專利名稱：一種mos管的電流與工作狀態(tài)檢測電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種MOS管的電流與工作狀態(tài)檢測電路。
背景技術(shù)：
MOS管的使用非常普遍，在功率較大的地方，比如電機或變壓器等MOS管驅(qū)動的場合，對MOS管的電流檢測或者狀態(tài)檢測，目前一般都是采用外接大功率電阻或分流器，存在體積很大，檢測速度慢，大功率MOS管使用中很敏感的分布參數(shù)問題，散熱差，成本高，可靠性弱等問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、成本低，熱量少，可靠性強的MOS管檢測電路。實現(xiàn)本實用新型目的的技術(shù)方案是一種MOS管的電流與工作狀態(tài)檢測電路，包括非門Ul、門U2、電子開關(guān)U3、電子開關(guān)U4、電阻Rl和MOS管Vl ；所述控制信號分別經(jīng)非門Ul和門U2連接電子開關(guān)U3和電子開關(guān)U4，非門Ul取反；所述電子開關(guān)U3連通MOS檢測端口，電子開關(guān)U4連通電流檢測端口 ；所述MOS管Vl的源極和襯極接地，漏極經(jīng)電感U5接電源電壓VCC ；所述電阻Rl —端連接電感U5和MOS管Vl漏極的中間節(jié)點，另一端連接電子開關(guān)U4。一種MOS管的電流與工作狀態(tài)檢測電路還包括電阻R2和電阻R3 ；所述電阻R2和電阻R3串聯(lián)，中間節(jié)點連接MOS管Vl的柵極。一種MOS管的電流與工作狀態(tài)檢測電路還包括電阻R2和穩(wěn)壓管；所述電阻R2和穩(wěn)壓管串聯(lián)，中間節(jié)點連接MOS管Vl的柵極。。一種MOS管的電流與工作狀態(tài)檢測電路還包括穩(wěn)壓二極管V2 ；所述電阻Rl —端連接電子開關(guān)U4和穩(wěn)壓二極管V2負端的中間節(jié)點，穩(wěn)壓二極管V2正端接地。采用了上述技術(shù)方案，本實用新型具有以下的有益效果本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，反應(yīng)快速，可靠性好，成本低，不增加外部體積，不用額外接大功率電阻，工作時不另增加熱量，可同時快速檢測MOS管的瞬時電流和MOS管的瞬時工作狀態(tài)，有很好的經(jīng)濟效益，適于推廣。

為了使本實用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明，其中圖1為本實用新型的電路原理圖。
具體實施方式
(實施例1)[0012]見圖1，一種MOS管的電流與工作狀態(tài)檢測電路，包括非門U1、門U2、電子開關(guān)U3、電子開關(guān)U4、電阻R1、電阻R2、電阻R3、MOS管Vl和穩(wěn)壓二極管V2 ；控制信號分別經(jīng)非門Ul和門U2連接電子開關(guān)U3和電子開關(guān)U4，非門Ul取反；電子開關(guān)U3連通MOS檢測端口，開關(guān)U4連通電流檢測端口 ；MOS管Vl的源極和襯極接地，漏極經(jīng)電感TO接電源電壓VCC;電阻Rl—端連接開關(guān)U4和穩(wěn)壓二極管V2負端的中間節(jié)點。穩(wěn)壓二極管V2正端接地。電阻R2和電阻R3串聯(lián)，中間節(jié)點連接MOS管Vl的柵極，給MOS管Vl提供柵端偏置電壓。電阻R3也可以用穩(wěn)壓管代替(圖中未示出)，用于保護MOS管V的柵極不被擊穿?？刂菩盘柗謩e經(jīng)非門Ul和門U2連接電子開關(guān)U3和電子開關(guān)U4，控制電子開關(guān)U3和U4的閉合和打開，非門Ul和門U2用來對通道進行選擇。當控制信號輸入高電平時，選擇電流通道，具體來說，門U2輸出高電平，開關(guān)U4閉合，接通電流檢測通道；此時，通過電阻Rl檢測到MOS管Vl的漏極電壓，即MOS管Vl導通電流在導通電阻上形成的電壓，電流通過電阻Rl至電流檢測端口，用于MOS管電流檢測及MOS管快速保護。當控制信號輸入低電平時，選擇檢測通道，具體來說，經(jīng)過取反，非門Ul輸出高電平，開關(guān)U3閉合，接通狀態(tài)檢測通道；無開啟電壓，MOS管Vl截止，MOS管的漏極電壓從Rl傳遞V2的電壓(作為高電平)到U3至MOS管的狀態(tài)檢測端口。以上所述的具體實施例，對本實用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已，并不用于限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種MOS管的電流與工作狀態(tài)檢測電路，其特征在于包括非門U1、門U2、電子開關(guān) U3、電子開關(guān)U4、電阻Rl和MOS管Vl ；所述控制信號分別經(jīng)非門Ul和門U2連接電子開關(guān) U3和電子開關(guān)U4，非門Ul取反；所述開關(guān)U3連通MOS檢測端口，開關(guān)U4連通電流檢測端口 ；所述MOS管Vl的源極和襯極接地，漏極經(jīng)電感TO接電源電壓VCC;所述電阻Rl —端連接電感U5和MOS管Vl漏極的中間節(jié)點，另一端連接電子開關(guān)U4。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOS管的電流與工作狀態(tài)檢測電路，其特征在于還包括電阻R2和電阻R3或穩(wěn)壓管；所述電阻R2和電阻R3或穩(wěn)壓管串聯(lián)，中間節(jié)點連接MOS管 Vl的柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOS管的電流與工作狀態(tài)檢測電路，其特征在于還包括電阻R2和穩(wěn)壓管；所述電阻R2和穩(wěn)壓管串聯(lián)，中間節(jié)點連接MOS管Vl的柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種MOS管的電流與工作狀態(tài)檢測電路，其特征在于還包括穩(wěn)壓二極管V2 ；所述電阻Rl —端連接電子開關(guān)U4和穩(wěn)壓二極管V2負端的中間節(jié)點， 穩(wěn)壓二極管V2正端接地。
專利摘要本實用新型公開了一種MOS管的電流與工作狀態(tài)檢測電路，包括非門U1、門U2、電子開關(guān)U3、電子開關(guān)U4、電阻R1和MOS管V1；所述控制信號分別經(jīng)非門U1和門U2連接電子開關(guān)U3和電子開關(guān)U4，非門U1取反；所述電子開關(guān)U3連通MOS檢測端口，電子開關(guān)U4連通電流檢測端口；所述MOS管V1的源極和襯極接地，漏極經(jīng)負載電感U5接電源電壓VCC；所述電阻R1一端連接電感U5和MOS管V1漏極的中間節(jié)點，另一端連接電子開關(guān)U4。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，反應(yīng)快速，可靠性好，成本低，不增加外部體積，不用額外接大功率電阻，工作時不另增加熱量，可同時快速檢測MOS管的瞬時電流和MOS管的瞬時工作狀態(tài)，有很好的經(jīng)濟效益，適于推廣。
文檔編號G01R19/00GK202330630SQ20112034373
公開日2012年7月11日 申請日期2011年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月14日
發(fā)明者王瑛, 紀勝偉 申請人:常州科教城新能源汽車工程技術(shù)研究院