專利名稱：：一種薄膜熱導(dǎo)率的測試裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明屬于薄膜熱物性測試
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種薄膜熱導(dǎo)率的測試裝置及方法。
背景技術(shù)：
：隨著微納米材料、微電子微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、超大規(guī)模集成電路技術(shù)的快速發(fā)展，對于微納米薄膜材料和器件的散熱和熱管理更高的要求，因此發(fā)展微納米薄膜材料和器件的熱物性測量方法具有十分重要的意義。熱導(dǎo)率是最基本最重要的材料熱物性參數(shù)之一，目前塊體材料已有多種成熟的熱導(dǎo)率測量方法。由于薄膜在厚度方向尺寸極小，而熱導(dǎo)率的測量要涉及到熱量傳遞及監(jiān)測，而在很小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)對熱量傳遞的監(jiān)測往往較為困難。目前雖然有一些薄膜熱導(dǎo)率測試方法的研究報(bào)道，但測試過程和裝置大都非常復(fù)雜和昂貴。根據(jù)加熱、探測裝置與樣品的位置關(guān)系，現(xiàn)有的薄膜熱導(dǎo)率測試方法可分為接觸式與非接觸式兩類接觸式測試中以3ω法(①DavidG.Cahill.Rev.Sci.Instrum，1990，61(2):802；②J.Alvarez-Quintana,J.Rodr‘Iguez-Viejo,SensorsandActuatorsA,2008,142232)為代表，必須使用鎖相放大器檢測微弱的3ω信號，測試原理和數(shù)據(jù)處理復(fù)雜，儀器設(shè)備昂貴；非接觸式測試方法不需要在樣品上進(jìn)行微加工布線，采用激光加熱和測試，由于涉及到激光加熱和信號的提取及處理，需要激光信號發(fā)生器和精密、復(fù)雜的光路系統(tǒng)(①Kading0.W,Appl.Phys.Lett.，1994，65(13)1629；②W.F.Bu，ThinSolidFilms,2008，5168359)?？傮w來看，現(xiàn)有薄膜熱導(dǎo)率的測試方法存在系統(tǒng)復(fù)雜、設(shè)備昂貴、數(shù)據(jù)處理困難、使用不便等諸多實(shí)際問題，因此研究發(fā)展新型測試方法十分必要。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的在于提供一種測試薄膜熱導(dǎo)率的方法。當(dāng)襯底的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)大于薄膜熱導(dǎo)率時，可以用該方法對薄膜的熱導(dǎo)率進(jìn)行測試。該方法在樣品上通過微加工沉積兩個金屬加熱薄膜，無需昂貴的設(shè)備，測試原理及數(shù)據(jù)處理簡單，精確度高。一種用于測試薄膜熱導(dǎo)率的測試裝置，包括襯底、待測薄膜、金屬加熱薄膜R3、金屬加熱薄膜R4、第一變阻箱、第二變阻箱以及定值電阻Rl和定值電阻R2，所述待測薄膜沉積在襯底上，兩片金屬加熱薄膜R3和R4為相同的金屬加熱薄膜，它們分別沉積于所述襯底上的有待測薄膜的區(qū)域和無待測薄膜的區(qū)域，所述第一變阻箱、定值電阻R1及金屬加熱薄膜民串聯(lián)組成一條支路,第二變阻箱、定值電阻R2和金屬加熱薄膜R4串聯(lián)組成另一支路，兩條支路并聯(lián)，由同一可調(diào)直流電源供H1^O進(jìn)一步地，所述測試裝置還包括數(shù)據(jù)采集元件，用于采集金屬加熱薄膜R3和R4、以及兩個定值電阻Rl和R2兩端的電壓信號。進(jìn)一步地，所述的數(shù)據(jù)采集元件為數(shù)據(jù)采集卡。一種利用上述技術(shù)方案所述的測試裝置測試薄膜熱導(dǎo)率的方法，包括如下步驟(1)由所述直流電源輸出初始電壓U0；(2)采集RpRyR3和R4兩端的電壓，并據(jù)此求得所述金屬加熱薄膜R3和R4的加熱功率，再結(jié)合所述金屬加熱薄膜R3和R4的加熱面積，得到它們的加熱功率密度，并相應(yīng)調(diào)節(jié)兩支路上的變阻箱的阻值，使所述兩金屬加熱薄膜有相同的加熱功率密度，記為Pc/S，并將該功率密度對應(yīng)的兩加熱薄膜的溫度記為相對溫升的零點(diǎn)Ttl；(3)增大直流電源電壓，并相應(yīng)重新調(diào)整變阻箱阻值，使兩金屬加熱薄膜加熱功率密度再次相等，記為P/S，同時，采集此時禮、R2>R3和R4兩端的電壓，并計(jì)算出金屬加熱薄膜R3和R4的電阻值，從而得到兩金屬加熱薄膜R3和R4電阻值的改變量，根據(jù)上述改變量及金屬加熱薄膜的電阻溫度系數(shù)α，得到兩金屬加熱薄膜R3和R4的相對溫升ΔΤ/和ΔT1",兩金屬加熱薄膜的相對溫升差記為ΔΙ\=ΔT1'-ΔΤ/’；(4)不斷增大直流電源電壓并多次重復(fù)步驟(3)的過程，從而得到多個薄膜加熱功率密度及對應(yīng)的兩加熱薄膜相對溫升差；(5)用步驟(3)和步驟(4)所測得的各組加熱功率密度與對應(yīng)的相對溫升差數(shù)據(jù)進(jìn)行線性擬合，得到擬合斜率k；(6)由薄膜熱導(dǎo)率一維傳導(dǎo)公式即求得所述待測薄膜的熱導(dǎo)率為λ=d/k，其中d為所述待測薄膜厚度。本發(fā)明要求襯底熱導(dǎo)率要遠(yuǎn)大于待測薄膜樣品的熱導(dǎo)率。本發(fā)明采用了一系列新的、簡捷的設(shè)計(jì)解決了襯底上薄膜樣品熱導(dǎo)率的測量。采用高精度數(shù)據(jù)采集卡采集金屬加熱薄膜的電壓信號，由該電壓信號可以同時得到金屬加熱薄膜的功率和溫度信息。多通道的數(shù)據(jù)采集卡可以同時采集兩條金屬加熱薄膜的電壓信號，進(jìn)而可以同時得到兩條金屬加熱薄膜的功率和溫度信息，通過求差及一維熱傳導(dǎo)模型處理就可以得到薄膜樣品的熱導(dǎo)率。本發(fā)明使用簡單的樣品布線及電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了對樣品溫度信號及功率信號的提取，經(jīng)簡單的數(shù)據(jù)處理就可以得到薄膜的熱導(dǎo)率，操作方便，數(shù)據(jù)處理簡單易行，設(shè)備價(jià)格低廉。本發(fā)明是高熱導(dǎo)率襯底上薄膜樣品熱導(dǎo)率的一種測試方法。圖1為本發(fā)明測試電路圖；圖2為樣品布線結(jié)構(gòu)剖視圖；圖3為硅襯底上SiO2薄膜熱導(dǎo)率測試擬合曲線圖；圖4為本方法與求差3ω法測試薄膜熱導(dǎo)率對比圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。本發(fā)明測量裝置包括測試電路、樣品和數(shù)據(jù)采集三個部分。如圖1和2所示，樣品包括襯底和待測薄膜，所述待測薄膜沉積在襯底的部分區(qū)域上形成待測薄膜區(qū)域，襯底上其他部分為無待測薄膜的無待測薄膜區(qū)域。在待測薄膜區(qū)域與無待測薄膜區(qū)域利用微加工工藝分別制作金屬加熱薄膜R3和金屬加熱薄膜R4,兩金屬加熱薄膜材質(zhì)、外形、尺寸和制作工藝相同，性能保持較高的一致性。測試電路為一個由兩條支路組成的并聯(lián)電路，一條支路由第一精密變阻箱1、精密電阻R1及待測薄膜區(qū)域的金屬加熱薄膜R3串聯(lián)組成，另一支路由第二精密變阻箱、精密電阻R2和無待測薄膜區(qū)域的金屬加熱薄膜R4串聯(lián)組成。其中精密電阻R1和R2的阻值誤差小于1%。，其電阻溫度系數(shù)不大于lOppm。兩條支路并聯(lián)由同一可調(diào)直流電源供電。數(shù)據(jù)采集部分由高精度數(shù)據(jù)采集卡和微機(jī)組成。如圖1所示，采集的RpRyRyR4的電壓信號輸入到高精度數(shù)據(jù)卡，經(jīng)過采集卡處理，再通過USB數(shù)據(jù)線將數(shù)據(jù)輸入到微機(jī)的USB接口，由采集卡的配套軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)的采集。具體進(jìn)行測試步驟1、測試前，精密變阻箱調(diào)零，直流電源電壓調(diào)零；2、打開電源，調(diào)節(jié)直流電源，使其輸出一個較小電壓Utl；3、用高精度數(shù)據(jù)采集卡采集R1、R2、R3、R4的電壓信號，經(jīng)計(jì)算可得到金屬加熱薄膜R3和R4的加熱功率，再結(jié)合兩金屬加熱薄膜的加熱面積，得到兩金屬加熱薄膜R3和R4的加熱功率密度，比較金屬加熱薄膜1、2的加熱功率密度，并相應(yīng)調(diào)節(jié)精密變阻箱1或2的阻值，最終使兩金屬加熱薄膜有相同的加熱功率密度，記為Po/S，并將該功率密度時兩加熱薄膜的溫度記為相對溫升的零點(diǎn)Ttl；4、適當(dāng)增大直流電源電壓，并相應(yīng)重新調(diào)整變阻箱阻值，使兩金屬加熱薄膜加熱功率密度相同，記為Pl/S。同時，由采集到的電壓信號，計(jì)算出金屬加熱薄膜民和R4的電阻值，從而得到兩金屬加熱薄膜R3和禮電阻值的改變量，根據(jù)上述改變量及各金屬加熱薄膜的電阻溫度系數(shù)α，得到兩金屬加熱薄膜R3和R4的相對溫升ΔΤ/、AT1”，兩金屬加熱薄膜的相對溫升差記為ΔT1=ΔT1'-ΔΤ,;5、繼續(xù)增大直流電源電壓，多次重復(fù)步驟(4)的過程，得到多個薄膜加熱功率密度？2/3、？3/5、？4/5、……、pn/S及對應(yīng)的兩加熱薄膜相對溫升差ΔΤ2、ΔΤ3、ΔT4……ΔΤη;6、用測得的各組加熱功率密度與對應(yīng)的相對溫升差ΔT數(shù)據(jù)作圖并作線性模擬，得其斜率為k=ΔΤΛρ/S)；7、由薄膜熱導(dǎo)率一維傳導(dǎo)公式λ=pd/S·ΔT，得待測薄膜的熱導(dǎo)率為λ=d/k(d為待測薄膜厚度)。本裝置的數(shù)據(jù)采集卡選用OTUSB-6210數(shù)據(jù)采集卡，采樣精度為16位，采樣頻率最高為250kS/s，通過USB接口與微機(jī)的USB接口通信。它擁有七個差動輸入通道(+A/1-、+A/2-……+A/7-)，可以最多同時獨(dú)立采集7個外部輸入信號。在熱導(dǎo)率測試中，禮、R2,R3和R4的電壓信號各占一個通道，共需占用4個信號通道。通道的選擇，可由實(shí)驗(yàn)人員自行選定。根據(jù)熱導(dǎo)率的定義，被測薄膜的熱導(dǎo)率λ=pd/S·ΔΤ，ρ為加熱功率，d為薄膜厚度，S為金屬加熱薄膜的面積，ΔΤ為薄膜兩側(cè)的溫差。d可由橢偏儀、臺階儀或者掃描電鏡直接測量。金屬加熱薄膜面積S由設(shè)計(jì)方案決定，制成后可由高倍光學(xué)顯微鏡測量其尺寸并計(jì)算得到。加熱功率P由采集的電壓信號及已知精密電阻的阻值RpR2計(jì)算得到，測試過程中，金屬加熱薄膜1和2的功率密度相同，可任取一個，以金屬加熱薄膜1為例=R1和R3的電壓信號可由數(shù)據(jù)采集卡采集得到，記為U1IR1為精密電阻，阻值為R1，則R3的發(fā)熱功率即加熱功率為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>而薄膜兩側(cè)溫差ΔΤ的測量則較為復(fù)雜。由于薄膜的厚度很小，一般厚度小于Ιμπι，直接測量其上、下兩個端面的溫度值較為困難一、因?yàn)楹穸容^小，建立的溫差較??；另外，因?yàn)槟ず穹较虺叽绾苄?，在上、下兩個底面放置溫度傳感器將變得很困難，且與襯底接觸的一側(cè)放置溫度傳感器也將對傳熱過程造成影響，從而對熱傳導(dǎo)模型的處理帶來較復(fù)雜的影響。因此直接測量上、下兩個側(cè)面的溫度從而得到溫差的難度較大，可靠性不高。本方法避開了這一問題，采用了間接測量，利用簡單的樣品布線和電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了這一溫差的測量。利用在同一襯底上有膜區(qū)域與無膜區(qū)域分別加工一個外形尺寸相同的金屬薄膜加熱器，同時也作為溫度傳感器，再通過控制兩個薄膜加熱器的加熱功率，使其對樣品具有相同的加熱功率密度。當(dāng)襯底較小，兩個加熱薄膜距離較近的情況下，兩薄膜具有相同的功率密度與尺寸、形狀，可以認(rèn)為兩條金屬加熱薄膜溫差即為襯底上待測樣品薄膜兩側(cè)的溫差ΔΤ。具體推導(dǎo)如下根據(jù)前面具體測試步驟中的介紹，AT=ΛΤ，-ΔΤ”，其中AT，和ΔΤ”分別為兩金屬加熱薄膜相對于預(yù)先規(guī)定的溫度零點(diǎn)的溫升。根據(jù)金屬阻值與溫度變化關(guān)系，兩條金屬加熱薄膜的溫升<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>式中αρα2分別為兩金屬加熱薄膜的電阻溫度系數(shù)(TCR),R3'和R/分別為兩加熱薄膜升溫后的電阻值。初始時(即較小電流時，規(guī)定為相對溫升零點(diǎn))采集到札、r2、R3、R4的電壓信號U”U2、U3、U4,增大電壓后，加熱功率增大，金屬加熱薄膜的阻值增大，測得R”R2,R3、R4的電壓信號U/、U/、U/、U4，，由于精密電阻R”R2為高精度低電阻溫度系數(shù)電阻，其TCR<lOppm，可以認(rèn)為其阻值不發(fā)生改變，有<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>則<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>又因?yàn)?lt;formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>所以<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>以上待測薄膜熱導(dǎo)率的誤差主要由p、S、d、ΔΤ等4個變量決定，在假設(shè)薄膜厚度d與金屬加熱薄膜面積S測量無誤差的前提下，本方法的測量誤差主要由溫升差ΔΤ和加熱功率P組成。而這兩部分的誤差都與數(shù)據(jù)采集卡的精度直接相關(guān)。我們對金屬加熱薄膜1的溫升測量誤差σΔΤ,進(jìn)行討論。由以上可知<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>設(shè)σ和σ‘分別為R3和R3'的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差，^和為R3和R3‘的標(biāo)準(zhǔn)偏差，根據(jù)測試數(shù)據(jù)，單次測試的σ<0.1%，當(dāng)禮和民的電壓信號都大于0.2￥時，σ‘<0.04%，為了降低誤差，采用100組數(shù)據(jù)的平均值為民和民‘的值，則根據(jù)平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差公式σχ=CT/V^，R3*R3'的100次測試平均值的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差σ100=σ/VlOCk0.WcjVlOC)=0.01%，巧；=一7^)<0.04^7^)=0.00軌，則初始零點(diǎn)(記為Tci')和升溫后溫度(記為T/)的誤差如下1V的誤差為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>金屬加熱薄膜為磁控濺射制備的鎳薄膜，在實(shí)驗(yàn)中制備的各金屬加熱薄膜的電阻溫度系數(shù)α！>3000ppm，又標(biāo)準(zhǔn)偏差σ1(1(1<IOOppmJjfW<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>T1'的誤差為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>由于實(shí)驗(yàn)中金屬加熱薄膜的溫度變化范圍較小，其阻值變化也較小，所以可以認(rèn)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>由以上知，αi>3000ppm，又標(biāo)準(zhǔn)偏差σ1(1(1'<40ppm，所以<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>金屬加熱薄膜1的溫升測量誤差σΔΓ,=VCTr。,2+CTri,2<Λ/0.0332+0.0132=0.035°C，同理根據(jù)測試數(shù)據(jù)，也可得到金屬加熱薄膜2的溫升誤差σΔτ"<0.035°C。則兩金屬加熱薄膜的溫升差ΔΤ=ΔΤ'-ΔΤ"的誤差(記為σΔΤ)有<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>當(dāng)適當(dāng)?shù)脑龃蠹訜犭妷弘娏?，使兩金屬加熱薄膜的溫升差大?°C時，其相對誤差小于1%。對金屬加熱薄膜功率進(jìn)行誤差分析。金屬加熱薄膜的功率有<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>根據(jù)誤差傳播公式p的誤差由U”U3、R1產(chǎn)生，U1,U3、R1相互獨(dú)立，根據(jù)誤差傳播公式=^2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>^uJUl、avjU,、C7rJRi分別為υ”仏、R1的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差，由以上可知%/^<0.01%3/仏<0.004%，精密電阻的誤差小于0.1%，因此功率P的相對誤差有<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>由以上可知，被測薄膜的熱導(dǎo)率λ=(1/5*八1\在忽略尺寸測試3和(1帶來的誤差時，熱導(dǎo)率的誤差由P和ΔΤ決定。當(dāng)控制兩加熱薄膜的溫升之差大于5°C時，ΔΤ的相對測量誤差小于1%。P的誤差小于0.1%，因此熱導(dǎo)率的相對誤差有^A=J0JL)<λ/Ο.1%2+1%2=1%A]j{p)[AT)該方法不考慮尺寸測量誤差、輻射散熱及空氣散熱的情況下，在兩金屬加熱薄膜的溫升差大于5°C的時，其熱導(dǎo)率測試誤差小于1%。為了驗(yàn)證該方法的準(zhǔn)確性，我們對不同厚度的SiO2薄膜樣品使用了傳統(tǒng)求差3ω法測試并與本方案中的直流法測試結(jié)果進(jìn)行了對比，結(jié)果見表1和圖4。附表1求差3ω法與本文方法測試結(jié)果對比。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>注①由于SiO2薄膜樣品以Si為襯底，因?yàn)镾i具有導(dǎo)電性將使金屬加熱薄膜不能正常工作，因此在樣品制備過程中，不同區(qū)域沉積了不同厚度的SiO2薄膜樣品，并以厚度較小的區(qū)域作為對比薄膜，對比薄膜厚度即指該區(qū)域SiO2薄膜的厚度。②待測薄膜樣品厚度指薄膜樣品厚度與對比薄膜樣品的厚度差。權(quán)利要求一種用于測試薄膜熱導(dǎo)率的測試裝置，包括襯底、待測薄膜、金屬加熱薄膜R3、金屬加熱薄膜R4、第一變阻箱(1)、第二變阻箱(2)以及定值電阻R1和定值電阻R2，所述待測薄膜沉積在襯底上，兩片金屬加熱薄膜R3和R4為相同的金屬加熱薄膜，它們分別沉積于所述襯底上的有待測薄膜的區(qū)域和無待測薄膜的區(qū)域，所述第一變阻箱(1)、定值電阻R1及金屬加熱薄膜R3串聯(lián)組成一條支路，第二變阻箱(2)、定值電阻R2和金屬加熱薄膜R4串聯(lián)組成另一支路，兩條支路并聯(lián)，由同一可調(diào)直流電源供電。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試裝置，其特征在于，所述測試裝置還包括數(shù)據(jù)采集元件，用于采集金屬加熱薄膜R3和R4、以及兩個定值電阻Rl和R2兩端的電壓信號。3.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的測試裝置，其特征在于，所述的數(shù)據(jù)采集元件為數(shù)據(jù)采集卡。4.一種利用上述權(quán)利要求1-3之一所述的測試裝置測試薄膜熱導(dǎo)率的方法，包括如下步驟(1)由所述直流電源輸出初始電壓Utl;(2)采集禮、R2,R3和R4兩端的電壓，并據(jù)此求得所述金屬加熱薄膜R3和R4的加熱功率，再結(jié)合所述金屬加熱薄膜R3和R4的加熱面積，得到它們的加熱功率密度，并相應(yīng)調(diào)節(jié)兩支路上的變阻箱(1，2)的阻值，使所述兩金屬加熱薄膜有相同的加熱功率密度，記為Pc/S，并將該功率密度對應(yīng)的兩加熱薄膜的溫度記為相對溫升的零點(diǎn)Ttl；(3)增大直流電源電壓，并相應(yīng)重新調(diào)整變阻箱(1，2)阻值，使兩金屬加熱薄膜加熱功率密度再次相等，記為？工廣，同時，采集此時！^！^民和禮兩端的電壓，并計(jì)算出金屬加熱薄膜R3和R4的電阻值，從而得到兩金屬加熱薄膜R3和R4電阻值的改變量，根據(jù)上述改變量及金屬加熱薄膜的電阻溫度系數(shù)α，得到兩金屬加熱薄膜R3和R4的相對溫升ΔΤ/和ΔT1",兩金屬加熱薄膜的相對溫升差記為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>。(4)不斷增大直流電源電壓并多次重復(fù)步驟(3)的過程，從而得到多個薄膜加熱功率密度及對應(yīng)的兩加熱薄膜相對溫升差；(5)用步驟(3)和步驟⑷所測得的各組加熱功率密度與對應(yīng)的相對溫升差數(shù)據(jù)進(jìn)行線性擬合，得到擬合斜率k;(6)由薄膜熱導(dǎo)率一維傳導(dǎo)公式即求得所述待測薄膜的熱導(dǎo)率為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>,其中(1為所述待測薄膜厚度。全文摘要本發(fā)明公開了一種測試薄膜熱導(dǎo)率的新方法。通過樣品上兩個金屬加熱薄膜對有膜區(qū)域與無膜區(qū)域的同時加熱，通過調(diào)整串聯(lián)在電路中的精密可調(diào)電阻箱，使兩個金屬加熱薄膜具有相同的加熱功率密度。當(dāng)兩個金屬加熱薄膜具有相同的功率密度，形狀相同，尺寸高度相近，作用在同一個較小的樣品上時，可以認(rèn)為兩個金屬加熱薄膜的溫升差，即為待測薄膜樣品兩個側(cè)面的溫差。通過高精度高速數(shù)據(jù)采集卡采集兩個已知精密參考電阻和兩個金屬加熱薄膜的電壓信號，處理后得到兩個金屬薄膜的加熱功率和溫度變化，即待測薄膜的傳熱功率密度和薄膜兩側(cè)的溫差，結(jié)合薄膜厚度，計(jì)算得到薄膜膜厚方向熱導(dǎo)率。該方法原理簡單，設(shè)備和測試成本較低，精度較高，數(shù)據(jù)處理容易。文檔編號G01N25/20GK101799440SQ20101013348公開日2010年8月11日申請日期2010年3月28日優(yōu)先權(quán)日2010年3月28日發(fā)明者馮雙龍,張建生,張暉,彭江英,朱云峰,朱文,朱虎,楊君友,肖承京申請人:華中科技大學(xué)