專利名稱：檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te相的裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測裝置，特別涉及一種檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te相的裝置。還涉及利用這種檢測裝置檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te相的方法。
背景技術(shù)：
參照圖 7，文獻(xiàn) “P. Rudolph, A. Engel，I. Schentke，A. Grochocki，Journal of CrystalGrowth, 1995，147 :297-304"公開了一種檢測 CdTe 以及 CdZniTe 晶體中富 Te 相的裝置，即在普通光學(xué)顯微鏡的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改造，該裝置包括照射樣品的光源1、夾持晶體 3的載物臺6、物鏡7、鏡筒4、紅外CCD8以及用于固定光學(xué)原件的支撐桿10和底座11。但是由于載物臺6在水平方向無法精確定位，使得觀察的視場有限，通常觀察到的視場小于 2mm2。且不能實(shí)現(xiàn)圖像的拼接，不適于測試尺寸較大的晶體。文獻(xiàn)"Xiaowen Zhang, Zenglin Zhao, Pengju Zhang, Rongbin Ji, Quanbao Li, Journalof Crystal Growth. 2009,311 :286 四1”公開了一種檢測晶體中富iTe相的方法， 報(bào)道了利用紅外透過顯微鏡觀察CdSiTe晶體中某一截面的紅外透過圖像，并通過統(tǒng)計(jì)富 Te相顆粒在單位面積內(nèi)的數(shù)量，進(jìn)而得到其面密度，但是由于缺少厚度方向的精確定位，未能實(shí)現(xiàn)分層域聚焦成像，不能進(jìn)行富Te相顆粒的體密度分析。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有檢測半導(dǎo)體晶體中富Te相的裝置很難獲得尺寸較大的視場，以及不能實(shí)現(xiàn)對晶體厚度方向的分層域聚焦成像的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te相的裝置。該裝置通過改變變焦鏡筒的放大倍數(shù)實(shí)現(xiàn)了視場可調(diào)，同時(shí)高精度四坐標(biāo)三維自動平移臺的運(yùn)用實(shí)現(xiàn)對富Te相的體密度觀察。本發(fā)明還提供利用這種檢測裝置檢測半導(dǎo)體晶體中富Te相的方法，通過調(diào)整厚度方向的位置，實(shí)現(xiàn)分層域聚焦成像，從而可以觀察富Te相在晶體內(nèi)的形態(tài)，采用基于 Labview的圖像收集以及處理系統(tǒng)，首先將收集到的每個(gè)單獨(dú)圖片拼接成一整張大圖，然后對拼好的圖像不同灰度區(qū)域進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，進(jìn)而分析晶體中富Te相在晶體內(nèi)的分布。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案一種檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te 相的裝置，包括光源1、鏡筒4、載物臺6、物鏡7和紅外(XD8，其特點(diǎn)是還包括透鏡2、濾光片5、光學(xué)隔振平臺9和電腦，所述光源1是鹵鎢燈，通過支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺9的一端，并通過電腦控制光源1的發(fā)光強(qiáng)度，光源1前置一透鏡2，改變透鏡2與光源1的距離調(diào)節(jié)光線的聚焦程度；透鏡2右邊放置濾光片5，并用支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺9上；所述載物臺6是三維自動平移臺，位于濾光片5右邊，通過支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺9上， 并與控制電腦相連；所述物鏡7是紅外光物鏡，位于載物臺右邊，并用支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺9上；紅外CCD8則由支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺9的另一端，并通過同軸電纜與控制電腦相連，用于紅外光圖像的采集；鏡筒4是變焦鏡筒，物鏡7通過鏡筒4與紅外(XD8連接。
3
—種利用上述檢測裝置檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te相的方法，其特點(diǎn)是包括下述步驟(a)打開光源1的電源以及紅外(XD8的電源，預(yù)熱20 30分鐘，使光源1輸出光強(qiáng)光通量穩(wěn)定在1450 16501m，選擇波長在950 1050nm范圍內(nèi)的濾光片5。(b)將晶體3固定于載物臺6上，調(diào)節(jié)光源1輸出電流為5. 5 6. 5A，調(diào)節(jié)紅外 (XD8收集到的圖像亮度灰度值120 180，調(diào)節(jié)載物臺6上X軸、Y軸以及旋轉(zhuǎn)R軸的位置， 光源1的光束線垂直照射待測晶體3的表面。并將晶體3、物鏡7，紅外(XD8中心調(diào)整在一條直線上。(C)調(diào)節(jié)載物臺6上Z軸的位置，將紅外(XD8焦平面落在晶體3所需觀察部位處， 調(diào)節(jié)鏡筒4的變焦倍數(shù)在1 4. 5范圍內(nèi)，得到紅外(XD8的單個(gè)視場在336 ymX230ym 至 1. 512 μ mX 1.032 μ m 范圍內(nèi)。(d)調(diào)節(jié)載物臺6沿X、Y軸以2mm/s的速度移動晶體3，使得觀察視場落在晶體3 的左上角，并記錄此時(shí)的位置W根據(jù)所晶體3的尺寸以及單個(gè)視場的大小確定拼圖所需行列值為1 20范圍內(nèi)的整數(shù)，根據(jù)行列值設(shè)置載物臺6運(yùn)動控制參數(shù)，包括總循環(huán)次數(shù)、步驟、參與軸、運(yùn)行單位。(e)先運(yùn)行載物臺6后啟動基于圖像Labview的圖像采集與處理軟件，設(shè)置軟件采集單張圖像后自動保存。運(yùn)行完畢后停止載物臺6的移動，圖像采集軟件自動進(jìn)行圖像拼接，并將拼好的圖像輸出。本發(fā)明的有益結(jié)果是1、由于該裝置中載物臺采用了定位精度較高的三維自動平移臺，通過調(diào)整焦平面的位置，即調(diào)節(jié)Z軸位置達(dá)到沿晶體厚度方向分層域聚焦成像，實(shí)現(xiàn)了對富Te相的三維觀察，克服了現(xiàn)有設(shè)備僅能分析富Te相的二維分布。2、由于該裝置中采用變焦鏡筒聯(lián)接紅外光物鏡與紅外(XD，克服現(xiàn)有設(shè)備視場固定的缺點(diǎn)，視場在336 μπιΧ230μπι至1. 512ymXl. 032 μ m范圍內(nèi)可調(diào)。3、采用該測試方法，根據(jù)基于Labview的圖像收集和處理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了對圖片的自動拼接，觀察晶體的最大尺寸為80mmX80mmX50mm。4、采用基于Labview的圖像處理系統(tǒng)，對拼接好的圖片不同灰度區(qū)域進(jìn)行統(tǒng)計(jì)， 獲得了富Te相在晶體內(nèi)三維尺度上尺寸、密度的分布規(guī)律。下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作詳細(xì)說明。


圖1是本發(fā)明檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te相的裝置結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是實(shí)施例2采用該裝置觀測到的CdSiTe晶體中富Te相圖片。圖3是實(shí)施例2采用該方法獲得的CdSiTe晶體中富Te相密度分布圖。圖4是實(shí)施例3采用該裝置方法觀測到尺寸為10X10X 2mm3的CdTe晶體紅外透過圖片。圖5是實(shí)施例4中采用采用該裝置方法觀察到的CdMnTe晶體紅外透過圖片。圖6是實(shí)施例5中采用采用該裝置方法觀察到的SiTe晶體紅外透過圖片。圖7是背景技術(shù)檢測CdTe及CdSiTe晶體中富Te相的裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
4
圖中，1-光源，2-透鏡，3-晶體，4-鏡筒，5-濾光片，6_載物臺，7_物鏡，8_紅外 CCD, 9-光學(xué)隔振平臺，10-支撐桿，11-底座。
具體實(shí)施例方式以下實(shí)施例參照圖1 6。實(shí)施例1 (裝置實(shí)施例)本發(fā)明檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te相的裝置包括光源1、透鏡2、鏡筒4、濾光片5、載物臺6、物鏡7和紅外CCD8。其中，光源1采用光譜范圍為360 2000nm的鹵鎢燈作為照射晶體3的輻照源，通過支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺9 的一端，并通過電腦控制光源1的強(qiáng)度。光源1輸出端放置透鏡2，改變透鏡2與光源1的距離，可以調(diào)節(jié)光線的聚焦程度。透鏡2后放置濾光片5，并用支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺 9上，用以得到照射樣品的單色光。載物臺6是三維自動平移臺，位于濾光片5后，通過支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺9上，并與控制電腦相連，用于調(diào)整晶體3的位置，其定位精度為士0. OOlmm0位于載物臺6后放置紅外光物鏡7，并用支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺9上，用于聚焦透過晶體的紅外光。位于紅外光物鏡7后的變焦鏡筒4，用于連接紅外光物鏡7與紅外 (XD8。紅外(XD8則由支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺9上，并通過同軸電纜與控制電腦相連， 用于紅外光圖像的采集。實(shí)施例2 5是方法實(shí)施例。實(shí)施例2 檢測尺寸為IOX 10X2mm3的CdSiTe晶體中富Te相顆粒的尺寸、形狀以
及密度。步驟如下(a)打開光源1電源以及紅外(XD8電源，預(yù)熱20分鐘，以使得輸出光強(qiáng)穩(wěn)定，紅外 (XD8成像噪聲以及色差較小，同時(shí)選擇波長為980nm的濾光片5。(b)將處理好的CdSiTe晶體3固定于載物臺6上，調(diào)節(jié)光源1電源輸出電流為 5. 9A，光通量為14501m，水平移動透鏡2的位置，使得紅外(XD8收集到的圖像灰度值在 150。調(diào)節(jié)載物臺6上X、Y軸以及旋轉(zhuǎn)R軸的位置，使得光束線垂直照射待測CdSiTe晶體 3。同時(shí)調(diào)整待測CdSiTe晶體3，紅外光物鏡7，紅外(XD8的中心在一條直線上。(c)啟動載物臺6，調(diào)節(jié)Z軸的位置，使得紅外(XD8焦平面落在待測CdSiTe晶體 3的中部，同時(shí)確保所獲圖像清晰，調(diào)節(jié)變焦鏡筒4的放大倍數(shù)至3，紅外CCD8的單個(gè)視圖力/j、為 504ymX344ym。(d)沿X、Y軸以2mm/s速度移動載物臺6，使得紅外(XD8的視場落在晶體的左上角，并記錄此時(shí)位置參數(shù)，X = 37. 3475，Y = 68. 8437。根據(jù)所需觀察晶體的尺寸以及單個(gè)視圖的大小確定拼圖所需的行列值分別為20和30，設(shè)置載物臺6運(yùn)動控制參數(shù)，總循環(huán)次數(shù)為30，步驟為先沿X軸運(yùn)動20次后返回原位再沿Y軸運(yùn)動一次，參與軸為X、Y軸，運(yùn)行單位為μ m以及初始位置。(e)設(shè)置基于Labview的圖像收集以及處理軟件中的行列值分別為20和30。開始測試時(shí)，先運(yùn)行載物臺6，后啟動圖像采集軟件，運(yùn)行完畢后先停止載物臺6，軟件自動進(jìn)行圖像拼接，并將拼好的圖像輸出。圖2 (a)所示為觀察到的圓形顆粒富Te相；圖2(b)為六邊形顆粒富Te相；圖2(c) 為三角形顆粒富Te相。對拼好的圖像不同灰度區(qū)域進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，從圖3可以發(fā)現(xiàn)，富Te相顆粒尺寸主要分布在4 ΙΟμπι范圍內(nèi)，密度在3 7. 5 X 104/cm3。
實(shí)施例3 檢測尺寸為IOX 10X2mm3的CdTe晶體中富Te相顆粒的尺寸、形狀以及
密度。步驟如下(a)打開光源1電源以及紅外(XD8電源，預(yù)熱20分鐘，以使得輸出光強(qiáng)穩(wěn)定，紅外 (XD8成像噪聲以及色差較小，同時(shí)選擇波長為980nm的濾光片5。(b)將處理好的CdTe晶體3固定于載物臺6上，調(diào)節(jié)光源1電源輸出電流為6. 4A， 光通量為15501m，水平移動透鏡2的位置，使得紅外(XD8收集到的圖像灰度值達(dá)到125。調(diào)節(jié)載物臺6中X、Y軸以及旋轉(zhuǎn)R軸的位置，確保光束線垂直照射待測CdTe晶體3。同時(shí)調(diào)整待測CdTe晶體3，紅外光物鏡7，紅外(XD8中心在一條直線上。(c)啟動載物臺6，調(diào)節(jié)Z軸的位置參數(shù)，使得紅外(XD8焦平面落在待測CdTe晶體3的中部，同時(shí)確保所獲圖像清晰，調(diào)節(jié)變焦鏡筒4的變焦倍數(shù)至2，紅外CCD8的單個(gè)視圖大小為 798μπιΧ545μπι。(d)沿X、Y軸以2mm/s速度移動載物臺6，使得紅外(XD8的視場落在晶體的左上角，并記錄此時(shí)位置參數(shù)，X = 37. 3475，Y = 68. 8437。根據(jù)所需觀察晶體的尺寸以及單個(gè)視圖的大小確定拼圖所需的行列值分別為13和18，設(shè)置載物臺6運(yùn)動控制參數(shù)，總循環(huán)次數(shù)為18，步驟為先沿X軸運(yùn)動13次后返回原位再沿Y軸運(yùn)動一次，參與軸為X、Y軸，運(yùn)行單位為μ m，同時(shí)把初始位置給出。(e)設(shè)置基于Labview的圖像收集以及處理軟件中的行列值分別為13和18。開始測試時(shí)，先運(yùn)行載物臺6后啟動圖像采集軟件，運(yùn)行完畢后先停止載物臺6，后進(jìn)行圖像拼接，并將拼好的圖像輸出。從圖4可以看出富Te相在CdTe晶體中微孿晶以及亞晶界處富集。實(shí)施例4 檢測尺寸為16X12X2mm3的CdMnTe晶體中富Te相顆粒的尺寸、形狀以及密度。步驟如下(a)打開中光源1電源以及紅外CCD8電源，預(yù)熱30分鐘，以使得輸出光強(qiáng)穩(wěn)定，紅外(XD8成像噪聲以及色差較小，同時(shí)選擇波長為1050nm的濾光片5。(b)將處理好的CdMnTe晶體3固定于載物臺6上，調(diào)節(jié)光源1電源輸出電流為 6. 4A，光通量為16501m，水平移動透鏡2的位置，使得紅外(XD8收集到的圖像灰度值達(dá)到 180。調(diào)節(jié)載物臺6中X、Y軸以及旋轉(zhuǎn)R軸的位置參數(shù)，確保光束線垂直照射待測CdMnTe 晶體3。同時(shí)調(diào)整待測CdMnI1e晶體3，紅外光物鏡7，紅外(XD8中心在一條直線上。(c)啟動載物臺6，調(diào)節(jié)Z軸的位置參數(shù)，使得紅外(XD8焦平面落在待測CdMnTe 晶體3的中部，同時(shí)確保所獲圖像清晰，調(diào)節(jié)變焦鏡筒4的變焦倍數(shù)至1，紅外CCD8的單個(gè)視圖大小為 1. 512 μ mX 1. 032 μ m。(d)沿X、Y軸以2mm/s速度移動載物臺6，使得紅外(XD8的視場落在晶體的左上角，并記錄下初始位置，X = 38. 3670，Y = 70. 67M。根據(jù)所需觀察晶體的尺寸以及單個(gè)視圖的大小確定拼圖所需的行列值分別為11和12，設(shè)置載物臺6運(yùn)動控制參數(shù)，總循環(huán)次數(shù)為18，步驟為先沿X軸運(yùn)動13次后返回原位再沿Y軸運(yùn)動一次，參與軸為X、Y軸，運(yùn)行單位為μ m，同時(shí)把初始位置給出。(e)設(shè)置基于Labview的圖像收集以及處理軟件中的行列值分別為13和18。開始測試時(shí)，先運(yùn)行載物臺6后啟動圖像采集軟件，運(yùn)行完畢后先停止載物臺6，后進(jìn)行圖像拼接，并將拼好的圖像輸出。
從圖5可以看出富Te相顆粒在CdMnTe晶體中排列成線狀。實(shí)施例5 檢測尺寸為IOX 10X2mm3的SiTe晶體中富Te相顆粒的尺寸、形狀以及密度。步驟如下(a)打開光源1電源以及紅外(XD8電源，預(yù)熱30分鐘，以使得輸出光強(qiáng)穩(wěn)定，紅外 (XD8成像噪聲以及色差較小，同時(shí)選擇波長為950nm的濾光片5。(b)將處理好的SiTe晶體3固定于載物臺6上，調(diào)節(jié)光源1電源輸出電流為6. 1A， 光通量為16501m，水平移動透鏡2的位置，使得紅外(XD8收集到的圖像灰度值為120。調(diào)節(jié)載物臺6中X、Y軸以及旋轉(zhuǎn)R軸的位置參數(shù)，確保光束線垂直照射待測SiTe晶體3。同時(shí)調(diào)整待測SiTe晶體3，紅外光物鏡7，紅外(XD8中心在一條直線上。(c)啟動載物臺6，調(diào)節(jié)Z軸的位置參數(shù)，使得紅外(XD8焦平面落在SiTe晶體3 的中部，同時(shí)確保所獲圖像清晰，調(diào)節(jié)變焦鏡筒4的變焦倍數(shù)至4. 5，紅外CCD8的單個(gè)視圖大小為 336μπιΧ230μπι。(d)沿X、Y軸以2mm/s速度移動載物臺6，使得紅外(XD8的視場落在晶體的左上角，并記錄下初始位置，X = 37. 3475，Y = 68. 8437。根據(jù)所需觀察樣品的尺寸以及單個(gè)視圖的大小確定拼圖所需的行列值分別為13和18，設(shè)置載物臺6運(yùn)動控制參數(shù)，總循環(huán)次數(shù)為18，步驟為先沿X軸運(yùn)動13次后返回原位再沿Y軸運(yùn)動一次，參與軸為X、Y軸，運(yùn)行單位為μ m，同時(shí)把初始位置給出。(e)設(shè)置基于Labview的圖像收集以及處理軟件中的行列值分別為13和18。開始測試時(shí)，先運(yùn)行載物臺6后啟動圖像采集軟件，運(yùn)行完畢后先停止載物臺6，后進(jìn)行圖像拼接，并將拼好的圖像輸出。從圖6可以發(fā)現(xiàn)尺寸超過50 μ m的圓形富Te相顆粒。除以上實(shí)施例外，采用本發(fā)明提供的檢測裝置檢測了 CrSiTe、In2Te3以及其它類型碲化物半導(dǎo)體晶體中的富Te相，都取得了良好的效果。
權(quán)利要求
1.一種檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te相的裝置，包括光源(1)、鏡筒G)、載物臺(6)、 物鏡(7)和紅外CCD(8)，其特征在于還包括透鏡(2)、濾光片(5)、光學(xué)隔振平臺(9)和電腦，所述光源(1)是鹵鎢燈，通過支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺(9)的一端，并通過電腦控制光源⑴的發(fā)光強(qiáng)度，光源⑴前置一透鏡O)，改變透鏡⑵與光源⑴的距離調(diào)節(jié)光線的聚焦程度；透鏡( 右邊放置濾光片(5)，并用支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺(9)上；所述載物臺(6)是三維自動平移臺，位于濾光片( 右邊，通過支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺(9) 上，并與控制電腦相連；所述物鏡(7)是紅外光物鏡，位于載物臺右邊，并用支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺(9)上；紅外CCD(S)則由支撐桿固定于光學(xué)隔振平臺(9)的另一端，并通過同軸電纜與控制電腦相連，用于紅外光圖像的采集；鏡筒(4)是變焦鏡筒，物鏡(7)通過鏡筒⑷與紅外C⑶⑶連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te相的裝置，其特征在于所述載物臺，其定位精度為士0. 001mm。
3.一種利用權(quán)利要求1所述檢測裝置檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te相的方法，其特征在于包括以下步驟(a)打開光源(1)的電源以及紅外CCD(S)的電源，預(yù)熱20 30分鐘，使光源(1)輸出光強(qiáng)光通量穩(wěn)定在1450 16501m，選擇波長在950 1050nm范圍內(nèi)的濾光片(5)；(b)將晶體(3)固定于載物臺(6)上，調(diào)節(jié)光源(1)輸出電流為5.5 6.5A，調(diào)節(jié)紅外 (XD(8)收集到的圖像亮度灰度值120 180，調(diào)節(jié)載物臺(6)上X軸、Y軸以及旋轉(zhuǎn)R軸的位置，光源(1)的光束線垂直照射待測晶體(3)的表面；并將晶體(3)、物鏡(7)，紅外CCD(S) 中心調(diào)整在一條直線上；(c)調(diào)節(jié)載物臺(6)上Z軸的位置，將紅外CCD⑶焦平面落在晶體(3)所需觀察部位處，調(diào)節(jié)鏡筒⑷的變焦倍數(shù)在1 4. 5范圍內(nèi)，得到紅外CCD⑶的單個(gè)視場在 336μπιΧ230μπι 至 1. 512 μ mX 1. 032 μ m 范圍內(nèi)；(d)調(diào)節(jié)載物臺(6)沿X、Y軸以2mm/s的速度移動晶體(3)，使得觀察視場落在晶體 (3)的左上角，并記錄此時(shí)的位置\、Ytl;根據(jù)所晶體⑶的尺寸以及單個(gè)視場的大小確定拼圖所需行列值為1 20范圍內(nèi)的整數(shù)，根據(jù)行列值設(shè)置載物臺(6)運(yùn)動控制參數(shù)，包括總循環(huán)次數(shù)、步驟、參與軸、運(yùn)行單位；(e)先運(yùn)行載物臺(6)后啟動基于圖像Labview的圖像采集與處理軟件，設(shè)置軟件采集單張圖像后自動保存；運(yùn)行完畢后停止載物臺(6)的移動，圖像采集軟件自動進(jìn)行圖像拼接，并將拼好的圖像輸出。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種檢測碲化物半導(dǎo)體晶體中富Te相的裝置及方法，用于解決現(xiàn)有檢測半導(dǎo)體晶體中富Te相的裝置很難獲得尺寸較大的視場，以及不能實(shí)現(xiàn)對晶體厚度方向的分層域聚焦成像的技術(shù)問題。技術(shù)方案是通過改變變焦鏡筒的放大倍數(shù)實(shí)現(xiàn)了視場可調(diào)，同時(shí)高精度四坐標(biāo)三維自動平移臺的運(yùn)用實(shí)現(xiàn)對富Te相的體密度觀察。本發(fā)明利用這種檢測裝置檢測半導(dǎo)體晶體中富Te相的方法，通過調(diào)整厚度方向的位置，實(shí)現(xiàn)分層域聚焦成像，從而觀察富Te相在晶體內(nèi)的形態(tài)，采用基于Labview的圖像收集以及處理系統(tǒng)，首先將收集到的每個(gè)單獨(dú)圖片拼接成一整張大圖，然后對拼好的圖像不同灰度區(qū)域進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，進(jìn)而分析晶體中富Te相在晶體內(nèi)的分布。
文檔編號G01N15/02GK102169076SQ201010598620
公開日2011年8月31日 申請日期2010年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月16日
發(fā)明者介萬奇, 何亦輝, 徐亞東, 查鋼強(qiáng), 王濤, 郭榕榕 申請人:西北工業(yè)大學(xué)