專(zhuān)利名稱(chēng)：一種高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功能電能表的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電能表，具體的說(shuō)是一種高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功 能電能表。
背景技術(shù)：
電能表是電能交易過(guò)程中收費(fèi)的核心計(jì)量器具，其準(zhǔn)確性、數(shù)據(jù) 的可靠性至關(guān)重要。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電能表也從機(jī)械感應(yīng)式電
能表向全電子式電能表轉(zhuǎn)化。電子式電能表可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，所說(shuō)的數(shù) 據(jù)包括
(1) 電表參數(shù)，
(2) 用戶(hù)設(shè)置參數(shù)，
(3) 當(dāng)前及歷史電能數(shù)據(jù)，
(4) 瞬時(shí)電參數(shù)組成的負(fù)荷曲線，即負(fù)荷記錄，電參數(shù)包括電
壓、電流、功率、功率因數(shù)等，
(5) 瞬間事件記錄，如失壓、失流事件發(fā)生的時(shí)間、以及發(fā)生 失壓失流時(shí)的電量等，
(6) 最大需量及其發(fā)生時(shí)間，
(7) 狀態(tài)標(biāo)識(shí)，如掉電標(biāo)識(shí)、編程允許標(biāo)志等。
目前常用的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)方式有
(1) 上述部分?jǐn)?shù)據(jù)存于微控制器擴(kuò)展的電擦除只讀存儲(chǔ)器
E2PR0M中，
(2) 上述部分?jǐn)?shù)據(jù)存于微控制器擴(kuò)展的閃速存儲(chǔ)器FLASH中，
(3) 上述全部數(shù)據(jù)存于微控制器內(nèi)置的電擦除只讀存儲(chǔ)器 E2PR0M中，
(4) 以上三種的任意組合，(5) 電表參數(shù)、用戶(hù)設(shè)置數(shù)據(jù)、當(dāng)前及歷史電能數(shù)據(jù)存于電擦
除只讀存儲(chǔ)器E2PR0M中，瞬時(shí)電參數(shù)組成的負(fù)荷曲線存于閃速存儲(chǔ) 器FLASH中，
(6) 上述全部數(shù)據(jù)存于鐵電存儲(chǔ)器FRAM中， 現(xiàn)有技術(shù)方案具有以下缺點(diǎn)-
(1) 采用電擦除只讀存儲(chǔ)器E2PR0M存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，雖然E2PR0M擦 寫(xiě)次數(shù)多，但性?xún)r(jià)比低、容量小，操作時(shí)間長(zhǎng)，操作后還需要等待一 段時(shí)間，降低了存儲(chǔ)效率。
(2) 采用閃速存儲(chǔ)器FLASH存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，雖然FLASH性?xún)r(jià)比高、 容量大，但是擦寫(xiě)次數(shù)少。而且FLASH—般采用頁(yè)處理組織模式，當(dāng) 非頁(yè)操作時(shí)效率低，增加擦寫(xiě)次數(shù)，操作時(shí)間長(zhǎng)，效率低。
(3) 采用鐵電存儲(chǔ)器FRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，雖然FRAM具有存取速 度快、非易失性RAM的優(yōu)點(diǎn)，但是當(dāng)遇到特殊情況也會(huì)發(fā)生異常，例 如讀寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)收到脈沖群、靜電放電、瞬間強(qiáng)電磁輻射等干擾時(shí)，時(shí) 鐘線號(hào)或數(shù)據(jù)信號(hào)將有可能受到干擾而改變應(yīng)有狀態(tài)，出現(xiàn)讀寫(xiě)數(shù)據(jù) 錯(cuò)誤。
因?yàn)殡娔鼙淼墓ぷ鳝h(huán)境極其惡劣，電網(wǎng)中的浪涌、脈沖群、周波 跌落、強(qiáng)烈瞬間電磁輻射等干擾隨時(shí)可能干擾電能表的正常運(yùn)行，造 成電能表的誤操作、電子線路的瞬間電平變化等，所以，僅僅單獨(dú)采 用以上6種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式之一的電能表，容易出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)丟 失等嚴(yán)重問(wèn)題，這給電能交易雙方帶來(lái)經(jīng)濟(jì)糾紛，特別是電能大用戶(hù)， 用電量大，記錄數(shù)據(jù)多，出現(xiàn)上述問(wèn)題后將會(huì)造成極大的經(jīng)濟(jì)損失。

實(shí)用新型內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本實(shí)用新型的目的在于提供一種高 可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功能電能表，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理，抗干擾能力強(qiáng)，數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)可靠性高，可有效解決數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題。
為達(dá)到以上目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是一種高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功能電能表，包括微控制器、計(jì)量單元、 存儲(chǔ)單元和人機(jī)接口，其特征在于所說(shuō)的計(jì)量單元包括計(jì)量芯片
ATT7022B，微控制器通過(guò)數(shù)據(jù)線分別和計(jì)量芯片ATT7022B、人機(jī)接 口連接；所說(shuō)的微控制器為采用Cortex-M3內(nèi)核的微控制器，所說(shuō)的 存儲(chǔ)單元包括一個(gè)鐵電存儲(chǔ)器FRAM，兩個(gè)電擦除只讀存儲(chǔ)器E2PR0M 1、 E2PR0M 2， 一個(gè)閃速存儲(chǔ)器FLASH,鐵電存儲(chǔ)器FRAM通過(guò)SPI總 線1和微控制器連接，電擦除只讀存儲(chǔ)器E2PR0M 1通過(guò)I2C總線1 和微控制器連接，電擦除只讀存儲(chǔ)器E2PR0M 2通過(guò)I2C總線2和微 控制器連接，閃速存儲(chǔ)器FLASH通過(guò)SPI總線2和微控制器連接。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所說(shuō)的計(jì)量單元還包括與計(jì)量芯片 ATT7022B的輸入端口連接的電流互感器和電阻分壓電路。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，用于存放電能數(shù)據(jù)、歷史電量、最大 需量、最大需量發(fā)生時(shí)間、瞬間事件記錄、最大需量、狀態(tài)標(biāo)識(shí)、電 表參數(shù)的鐵電存儲(chǔ)器FRAM的容量為256Kb;用于對(duì)FRAM數(shù)據(jù)+6CH備 份的E2PR0M 1的容量為128KB;用于對(duì)FRAM數(shù)據(jù)+93H備份的E2PR0M 2的容量為128KB;用于存放負(fù)荷曲線數(shù)據(jù)的閃速存儲(chǔ)器FLASH的容 量為8MB。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，鐵電存儲(chǔ)器FRAM，兩個(gè)電擦除只讀 存儲(chǔ)器E卞R0M 1、 E2PR0M 2， 一個(gè)閃速存儲(chǔ)器FLASH中的數(shù)據(jù)均根據(jù) 實(shí)際需要按數(shù)據(jù)塊存儲(chǔ)，每個(gè)數(shù)據(jù)塊都分為數(shù)據(jù)部分和校驗(yàn)部分，校 驗(yàn)部分采用校驗(yàn)和進(jìn)行校驗(yàn)處理。
本實(shí)用新型所述的高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功能電能表，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合 理，抗干擾能力強(qiáng)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性高，可有效解決數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、數(shù)據(jù) 丟失問(wèn)題。


本實(shí)用新型有如下附圖
圖1高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功能電能表的結(jié)構(gòu)示意圖圖2備份數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
圖1為本實(shí)用新型所述的高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功能電能表的結(jié) 構(gòu)示意圖，包括微控制器、計(jì)量單元、存儲(chǔ)單元和人機(jī)接口，所說(shuō)的
計(jì)量單元包括計(jì)量芯片ATT7022B，微控制器通過(guò)數(shù)據(jù)線分別和計(jì)量 芯片ATT7022B、人機(jī)接口連接；所說(shuō)的微控制器為采用Cortex-M3 內(nèi)核的微控制器，所說(shuō)的存儲(chǔ)單元包括一個(gè)鐵電存儲(chǔ)器FRAM，兩個(gè) 電擦除只讀存儲(chǔ)器E2PR0M 1、 E2PR0M 2， 一個(gè)閃速存儲(chǔ)器FLASH,鐵 電存儲(chǔ)器FRAM通過(guò)SPI總線1和微控制器連接，電擦除只讀存儲(chǔ)器 E2PR0M 1通過(guò)I2C總線1和微控制器連接，電擦除只讀存儲(chǔ)器E2PR0M 2通過(guò)I2C總線2和微控制器連接，閃速存儲(chǔ)器FLASH通過(guò)SPI總線 2和微控制器連接。本實(shí)用新型同時(shí)使用FRAM、 E2PROM、 FLASH三種 存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，F(xiàn)RAM讀寫(xiě)速度快、讀寫(xiě)壽命無(wú)限次，但價(jià)格較 高，可利用其存儲(chǔ)擦寫(xiě)次數(shù)最頻繁的數(shù)據(jù)，E2PROM進(jìn)行數(shù)據(jù)備份、 FLASH存儲(chǔ)經(jīng)FRAM處理過(guò)的大量整塊數(shù)據(jù)。所說(shuō)的SPI是串行外圍 設(shè)備接口 (Serial Peripheral interface),所說(shuō)的I2C是一種由菲 利普公司開(kāi)發(fā)的串行總線(Inter — Integrated Circuit),采用串行 總線方式可減少硬件的線路的連接，簡(jiǎn)化整個(gè)電能表電路的設(shè)計(jì)。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所說(shuō)的計(jì)量單元還包括與計(jì)量芯片 ATT7022B的輸入端口連接的電流互感器和電阻分壓電路。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，用于存放電能數(shù)據(jù)、歷史電量、最大 需量、最大需量發(fā)生時(shí)間、瞬間事件記錄、最大需量、狀態(tài)標(biāo)識(shí)、電 表參數(shù)的鐵電存儲(chǔ)器FRAM的容量為256Kb;用于對(duì)FRAM數(shù)據(jù)+6CH備 份的E2PROM 1的容量為128KB;用于對(duì)FRAM數(shù)據(jù)+93H備份的E2PROM 2的容量為128KB;用于存放負(fù)荷曲線數(shù)據(jù)的閃速存儲(chǔ)器FLASH的容 量為8MB。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，鐵電存儲(chǔ)器FRAM，兩個(gè)電擦除只讀
存儲(chǔ)器E乍R0M 1、 E2PROM 2， 一個(gè)閃速存儲(chǔ)器FLASH中的數(shù)據(jù)均根據(jù) 實(shí)際需要按數(shù)據(jù)塊存儲(chǔ)，每個(gè)數(shù)據(jù)塊都分為數(shù)據(jù)部分和校驗(yàn)部分，校 驗(yàn)部分采用校驗(yàn)和進(jìn)行校驗(yàn)處理。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，微處理器按數(shù)據(jù)塊讀取FRAM中數(shù)據(jù)， 并進(jìn)行和校驗(yàn)，如果校驗(yàn)和正確，則判定數(shù)據(jù)無(wú)誤，如果校驗(yàn)和錯(cuò)誤 則讀取E2PR0M1與E2PR0M2分別減去+6CH和+93H，與對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)比較，
只要有兩個(gè)或三個(gè)數(shù)據(jù)相同時(shí)，則認(rèn)為相同的數(shù)據(jù)為有效數(shù)據(jù)；對(duì)存 儲(chǔ)在FRAM和E2PR0M1、 E2PR0M2中的數(shù)據(jù)還要進(jìn)行定時(shí)對(duì)比校驗(yàn)，防
止數(shù)據(jù)錯(cuò)亂；若對(duì)比校驗(yàn)，仍未判斷出正確數(shù)據(jù)則以校驗(yàn)和正確的數(shù) 據(jù)為準(zhǔn)。
本實(shí)用新型采用FRAM、 E2PROM、 FLASH三層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式。FRAM 讀寫(xiě)速度快、讀寫(xiě)壽命無(wú)限次，但價(jià)格較高，可利用其存儲(chǔ)擦寫(xiě)次數(shù) 最頻繁的數(shù)據(jù)，E2PROM進(jìn)行數(shù)據(jù)備份、FLASH存儲(chǔ)經(jīng)FRAM處理過(guò)的 大量整塊數(shù)據(jù)。利用這三種存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行備份，每份數(shù) 據(jù)均進(jìn)行校驗(yàn)處理，當(dāng)數(shù)據(jù)校驗(yàn)錯(cuò)誤或不同存儲(chǔ)器中同一數(shù)據(jù)不一致 時(shí)，將進(jìn)行所有備份數(shù)據(jù)判斷比較，去除錯(cuò)誤數(shù)據(jù)，分析出正確數(shù)據(jù)， 從而解決數(shù)據(jù)異?，F(xiàn)象。具體數(shù)據(jù)處理方式如下
(1) FRAM、 E2PROM、 FLASH這三種存儲(chǔ)器與MCU的連接方式如下 FRAM和FLASH采用了 SPI (Serial Peripheral interface,串行外 圍設(shè)備接口)總線方式，而E2PROM采用I2C (Inter —Integrated Circuit)總線方式，如附圖l所示。采用串行總線方式，減少硬件 的線路連接，采用這種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)機(jī)制，不會(huì)使整個(gè)電能表電路的設(shè)計(jì) 變得復(fù)雜。
(2) FLASH主要用來(lái)存儲(chǔ)負(fù)荷曲線記錄數(shù)據(jù)。
(3) FRAM存放每秒刷新的電能數(shù)據(jù)、歷史電量、最大需量、最 大需量發(fā)生時(shí)間、瞬間事件記錄、最大需量、狀態(tài)標(biāo)識(shí)、電表參數(shù)等。 并且在FRAM中進(jìn)行FLASH數(shù)據(jù)頁(yè)組織。微控制器每秒讀取一次計(jì)量 芯片ATT7022B的電量，并累加一次電能數(shù)據(jù)。ATT7022B在SPI數(shù)據(jù)讀取過(guò)程中，將會(huì)在一個(gè)固定的單元備份上一次讀取的數(shù)據(jù)，因此為 了提高微控制器讀取數(shù)據(jù)的正確性，在每次讀取電量后，再讀取一次 備份單元的數(shù)據(jù)，并將前后兩次的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，如果這兩個(gè)數(shù)據(jù)相 同，并且滿(mǎn)足本表的負(fù)荷范圍(即電表一段時(shí)間內(nèi)電量累計(jì)值應(yīng)小于 該電表在這段時(shí)間內(nèi)電量累計(jì)的最大值)，則認(rèn)為數(shù)據(jù)合理，微處理
器進(jìn)行電量累計(jì)，并及時(shí)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入FRAM中，否則放棄本次電量累
計(jì)。瞬間事件記錄、最大需量、負(fù)荷曲線記錄等數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)一定方式在
FRAM中進(jìn)行組織，并且滿(mǎn)足FLASH頁(yè)操作后，將數(shù)據(jù)按頁(yè)寫(xiě)入FLASH 中。緊接著讀取剛寫(xiě)入得數(shù)據(jù)并且與FMM中數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，正確后 再清除FRAM中相應(yīng)數(shù)據(jù)。
(4) 經(jīng)過(guò)FRAM成頁(yè)處理的電壓、電流、功率、功率因數(shù)等負(fù)荷 曲線記錄及校驗(yàn)數(shù)據(jù)整頁(yè)寫(xiě)入FLASH,既提高了操作效率，增強(qiáng)數(shù)據(jù) 的可靠性能，又顯著減少對(duì)FLASH的操作次數(shù)，增加了其使用時(shí)間。
(5) 電表參數(shù)、用戶(hù)設(shè)置參數(shù)、歷史電量、最大需量、需量發(fā) 生時(shí)間、狀態(tài)標(biāo)識(shí)等數(shù)據(jù)在FRAM中按一定的組織方式分塊存儲(chǔ)后， 并在E2PR0M1和E2PR0M2中進(jìn)行雙備份。數(shù)據(jù)在FRAM中的數(shù)據(jù)格式如 圖2所示。每個(gè)數(shù)據(jù)塊，先是N個(gè)數(shù)據(jù)，最后為前面數(shù)據(jù)單元數(shù)據(jù)的 校驗(yàn)和；在E2PR0M1中的數(shù)據(jù)并不是FRAM簡(jiǎn)單的備份，而是FRAM中 對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)+6CH(16進(jìn)制數(shù))，在E卞R0M2中的數(shù)據(jù)是FRAM中對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù) +93H(16進(jìn)制數(shù))。微控制器平時(shí)讀取以上數(shù)據(jù)時(shí)，先從FRAM中讀取 數(shù)據(jù)，并校驗(yàn)，如果校驗(yàn)和正確，則判定數(shù)據(jù)無(wú)誤，如果校驗(yàn)和錯(cuò)誤 則讀取E2PR0M1與E2PR0M2分別減去6CH和93H，與對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)比較，
只要有兩個(gè)或三個(gè)數(shù)據(jù)相同時(shí)，則認(rèn)為相同的數(shù)據(jù)為有效數(shù)據(jù)。對(duì)存 儲(chǔ)在FRAM和E2PR0M1、 E2PR0M2中的數(shù)據(jù)還要進(jìn)行定時(shí)對(duì)比校驗(yàn)，防
止數(shù)據(jù)錯(cuò)亂。若對(duì)比校驗(yàn)，仍未判斷出正確數(shù)據(jù)則以校驗(yàn)和正確的數(shù) 據(jù)為準(zhǔn)。
本實(shí)用新型的關(guān)鍵點(diǎn)是對(duì)電能表的數(shù)據(jù)進(jìn)行分類(lèi)，存儲(chǔ)于基于不 同存儲(chǔ)原理的器件中，增加數(shù)據(jù)校驗(yàn)和多備份，并存儲(chǔ)于不同性能的 存儲(chǔ)器件內(nèi)，從而極大地提高了數(shù)據(jù)的可靠性，避免了因數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、丟失等造成經(jīng)濟(jì)損失，采用高性能、低功耗的Cortex-M3系列ARM內(nèi) 核微控制器，提高了數(shù)據(jù)校驗(yàn)速度，同時(shí)降低了成本。
權(quán)利要求1.一種高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功能電能表，包括微控制器、計(jì)量單元、存儲(chǔ)單元和人機(jī)接口，其特征在于所說(shuō)的計(jì)量單元包括計(jì)量芯片ATT7022B，微控制器通過(guò)數(shù)據(jù)線分別和計(jì)量芯片ATT7022B、人機(jī)接口連接；所說(shuō)的微控制器為采用Cortex-M3內(nèi)核的微控制器，所說(shuō)的存儲(chǔ)單元包括一個(gè)鐵電存儲(chǔ)器FRAM，兩個(gè)電擦除只讀存儲(chǔ)器E2PROM 1、E2PROM 2，一個(gè)閃速存儲(chǔ)器FLASH，鐵電存儲(chǔ)器FRAM通過(guò)SPI總線1和微控制器連接，電擦除只讀存儲(chǔ)器E2PROM 1通過(guò)I2C總線1和微控制器連接，電擦除只讀存儲(chǔ)器E2PROM 2通過(guò)I2C總線2和微控制器連接，閃速存儲(chǔ)器FLASH通過(guò)SPI總線2和微控制器連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功能電能表，其特 征在于所說(shuō)的計(jì)量單元還包括與計(jì)量芯片ATT7022B的輸入端口連 接的電流互感器和電阻分壓電路。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功能電能表， 其特征在于用于存放電能數(shù)據(jù)、歷史電量、最大需量、最大需量發(fā) 生時(shí)間、瞬間事件記錄、最大需量、狀態(tài)標(biāo)識(shí)、電表參數(shù)的鐵電存儲(chǔ) 器FRAM的容量為256Kb;用于對(duì)FRAM數(shù)據(jù)+6CH備份的E2PR0M 1的 容量為128KB;用于對(duì)FRAM數(shù)據(jù)+93H備份的E2PR0M 2的容量為128KB; 用于存放負(fù)荷曲線數(shù)據(jù)的閃速存儲(chǔ)器FLASH的容量為8MB。
4. 如權(quán)利要求3所述的高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功能電能表，其特 征在于鐵電存儲(chǔ)器FRAM，兩個(gè)電擦除只讀存儲(chǔ)器E卞R0M1、 E2PR0M 2， 一個(gè)閃速存儲(chǔ)器FLASH中的數(shù)據(jù)均根據(jù)實(shí)際需要按數(shù)據(jù)塊存儲(chǔ)， 每個(gè)數(shù)據(jù)塊都分為數(shù)據(jù)部分和校驗(yàn)部分，校驗(yàn)部分采用校驗(yàn)和進(jìn)行校 驗(yàn)處理。
專(zhuān)利摘要一種高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)多功能電能表，涉及電能表，包括微控制器、計(jì)量單元、存儲(chǔ)單元和人機(jī)接口，所說(shuō)的計(jì)量單元包括計(jì)量芯片ATT7022B，微控制器通過(guò)數(shù)據(jù)線分別和計(jì)量芯片ATT7022B、人機(jī)接口連接；所說(shuō)的微控制器為采用Cortex-M3內(nèi)核的微控制器，所說(shuō)的存儲(chǔ)單元包括一個(gè)鐵電存儲(chǔ)器FRAM，兩個(gè)電擦除只讀存儲(chǔ)器E²PROM1、E²PROM 2，一個(gè)閃速存儲(chǔ)器FLASH，鐵電存儲(chǔ)器FRAM通過(guò)SPI總線1和微控制器連接，電擦除只讀存儲(chǔ)器E²PROM 1通過(guò)I2C總線1和微控制器連接，電擦除只讀存儲(chǔ)器E²PROM 2通過(guò)I2C總線2和微控制器連接，閃速存儲(chǔ)器FLASH通過(guò)SPI總線2和微控制器連接。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理，抗干擾能力強(qiáng)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性高，可有效解決數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題。
文檔編號(hào)G01R21/00GK201387448SQ20092014464
公開(kāi)日2010年1月20日 申請(qǐng)日期2009年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月25日
發(fā)明者陳福軍 申請(qǐng)人:青島乾程電子科技有限公司