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      雙晶片k1探頭的制作方法

      文檔序號:5919612閱讀:397來源:國知局
      專利名稱:雙晶片k1探頭的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型屬于一種鋼管超聲波檢測的工具,具體指一種用于鋼管橫向超聲波檢測的探頭。
      背景技術(shù)
      隨著我國經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,對鋼管產(chǎn)品的需求越來越多,對其質(zhì)量的要求也越來越嚴(yán)格。在鋼管的生產(chǎn)過程中,為了控制鋼管的質(zhì)量,需要對于鋼管的橫向缺陷進(jìn)行檢測。 在利用單晶Kl的檢測過程中,斜探頭沿著焊縫方向,在焊縫外表面進(jìn)行掃查,探頭需要與焊縫成一定角度才能發(fā)現(xiàn)焊趾和熱影響區(qū)的裂紋,這就要求探頭轉(zhuǎn)動角度來回掃查,檢測花費時間長,效率低,而且對熱影響區(qū)的裂紋容易漏檢,對于焊趾上的擴徑后小裂紋更難發(fā)現(xiàn)。

      實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種不需要轉(zhuǎn)動角度就能很容易檢測到焊縫中各個方向上的裂紋缺陷的雙晶片Ki探頭。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案一種雙晶片K1探頭,包括頂部設(shè)有兩個電纜接頭的外殼、兩根引線、吸聲材料、透聲斜楔、阻尼塊和隔音層;其特征在于所述探頭還包括第一壓電晶片和第二壓電晶片;所述透聲斜楔固定在所述外殼內(nèi)底部;所述外殼內(nèi)充滿吸聲材料;所述第一壓電晶片、第二壓電晶片和隔音層貼裝在所述透聲斜楔的斜面上;所述第一壓電晶片和第二壓電晶片對稱地位于隔音層兩側(cè);所述第一壓電晶片和第二壓電晶片的工作方式為自發(fā)自收,互不干擾; 所述第一壓電晶片和第二壓電晶片分別通過引線與所述電纜接頭相連;所述阻尼塊置于所述第一壓電晶片和第二壓電晶片的上方。所述的雙晶片K1探頭,其特征在于所述透聲斜楔的斜面和底面所成的入射角為45度。所述的雙晶片K1探頭,其特征在于所述第一壓電晶片與第二壓電晶片所成的夾角為角度為164-170度。所述的雙晶片K1探頭,其特征在于所述第一壓電晶片和第二壓電晶片尺寸相同。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于1、本實用新型不需要轉(zhuǎn)動角度,就能很容易的檢測到焊縫和熱影響區(qū)中各個方向上的裂紋缺陷,大大縮短了檢測時間。2、本實用新型盲區(qū)小、分辨力強、檢測靈敏度高、檢測范圍廣,特別是對擴徑后焊趾上的小裂紋有更高的檢出率。3、本實用新型簡化了檢測工序,提高了生產(chǎn)效率,增強了鋼管質(zhì)量控制,優(yōu)化了公司產(chǎn)品質(zhì)量的檢測手段。
      圖1本實用新型的剖開結(jié)構(gòu)示意圖;圖2本實用新型A向局部剖面圖。1、吸聲材料;2、透聲斜楔;3、電纜接頭;4、阻尼塊;5、外殼;6、第一壓電晶片;7、
      隔音層;8、第二壓電晶片。
      具體實施方式
      一種雙晶片K1探頭,包括頂部設(shè)有兩個電纜接頭3的外殼5、兩根引線、吸聲材料 1、透聲斜楔2、阻尼塊4和隔音層7 ;其特征在于所述探頭還包括第一壓電晶片6和第二壓電晶片8 ;所述透聲斜楔2固定在所述外殼5內(nèi)底部;所述外殼5內(nèi)充滿吸聲材料1 ;所述第一壓電晶片6、第二壓電晶片8和隔音層7貼裝在所述透聲斜楔2的斜面上;所述第一壓電晶片6和第二壓電晶片8對稱地位于隔音層7兩側(cè);所述第一壓電晶片6和第二壓電晶片8的工作方式為自發(fā)自收,互不干擾;所述第一壓電晶片6和第二壓電晶片8分別通過引線與所述電纜接頭3相連;所述阻尼塊4置于所述第一壓電晶片6和第二壓電晶片8的上方。所述的雙晶片K1探頭,其特征在于所述透聲斜楔2的斜面和底面所成的入射角為 45度。所述的雙晶片K1探頭,其特征在于所述第一壓電晶片6與第二壓電晶片8所成的夾角為角度為164-170度。所述的雙晶片K1探頭,其特征在于所述第一壓電晶片和第二壓電晶片尺寸相同。超聲波檢測時通過K1探頭的二個晶片各自發(fā)射出的超聲波實現(xiàn)各自的電聲換能。 探頭在焊縫上縱向移動,兩簇聲束通過耦合劑分別與焊縫兩側(cè)成5-8度的角度進(jìn)入到焊縫,探頭的兩個晶片通過自發(fā)自收的方式能確保焊縫的橫向缺陷100%的檢測出。雙晶片斜探探頭的主要技術(shù)指標(biāo)1、探頭前沿 L=l(toim ;2、探頭斜率K=I,探頭頻率2. 5 MHZ ;3、晶片尺寸6X8X2mm ;4、探頭外形尺寸為22X32mm ;5、檢測時探頭垂直方向不應(yīng)有明顯的雙峰;6、探頭主聲束偏離<2°。在檢測由于擴徑產(chǎn)生的焊趾上裂紋波形和單晶片Kl探頭的波形一樣,但是縮短了檢測時間。
      權(quán)利要求1.一種雙晶片K1探頭,包括頂部設(shè)有兩個電纜接頭(3)的外殼(5)、兩根引線、吸聲材料(1)、透聲斜楔(2)、阻尼塊(4)和隔音層(7);其特征在于所述探頭還包括第一壓電晶片 (6)和第二壓電晶片(8);所述透聲斜楔(2)固定在所述外殼(5)內(nèi)底部;所述外殼(5)內(nèi)充滿吸聲材料(1);所述第一壓電晶片(6)、第二壓電晶片(8)和隔音層(7)貼裝在所述透聲斜楔(2)的斜面上;所述第一壓電晶片(6)和第二壓電晶片(8)對稱地位于隔音層(7)兩側(cè); 所述第一壓電晶片(6)和第二壓電晶片(8)分別通過引線與所述電纜接頭(3)相連;所述阻尼塊(4)置于所述第一壓電晶片(6)和第二壓電晶片(8)的上方。
      2.基于權(quán)利要求1所述的雙晶片K1探頭,其特征在于所述透聲斜楔(2)的斜面和底面所成的入射角為45度。
      3.基于權(quán)利要求1所述的雙晶片K1探頭,其特征在于所述第一壓電晶片(6)與第二壓電晶片(8)所成的夾角為角度為164-170度。
      4.基于權(quán)利要求1所述的雙晶片K1探頭,其特征在于所述第一壓電晶片(6)和第二壓電晶片(8)尺寸相同。
      專利摘要本實用新型公開了一種雙晶片K1探頭,頂部設(shè)有兩個電纜接頭的外殼、兩根引線、吸聲材料、透聲斜楔、阻尼塊和隔音層;其特征在于還包括第一壓電晶片和第二壓電晶片。所述第一壓電晶片、第二壓電晶片和隔音層貼裝在所述透聲斜楔的斜面上,對稱地位于隔音層兩側(cè)。所述第一壓電晶片和第二壓電晶片的工作方式為自發(fā)自收,互不干擾。本實用新型不需要轉(zhuǎn)動角度,就能很容易的檢測到焊縫和熱影響區(qū)中各個方向上的裂紋缺陷,大大縮短了檢測時間;具有盲區(qū)小、分辨力強、檢測靈敏度高、檢測范圍廣,對擴徑后焊趾上的小裂紋檢出率高的優(yōu)點。它簡化了檢測工序,提高了生產(chǎn)效率,增強了鋼管質(zhì)量控制,優(yōu)化了公司產(chǎn)品質(zhì)量的檢測手段。
      文檔編號G01N29/24GK202189038SQ201120263270
      公開日2012年4月11日 申請日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
      發(fā)明者廖淑梅, 朱敏, 武占芳, 汪超, 熊偉, 王衛(wèi)華, 蘇志, 蘇景富, 葛玉宏, 趙洪臣, 郭錦龍, 錢勇, 魏克同 申請人:中國石油集團(tuán)渤海石油裝備制造有限公司, 南京巨龍鋼管有限公司, 巨龍鋼管有限公司
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