專利名稱：用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置及檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置及檢測方法，尤其涉及一種用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置及檢測方法。
背景技術(shù)：
芯片的不合格率降低及產(chǎn)量提高是目前業(yè)界相互競爭的指標(biāo)，但是整體上仍有 3%的不合格率，在電子芯片制造上大致會(huì)有黃光區(qū)、沉積區(qū)、擴(kuò)散區(qū)、植入?yún)^(qū)、切割區(qū)及測試區(qū)等各流程，這些不合格率可能來自于上述流程的任何一區(qū)，而這些不良芯片可能有刮傷或擴(kuò)散不完全等特點(diǎn)，所以在色澤上會(huì)與良好的芯片有少許的不同，經(jīng)由人工目視的方式將不良芯片點(diǎn)上墨水a(chǎn)nk)辨識，再將那些不良的芯片從整片大晶片中挑出剃除，這挑出不良芯片的工作非常浪費(fèi)時(shí)間且效率很低，而且使用墨水又會(huì)造成環(huán)境污染及成本浪費(fèi)，并且因?yàn)樯a(chǎn)者本身無法精確控制一大晶片上會(huì)有多少不良芯片或是哪些是不良芯片的區(qū)域，這些缺點(diǎn)造成了在加工成本上不少的浪費(fèi)，所以在提高產(chǎn)品合格率的同時(shí)，如何得知不良芯片的數(shù)目及不良芯片的所在區(qū)域是現(xiàn)在業(yè)界亟待解決的問題。因此，本發(fā)明人基于上述問題，提出一種設(shè)計(jì)合理且有效改善上述問題的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的，在于提供一種用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置及檢測方法。本發(fā)明除了可免除人工操作及墨水浪費(fèi)外，更能通過計(jì)算機(jī)計(jì)算出不良發(fā)光二極管芯片的數(shù)量及其所在區(qū)域，進(jìn)而使剔除不良發(fā)光二極管芯片的過程更為方便。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其包括一檢測平臺(tái)、一分光鏡、一第一光源、及一影像感測組件。其中，該檢測平臺(tái)具有一可移動(dòng)的中空平臺(tái)，其中一具有多個(gè)發(fā)光二極管晶粒的大晶片放置于該檢測平臺(tái)的中空平臺(tái)上。該分光鏡設(shè)置于該檢測平臺(tái)的上方。該第一光源可按這些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長，其設(shè)置于該分光鏡的一側(cè)，其中該第一光源所產(chǎn)生的第一光束投向該分光鏡，以產(chǎn)生一投向這些發(fā)光二極管晶粒的上表面的第二光束，并且該第二光束通過這些發(fā)光二極管晶粒的上表面而被反射成一向上投射的第三光束。該影像感測組件設(shè)置于該分光鏡的上方，以接收經(jīng)過該分光鏡的第三光束，進(jìn)而得到每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的上表面的影像。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其中，每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的上表面的影像顯示出每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的正極焊墊及負(fù)極焊墊。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其中，可進(jìn)一步包括一按這些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長的第二光源，其設(shè)置于該檢測平臺(tái)的下方， 其中該第二光源所產(chǎn)生的第一光束穿過該中空平臺(tái)而投向這些發(fā)光二極管晶粒的下表面， 并且通過該影像感測組件以觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的外型影像。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其中，該第一光源的發(fā)
4光波長與該第二光源的發(fā)光波長可為相同或不相同。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其中，可進(jìn)一步包括一按這些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長的環(huán)形光源，其設(shè)置于該分光鏡與該檢測平臺(tái)之間，其中該環(huán)形光源所產(chǎn)生的第一光束以傾斜的方式投向這些發(fā)光二極管晶粒的側(cè)邊，并且通過該影像感測組件以觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的側(cè)邊影像。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其中，該第一光源的發(fā)光波長與該環(huán)形光源的發(fā)光波長可為相同或不相同。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其中，該環(huán)形光源可包括一組光源，其由多個(gè)呈向下傾斜且排列成環(huán)狀的發(fā)光二極管所組成。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其中，該環(huán)形光源也可包括兩組光源，并且每一組光源由多個(gè)呈向下傾斜且排列成環(huán)狀的發(fā)光二極管所組成。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其中，可進(jìn)一步包括一用于包覆該第一光源、該分光鏡及該環(huán)形光源的、而只露出兩個(gè)開口的外殼，并且該外殼呈 T字型。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其中，可進(jìn)一步包括一超聲波頂針及一吸嘴，其中該超聲波頂針設(shè)置于該檢測平臺(tái)的下方，通過超聲波的震動(dòng)方式來移除不合格的發(fā)光二極管晶粒，并且該吸嘴設(shè)置于該檢測平臺(tái)的上方，從而將上述不合格的發(fā)光二極管晶粒吸走。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其包括下列步驟首先，提供一檢測裝置，其具有一檢測平臺(tái)、一分光鏡、一可按這些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長的第一光源及一影像感測組件，其中該檢測平臺(tái)具有一可移動(dòng)的中空平臺(tái)，該分光鏡設(shè)置于該檢測平臺(tái)的上方，該第一光源設(shè)置于該分光鏡的一側(cè)，該影像感測組件設(shè)置于該分光鏡的上方；接著，將一具有多個(gè)發(fā)光二極管晶粒的大晶片放置于該檢測平臺(tái)的中空平臺(tái)上；然后，將該第一光源所產(chǎn)生的第一光束投向該分光鏡，以產(chǎn)生一投向這些發(fā)光二極管晶粒的上表面的第二光束，并且該第二光束通過這些發(fā)光二極管晶粒的上表面而被反射成一向上投射的第三光束；最后，通過該影像感測組件接收經(jīng)過該分光鏡的第三光束，進(jìn)而得到每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的上表面的影像。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其中，每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的上表面的影像顯示出每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的正極焊墊及負(fù)極焊墊。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其中，該檢測裝置可進(jìn)一步包括一可按這些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長的第二光源，其設(shè)置于該檢測平臺(tái)的下方，此外該第二光源所產(chǎn)生的第一光束穿過該中空平臺(tái)而投向這些發(fā)光二極管晶粒的下表面，并且通過該影像感測組件以觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的外型影像。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其中，該第一光源的發(fā)光波長與該第二光源的發(fā)光波長可為相同或不相同。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其中，該檢測裝置可進(jìn)一步包括一可按這些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長的環(huán)形光源，其設(shè)置于該分光鏡與該檢測平臺(tái)之間，此外該環(huán)形光源所產(chǎn)生的第一光束以傾斜的方式投向這些發(fā)光二極管晶粒的側(cè)邊，并且通過該影像感測組件以觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的側(cè)邊影像。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其中，該第一光源的發(fā)光波長與該環(huán)形光源的發(fā)光波長可為相同或不相同。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其中，該環(huán)形光源可包括一組光源，其由多個(gè)呈向下傾斜且排列成環(huán)狀的發(fā)光二極管所組成。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其中，該環(huán)形光源也可包括兩組光源，并且每一組光源由多個(gè)呈向下傾斜且排列成環(huán)狀的發(fā)光二極管所組成。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其中，可進(jìn)一步包括一用于包覆該第一光源、該分光鏡及該環(huán)形光源的、而只露出兩個(gè)開口的外殼，并且該外殼呈 T字型。本發(fā)明所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其中，該檢測裝置可進(jìn)一步包括一超聲波頂針及一吸嘴，其中該超聲波頂針設(shè)置于該檢測平臺(tái)的下方，通過超聲波的震動(dòng)方式來移除不合格的發(fā)光二極管晶粒，并且該吸嘴設(shè)置于該檢測平臺(tái)的上方，從而將上述不合格的發(fā)光二極管晶粒吸走。因此，本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明除了可免除人工操作及墨水浪費(fèi)以降低制造成本及提高效率外，更能通過計(jì)算機(jī)計(jì)算出不良發(fā)光二極管芯片的數(shù)量及其所在區(qū)域， 進(jìn)而使移除不良發(fā)光二極管芯片的過程更為方便。因此，通過得知不良發(fā)光二極管芯片的數(shù)量及其所在區(qū)域，更使得能在制造發(fā)光二極管芯片過程中掌握生成不良發(fā)光二極管芯片的原因，進(jìn)而使得發(fā)光二極管芯片的合格率提高。關(guān)于本發(fā)明的詳細(xì)說明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)就配合具體實(shí)施例及其所示


如下。

圖1為本發(fā)明用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置的第一實(shí)施例的正視圖；圖2為本發(fā)明發(fā)光二極管晶粒的正極焊墊與負(fù)極焊墊的俯視圖；圖3為本發(fā)明用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置的第二實(shí)施例的正視圖；圖4為本發(fā)明用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置的第三實(shí)施例的正視圖；圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例的環(huán)形光源的立體圖；圖6為本發(fā)明用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置的第三實(shí)施例的局部放大示意圖；圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例的使用外殼的剖面圖；圖8為本發(fā)明用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法的流程圖。部件代表符號說明大晶片W發(fā)光二極管晶粒d正極焊墊P負(fù)極焊墊N側(cè)邊S檢測平臺(tái)1中空平臺(tái)10穿孔 100
6
分光鏡2第一光源3第一光束Ll第二光束L2第三光束L3 影像感測組件4第二光源5第一光束Ll環(huán)形光源6 光源60 發(fā)光二極管600第一光束Li”第二光束L2，，外殼C開口 ClO超聲波頂針U吸嘴M
具體實(shí)施例方式如圖1所示，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其包括一檢測平臺(tái)1、一分光鏡2、一第一光源3、及一影像感測組件4。其中，該檢測平臺(tái)1具有一可移動(dòng)的中空平臺(tái)10，其具有一穿孔100，其中一具有多個(gè)發(fā)光二極管晶粒d的大晶片W放置于該檢測平臺(tái)1的中空平臺(tái)10上，并且該分光鏡2設(shè)置于該檢測平臺(tái)1的上方。再者，該第一光源3設(shè)置于該分光鏡2的一側(cè)，并且該第一光源3可按這些發(fā)光二極管晶粒d的類型來調(diào)整發(fā)光波長，其中該第一光源3所產(chǎn)生的第一光束Ll投向該分光鏡 2，以產(chǎn)生一投向這些發(fā)光二極管晶粒d的上表面的第二光束L2，并且該第二光束L2通過這些發(fā)光二極管晶粒d的上表面而被反射成一向上投射的第三光束L3。此外，該影像感測組件4設(shè)置于該分光鏡2的上方，以接收經(jīng)過該分光鏡2的第三光束L3，進(jìn)而得到每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒d的上表面的影像(此發(fā)光二極管晶粒d的影像可通過計(jì)算機(jī)來進(jìn)行分析)，其中，每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒d的上表面的影像顯示出每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒d的正極焊墊 (P-type)P及負(fù)極焊墊(N_type)N(如圖2所示)。特別是，當(dāng)上述的發(fā)光二極管晶粒d經(jīng)過粗化后，通過本發(fā)明的使用，可清楚地得知正極焊墊P及負(fù)極焊墊N的相對位置，使得后續(xù)的在線生產(chǎn)打線加工的正確率能夠提升。另外，該檢測裝置進(jìn)一步包括一超聲波頂針U及一吸嘴M，其中該超聲波頂針U 設(shè)置于該檢測平臺(tái)1的下方，通過超聲波的震動(dòng)方式來移除不合格的發(fā)光二極管晶粒，并且該吸嘴M設(shè)置于該檢測平臺(tái)1的上方，以將上述不合格的發(fā)光二極管晶粒d吸走。因此， 本發(fā)明可通過上述非破壞性的方式，來移除不合格的發(fā)光二極管晶粒。如圖3所示，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其包括一檢測平臺(tái)1、一分光鏡2、一第一光源3、一影像感測組件4、及一第二光源5， 其中該第二光源5設(shè)置于該檢測平臺(tái)1的下方，并且該第二光源5可按這些發(fā)光二極管晶粒d的類型來調(diào)整發(fā)光波長。再者，第二實(shí)施例的特征在于該第二光源5所產(chǎn)生的第一光束Li’穿過該中空平臺(tái)10而投向這些發(fā)光二極管晶粒d的下表面，并且在與第一實(shí)施例的第一光源3的配合使用下，即可通過該影像感測組件4來觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒d的外型影像(即發(fā)光二極管晶粒d的四周的影像)，以避免發(fā)光二極管晶粒d有邊緣崩裂的情況發(fā)生。此外，依據(jù)不同的檢測需求，該第一光源3的發(fā)光波長與該第二光源5的發(fā)光波長可為相同或不相同。當(dāng)然，第二實(shí)施例也可以配合第一實(shí)施例的超聲波頂針U及吸嘴M來使用。如圖4所示，本發(fā)明第三實(shí)施例提供一種用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其包括一檢測平臺(tái)1、一分光鏡2、一第一光源3、一影像感測組件4、一第二光源5、及一環(huán)形光源6，其中該環(huán)形光源6設(shè)置于該分光鏡2與該檢測平臺(tái)1之間，并且該環(huán)形光源 6可按這些發(fā)光二極管晶粒d的類型來調(diào)整發(fā)光波長。再者，第三實(shí)施例的特征在于該環(huán)形光源6所產(chǎn)生的第一光束Li”以傾斜的方式投向這些發(fā)光二極管晶粒d的側(cè)邊，并且形成反射且投向該影像感測組件4的第二光束L2”。此外，在與第二實(shí)施例的第一光源3或第二光源5的配合使用下，通過該影像感測組件4以觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒d的側(cè)邊影像，從而能進(jìn)一步避免發(fā)光二極管晶粒d有邊緣崩裂的情況發(fā)生。此外，依據(jù)不同的檢測需求，該第一光源3的發(fā)光波長與該環(huán)形光源6的發(fā)光波長可為相同或不相同。如圖5所示，第三實(shí)施例的環(huán)形光源6包括兩組光源60(也可為只有一組光源)， 并且每一組光源60由多個(gè)呈向下傾斜且排列成環(huán)狀的發(fā)光二極管600所組成。按圖5所舉的例子而言，每一組光源60可由排成兩圈之發(fā)光二極600所組成。因此，如圖6所示，該環(huán)形光源6所產(chǎn)生的第一光束Li”可以傾斜的方式投向這些發(fā)光二極管晶粒d的側(cè)邊S，使得能清楚地了解發(fā)光二極管晶粒d是否有邊緣崩裂的情況發(fā)生。結(jié)合圖7所示，第三實(shí)施例進(jìn)一步包括一用于包覆該第一光源3、該分光鏡2及該環(huán)形光源6的、而只露出兩個(gè)開口 ClO的外殼C，并且該外殼C呈T字型，以避免發(fā)生從該第一光源3及該環(huán)形光源6所投射出的光源產(chǎn)生漏光的情況。另外，如圖8所示，本發(fā)明提供一種用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其包括下列步驟步驟SlOO為首先，提供一檢測裝置，其具有一檢測平臺(tái)1、一分光鏡2、一可按這些發(fā)光二極管晶粒d的類型來調(diào)整發(fā)光波長的第一光源3及一影像感測組件4，其中該檢測平臺(tái)1具有一可移動(dòng)的中空平臺(tái)10，該分光鏡2設(shè)置于該檢測平臺(tái)1的上方，該第一光源3 設(shè)置于該分光鏡2的一側(cè)，該影像感測組件4設(shè)置于該分光鏡2的上方。步驟S102為將一具有多個(gè)發(fā)光二極管晶粒d的大晶片W放置于該檢測平臺(tái)1的中空平臺(tái)10上。步驟S104為將該第一光源3所產(chǎn)生的第一光束Ll投向該分光鏡2，以產(chǎn)生一投向這些發(fā)光二極管晶粒d的上表面的第二光束L2，并且該第二光束L2被這些發(fā)光二極管晶粒d的上表面而反射成一向上投射的第三光束L3。步驟S106為通過該影像感測組件4以接收經(jīng)過該分光鏡2的第三光束L3，進(jìn)而得到每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒d的上表面的影像(如圖1所示)。再者，該檢測裝置進(jìn)一步包括一可按這些發(fā)光二極管晶粒d的類型來調(diào)整發(fā)光波長之第二光源5，其設(shè)置于該檢測平臺(tái)1的下方，此外該第二光源5所產(chǎn)生的第一光束 Li’穿過該中空平臺(tái)10而投向這些發(fā)光二極管晶粒d的下表面，并且通過該影像感測組件 4以觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒d的外型影像(如圖3所示)。
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另外，該檢測裝置進(jìn)一步包括一可按這些發(fā)光二極管晶粒d的類型來調(diào)整發(fā)光波長的環(huán)形光源6，其設(shè)置于該分光鏡2與該檢測平臺(tái)1之間，此外，該環(huán)形光源6所產(chǎn)生的第一光束Ll ”以傾斜的方式投向這些發(fā)光二極管晶粒d的側(cè)邊S，并且通過該影像感測組件 4以觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒d的側(cè)邊影像(如圖4所示)。此外，上述該影像感測組件4取得該發(fā)光二極管晶粒d的影像的方式可為當(dāng)該第一光源3投射出一短暫的光束以照亮這些發(fā)光二極管晶粒d時(shí)，該影像感測組件4即可取得一張發(fā)光二極管晶粒d的影像；當(dāng)該第二光源5投出一短暫的光束以照亮這些發(fā)光二極管晶粒d時(shí)，該影像感測組件4即可取得一張發(fā)光二極管晶粒d的影像；當(dāng)該環(huán)形光源6 投出一短暫的光束以照亮這些發(fā)光二極管晶粒d時(shí)，該影像感測組件4即可取得一張發(fā)光二極管晶粒d的影像。上述的步驟可分開進(jìn)行也可依序進(jìn)行，以依序進(jìn)行來舉例，可為短暫開啟第一光源3 —該影像感測組件4取像一短暫開啟第二光源5 (此時(shí)第一光源3已關(guān)閉)一該影像感測組件4取像一短暫開啟環(huán)形光源6(此時(shí)第二光源5已關(guān)閉)一該影像感測組件4取像(當(dāng)然，上述的順序也可按使用者的需求來任意搭配)，最后所有得到的影像可進(jìn)行交叉比對，以精準(zhǔn)的方式檢測這些發(fā)光二極管晶粒d的質(zhì)量是否良好(舉例來說，可通過光束打在發(fā)光二極管晶粒d時(shí)所產(chǎn)生的反射光的反射系數(shù)來判斷此發(fā)光二極管晶粒d 的表面是否有不良的污點(diǎn)或缺陷)。綜上所述，本發(fā)明除了可免除人工操作及墨水浪費(fèi)進(jìn)而使得制造成本降低及效率提高外，更能通過計(jì)算機(jī)計(jì)算出不良發(fā)光二極管芯片的數(shù)量及其所在區(qū)域，進(jìn)而使移除不良發(fā)光二極管芯片的過程更為方便。因此，通過得知不良發(fā)光二極管芯片的數(shù)量及其所在區(qū)域，更能在制造發(fā)光二極管芯片過程中掌握生成不良發(fā)光二極管芯片的原因，進(jìn)而使得發(fā)光二極管芯片的合格率提高。以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，并非因此局限本發(fā)明的保護(hù)范圍，所以凡是運(yùn)用本發(fā)明說明書及圖式內(nèi)容所作的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其特征在于，包括一檢測平臺(tái)，其具有一能移動(dòng)的中空平臺(tái)，其中一具有多個(gè)發(fā)光二極管晶粒的大晶片放置于該檢測平臺(tái)的中空平臺(tái)上；一分光鏡，其設(shè)置于該檢測平臺(tái)的上方；一能按該些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長的第一光源，其設(shè)置于該分光鏡的一側(cè)，其中該第一光源所產(chǎn)生的第一光束投向該分光鏡，以產(chǎn)生一投向這些發(fā)光二極管晶粒的上表面的第二光束，并且該第二光束通過這些發(fā)光二極管晶粒的上表面而被反射成一向上投射的第三光束；以及一影像感測組件，其設(shè)置于該分光鏡的上方，以接收經(jīng)過該分光鏡的第三光束，進(jìn)而得到每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的上表面的影像。
2.如權(quán)利要求1所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其特征在于，每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的上表面的影像顯示出每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的正極焊墊及負(fù)極焊墊。
3.如權(quán)利要求1所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一能按這些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長的第二光源，其設(shè)置于該檢測平臺(tái)的下方，其中該第二光源所產(chǎn)生的第一光束穿過該中空平臺(tái)而投向這些發(fā)光二極管晶粒的下表面，并且通過該影像感測組件以觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的外型影像。
4.如權(quán)利要求3所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其特征在于，該第一光源的發(fā)光波長與該第二光源的發(fā)光波長為相同或不相同。
5.如權(quán)利要求1所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一能按這些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長的環(huán)形光源，其設(shè)置于該分光鏡與該檢測平臺(tái)之間，其中該環(huán)形光源所產(chǎn)生的第一光束以傾斜的方式投向這些發(fā)光二極管晶粒的側(cè)邊，并且通過該影像感測組件以觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的側(cè)邊影像。
6.如權(quán)利要求5所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其特征在于，該第一光源的發(fā)光波長與該環(huán)形光源的發(fā)光波長為相同或不相同。
7.如權(quán)利要求5所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其特征在于，該環(huán)形光源包括一組光源，其由多個(gè)呈向下傾斜且排列成環(huán)狀的發(fā)光二極管所組成。
8.如權(quán)利要求5所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其特征在于，該環(huán)形光源包括兩組光源，并且每一組光源由多個(gè)呈向下傾斜且排列成環(huán)狀的發(fā)光二極管所組成。
9.如權(quán)利要求5所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一用于包覆該第一光源、該分光鏡及該環(huán)形光源的、而只露出兩個(gè)開口的外殼，并且該外殼呈T字型。
10.如權(quán)利要求1所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一超聲波頂針及一吸嘴，其中該超聲波頂針設(shè)置于該檢測平臺(tái)的下方，以通過超聲波的震動(dòng)方式來移除不合格的發(fā)光二極管晶粒，并且該吸嘴設(shè)置于該檢測平臺(tái)的上方，從而將上述不合格的發(fā)光二極管晶粒吸走。
11.一種用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其特征在于，包括下列步驟提供一檢測裝置，其具有一檢測平臺(tái)、一分光鏡、一可按這些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長的第一光源及一影像感測組件，其中該檢測平臺(tái)具有一能移動(dòng)的中空平臺(tái)，該分光鏡設(shè)置于該檢測平臺(tái)的上方，該第一光源設(shè)置于該分光鏡的一側(cè)，該影像感測組件設(shè)置于該分光鏡的上方；將一具有多個(gè)發(fā)光二極管晶粒的大晶片放置于該檢測平臺(tái)的中空平臺(tái)上；將該第一光源所產(chǎn)生的第一光束投向該分光鏡，以產(chǎn)生一投向這些發(fā)光二極管晶粒的上表面的第二光束，并且該第二光束通過這些發(fā)光二極管晶粒的上表面而被反射成一向上投射的第三光束；以及通過該影像感測組件以接收經(jīng)過該分光鏡的第三光束，進(jìn)而得到每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的上表面的影像。
12.如權(quán)利要求11所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其特征在于，每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的上表面的影像顯示出每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的正極焊墊及負(fù)極焊墊。
13.如權(quán)利要求11所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其特征在于，該檢測裝置進(jìn)一步包括一能按這些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長的第二光源，其設(shè)置于該檢測平臺(tái)的下方，此外該第二光源所產(chǎn)生的第一光束穿過該中空平臺(tái)而投向這些發(fā)光二極管晶粒的下表面，并且通過該影像感測組件以觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的外型影像。
14.如權(quán)利要求13所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其特征在于，該第一光源的發(fā)光波長與該第二光源的發(fā)光波長為相同或不相同。
15.如權(quán)利要求11所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其特征在于，該檢測裝置進(jìn)一步包括一能按這些發(fā)光二極管晶粒的類型來調(diào)整發(fā)光波長的環(huán)形光源，其設(shè)置于該分光鏡與該檢測平臺(tái)之間，此外該環(huán)形光源所產(chǎn)生的第一光束以傾斜的方式投向這些發(fā)光二極管晶粒的側(cè)邊，并且通過該影像感測組件以觀察每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的側(cè)邊影像。
16.如權(quán)利要求15所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其特征在于，該第一光源的發(fā)光波長與該環(huán)形光源的發(fā)光波長為相同或不相同。
17.如權(quán)利要求15所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其特征在于，該環(huán)形光源包括一組光源，其由多個(gè)呈向下傾斜且排列成環(huán)狀的發(fā)光二極管所組成。
18.如權(quán)利要求15所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其特征在于，該環(huán)形光源包括兩組光源，并且每一組光源由多個(gè)呈向下傾斜且排列成環(huán)狀的發(fā)光二極管所組成。
19.如權(quán)利要求15所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其特征在于，進(jìn)一步包括一用于包覆該第一光源、該分光鏡及該環(huán)形光源的、而只露出兩個(gè)開口的外殼， 并且該外殼呈T字型。
20.如權(quán)利要求15所述的用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測方法，其特征在于，該檢測裝置進(jìn)一步包括一超聲波頂針及一吸嘴，其中該超聲波頂針設(shè)置于該檢測平臺(tái)的下方，通過超聲波的震動(dòng)方式來移除不合格的發(fā)光二極管晶粒，并且該吸嘴設(shè)置于該檢測平臺(tái)的上方，從而將上述不合格的發(fā)光二極管晶粒吸走。
全文摘要
一種用來檢測發(fā)光二極管晶粒外觀的檢測裝置，其包括一檢測平臺(tái)、一分光鏡、一第一光源及一影像感測組件。檢測平臺(tái)具有一可移動(dòng)的中空平臺(tái)，一具有多個(gè)發(fā)光二極管晶粒的大晶片放置于中空平臺(tái)上。分光鏡設(shè)置于檢測平臺(tái)的上方。第一光源設(shè)置于分光鏡的一側(cè)，第一光源所產(chǎn)生的第一光束投向分光鏡，以產(chǎn)生一投向這些發(fā)光二極管晶粒的上表面的第二光束，并且第二光束通過這些發(fā)光二極管晶粒的上表面而被反射成一向上投射的第三光束。影像感測組件設(shè)置于分光鏡的上方，以接收經(jīng)過分光鏡的第三光束，進(jìn)而得到每一個(gè)發(fā)光二極管晶粒的上表面的影像。
文檔編號G01N21/88GK102213680SQ20101014451
公開日2011年10月12日 申請日期2010年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月9日
發(fā)明者汪秉龍, 陳桂標(biāo) 申請人:久元電子股份有限公司