專利名稱：等離子體處理裝置、基板保持機(jī)構(gòu)和位置偏移檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)平板顯示器(FPD)用玻璃基板等大型基板實(shí)施等離子體處理的等離子體處理裝置、基板保持機(jī)構(gòu)、基板位置偏移檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
在FPD的面板制造中，一般在由玻璃等絕緣體構(gòu)成的基板上形成像素的設(shè)計(jì)或電極、配線等。在這樣的面板制造的各種工序中，蝕刻、CVD、灰化、濺射等微細(xì)加工由等離子體處理裝置進(jìn)行。等離子體處理裝置例如在能夠減壓的處理容器內(nèi)將基板載置在具有構(gòu)成下部電極的基座的載置臺(tái)上，對(duì)基座供給高頻電力，從而在基板上形成處理氣體的等離子體， 利用該等離子體在基板上進(jìn)行蝕刻等規(guī)定的處理。在該情況下，需要抑制由等離子體處理中的發(fā)熱導(dǎo)致的溫度上升，將基板的溫度控制為一定。因此，常使用下述方式在將由致冷裝置調(diào)溫后的致冷劑循環(huán)供給至載置臺(tái)內(nèi)的致冷劑通路的同時(shí)，使He氣體等傳熱性好的氣體(傳熱氣體)通過(guò)載置臺(tái)中，并供給至基板的背面，間接冷卻基板。該冷卻方式需要抵抗He氣體的供給壓力，將基板固定保持在載置臺(tái)上，因此在載置臺(tái)上設(shè)置基板保持部，例如利用靜電吸附力將基板吸附保持于基板保持部的基板保持面。如果基板相對(duì)于載置臺(tái)上的基板保持面發(fā)生位置偏移，則在基座上基板保持面露出，因此如果在該狀態(tài)下對(duì)基座施加高頻電力并產(chǎn)生等離子體，則發(fā)生異常放電，可能損傷基座。由此，如果能夠在產(chǎn)生等離子體之前檢測(cè)出基板的位置偏移，則能夠防止異常放電的發(fā)生。FPD用基板與半導(dǎo)體晶片相比尺寸大幅變大，因此，即使原樣應(yīng)用為了半導(dǎo)體晶片而開(kāi)發(fā)的技術(shù)，也存在不能夠正確檢測(cè)基板的位置偏移的問(wèn)題。例如像專利文獻(xiàn)1記載的技術(shù)那樣，在載置臺(tái)的上部設(shè)置壓力測(cè)定孔，經(jīng)由壓力測(cè)定孔將壓力測(cè)定氣體供給至載置臺(tái)與半導(dǎo)體晶片之間，并監(jiān)視壓力測(cè)定氣體的壓力。在該方法中，例如在沒(méi)有半導(dǎo)體晶片的情況或靜電保持力小的情況下，壓力測(cè)定氣體從壓力測(cè)定孔泄漏而壓力下降，因此，通過(guò)監(jiān)視其壓力，能夠檢測(cè)載置臺(tái)上的半導(dǎo)體晶片的有無(wú)和保持狀態(tài)，但不能夠檢測(cè)出半導(dǎo)體晶片的位置偏移。專利文獻(xiàn)2記載的技術(shù)也是在載置臺(tái)的上部設(shè)置壓力測(cè)定孔而檢測(cè)壓力， 但其與上述同樣也不能夠檢測(cè)位置偏移。為了正確地檢測(cè)這樣的FPD用基板的位置偏移，如專利文獻(xiàn)3的圖16A、圖16B所示，也進(jìn)行了下述所示的載置臺(tái)的開(kāi)發(fā)在包圍傳熱氣體的氣體孔形成區(qū)域的框部的四個(gè)角部設(shè)置位置偏移檢測(cè)孔，使這些位置偏移檢測(cè)孔與氣體孔形成區(qū)域的凹部空間(傳熱氣體從氣體孔排出的空間)連通。據(jù)此，當(dāng)基板發(fā)生位置偏移時(shí)，氣體從位置偏移檢測(cè)孔泄漏，因此與氣體孔連接的氣體流路的壓力也變化。通過(guò)以壓力調(diào)整閥(PCV)的內(nèi)置壓力計(jì)監(jiān)視該壓力變化，檢測(cè)基板的位置偏移。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)平04-359539號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)07-231032號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)2008-172170號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，近年來(lái)FPD用基板的尺寸進(jìn)一步大型化，隨之載置臺(tái)的尺寸也比現(xiàn)有技術(shù)更為大型化。這樣的裝置的大型化傾向今后也會(huì)繼續(xù)發(fā)展下去。隨著像這樣的裝置的大型化，不得不使傳熱氣體的氣體孔的數(shù)量增大，并且使向氣體孔供給傳熱氣體的氣體流路變長(zhǎng)。但是，像這樣氣體流路越長(zhǎng)，傳導(dǎo)性越差，因此氣體流路的壓力損失變大，難以以期望的壓力將傳熱氣體供給至基板的背面。因此，基板發(fā)生位置偏移的情況和沒(méi)有發(fā)生位置偏移的情況下的傳熱氣體的泄漏流量的差變得很小，因此存在基板的位置偏移檢測(cè)變得困難，其檢測(cè)精度也下降的問(wèn)題。于是，本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而提出，其目的在于提供一種能夠消除傳熱氣體的氣體流路的壓力損失的影響，提高基板的位置偏移檢測(cè)的精度的等離子體處理裝置等。為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的觀點(diǎn)，提供一種基板保持機(jī)構(gòu)，其在生成等離子體的空間內(nèi)載置保持矩形的被處理基板，該基板保持機(jī)構(gòu)的特征在于，包括載置保持上述被處理基板的矩形的載置臺(tái)；用于向上述載置臺(tái)與保持在其基板保持面的被處理基板之間供給來(lái)自氣體供給源的氣體的氣體流路；形成在上述載置臺(tái)的基板保持面，將來(lái)自上述氣體流路的氣體引導(dǎo)至上述基板保持面上的多個(gè)氣體孔；在上述基板保持面的上述氣體孔形成區(qū)域的外側(cè)形成，檢測(cè)施加于被處理基板的背面的壓力的多個(gè)壓力檢測(cè)孔；與上述多個(gè)壓力檢測(cè)孔連接的壓力傳感器；和基于來(lái)自上述壓力傳感器的檢測(cè)壓力進(jìn)行上述被處理基板的位置偏移檢測(cè)的位置偏移檢測(cè)部件。為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明另一觀點(diǎn)，提供一種基板位置偏移檢測(cè)方法，其是在生成等離子體的空間內(nèi)載置保持矩形的被處理基板的基板保持機(jī)構(gòu)的基板位置偏移檢測(cè)方法，該基板位置偏移檢測(cè)方法的特征在于上述基板保持機(jī)構(gòu)包括載置保持上述被處理基板的矩形的載置臺(tái)；用于向上述載置臺(tái)與保持在其基板保持面的被處理基板之間供給來(lái)自氣體供給源的氣體的氣體流路；形成在上述載置臺(tái)的基板保持面，將來(lái)自上述氣體流路的氣體引導(dǎo)至上述基板保持面上的多個(gè)氣體孔；在上述基板保持面的上述氣體孔形成區(qū)域的外側(cè)形成，檢測(cè)施加于被處理基板的背面的壓力的多個(gè)壓力檢測(cè)孔；與上述多個(gè)壓力檢測(cè)孔連接的壓力傳感器；和調(diào)整來(lái)自上述氣體供給源的氣體流量的流量調(diào)整器，該基板位置偏移檢測(cè)方法基于來(lái)自上述壓力傳感器的檢測(cè)壓力進(jìn)行上述被處理基板的位置偏移檢測(cè)，并且，進(jìn)行利用上述流量調(diào)整器的氣體流量的調(diào)整。為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，提供一種等離子體處理裝置，其通過(guò)向處理室內(nèi)導(dǎo)入處理氣體，產(chǎn)生上述處理氣體的等離子體，對(duì)載置保持在處理室內(nèi)的載置臺(tái)的絕緣體構(gòu)成的被處理基板實(shí)施規(guī)定的等離子體處理，該等離子體處理裝置的特征在于，包括用于向上述載置臺(tái)與保持在其基板保持面的被處理基板之間供給來(lái)自氣體供給源的氣體的氣體流路；形成在上述載置臺(tái)的基板保持面，將來(lái)自上述氣體流路的氣體引導(dǎo)至上述基板保持面上的多個(gè)氣體孔；在上述基板保持面的上述氣體孔形成區(qū)域的外側(cè)形成，檢測(cè)施加于被處理基板的背面的壓力的多個(gè)壓力檢測(cè)孔；與上述多個(gè)壓力檢測(cè)孔連接的壓力傳感器；和基于來(lái)自上述壓力傳感器的檢測(cè)壓力進(jìn)行上述被處理基板的位置偏移檢測(cè)的位置偏移檢測(cè)部件。根據(jù)這樣的本發(fā)明，在傳熱氣體用的氣體孔之外設(shè)置多個(gè)壓力檢測(cè)孔，能夠從這些壓力檢測(cè)孔直接檢測(cè)基板背面壓力，能夠基于其檢測(cè)壓力檢測(cè)基板的位置偏移。由此，能夠不受到傳熱氣體用的氣體孔造成的壓力損失的影響地檢測(cè)被處理基板的位置偏移。此外，多個(gè)壓力檢測(cè)孔形成在氣體孔形成區(qū)域的外側(cè)，因此，僅是被處理基板稍有偏移，壓力就會(huì)變化，因此容易檢測(cè)位置偏移。根據(jù)本發(fā)明，能夠消除傳熱氣體的氣體流路的壓力損失的影響，提高基板的位置偏移檢測(cè)精度，因此能夠應(yīng)用于更大型的裝置。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的處理裝置的外觀立體圖。圖2是構(gòu)成該實(shí)施方式的等離子體處理裝置的處理室的截面圖。圖3是用于說(shuō)明該實(shí)施方式的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)例的圖。圖4A是從上方觀察圖3所示的載置臺(tái)的表面的圖，表示沒(méi)有載置基板的狀態(tài)。圖4B是從上方觀察圖3所示的載置臺(tái)的表面的圖，表示載置有基板的狀態(tài)。圖5是表示使用壓力調(diào)整閥(PCV)的內(nèi)置壓力傳感器設(shè)定的He氣體壓力與基板背面的He氣體壓力的關(guān)系的圖表。圖6是表示該實(shí)施方式的傳熱氣體控制的主程序的流程圖。圖7是表示圖6所示的位置偏移判定處理的子程序的流程圖。圖8A是用于說(shuō)明位置偏移方式的圖，表示發(fā)生一方向的基板平行偏移的情況的具體例。圖8B是用于說(shuō)明位置偏移方式的圖，表示發(fā)生一方向的基板平行偏移的情況的另一具體例。圖9A是用于說(shuō)明位置偏移方式的圖，表示發(fā)生二方向的基板平行偏移的情況的具體例。圖9B是用于說(shuō)明位置偏移方式的圖，表示發(fā)生二方向的基板平行偏移的情況的另一具體例。圖IOA是用于說(shuō)明位置偏移方式的圖，表示發(fā)生基板斜行偏移的情況的具體例。圖IOB是用于說(shuō)明位置偏移方式的圖，表示發(fā)生基板斜行偏移的情況的另一具體例。圖11是用于說(shuō)明該實(shí)施方式的壓力檢測(cè)孔的其它結(jié)構(gòu)例的截面圖。圖12是用于說(shuō)明圖11的變形例的截面圖。圖13是用于說(shuō)明圖12的變形例的截面圖。圖14是用于說(shuō)明圖13的變形例的截面圖。圖15是用于說(shuō)明圖14的變形例的截面圖。圖16是用于說(shuō)明壓力檢測(cè)孔的配置位置的圖。圖17是表示嵌入壓力檢測(cè)孔的流路栓(plug)的結(jié)構(gòu)例的立體圖。
具體實(shí)施例方式
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以下參照附圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。另外，在本說(shuō)明書和附圖中，對(duì)實(shí)質(zhì)上具有相同功能結(jié)構(gòu)的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號(hào)，從而省略重復(fù)說(shuō)明。(等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)例)首先，參照附圖對(duì)將本發(fā)明應(yīng)用在具有等離子體處理裝置的多腔室型的處理裝置中的情況的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是本實(shí)施方式的處理裝置100的外觀立體圖。該圖所示的處理裝置100具有用于對(duì)平板顯示器用基板(FPD用基板)G實(shí)施等離子體處理的三個(gè)等離子體處理裝置。等離子體處理裝置分別具有處理室200。在處理室200內(nèi)，例如設(shè)置有載置FPD用基板G的載置臺(tái)，在該載置臺(tái)的上方設(shè)置有用于導(dǎo)入處理氣體(例如過(guò)程氣體)的噴淋頭。載置臺(tái)具有構(gòu)成下部電極的基座，與其平行相對(duì)設(shè)置的噴淋頭兼作為上部電極起作用。在各處理室200中可以進(jìn)行相同的處理(例如蝕刻處理等)，也可以進(jìn)行相互不同的處理(例如蝕刻處理和灰化處理等)。另外，在后面敘述處理室200內(nèi)的具體結(jié)構(gòu)例。各處理室200分別經(jīng)由閘閥102與截面多邊形狀(例如截面矩形狀)的搬送室 110的側(cè)面連接。在搬送室Iio上，還經(jīng)由閘閥104連接有負(fù)載鎖定室120。基板搬入搬出機(jī)構(gòu)130經(jīng)由閘閥106與負(fù)載鎖定室120相鄰設(shè)置。兩個(gè)分度器140分別與基板搬入搬出機(jī)構(gòu)130相鄰設(shè)置。在分度器140上載置有收納FPD用基板G的盒142。盒142構(gòu)成為能夠收納多塊(例如25塊)FPD用基板G。在利用這樣的等離子體處理裝置對(duì)FPD用基板G進(jìn)行等離子體處理時(shí)，首先利用基板搬入搬出機(jī)構(gòu)130將盒142內(nèi)的FPD用基板G向負(fù)載鎖定室120內(nèi)搬入。此時(shí)，如果在負(fù)載鎖定室120內(nèi)有處理完成的FPD用基板G，則將該處理完成的FPD用基板G從負(fù)載鎖定室120內(nèi)搬出，置換為未處理的FPD用基板G。當(dāng)FPD用基板G搬入負(fù)載鎖定室120內(nèi)， 閘閥106關(guān)閉。接著，將負(fù)載鎖定室120內(nèi)減壓至規(guī)定的真空度之后，打開(kāi)搬送室110與負(fù)載鎖定室120間的閘閥104。然后，將負(fù)載鎖定室120內(nèi)的FPD用基板G利用搬送室110內(nèi)的搬送機(jī)構(gòu)(未圖示)向搬送室110內(nèi)搬入，之后關(guān)閉閘閥104。打開(kāi)搬送室110與處理室200之間的閘閥102，利用上述搬送機(jī)構(gòu)將未處理的FPD 用基板G搬入處理室200內(nèi)的載置臺(tái)。此時(shí)，如果有處理完成的FPD用基板G，則搬出該處理完成的FPD用基板G，置換為未處理的FPD用基板G。在處理室200內(nèi)，經(jīng)由噴淋頭將處理氣體導(dǎo)入處理室內(nèi)，對(duì)下部電極或上部電極或上部電極和下部電極這兩者供給高頻電力，從而使得在下部電極與上部電極之間產(chǎn)生處理氣體的等離子體，由此對(duì)保持在載置臺(tái)上的FPD用基板G進(jìn)行規(guī)定的等離子體處理。(處理室的結(jié)構(gòu)例)接著，參照

處理室200的具體的結(jié)構(gòu)例。此處，說(shuō)明將本發(fā)明的等離子體處理裝置應(yīng)用于對(duì)例如玻璃基板等FPD用絕緣基板(以下也簡(jiǎn)稱為“基板”)G進(jìn)行蝕刻的電容耦合型等離子體(CCP)蝕刻裝置的情況下的處理室的結(jié)構(gòu)例。圖2是表示處理室200 的概要結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2所示的處理室200具有由例如表面經(jīng)由陽(yáng)極氧化處理(防蝕鋁處理)的鋁構(gòu)成的大致角筒形狀的處理容器202。處理容器202被接地。在處理室200內(nèi)的底部，配置有具有構(gòu)成下部電極的基座310的載置臺(tái)300。載置臺(tái)300作為固定保持矩形的基板G的基板保持機(jī)構(gòu)起作用，形成為與矩形的基板G對(duì)應(yīng)的矩形開(kāi)狀。該載置臺(tái)的具體的結(jié)構(gòu)例在后面敘述。在載置臺(tái)300的上方，以與基座310平行相對(duì)的方式，相對(duì)配置有作為上部電極起作用的噴淋頭210。噴淋頭210被支承在處理容器202的上部，在內(nèi)部具有緩沖室222，并且在與基座310相對(duì)的下部形成有噴出處理氣體的多個(gè)噴出孔224。該噴淋頭210被接地， 與基座310 —同構(gòu)成一對(duì)平行平板電極。在噴淋頭210的上部設(shè)置有氣體導(dǎo)入口 226，氣體導(dǎo)入管2 與氣體導(dǎo)入口 2 連接。處理氣體供給源234經(jīng)由開(kāi)閉閥230、質(zhì)量流量控制器(MFC) 232與氣體導(dǎo)入管2 連接。來(lái)自處理氣體供給源234的處理氣體由質(zhì)量流量控制器(MFC) 232控制為規(guī)定的流量，通過(guò)氣體導(dǎo)入口 2 被導(dǎo)入噴淋頭210的緩沖室222。作為處理氣體(蝕刻氣體)， 例如能夠使用鹵素類的氣體、O2氣體、Ar氣體等通常在該領(lǐng)域中使用的氣體。在處理室200的側(cè)壁設(shè)置有用于開(kāi)關(guān)基板搬入搬出口 204的閘閥102。此外，在處理室200的側(cè)壁的下方設(shè)置有排氣口，含有真空泵(未圖示)的排氣裝置209經(jīng)由排氣管208與排氣口連接。利用該排氣裝置209對(duì)處理室200的室內(nèi)進(jìn)行排氣，由此能夠在等離子體處理中將處理室200內(nèi)維持為規(guī)定的真空氣氛(例如IOmTorr =約1. 33Pa)。(應(yīng)用基板保持機(jī)構(gòu)的載置臺(tái)的結(jié)構(gòu)例)此處，參照?qǐng)D2、圖3說(shuō)明應(yīng)用本發(fā)明的基板保持機(jī)構(gòu)的載置臺(tái)300的具體的結(jié)構(gòu)例。圖3是說(shuō)明載置臺(tái)300的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)例的圖。圖3簡(jiǎn)化圖2所示的載置臺(tái)300的上部分的截面并表示。圖3中，為了使說(shuō)明簡(jiǎn)單，省略圖2所示的靜電保持部320。 圖4A、圖4B是從上方觀察載置臺(tái)300的表面的圖。圖4A表示沒(méi)有載置基板G的狀態(tài)，圖 4B表示沒(méi)有位置偏移地載置有基板G的狀態(tài)。如圖2所示，載置臺(tái)300包括絕緣性的基底部件302 ；以及設(shè)置在該基底部件302 上的導(dǎo)電體(例如鋁)構(gòu)成的矩形塊狀的基座310。另外，基座310的側(cè)面如圖2所示被絕緣覆膜311覆蓋。在基座310上，設(shè)置有作為將基板G保持于基板保持面的基板保持部的一個(gè)例子的靜電保持部320。靜電保持部320例如構(gòu)成為在下部電解質(zhì)層與上部電解質(zhì)層之間夾著電極板322。以構(gòu)成載置臺(tái)300的外框，包圍上述基底部件302、基座310、靜電保持部320 的周圍的方式，配置有例如由陶瓷、石英等絕緣部件構(gòu)成的矩形框狀的外框部330。直流(DC)電源315經(jīng)由開(kāi)關(guān)316與靜電保持部320的電極板322電連接。開(kāi)關(guān) 316例如對(duì)電極板322切換DC電源315和接地電位。另外，在電極板322與直流(DC)電源 315之間，設(shè)置有高頻隔斷部(未圖示)，其隔斷來(lái)自基座310側(cè)的高頻，阻止基座310側(cè)的高頻向DC電源315側(cè)泄漏。高頻隔斷部?jī)?yōu)選由具有1ΜΩ以上的高電阻值的電阻器或通過(guò)直流的低通濾波器構(gòu)成。當(dāng)開(kāi)關(guān)316切換至DC電源315側(cè)時(shí)，來(lái)自DC電源315的DC電壓施加于電極板 322。在該DC電壓為正極性的電壓的情況下，在基板G的上表面吸引到負(fù)的電荷(電子，負(fù)離子)并積累。由此，在基板G上表面的負(fù)的面電荷與電極板322之間夾著基板G和上部電介質(zhì)層而相互吸引的靜電吸附力即庫(kù)侖力起作用，基板G由該靜電吸附力被吸附保持在載置臺(tái)300上。當(dāng)開(kāi)關(guān)316切換至接地側(cè)時(shí)，電極板322不帶電，隨之基板G也不帶電，上
9述庫(kù)侖力即靜電吸附力被解除。高頻電源314的輸出端子經(jīng)由匹配器312與基座310電連接。高頻電源314的輸出頻率選擇為較高的頻率，例如13. 56MHz。利用施加于基座310的來(lái)自高頻電源314的高頻電力，在基板G上生成處理氣體的等離子體PZ，對(duì)基板G上施加規(guī)定的等離子體蝕刻處理。在基座310的內(nèi)部設(shè)置有致冷劑流路340，調(diào)整為規(guī)定溫度的致冷劑從致冷裝置 (未圖示)流過(guò)致冷劑流路340。利用該致冷劑，能夠?qū)⒒?10的溫度調(diào)整為規(guī)定的溫度。載置臺(tái)300具有向靜電保持部320的基板保持面與基板G的背面之間以規(guī)定的壓力供給傳熱氣體(例如He氣體)的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)。傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)將傳熱氣體經(jīng)由基座310內(nèi)部的氣體流路352以規(guī)定的壓力供給至基板G的背面。具體地說(shuō)，傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)如圖3所示構(gòu)成。即，在基座310的上面和其上的靜電保持部320(圖3中省略)設(shè)置有多個(gè)氣體孔354，這些氣體孔3M與上述氣體流路352 連通。氣體孔3M例如在從基板保持面Ls的外周向內(nèi)側(cè)離開(kāi)的氣體孔形成區(qū)域R以規(guī)定間隔排列有多個(gè)。例如作為傳熱氣體供給He氣體的He氣體供給源366經(jīng)由壓力調(diào)整閥(PCV Pressure Control Valve) 362與氣體流路352連接。壓力調(diào)整閥(PCV) 362調(diào)整流量，使得向氣體孔3M側(cè)供給的He氣體的壓力為規(guī)定的壓力。雖然沒(méi)有圖示，但壓力調(diào)整閥(PCV)362例如具有測(cè)定流過(guò)氣體流路352的傳熱氣體的壓力的壓力傳感器等，并且與未圖示的流量調(diào)整閥(例如壓電閥)、流量計(jì) (flowmeter)、控制作為流量調(diào)整閥的壓電閥的控制器一體化而構(gòu)成。另外，圖3中表示了在氣體流路352中使用壓力傳感器和流量調(diào)整閥一體化而成的壓力調(diào)整閥(PCV) 362的例子，但并不限定于此，也可以在氣體流路352分別設(shè)置壓力傳感器和流量調(diào)整閥。此外，作為這樣的壓力傳感器，例如能夠舉出壓力計(jì)(例如電容壓力計(jì)(CM))。作為該壓力傳感器，能夠使用其它的壓力計(jì)，流量調(diào)整閥也不限于壓力閥，例如可以為電磁閥。這些壓力調(diào)整閥(PCV) 362、He氣體供給源366分別與控制處理裝置100的各部分的控制部400連接。控制部400控制He氣體供給源366，使He氣體流出，將壓力調(diào)整閥 (PCV) 362設(shè)定為設(shè)定壓力，由壓力調(diào)整閥(PCV) 362將He氣體調(diào)整為規(guī)定的流量并向氣體流路352供給。壓力調(diào)整閥(PCV) 362的控制器例如通過(guò)PID控制以氣體壓力成為設(shè)定壓力的方式控制壓電閥，控制He氣體流量。由此，He氣體通過(guò)氣體流路352和氣體孔354以規(guī)定的壓力供給至基板G的背面。于是，在這樣的傳熱氣體供給機(jī)構(gòu)中，能夠由內(nèi)置于壓力調(diào)整閥(PCV)362的壓力計(jì)測(cè)定氣體流路352的壓力，因此，能夠基于其測(cè)定出的He氣體的壓力控制He氣體的流量，并且能夠使用內(nèi)置的流量計(jì)(flowmeter)監(jiān)視He氣體的泄漏流量。He氣體的泄漏流量根據(jù)基板G的位置偏移而變化，因此通過(guò)監(jiān)視He氣體的泄漏流量，能夠檢測(cè)基板G的位置偏移。但是，近年來(lái)基板G的尺寸進(jìn)一步大型化，隨之載置臺(tái)300的尺寸也與現(xiàn)有技術(shù)相比大型化。為了與此對(duì)應(yīng)，不得不增大He氣體的氣體孔354的數(shù)量，并且使對(duì)這些氣體孔354供給He氣體的氣體流路352也變長(zhǎng)。像這樣氣體流路352越長(zhǎng)，傳導(dǎo)性越差，因此氣體流路352的壓力損失變大，難以以期望的壓力將He氣體供給至基板G的背面。因此，基板G發(fā)生位置偏移的情況和沒(méi)有發(fā)生位置偏移的情況下的He氣體的泄漏流量的差變得很小，因此存在基板G的位置偏移檢測(cè)變得困難，其檢測(cè)精度也下降的問(wèn)題。此處，參照使用大型的基板處理裝置進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，更詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。圖5 描繪表示使用壓力調(diào)整閥(PCV) 362的內(nèi)置的壓力傳感器設(shè)定的He氣體設(shè)定壓力與在基板 G的背面產(chǎn)生的He氣體壓力(基板背面壓力)的關(guān)系。在圖5中黑圓點(diǎn)的曲線是基板背面壓力的目標(biāo)值。與此相對(duì)，白圓點(diǎn)的曲線是接近外框部330的氣體孔354附近的基板背面壓力，白四邊形的曲線是比氣體孔3M更靠外框部330附近的基板背面壓力。像圖5的黑圓點(diǎn)所示的曲線那樣，基板背面壓力優(yōu)選與壓力調(diào)整閥(PCV)362的設(shè)定壓力相同。但是，在像大型的基板處理裝置這樣由于氣體流路352和氣體354的壓力損失導(dǎo)致傳導(dǎo)性下降的情況下，基板背面壓力像圖5的白圓點(diǎn)所示的曲線那樣比設(shè)定壓力低。在比氣體孔邪4更靠外框部330附近的區(qū)域基板背面壓力進(jìn)一步下降。據(jù)此可知，越是從基板G的中央朝向外側(cè)，流路352越長(zhǎng)，傳導(dǎo)性越差，基板背而壓力也越低。于是，在本實(shí)施方式中，如圖3所示，在載置臺(tái)300的基板載置臺(tái)Ls的氣體孔形成區(qū)域R的外側(cè)，配置貫通基板載置臺(tái)Ls的多個(gè)壓力檢測(cè)孔370，從這些壓力檢測(cè)孔370直接檢測(cè)基板G的背面壓力(此處為基板載置面Ls的表面與基板G的背面之間的壓力)。由此，能夠在基板背面壓力低的較大部位設(shè)置多個(gè)壓力檢測(cè)孔370，檢測(cè)該部件的壓力。進(jìn)一步，如果使用從這些壓力檢測(cè)孔370檢測(cè)出的基板背面壓力控制壓力調(diào)整閥 (PCV) 362，則能夠以補(bǔ)償由壓力損失引起的基板背面壓力的下降的方式控制He氣體的流量。而且，檢測(cè)出的基板背面壓力也能夠利用在基板G的位置偏移檢測(cè)。據(jù)此，能夠不受到壓力損失的影響地以測(cè)定出的基板背面壓力檢測(cè)位置偏移，因此能夠提高位置偏移的檢測(cè)精度。此外，通過(guò)在直接檢測(cè)基板背面壓力的同時(shí)控制He氣體的流量，能夠縮短直至基板背面壓力穩(wěn)定的時(shí)間。以下，更詳細(xì)地說(shuō)明具有這樣的壓力檢測(cè)孔370的本實(shí)施方式的載置臺(tái)300的結(jié)構(gòu)。圖3是將4個(gè)壓力檢測(cè)孔370a 370d以與氣體孔3M不同的系統(tǒng)獨(dú)立設(shè)置的例子。 圖3所示的壓力檢測(cè)孔370a 370d分別從基座310貫通至基板載置臺(tái)Ls的表面而形成。如圖4A所示，此處的壓力檢測(cè)孔370a 370d配置在基板載置臺(tái)Ls的4個(gè)角部。 它們的配置位置處于當(dāng)如圖4B所示基板G沒(méi)有位置偏移地被載置時(shí)被基板G隱藏的位置。 圖3所示的壓力傳感器380a 380d與各壓力檢測(cè)孔370a 370d分別連接。作為這樣的壓力傳感器380a 380d，例如能夠舉出電容壓力計(jì)(CM)，也可以使用其它的壓力計(jì)或壓力傳感器。來(lái)自各壓力傳感器380a 380d的檢測(cè)壓力經(jīng)由控制部400輸入壓力調(diào)整閥 (PCV) 362，壓力調(diào)整閥(PCV) 362基于這些檢測(cè)奪力控制He氣體的流量。通過(guò)基于像這樣利用各壓力傳感器380a 380d直接檢測(cè)出的基板背面壓力控制He氣體的流量，能夠縮短直至基板背面壓力穩(wěn)定的時(shí)間，并且在穩(wěn)定后能夠保持設(shè)定壓力。 此外，通過(guò)在基板載置面Ls的4個(gè)角部分別設(shè)置壓力檢測(cè)孔370a 370d，能夠分別檢測(cè)來(lái)自各壓力檢測(cè)孔370a 370d的壓力，因此也基于這些各個(gè)檢測(cè)壓力進(jìn)行基板偏移判定等基板載置狀態(tài)的確認(rèn)。能夠判定基板G的位置偏移的方式(平行偏移、斜行偏移等)。
此處，參照

包含這樣的基板G的位置偏移判定的傳熱氣體控制的具體例。圖6是表示本實(shí)施方式的傳熱氣體控制的主程序的流程圖，圖7是表示圖6所示的基板偏移判定處理的子程序的流程圖。在基板G被載置在載置臺(tái)300上并被靜電吸附保持之后，傳熱氣體控制由控制部400執(zhí)行。首先，如圖6所示，控制部400在步驟SllO開(kāi)始從He氣體供給源366將作為傳熱氣體的He氣體導(dǎo)入氣體流路352，在步驟S120由各壓力傳感器380a 380d檢測(cè)基板背面壓力，同時(shí)以該各檢測(cè)壓力成為設(shè)定壓力的方式開(kāi)始?jí)毫φ{(diào)整閥(PCV) 362的流量控制。具體地說(shuō)，控制部400將設(shè)定壓力設(shè)定于壓力調(diào)整閥(PCV) 362，實(shí)時(shí)輸出來(lái)自壓力傳感器380a 380d的各檢測(cè)壓力，控制He氣體的流量。即，當(dāng)從控制部400輸入各檢測(cè)壓力時(shí)，壓力調(diào)整閥(PCV) 362以各檢測(cè)壓力成為設(shè)定壓力的方式自動(dòng)控制閥的開(kāi)度，調(diào)整He氣體的流量。當(dāng)像這樣開(kāi)始He氣體的供給時(shí)，開(kāi)始向氣體流路352、靜電保持部320的基板保持面與基板G的背面之間填充。此時(shí)，氣體流路352越長(zhǎng)，則直至He氣體完全填充且其壓力穩(wěn)定所需要的時(shí)間越長(zhǎng)，但此處直接檢測(cè)背面壓力并同時(shí)調(diào)整He氣體的流量，因此能夠以最初直至填充完的流量較多的方式進(jìn)行調(diào)整，當(dāng)經(jīng)過(guò)一定時(shí)間之后以微調(diào)整流量的方式進(jìn)行控制，因此能夠縮短直至壓力穩(wěn)定的時(shí)間。接著，控制部400基于壓力傳感器380a 380d的各檢測(cè)壓力進(jìn)行基板載置狀態(tài)的確認(rèn)(步驟S130、S200、S300)。即，首先在步驟S130，控制部400判斷各檢測(cè)壓力是否全部均衡。另外，如上所述剛剛開(kāi)始He氣體導(dǎo)入之后的流量較多，因此步驟S130的判斷，可以等到流量穩(wěn)定至一定程度(經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間)之后進(jìn)行。在步驟S130判斷各檢測(cè)壓力不均衡的情況下，在步驟S200進(jìn)行基板偏移判定處理，在步驟S300進(jìn)行基板偏移錯(cuò)誤處理。步驟S300的基板偏移錯(cuò)誤處理中，停止He氣體的供給，并且將步驟S200的判定結(jié)果顯示于顯示器，或者以警報(bào)進(jìn)行通知。另外，在后面敘述步驟S200的基板偏移判定處理。與此相對(duì)，在步驟S130中判斷各檢測(cè)壓力全部均衡的情況下，基于各壓力傳感器 380a 380d的各檢測(cè)壓力進(jìn)行He氣體供給狀態(tài)的確認(rèn)(步驟S140、S150、S170、S172)。 即，首先在步驟S140判斷各檢測(cè)壓力是否全部到達(dá)設(shè)定壓力。在步驟S140判斷各檢測(cè)壓力全部到達(dá)設(shè)定壓力的情況下，在步驟S150判斷壓力調(diào)整閥(PCV) 362的He氣體流量是否為規(guī)定值以下。上，在判斷He氣體流量為規(guī)定值以下的情況下，在步驟S160判斷基板載置狀態(tài)OK、He氣體的供給狀態(tài)0K，開(kāi)始基板G的處理。此外，在步驟S140中判斷任意一個(gè)檢測(cè)壓力沒(méi)有到達(dá)設(shè)定壓力的情況下，或者在步驟S150中判斷He氣體流量超過(guò)規(guī)定值的情況下，轉(zhuǎn)移至步驟S170的處理。在步驟S170中，比較從開(kāi)始He氣體導(dǎo)入起的經(jīng)過(guò)時(shí)間與預(yù)先設(shè)定的超時(shí)時(shí)間。判斷是否超過(guò)超時(shí)時(shí)間。在步驟S170判斷沒(méi)有超過(guò)超時(shí)時(shí)間的情況下，回到步驟S120，繼續(xù)進(jìn)行He氣體的流量控制。在步驟S170判斷超過(guò)超時(shí)時(shí)間的情況下，發(fā)生了某種異常，因此在步驟S172進(jìn)行等待穩(wěn)定錯(cuò)誤處理。例如在各檢測(cè)壓力全部均衡(S130)、He流量超過(guò)規(guī)定值(S150)、超過(guò)超時(shí)時(shí)間的情況下(S170)，存在在載置臺(tái)300上沒(méi)有載置基板G，或者發(fā)生基板G的吸附不良的可能性。于是，在這樣的情況下，在步驟S172進(jìn)行等待穩(wěn)定錯(cuò)誤處理。等待穩(wěn)定錯(cuò)誤處理中，例如停止He氣體的供給，并且在顯示器中進(jìn)行錯(cuò)誤顯示，或者由警報(bào)進(jìn)行通知。在基于步驟S160開(kāi)始基板G的處理之后，基于來(lái)自壓力傳感器380a 380d的基板背面的各檢測(cè)壓力繼續(xù)進(jìn)行He氣體的流量控制。由此，能夠不受到氣體流路352等的傳導(dǎo)性的影響地，總是將He氣體的基板背面壓力保持為設(shè)定壓力。之后，在步驟S162進(jìn)行基板G的處理的結(jié)束等待，在判斷為處理結(jié)束的情況下在步驟S164停止He氣體的供給，也停止壓力調(diào)整閥(PCV) 362的流量控制，結(jié)束一系列的電熱氣體控制。另外，在進(jìn)行基板G的處理的期間也可以進(jìn)行步驟S130、S200、S300的監(jiān)視。從而，即使在基板G的處理中發(fā)生基板載置狀態(tài)的異常也能夠減少異常放電的危險(xiǎn)。接著，參照?qǐng)D7說(shuō)明圖6所示的基板偏移判定處理的具體例。此處，根據(jù)利用壓力傳感器380a 380d檢測(cè)出的壓力檢測(cè)孔370a 370d處的各檢測(cè)壓力的不均衡方式，判定基板G的位置偏移方式。另外，關(guān)于載置臺(tái)300上的基板G的有無(wú)、基板G的靜電吸附不良的有無(wú)，在此處不進(jìn)行判定，如上所述在步驟S172為等待穩(wěn)定錯(cuò)誤處理。圖7所示的基板偏移判定處理中，在步驟S210、S230、S250判斷在壓力檢測(cè)孔 370a 370d處的各檢測(cè)壓力存在怎樣的不均衡。具體地說(shuō)，在步驟S210判斷平行兩角部的檢測(cè)壓力是否相互不均衡，在步驟S230判斷三角部和另一角部的檢測(cè)壓力是否不均衡， 在步驟S250判斷對(duì)角的兩個(gè)角部的檢測(cè)壓力是否相互不均衡。在步驟S210判斷平行兩角部的檢測(cè)壓力相互不均衡的情況下，在步驟S220判定為一方向的基板平行偏移。這是因?yàn)椋缦駡D8A所示那樣，基板G向壓力檢測(cè)孔370c、 370d側(cè)的一方向平行偏移的情況下，位于平行兩角部的壓力檢測(cè)孔370a、370b的檢測(cè)壓力比位于另一平行兩角部的壓力檢測(cè)孔370c、370d的檢測(cè)壓力低。此外，在如圖8B所示基板G向壓力檢測(cè)孔370a、370c側(cè)的一方向平行偏移的情況下，位于平行兩角部的壓力檢測(cè)孔370b、370d的檢測(cè)壓力比位于另一平行兩角部的壓力檢測(cè)孔370a、370c的檢測(cè)壓力低。在步驟S220判定為一方向的基板平行偏移的情況下，回到圖6所示的主程序，在步驟S300將該判定結(jié)果顯示于顯示器，由警報(bào)通知。此外，在步驟S230判斷三個(gè)角部和另一個(gè)角部的檢測(cè)壓力不均衡的情況下，在步驟S240判定為二方向的基板平行偏移。這是因?yàn)?，例如像圖9A所示那樣，在基板G向壓力檢測(cè)孔370c、370d側(cè)和壓力檢測(cè)孔370a、370c側(cè)的二方向平行偏移的情況下，位于三個(gè)角部的壓力檢測(cè)孔370a、370b、370d的檢測(cè)壓力比位于另一個(gè)角部的壓力檢測(cè)孔370c的檢測(cè)壓力低。此外，如圖9B所示，在基板G向壓力檢測(cè)孔370a、370b側(cè)和壓力檢測(cè)孔370b、370d 側(cè)的二方向平行偏移的情況下，位于三個(gè)角部的壓力檢測(cè)孔370a、370c、370d的檢測(cè)壓力比位于另一個(gè)角部的壓力檢測(cè)孔370b的檢測(cè)壓力低。如果在步驟S240判定為二方向的基板平行偏移，則回到圖6所示的主程序，在步驟S300將該判定結(jié)果顯示于顯示器，由警報(bào)通知。在步驟S250判斷對(duì)角兩個(gè)角部的檢測(cè)壓力相互不均衡的情況下，在步驟S260判定為基板斜行偏移。這是因?yàn)?，例如像圖IOA所示那樣，在基板G左旋斜行偏移的情況下， 位于對(duì)角兩個(gè)角部的壓力檢測(cè)孔370a、370d的檢測(cè)壓力比位于另一對(duì)角兩個(gè)角部的壓力
13檢測(cè)孔370b、370c的檢測(cè)壓力低。此外，在圖IOB所示的基板G右旋斜行偏移的情況下，位于對(duì)角兩個(gè)角部的壓力檢測(cè)孔370b、370c的檢測(cè)壓力比位于另一對(duì)角兩個(gè)角部的壓力檢測(cè)孔370a、370d的檢測(cè)壓力低。這樣，基于來(lái)自各壓力檢測(cè)孔370a 370d的檢測(cè)壓力的不均衡方式，能夠判定基板G 的位置偏移方式。如果在步驟S260判定為基板斜行偏移，則回到圖6所示的主程序，在步驟S300將該判定結(jié)果顯示于顯示器，由警報(bào)通知。另外，在步驟S210、S230、S250以外的檢測(cè)壓力的不均衡存在的情況下，在步驟 S270成為判定錯(cuò)誤。在該情況下，例如存在基板斷裂、壓力傳感器的故障等其它問(wèn)題發(fā)生的可能性。這樣根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)將各壓力檢測(cè)孔370a 370d在基板載置臺(tái)Ls的四個(gè)角部獨(dú)立于氣體孔3M設(shè)置，能夠直接檢測(cè)基板背面壓力，能夠基于其檢測(cè)壓力進(jìn)行傳熱氣體的流量調(diào)整和基板G的位置偏移檢測(cè)這兩者。由此，能夠充分應(yīng)對(duì)載置臺(tái)300的進(jìn)一步大型化。即，即使氣體流路352變長(zhǎng)，也能夠以補(bǔ)償該氣體流路352的壓力損失的方式進(jìn)行傳熱氣體的流量調(diào)整，能夠提高基板G的位置偏移檢測(cè)精度。此外，能夠縮短直至傳熱氣體的壓力穩(wěn)定的時(shí)間，因此也能夠縮短基板G的位置偏移檢測(cè)所需的時(shí)間。另外，各壓力檢測(cè)孔370a 370d的結(jié)構(gòu)并不限定于圖3所示的結(jié)構(gòu)。也可以構(gòu)成為對(duì)各壓力檢測(cè)孔370a 370d也供給He氣體。具體地說(shuō)，例如可以像圖11所示那樣連接各壓力檢測(cè)孔370a 370d和連通路372。由此，從各壓力檢測(cè)孔370a 370d也經(jīng)由連通路372向基板載置面Ls的四個(gè)角部供給He氣體，因此，能夠縮短直至傳熱氣體的壓力穩(wěn)定的時(shí)間，而且在基板G的位置偏移發(fā)生時(shí)增加泄漏流量，因此更容易檢測(cè)位置偏移。此外，也可以是，如圖12所示，He氣體供給源366經(jīng)由壓力調(diào)整閥(PCV) 362與各壓力檢測(cè)孔370a 370d直接連接。由此，能夠不受氣體流路352的壓力損失的影響地向各壓力檢測(cè)孔370a 370d供給He氣體，因此能夠縮短直至傳熱氣體的壓力穩(wěn)定的時(shí)間， 而且在基板G的位置偏移發(fā)生時(shí)增加泄漏流量，因此更容易檢測(cè)位置偏移。進(jìn)一步，也可以是，如圖13所示，在各壓力檢測(cè)孔370a 370d不設(shè)置壓力傳感器，使用內(nèi)置壓力傳感器363和流量計(jì)(flowmeter) 364的壓力調(diào)整閥(PCV) 362，監(jiān)視來(lái)自各壓力檢測(cè)孔370a 370d的壓力或總泄漏流量，僅檢測(cè)基板G的位置偏移的有無(wú)。進(jìn)一步，也可以在各壓力檢測(cè)孔370a 370d之外另外配置檢測(cè)基板背面壓力的其它壓力檢測(cè)孔。具體地說(shuō)，例如像圖14所示那樣，可以在基板載置面Ls的氣體孔形成區(qū)域R的外側(cè)，在與各壓力檢測(cè)孔370a 370d不同的其它位置設(shè)置其它的壓力檢測(cè)孔 374。使壓力傳感器382與其它的壓力檢測(cè)孔374連接，根據(jù)其檢測(cè)壓力控制壓力調(diào)整閥 (PCV)362。由此，能夠以下述方式進(jìn)行功能分擔(dān)在各壓力檢測(cè)孔370a 370d僅檢測(cè)基板G 的位置偏移，利用其它的壓力檢測(cè)孔374檢測(cè)用于控制壓力調(diào)整閥(PCV) 362的背面壓力。進(jìn)一步，代替將He氣體供給源366經(jīng)由壓力調(diào)整閥(PCV) 362與各壓力檢測(cè)孔 370a 370d直接連接，也可以如圖15所示連接各壓力檢測(cè)孔370a 370d和連通路372。 在該情況下，也利用其它的壓力檢測(cè)孔374的檢測(cè)壓力調(diào)整壓力調(diào)整閥(PCV) 362，因此能夠縮短直至傳熱氣體的壓力穩(wěn)定的時(shí)間。另外，作為這樣的其它的壓力檢測(cè)孔374的配置位置，配置在基板載置面Ls的氣體孔形成區(qū)域R的外側(cè)部位(例如圖16的Al部位)。在該情況下，可以儀設(shè)置一個(gè)其它的壓力檢測(cè)孔，也可以設(shè)置多個(gè)。在設(shè)置多個(gè)的情況下，還可以配置在氣體孔形成區(qū)域R的內(nèi)側(cè)部位(例如圖16的A2部位)、氣體孔形成區(qū)域R的中央部位(例如圖16的A3部位)。此外，上述壓力檢測(cè)孔370a 370d和其它的壓力檢測(cè)孔374優(yōu)選孔徑比氣體孔 354大，但為了防止在露出時(shí)發(fā)生異常放電，例如也可以嵌入圖17所示的形成有多個(gè)孔378 的流路栓376。由此，即使使壓力檢測(cè)孔370a 370d和其它的壓力檢測(cè)孔374的直徑變大，也能夠防止露出時(shí)的異常放電。而且，通過(guò)在流路栓376設(shè)置多個(gè)孔378，也能夠防止傳導(dǎo)性的下降。以下參照

了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但本發(fā)明當(dāng)然并不限定于該例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠在權(quán)利要求的范圍所記載的范疇內(nèi)，想到各種變形例或修正例，它們當(dāng)然也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。例如，在上述實(shí)施方式中，作為能夠應(yīng)用本發(fā)明的等離子體處理裝置，舉出電容耦合型等離子體(CCP)處理裝置作為例子進(jìn)行說(shuō)明，但并不限定于此，在低壓且能夠生成高密度的等離子體的感應(yīng)耦合等離子體(ICP)處理裝置中也可以應(yīng)用本發(fā)明。此外，作為等離子體生成，生成螺旋波(helicon-wave)等離子體，使用 ECR(Electron Cyclotron Resonance，電子回旋共振)等離子體生成的等離子體處理裝置等中也能夠應(yīng)用本發(fā)明。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠應(yīng)用于對(duì)平板顯示器(FPD)用玻璃基板等大型基板實(shí)施等離子體處理的等離子體處理裝置、基板保持機(jī)構(gòu)、基板位置偏移檢測(cè)方法。附圖標(biāo)記
100處理裝置
102、104、106 閘閥
110搬送室
120負(fù)載鎖定室
130基板搬入搬出機(jī)構(gòu)
140分度器
142盒
200處理室
202處理容器
204基板搬入搬出口
208排氣管
209排氣裝置
210噴淋頭
222緩沖室
224噴出孑L
2 氣體導(dǎo)入口
228氣體導(dǎo)入管
230開(kāi)閉閥
232質(zhì)量流量控制器(MFC)
234處理氣體供給源
300載置臺(tái)
302基體部件
310基座
311絕緣覆膜
312匹配器
314高頻電源
315直流電源
316開(kāi)關(guān)
320靜電保持部
322電極板
330外框部
340致冷劑流路
352氣體流路
354氣體孔
362壓力調(diào)整閥(PCV)
363壓力傳感器
364 流量計(jì)(flow meter)
366He氣體供給源
370壓力檢測(cè)孔
370a 370d壓力檢測(cè)孔
372連通路
374其它的壓力檢測(cè)孔
376流路栓
378多個(gè)孔
38Oa 38Od壓力傳感器
382壓力傳感器
400控制部
G基板
Ls基板保持面
R氣體孔形成區(qū)域
權(quán)利要求
1.一種基板保持機(jī)構(gòu)，其在生成等離子體的空間內(nèi)載置保持矩形的被處理基板，該基板保持機(jī)構(gòu)的特征在于，包括載置保持所述被處理基板的矩形的載置臺(tái)；用于向所述載置臺(tái)與保持在其基板保持面的被處理基板之間供給來(lái)自氣體供給源的氣體的氣體流路；形成在所述載置臺(tái)的基板保持面，將來(lái)自所述氣體流路的氣體引導(dǎo)至所述基板保持面上的多個(gè)氣體孔；在所述基板保持面的所述氣體孔形成區(qū)域的外側(cè)形成，檢測(cè)施加于被處理基板的背面的壓力的多個(gè)壓力檢測(cè)孔；與所述多個(gè)壓力檢測(cè)孔連接的壓力傳感器；和基于來(lái)自所述壓力傳感器的檢測(cè)壓力進(jìn)行所述被處理基板的位置偏移檢測(cè)的位置偏移檢測(cè)部件。
2.如權(quán)利要求1所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其特征在于具有基于來(lái)自所述壓力傳感器的檢測(cè)壓力，調(diào)整來(lái)自所述氣體供給源的氣體流量的流量調(diào)整器。
3.如權(quán)利要求2所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其特征在于所述壓力檢測(cè)孔分別形成在矩形的所述基板保持面的四個(gè)角部。
4.如權(quán)利要求3所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其特征在于所述壓力傳感器是與所述各壓力檢測(cè)孔分別連接的多個(gè)壓力傳感器，檢測(cè)所述四個(gè)角部的所述被處理基板的背面壓力。
5.如權(quán)利要求4所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其特征在于所述位置偏移檢測(cè)部件基于來(lái)自所述各壓力傳感器的檢測(cè)壓力，判定所述被處理基板的有無(wú)和位置偏移狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求2 5中任一項(xiàng)所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其特征在于 在所述四個(gè)角部形成的壓力檢測(cè)孔，經(jīng)由連通路與所述多個(gè)氣體孔連通。
7.如權(quán)利要求2 5中任一項(xiàng)所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其特征在于在所述四個(gè)角部形成的壓力檢測(cè)孔，經(jīng)由所述流量調(diào)整器與所述氣體供給源連接。
8.如權(quán)利要求3 5中任一項(xiàng)所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其特征在于所述壓力檢測(cè)孔包含與在所述基板保持面的四個(gè)角部分別形成的壓力檢測(cè)孔不同的另外形成的其它壓力檢測(cè)孔。
9.如權(quán)利要求8所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其特征在于基于來(lái)自在所述四個(gè)角部形成的壓力檢測(cè)孔的檢測(cè)壓力檢測(cè)所述被處理基板的位置偏移，基于來(lái)自所述其它壓力檢測(cè)孔的檢測(cè)壓力進(jìn)行利用所述流量調(diào)整器的氣體流量的調(diào)離
10.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其特征在于 在所述壓力檢測(cè)孔中嵌入有形成有多個(gè)孔的流路栓。
11.一種基板位置偏移檢測(cè)方法，其是在生成等離子體的空間內(nèi)載置保持矩形的被處理基板的基板保持機(jī)構(gòu)的基板位置偏移檢測(cè)方法，該基板位置偏移檢測(cè)方法的特征在于所述基板保持機(jī)構(gòu)包括載置保持所述被處理基板的矩形的載置臺(tái)；用于向所述載置臺(tái)與保持在其基板保持面的被處理基板之間供給來(lái)自氣體供給源的氣體的氣體流路；形成在所述載置臺(tái)的基板保持面，將來(lái)自所述氣體流路的氣體引導(dǎo)至所述基板保持面上的多個(gè)氣體孔；在所述基板保持面的所述氣體孔形成區(qū)域的外側(cè)形成，檢測(cè)施加于被處理基板的背面的壓力的多個(gè)壓力檢測(cè)孔；與所述多個(gè)壓力檢測(cè)孔連接的壓力傳感器；和調(diào)整來(lái)自所述氣體供給源的氣體流量的流量調(diào)整器，該基板位置偏移檢測(cè)方法基于來(lái)自所述壓力傳感器的檢測(cè)壓力進(jìn)行所述被處理基板的位置偏移檢測(cè)，并且，進(jìn)行利用所述流量調(diào)整器的氣體流量的調(diào)整。
12.如權(quán)利要求11所述的基板位置偏移檢測(cè)方法，其特征在于所述多個(gè)壓力檢測(cè)孔在矩形的所述基板保持面的四個(gè)角部分別形成，所述壓力傳感器是與這些壓力檢測(cè)孔分別連接的多個(gè)壓力傳感器，基于來(lái)自所述各壓力傳感器的檢測(cè)壓力判定所述被處理基板的有無(wú)和位置偏移狀態(tài)。
13.如權(quán)利要求12所述的基板位置偏移檢測(cè)方法，其特征在于所述被處理基板的位置偏移的有無(wú)，根據(jù)由所述各壓力傳感器檢測(cè)出的所述四個(gè)角部的檢測(cè)壓力是否全部到達(dá)設(shè)定壓力而判斷，在任意一個(gè)檢測(cè)壓力沒(méi)有達(dá)到設(shè)定壓力的情況下，判定所述被處理基板的有無(wú)和位置偏移狀態(tài)。
14.如權(quán)利要求13所述的基板位置偏移檢測(cè)方法，其特征在于 在所述被處理基板的有無(wú)和位置偏移狀態(tài)的判定中，在由所述各壓力傳感器檢測(cè)出的所述四個(gè)角部的檢測(cè)壓力均衡，并且沒(méi)有達(dá)到設(shè)定壓力的情況下，判定為處于在所述載置臺(tái)上沒(méi)有所述被處理基板的狀態(tài)，或者處于所述被處理基板吸附不良的狀態(tài)，在所述四個(gè)角部的檢測(cè)壓力的任意一個(gè)發(fā)生不均衡的情況下，判定為所述載置臺(tái)上的所述被處理基板處于位置偏移狀態(tài)。
15.如權(quán)利要求14所述的基板位置偏移檢測(cè)方法，其特征在于在所述四個(gè)角部的檢測(cè)壓力的任意一個(gè)發(fā)生不均衡的情況下，如果所述四個(gè)角部中的平行兩角部相互不均衡，則判定為一方向的基板平行偏移，如果所述四個(gè)角部中的三個(gè)角部和剩下的一個(gè)角部不均衡，則判定為二方向的基板平行偏移，如果所述四個(gè)角部中的對(duì)角兩角部相互不均衡，則判定為基板斜行偏移。
16.一種等離子體處理裝置，其通過(guò)向處理室內(nèi)導(dǎo)入處理氣體，產(chǎn)生所述處理氣體的等離子體，對(duì)載置保持在處理室內(nèi)的載置臺(tái)的絕緣體構(gòu)成的被處理基板實(shí)施規(guī)定的等離子體處理，該等離子體處理裝置的特征在于，包括用于向所述載置臺(tái)與保持在其基板保持面的被處理基板之間供給來(lái)自氣體供給源的氣體的氣體流路；形成在所述載置臺(tái)的基板保持面，將來(lái)自所述氣體流路的氣體引導(dǎo)至所述基板保持面上的多個(gè)氣體孔；在所述基板保持面的所述氣體孔形成區(qū)域的外側(cè)形成，檢測(cè)施加于被處理基板的背面的壓力的多個(gè)壓力檢測(cè)孔；與所述多個(gè)壓力檢測(cè)孔連接的壓力傳感器；和基于來(lái)自所述壓力傳感器的檢測(cè)壓力進(jìn)行所述被處理基板的位置偏移檢測(cè)的位置偏移檢測(cè)部件。
全文摘要
本發(fā)明提供等離子體處理裝置、基板保持機(jī)構(gòu)、基板位置偏移檢測(cè)方法，能夠消除傳熱氣體的氣體流路的壓力損失的影響，提高基板的位置偏移檢測(cè)的精度。設(shè)置有用于向載置臺(tái)(300)與保持在其基板保持面的被處理基板之間供給來(lái)自氣體供給源的氣體的氣體流路(352)；形成在載置臺(tái)的基板保持面，將來(lái)自氣體流路的氣體引導(dǎo)至基板保持面(Ls)上的多個(gè)氣體孔(354)；在基板保持面的氣體孔形成區(qū)域(R)的外側(cè)形成，檢測(cè)施加于基板的背面的壓力的多個(gè)壓力檢測(cè)孔(370a～370d)；和與這些多個(gè)壓力檢測(cè)孔連接的壓力傳感器(380a～380d)，基于來(lái)自這些壓力傳感器的檢測(cè)壓力進(jìn)行基板的位置偏移檢測(cè)。
文檔編號(hào)G01B13/00GK102299091SQ20111013592
公開(kāi)日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2011年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月20日
發(fā)明者東條利洋, 古屋敦城 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社