專利名稱：一種晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件電性能測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件電性能測(cè)試裝置。
背景技術(shù)：
目前光伏市場(chǎng)發(fā)展迅速，晶體硅太陽(yáng)電池組件需求日漸攀升，電池和組件技術(shù)不斷革新，市場(chǎng)上已經(jīng)研制出雙面發(fā)電的電池，于是晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件也應(yīng)運(yùn)而生。晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件工藝大致有兩種，一種是兩面都用組件超白鋼化玻璃封裝，另一種系正面用玻璃背面用透明背板封裝，工藝日漸成熟，逐步推向市場(chǎng)，然而功率測(cè)試還是一個(gè)難題，現(xiàn)有普通組件IV測(cè)試臺(tái)也基本上是單面測(cè)試功率(即單面組件IV測(cè)試臺(tái))，對(duì)于兩面發(fā)電的晶體硅太陽(yáng)電池組件需要正背面單獨(dú)測(cè)試，這樣也不符合組件實(shí)際發(fā)電的需求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的問(wèn)題是在于提供一種晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件電性能測(cè)試裝置。該裝置使用模擬光源和現(xiàn)有單面組件IV測(cè)試臺(tái)組合測(cè)試晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件的電性能，該裝置操作簡(jiǎn)單，成本低廉，可以彌補(bǔ)傳統(tǒng)組件測(cè)試臺(tái)單面測(cè)試的不足，同時(shí)也可以節(jié)省購(gòu)買昂貴的雙面組件專用測(cè)試臺(tái)的費(fèi)用。本實(shí)用新型涉及的一種晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件電性能測(cè)試裝置，包括單面組件 IV測(cè)試臺(tái)，其特征是在單面組件IV測(cè)試臺(tái)上方設(shè)有光源支架，光源支架上設(shè)有模擬光源。 所述模擬光源為氙燈或商鎢燈。根據(jù)晶體硅太陽(yáng)電池組件的短路電流調(diào)節(jié)模擬光源距組件的距離標(biāo)定模擬光源的光強(qiáng)，按照標(biāo)定的高度用模擬光源照射組件背面，同時(shí)用單面組件IV測(cè)試臺(tái)測(cè)試晶體硅太陽(yáng)電池組件正面得到晶體硅太陽(yáng)電池組件的IV曲線及相關(guān)電性能參數(shù)。本實(shí)用新型的工作過(guò)程1、用單面組件IV測(cè)試臺(tái)測(cè)試晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件正面，得到背面不受光時(shí)組件的短路電流。2、用模擬光源照射晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件正面(背面不受光)，調(diào)節(jié)光源距晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件的高度至其短路電流為上述步驟1所述的電流值時(shí)，此處模擬光源的光強(qiáng)為標(biāo)準(zhǔn)情況下的光強(qiáng)，即一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)。3、將晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件置于單面組件IV測(cè)試臺(tái)臺(tái)面上，正面向下背面向上，晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件正負(fù)極與測(cè)試臺(tái)正負(fù)極連接線正確相連。4、按照標(biāo)定的高度用模擬光源照射晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件背面，測(cè)試晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件正面獲得其雙面組件的總功率，得到其IV曲線及相關(guān)電性能參數(shù)。本實(shí)用新型所述晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件(又稱晶體硅太陽(yáng)雙面電池)，其正背面用普通組件超白鋼化玻璃封裝，或正面用玻璃背面用透明背板封裝等其他兩面可以受光的封裝方式。本實(shí)用新型采用短路電流標(biāo)定模擬光源的原理在于組件的短路電流與模擬光源
3光強(qiáng)成正比。本實(shí)用新型也可以測(cè)試背面受光小于一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)時(shí)的情形，如20%、40%等倍數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)。本實(shí)用新型也可用于測(cè)試其他類型太陽(yáng)電池雙面組件。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉，操作簡(jiǎn)單實(shí)用。

圖1為一種晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件的測(cè)試裝置示意圖。圖2為標(biāo)定模擬光源光強(qiáng)的電路圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。圖1是晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件電性能測(cè)試裝置示意圖，主要有4部分組成，1 為現(xiàn)有的單面組件IV測(cè)試臺(tái)，2為晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件(簡(jiǎn)稱待測(cè)組件)，3為模擬光源即氙燈或鹵鎢燈，4為可調(diào)節(jié)高度的光源支架。圖2為標(biāo)定模擬光源光強(qiáng)的電路圖，由電壓表、電流表及可調(diào)穩(wěn)壓直流電源組成，電壓表與晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件并聯(lián)，電流表及可調(diào)穩(wěn)壓直流電源與晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件串聯(lián)。下面介紹本實(shí)用新型裝置模擬光源標(biāo)定及晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件電性能測(cè)試過(guò)程用遮光布遮擋36片單晶125晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件背面，單面組件IV測(cè)試臺(tái)測(cè)試晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件正面，得到晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件正面的短路電流5. 62A。 連接如圖2所示的電路，用模擬光源照射晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件正面，晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件背面用遮光布遮擋，調(diào)節(jié)模擬光源距晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件的距離至電流表顯示為5. 62A，此時(shí)光強(qiáng)即為一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)；再次調(diào)節(jié)模擬光源高度至電流表顯示為2. 248A 即5. 62的40%，此時(shí)光強(qiáng)為40%倍標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)；同理可以得到20%，80%等倍數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)的光強(qiáng)。將晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件放置單面組件IV測(cè)試臺(tái)臺(tái)面，正面向下背面向上，模擬光源置于單面組件IV測(cè)試臺(tái)臺(tái)面正上方，即待測(cè)晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件背面正上方， 并按照上述標(biāo)定的高度設(shè)定模擬光源的光強(qiáng)為1個(gè)太陽(yáng)，此時(shí)測(cè)試晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件。本實(shí)施例，封裝36片125晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件，經(jīng)光強(qiáng)為1個(gè)太陽(yáng)的模擬光源照背面面的同時(shí)用單面組件IV測(cè)試臺(tái)測(cè)試晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件，得到如下電性能參數(shù)功率為112. 78W,電壓為23. 33 V，電流為5. 92A，填充因子為81. 8%。調(diào)節(jié)模擬光源高度，至光強(qiáng)為40%標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光強(qiáng)位置，測(cè)試待測(cè)組件，得到如下電性能參數(shù)功率為110. 27W,電壓為23. 31 V，電流為5. 80A，填充因子為81. 48%。再調(diào)節(jié)模擬光源高度至光強(qiáng)為80%標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光強(qiáng)位置，測(cè)試待測(cè)組件，得到如下電性能參數(shù)功率為111. 18W,電壓為23. 32 V，電流為5. 83A，填充因子為81. 79%。
權(quán)利要求1.一種晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件電性能測(cè)試裝置，包括單面組件IV測(cè)試臺(tái)，其特征是在單面組件IV測(cè)試臺(tái)上方設(shè)有光源支架，光源支架上設(shè)有模擬光源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件電性能測(cè)試裝置，其特征是所述模擬光源為氙燈或商鎢燈。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種晶體硅太陽(yáng)電池雙面組件電性能測(cè)試裝置，包括單面組件IV測(cè)試臺(tái)，其特征是在單面組件IV測(cè)試臺(tái)上方設(shè)有光源支架，光源支架上設(shè)有模擬光源。所述模擬光源為氙燈或鹵鎢燈。根據(jù)晶體硅太陽(yáng)電池組件的短路電流調(diào)節(jié)模擬光源距組件的距離標(biāo)定模擬光源的光強(qiáng)，按照標(biāo)定的高度用模擬光源照射組件背面，同時(shí)用單面組件IV測(cè)試臺(tái)測(cè)試晶體硅太陽(yáng)電池組件正面得到晶體硅太陽(yáng)電池組件的IV曲線及相關(guān)電性能參數(shù)。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉，操作簡(jiǎn)單實(shí)用。
文檔編號(hào)G01R31/26GK202221466SQ20112026370
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者倪志春, 張彩霞, 王祺, 王艾華, 趙建華 申請(qǐng)人:中電電氣(南京)光伏有限公司