互支撐分別連接在兩端的支撐體15和熱屏蔽部件8的載荷,但良好地導(dǎo)熱,并將支撐體15的中間點(diǎn)的溫度設(shè)定為熱屏蔽部件8的溫度。由此,從支撐體15的一端至另一端的室溫到達(dá)極低溫度的溫度分布與裝置無(wú)關(guān)地保持一定。在上述真空容器3中設(shè)有凹入部41。凹入部41由圓筒狀側(cè)壁42和圓盤(pán)狀底部43構(gòu)成。凹入部41分別設(shè)置在第一真空容器3a的上面和第二真空容器3b的底面上。在凹入部41的底部43上配置有第一熱供給吸收部44。通過(guò)將第一熱供給吸收部44設(shè)置在真空容器3的外側(cè)、即常溫大氣側(cè),從而使其與真空容器3熱連接,供給或者吸收熱。與一對(duì)第一真空容器3a和第二真空容器3b相對(duì)應(yīng)地配置一對(duì)第一熱供給吸收部44。
      在第一熱供給吸收部44附近的真空容器3的外側(cè)可以設(shè)置第二熱供給吸收部45。第二熱供給吸收部45也與真空容器3熱連接,能夠供給或者吸收比由第一熱供給吸收部44供給或者吸收的熱更多的熱,并可裝卸地安裝在真空容器3上。絕熱材料46以覆蓋第一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45的方式設(shè)置在凹入部41內(nèi)。
      第一導(dǎo)熱材料25、 27設(shè)置在真空容器3的內(nèi)側(cè)并與真空容器3和磁性材料12a、 12b、 13a、 13b熱連接。第二導(dǎo)熱材料26也設(shè)置在真空容器3的內(nèi)側(cè),熱連接多個(gè)相互離開(kāi)的磁性材料12a、 13a之間和磁性材料12b、 13b之間。第一熱吸收供給部44和第一導(dǎo)熱材料25、 27隔著真空容器3的凹入部41的底部43地相對(duì)配置。
      真空容器3和磁性材料12a的各個(gè)上熱連接有多個(gè)(4個(gè))第一導(dǎo)熱材料27。真空容器3和磁性材料13a的各個(gè)上熱連接有多個(gè)(4個(gè))第一導(dǎo)熱材料25。真空容器3和磁性材料12b的各個(gè)上熱連接有多個(gè)(4個(gè))第一導(dǎo)熱材料27。真空容器3和磁性材料13b的各個(gè)上熱連接有多個(gè)(4個(gè))第一導(dǎo)熱材料25。第一導(dǎo)熱材料25、 27能夠在數(shù)個(gè)到數(shù)10個(gè)范圍內(nèi)構(gòu)成。
      這樣,通過(guò)設(shè)置多個(gè)第一導(dǎo)熱材料25、 27,從而能夠減少在磁性材料12a、12b、 13a、 13b各個(gè)中的溫度分布不均。但是,沒(méi)有必要消除溫度分布不均而使溫度均勻,在超導(dǎo)磁鐵裝置2的工作運(yùn)轉(zhuǎn)中只要使溫度分布不均小、也沒(méi)有移動(dòng)而恒定不變即可。作為溫度分布不均小的程度,只要是通過(guò)使用了調(diào)整板32的磁性體的補(bǔ)償能對(duì)均勻磁場(chǎng)區(qū)域34的磁場(chǎng)均勻度進(jìn)行調(diào)整的程度即可。并且,通過(guò)從第一熱供給吸收部44借助于第一導(dǎo)熱材料25、 27供給、吸收熱,從而能將磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的各個(gè)溫度分布設(shè)定為不會(huì)移動(dòng)而恒定不變。在真空容器3 (凹入部41的底部43 )和第一導(dǎo)熱材料25、 27之間設(shè)有傳熱板47。傳熱板47與真空容器3 (凹入部41的底部43 )和第一導(dǎo)熱材料25、27熱連接。傳熱板47的熱阻比真空容器3的壁、例如凹入部41的底部43的熱阻小。
      第一導(dǎo)熱材料25、 27雖然不能相互支撐分別連接在兩端的傳熱板47和磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的載荷,但良好地進(jìn)行導(dǎo)熱。由此,將第一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45作為熱源傳遞到真空容器3 (凹入部41的底部43)的熱,由于不僅通過(guò)輻射傳遞到磁性材料12a、 12b、 13a、 13b,而且還通過(guò)第一導(dǎo)熱部件25、 27進(jìn)行傳導(dǎo)而傳到;f茲性材料12a、 12b、 13a、13b,所以能夠使磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度更快地與真空容器3 (凹入部41的底部43 )的溫度、即第一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45的溫度大致相同。
      第二導(dǎo)熱材料26雖然不能相互支撐分別連接在兩端的磁性材料12a、 12b和磁性材料13a、 13b的載荷,但良好地進(jìn)行導(dǎo)熱。由此,第一導(dǎo)熱材料25、27進(jìn)行傳導(dǎo)到達(dá)磁性材料12a、 12b和磁性材料13a、 13b的熱,由于不僅通過(guò)連接部件17相互傳導(dǎo),而且還通過(guò)第二導(dǎo)熱材料26進(jìn)行傳導(dǎo),在磁性材料12a、 12b和磁性材料13a、 13b之間相互地傳遞,因此能夠使磁性材料12a、12b、 13a、 13b的溫度更快地與真空容器3 (凹入部41的底部43 )的溫度、即第一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45的溫度大致相同。
      再有,第一導(dǎo)熱材料25、 27和第二導(dǎo)熱材料26能夠使用彈性系數(shù)小具有撓性的金屬。由于磁性材料12a、 12b、 13a、 13b由線圈容器9被絕熱地支撐,所以在進(jìn)行超導(dǎo)磁l^裝置2的制造組裝的常溫時(shí)和進(jìn)行工作運(yùn)轉(zhuǎn)的低溫時(shí),通過(guò)熱收縮來(lái)改變磁性材料12a、 12b、 13a、 13b相對(duì)真空容器3的相對(duì)位置。由此,第一導(dǎo)熱材料25、 27和第二導(dǎo)熱材料26需要有吸收因熱收縮引起的移位的撓性。另外,通過(guò)使第一導(dǎo)熱材料25、 27和第二導(dǎo)熱材料26具有撓性,從而可以避免磁性材料12a、 12b、 13a、 13b受到面對(duì)外界的真空容器3的振動(dòng)引起的影響而振動(dòng),并避免均勻磁場(chǎng)區(qū)域34的磁場(chǎng)均勻度產(chǎn)生變化。作為第一導(dǎo)熱材料25、 27和第二導(dǎo)熱材料26的例子,能夠使用銅(Cu)和鋁(Al)制的配線和編織線、薄板層疊板。
      12再有,期望上述底部43做成與傳熱板47—體結(jié)構(gòu),期望用傳熱板47將真空和大氣隔開(kāi),也就是,第一熱供給吸收部44和第一導(dǎo)熱材料25、 27在較寬廣的面積范圍內(nèi)直接接觸。但是,期望傳熱板47是導(dǎo)熱系數(shù)高的導(dǎo)熱材料,存在無(wú)法用與需要較強(qiáng)剛性的真空容器3相同的金屬材料構(gòu)成的情況。這種情況,如果真空容器3和傳熱板47是可焊接的金屬,則只要焊接真空容器3和傳熱板47做成層疊形狀的一體結(jié)構(gòu)即可。真空容器3是不銹鋼,而傳熱版47是鋁的場(chǎng)合,很難通過(guò)焊接結(jié)合,但能夠通過(guò)HIP和爆炸成形而接合成一體結(jié)構(gòu)。
      再有,可以通過(guò)在傳熱板47所接觸的底部43使用為承受大氣壓所需最小限度板厚的不銹鋼而降低第一熱供給吸收部44和傳熱板47之間的熱阻。為此,將凹入部41處真空容器3的厚度,即側(cè)壁42和底部43的厚度做得比構(gòu)成凹入部43以外的真空容器3的壁的厚度更薄。另外,凹入部41的側(cè)壁42的厚度也做得比構(gòu)成凹入部41以外的真空容器3的壁的厚度更薄。通過(guò)減薄側(cè)壁42的厚度而能夠提高對(duì)從底部43向凹入部41以外的真空容器3的導(dǎo)熱的熱阻。由此,使從第一熱供給吸收部44通過(guò)底部43流動(dòng)的熱不容易向凹入部41以外的真空容器3流動(dòng),而容易向傳熱板47流動(dòng)。這樣,在真空容器3中設(shè)置凹入部41并在凹入部41中設(shè)置第一熱供給吸收部44的理由是盡可能地使由第一熱供給吸收部44供給、吸收的熱不傳遞到真空容器3,而要通過(guò)底部43傳遞到傳熱板47。為此,期望凹入部41的底部43的深度越深越好,凹入部41的側(cè)壁42和底部43的板厚是強(qiáng)度上所需最小限度的板厚。
      再有,即使底部43和傳熱板47不是一體結(jié)構(gòu),也可以通過(guò)使底部43和傳熱板47緊密貼合而傳熱。作為緊密貼合的方法,可采用將銅、鋁、銦等的具有高導(dǎo)熱系數(shù)的柔軟金屬夾在底部43和傳熱板47之間并用螺栓等施加表面壓力的方法,用粘接劑粘合并一體化的方法、將具有高導(dǎo)熱系數(shù)的潤(rùn)滑脂插入其間并施加表面壓力的方法等。這些緊密貼合的方法與采用 一體結(jié)構(gòu)的方法相比可廉價(jià)地制作。當(dāng)然,在真空容器3用鋁和銅等具有高導(dǎo)熱系數(shù)的材料構(gòu)成的場(chǎng)合,由于真空容器3兼作傳熱板47,所以能夠省略傳熱板47。
      在凹入部41中,為了避免通過(guò)大氣的空氣對(duì)流而傳熱設(shè)有絕熱材料46。再有,真空容器3的板厚十分薄的場(chǎng)合,由于壁面方向的傳熱變少而不需設(shè)置
      13凹入部41。但是,即便這種場(chǎng)合,為了避免因空氣對(duì)流引起的傳熱絕熱材料
      46也是必要的。為了避免因?qū)α饕鸬膫鳠犭m還有真空絕熱這種方法,但需 要設(shè)置抽真空用的設(shè)備和配管,沒(méi)有成本上的優(yōu)點(diǎn)。
      測(cè)量磁性材料13a、 13b溫度的溫度傳感器30設(shè)置在磁性材料13a、 13b 上。再有,可以認(rèn)為,溫度傳感器30通過(guò)測(cè)量磁性材料13a、 13b的溫度而還 間接地測(cè)量石茲性材津牛12a、 12b的溫度。
      通過(guò)已測(cè)量的磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度,控制第一熱供給吸 收部44和第二熱供給吸收部45的熱的供給或者吸收的溫度控制部24設(shè)置在 真空容器3的外側(cè)。溫度控制部24設(shè)置兩個(gè), 一個(gè)根據(jù)設(shè)于第一真空容器3a 上的磁性材料12a、 13a的溫度,控制設(shè)于第一真空容器3a上的第一熱供給吸 收部44和第二熱供給吸收部45的熱的供給或者吸收。另 一個(gè)根據(jù)設(shè)于第二真 空容器3b上的磁性材料12b、 13b的溫度,控制設(shè)于第二真空容器3b上的第 一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45的熱的供給或者吸收。
      另外,通過(guò)溫度控制部24控制輸出的第一電源28和第二電源29設(shè)于真 空容器3的外側(cè)。第一電源28和第二電源29分別設(shè)置兩個(gè), 一方的第一電源 28和第二電源29設(shè)于第一真空容器3a上,通過(guò)由設(shè)于第一真空容器3a上的 溫度控制部24控制輸出,從而能夠控制設(shè)于第一真空容器3a上半部的第一熱 供給吸收部44和第二熱供給吸收部45的熱的供給或者吸收。另一方的第一電 源28和第二電源29設(shè)于第二真空容器3b上,通過(guò)由設(shè)于第二真空容器3b 上的溫度控制部24控制輸出,從而能夠控制設(shè)于第二真空容器3b上的第一熱 供給吸收部44和第二熱供給吸收部45的熱的供給或者吸收。
      在由第一熱供給吸收部44產(chǎn)生熱或者供給的熱通過(guò)凹入部41的底部43 傳遞到設(shè)于底部43的真空側(cè)的傳熱板47,從傳熱板47在設(shè)于真空中的第一 導(dǎo)熱材料25、 27中傳遞并傳遞到磁性材料12a、 12b、 13a、 13b,磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度上升。當(dāng)?shù)谝粺峁┙o吸收部44排出熱或吸收熱時(shí),則 磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的熱沿著與上述傳導(dǎo)路徑相反的傳導(dǎo)路徑排出, 磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度降低。
      第一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45由于設(shè)置在真空容器3的常 溫大氣側(cè),所以在維修時(shí)等有必要更換第一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45的場(chǎng)合,不用破壞真空就能進(jìn)行更換。
      其次,對(duì)磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度控制進(jìn)行說(shuō)明。
      如圖5所示,通過(guò)設(shè)于》茲性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度傳感器30測(cè) 量磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度,并將已測(cè)得的溫度的溫度信號(hào)發(fā)送 到溫度控制部24。在溫度控制部24中預(yù)先輸入并存^f諸作為》茲性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度的目標(biāo)值的溫度控制目標(biāo)值48。在溫度控制部24中,比較相 當(dāng)于已輸入的溫度信號(hào)的溫度和溫度控制目標(biāo)值48,按照它們的大小關(guān)系將 控制信號(hào)發(fā)送到第一電源28和第二電源29。第一電源28在接收到控制信號(hào) 時(shí),則按照控制信號(hào)進(jìn)行對(duì)第一熱供給吸收部44的通電、斷電的通電控制。 第二電源29在接收到控制信號(hào)時(shí),則按照控制信號(hào)進(jìn)行對(duì)第二熱供給吸收部 45的通電、斷電的通電控制。第一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45 通過(guò)進(jìn)行通電,從而進(jìn)行熱的供給、吸收,在真空容器3 (凹入部41的底部 43)或者傳熱板47之間產(chǎn)生熱流。
      通過(guò)該熱流,熱就在真空容器3 (凹入部41的底部43 )或者傳熱板47、 和第一導(dǎo)熱材料25、 27之間流動(dòng)。通過(guò)該熱流,熱就在第一導(dǎo)熱材料25、 27 和磁性材料12a、 12b、 13a、 13b之間流動(dòng)。這樣,磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度產(chǎn)生變化。已變化的溫度如上所述通過(guò)溫度傳感器30測(cè)量。通過(guò) 構(gòu)成這樣一連串的循環(huán),從而可實(shí)現(xiàn)將磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度 在時(shí)間上恒定地維持在溫度控制目標(biāo)值48附近這種溫度控制。再有,作為溫 度控制的控制方法,也可以利用PID控制方法。
      作為第一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45能夠采用電加熱器。雖 然能用電加熱器供暖,但無(wú)法進(jìn)行冷卻來(lái)吸收熱。于是,還可以與電加熱器并 用使用佩爾捷元件等的電子冷卻。但是,磁性材料12a、 12b、 13a、 13b在熱 屏蔽部件8和線圈容器9附近相對(duì)地配置的場(chǎng)合,因來(lái)自熱屏蔽部件8和線圈 容器9的吸熱,磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度比室溫低。由此,通過(guò) 將溫度控制目標(biāo)值49設(shè)定得比室溫高,從而僅用電加熱器也能進(jìn)行溫度控制。
      磁性材料12a、 12b、 13a、 13b由于位于真空容器3內(nèi)的真空中,所以被 絕熱,磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度不會(huì)隨著短時(shí)間的室溫的變化而 短時(shí)間地產(chǎn)生變化。
      15但是,磁性材料12a、 12b、 13a、 13b雖說(shuō)是被絕熱,但由于多少會(huì)有來(lái) 自真空容器3的輻射熱,所以由于該輻射熱,使溫度隨著季節(jié)變動(dòng)這樣的經(jīng)長(zhǎng) 時(shí)間的室溫變化而平穩(wěn)地變化。但是,通過(guò)進(jìn)行上述溫度控制,從而能使^磁性 材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度不受季節(jié)等影響而保持恒定。并且,相對(duì)于 經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間的室溫變化可以將磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度變化抑制得 較小,可以將在均勻磁場(chǎng)區(qū)域34的磁場(chǎng)均勻度的變化抑制得較小。
      若要搬運(yùn)超導(dǎo)磁鐵裝置2并裝在其它地方工作時(shí),則存在磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度因搬運(yùn)中的外部氣溫而比工作地的室溫上升或者下降的 情況。這樣,當(dāng)^茲性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度因何種理由從室溫離開(kāi) 時(shí),則在安裝調(diào)試時(shí),磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度只有緩慢變化, 所以磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度變得很不恒定,安裝調(diào)試需要花費(fèi) 較長(zhǎng)時(shí)間。但是,通過(guò)進(jìn)行上述溫度控制,當(dāng)要使磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度與室溫一致時(shí),則能夠?qū)Υ判圆牧?2a、 12b、 13a、 13b供給熱或 者吸收熱。并且,能夠在短時(shí)間內(nèi)將磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度設(shè) 定為室溫。
      反之,在超導(dǎo)磁鐵裝置2的搬運(yùn)中為了不讓磁性材料12a、 12b、 13a、 13b 的溫度離開(kāi)室溫,則可以在搬運(yùn)中也進(jìn)行上述溫度控制,將^f茲性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度設(shè)定為搬運(yùn)目的地的室溫。這樣一來(lái),在安裝調(diào)試時(shí)可以不 花費(fèi)時(shí)間就將磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度設(shè)定為室溫。
      再有,在超導(dǎo)磁鐵裝置2工作時(shí),磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度 由于通過(guò)上述溫度控制與溫度控制目標(biāo)值48沒(méi)有大的差異,所以應(yīng)由第一熱 供給吸收部44供給、吸收的熱量不多。由此,只要使第一熱供給吸收部44 工作即可,而不必使第二熱供給吸收部45工作。
      但是,在安裝調(diào)試時(shí),存在磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度與溫度 控制目標(biāo)值48有較大差異的情況。這種情況,不僅由第一熱供給吸收部44 而且也由第二熱供給吸收部45供給、吸收熱,從而供給、吸收更多的熱,能 夠在更短時(shí)間內(nèi)接近溫度控制目標(biāo)值48。
      對(duì)于這種第二熱供給吸收部45,預(yù)先做成可裝卸的,以便能僅在安裝調(diào) 試時(shí)對(duì)其進(jìn)行安裝使其工作,而在超導(dǎo)磁鐵裝置2工作時(shí)將其分,。第二熱供給吸收部45由于設(shè)置在真空容器3的外側(cè)而能容易地裝卸。
      通過(guò)將磁性材料12a、 12b、 13a、 13b由線圏容器9絕熱地支撐在真空容 器3中,使用設(shè)于磁性材料13a、 13b上的溫度傳感器30進(jìn)行將熱從設(shè)于真空 容器3的大氣側(cè)的第一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45向磁性材料 12a、 12b、 13a、 13b進(jìn)行供給、吸收這樣的控制,從而相對(duì)于室溫變化也能 夠?qū)⒋判圆牧?2a、 12b、 13a、 13b的溫度維持恒定,能夠使均勻磁場(chǎng)區(qū)域34 的磁場(chǎng)均勻度的變化非常得小。并且,這樣一來(lái),能夠提供高性能的MRI裝 置1。
      另外,通過(guò)將第一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45設(shè)置在常溫大 氣側(cè),從而在因第一熱供給吸收部44和第二熱供給吸收部45的不良而需要更 換時(shí),無(wú)需對(duì)超導(dǎo)磁鐵裝置2進(jìn)行升溫和消磁就能對(duì)其進(jìn)行更換。
      下面,對(duì)實(shí)施方式的變形例的超導(dǎo)磁鐵裝置2的磁性材料12a、 12b、 13a、 13b的溫度控制進(jìn)行說(shuō)明。如圖6所示,在實(shí)施方式的變形例中,不同點(diǎn)在于 使用熱交換器50來(lái)代替第一熱供給吸收部44。由此,將第一電源28變?yōu)樗?溫控制裝置49。用熱交換器50來(lái)進(jìn)行水等流體的溫度控制。其優(yōu)點(diǎn)是,通過(guò) 進(jìn)行流體的溫度控制,不僅能很容易地加熱,還能很容易地冷卻。
      1權(quán)利要求
      1.一種超導(dǎo)磁鐵裝置,具有產(chǎn)生磁場(chǎng)的環(huán)狀的超導(dǎo)線圈,與制冷劑一起容納上述超導(dǎo)線圈的線圈容器,包圍上述線圈容器且內(nèi)部保持為真空的真空容器,以及設(shè)置在上述真空容器的內(nèi)側(cè)并由上述線圈容器絕熱地支撐且對(duì)上述磁場(chǎng)進(jìn)行補(bǔ)償?shù)拇判圆牧?;其特征在于,具有設(shè)置在上述真空容器的外側(cè)且與上述真空容器熱連接并供給或者吸收熱的第一熱供給吸收部;以及設(shè)置在上述真空容器的內(nèi)側(cè)且與上述真空容器和上述磁性材料熱連接的第一導(dǎo)熱材料。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁鐵裝置,其特征在于,具有 測(cè)量上述磁性材料溫度的溫度傳感器,以及根據(jù)已測(cè)量的上述溫度,控制上述第一熱供給吸收部的熱的供給或吸收的 溫度控制部。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁鐵裝置,其特征在于, 上述第一熱供給吸收部和上述第一導(dǎo)熱材料夾著上述真空容器相對(duì)地配置。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁鐵裝置,其特征在于, 上述第一導(dǎo)熱材料具有撓性。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁鐵裝置,其特征在于, 在上述真空容器和上述磁性材料的各個(gè)上熱連接有多個(gè)上述第一導(dǎo)熱材料。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁鐵裝置,其特征在于, 具有設(shè)置在上述真空容器的內(nèi)側(cè)且熱連接多個(gè)相互分離的上述磁性材料之間的第二導(dǎo)熱材料。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁鐵裝置,其特征在于, 具有傳熱板,該傳熱板設(shè)置在上述真空容器和上述第一導(dǎo)熱材料之間并與上述真空容器和上述第一導(dǎo)熱材料熱連接且熱阻比上述真空容器小。
      8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁鐵裝置,其特征在于, 上述真空容器具有凹入部,在上述凹入部的底部配置上述第一熱供給吸收部,上述凹入部處上述真空容器的厚度比上述凹入部以外的上述真空容器的 厚度薄。
      9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁鐵裝置,其特征在于,具有覆蓋上述第一熱供給吸收部的絕熱材料。
      10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁鐵裝置,其特征在于, 可裝卸地具有第二熱供給吸收部,該第二熱供給吸收部設(shè)置在上述第一熱供給吸收部附近的上述真空容器的外側(cè),與上述真空容器熱連接,供給或者吸 收比由上述第 一供給吸收部供給或者吸收的熱更多的熱。
      11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁鐵裝置,其特征在于,以一對(duì)上述超導(dǎo)線圈相對(duì)地方式配置一對(duì)上述線圈容器、 一對(duì)上述真空容 器、 一對(duì)上述f茲性材料、以及一對(duì)上述第一熱供給吸收部,將上述磁場(chǎng)形成于 一對(duì)上述真空容器之間。
      12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)磁鐵裝置,其特征在于, 具有以包圍上述線圈容器的方式設(shè)置的熱屏蔽部件, 上述磁性材料配置在上述熱屏蔽部件的外側(cè)。
      13. —種磁共振成像裝置,其特征在于,使用了權(quán)利要求1 ~ 12任一項(xiàng)所述的超導(dǎo)磁鐵裝置。
      全文摘要
      本發(fā)明提供相對(duì)于經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間的室溫變化也能將磁性材料的溫度變化抑制得較小且減少磁場(chǎng)均勻度的變化,另一方面還能在短時(shí)間內(nèi)改變磁性材料的溫度的超導(dǎo)磁鐵裝置。在具有產(chǎn)生磁場(chǎng)的環(huán)狀的超導(dǎo)線圈(11a、11b),與制冷劑(14)一起容納超導(dǎo)線圈(11a、11b)的線圈容器(9),包圍線圈容器且內(nèi)部保持為真空的真空容器(3),及設(shè)置在真空容器內(nèi)側(cè)并由線圈容器絕熱地支撐且對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行補(bǔ)償?shù)拇判圆牧?12a、12b、13a、13b)的超導(dǎo)磁鐵裝置(2)中,具有設(shè)置在真空容器外側(cè)且與真空容器熱連接并供給或吸收熱的第一熱供給吸收部(44);及設(shè)置在真空容器內(nèi)側(cè)且與真空容器和磁性材料熱連接的第一導(dǎo)熱材料(25、27)。
      文檔編號(hào)G01R33/387GK101493505SQ20091000596
      公開(kāi)日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2009年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月24日
      發(fā)明者千葉知雄, 唐司茂樹(shù), 渡邊洋之, 竹內(nèi)博幸, 竹島弘隆, 阿部充志 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所;株式會(huì)社日立醫(yī)藥
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