一種芯片失效點(diǎn)定位方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種芯片失效點(diǎn)定位方法，涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】。該芯片失效點(diǎn)定位方法包括如下步驟：步驟S101、提供失效芯片，所述失效芯片包括器件以及位于其上方的金屬層；步驟S102、去除所述金屬層位于擬進(jìn)行探針接觸的位置之外的部分，形成金屬接觸點(diǎn)；步驟S103、利用探針接觸所述金屬接觸點(diǎn)，進(jìn)行失效定位。本發(fā)明的芯片失效點(diǎn)定位方法，通過(guò)在芯片擬進(jìn)行探針接觸的位置保留金屬層形成金屬接觸點(diǎn)，避免了探針直接接觸芯片的器件表面，因而避免了探針對(duì)器件造成破壞，提高了芯片失效定位的成功率與精確性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種芯片失效點(diǎn)定位方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言涉及一種芯片失效點(diǎn)定位方法。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路芯片在人們的生產(chǎn)生活中發(fā)揮的作用越來(lái)越巨大，然而，芯片在研制、生產(chǎn)和使用過(guò)程中的失效不可避免。隨著人們對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高，失效分析也顯得越來(lái)越重要，通過(guò)芯片失效分析，可以幫助集成電路設(shè)計(jì)人員找到設(shè)計(jì)上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設(shè)計(jì)與操作中的不當(dāng)?shù)葐?wèn)題，為設(shè)計(jì)工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計(jì)，使之與設(shè)計(jì)規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息，并且，失效分析可以評(píng)估不同測(cè)試向量的有效性，為生產(chǎn)測(cè)試提供必要的補(bǔ)充，為驗(yàn)證測(cè)試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎(chǔ)。
[0003]對(duì)芯片失效分析而言，精確的失效點(diǎn)定位是非常重要的步驟，是失效分析成功與否的關(guān)鍵。目前運(yùn)用最廣泛的定位方法是熱點(diǎn)(hotspots)定位法，即在芯片加電的情況下，由于失效部位的電子運(yùn)動(dòng)異常會(huì)導(dǎo)致該局部區(qū)域發(fā)熱，通過(guò)激光掃描，可將熱轉(zhuǎn)換為發(fā)光的形式顯現(xiàn)出來(lái)，如此便可達(dá)到失效點(diǎn)定位的目的。雖然熱點(diǎn)定位法具有定位精確的優(yōu)點(diǎn)，但對(duì)被定位的芯片(也稱(chēng)之為樣品)有一定的要求，包括:芯片導(dǎo)電性好；芯片表面必須具備很高的潔凈度；芯片表面不能被不透光物質(zhì)覆蓋(為了保證熱點(diǎn)可見(jiàn))等。
[0004]然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)表面全部由金屬覆蓋的芯片(比如大功率電源芯片等)進(jìn)行失效點(diǎn)定位時(shí)，往往存在定位困難的問(wèn)題，下面以大功率電源芯片的失效點(diǎn)定位為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0005]在現(xiàn)有技術(shù)中，大功率電源器件的芯片的表面上全部由金屬覆蓋，該金屬層的主要作用在于將電流導(dǎo)入芯片內(nèi)部。當(dāng)芯片發(fā)生失效需要進(jìn)行失效分析時(shí)，必須首先通過(guò)電性測(cè)量對(duì)失效點(diǎn)進(jìn)行熱點(diǎn)定位時(shí)，由于芯片表面的金屬層阻擋，熱點(diǎn)不能穿透到芯片的表面(即芯片中器件的表面)，故無(wú)法被發(fā)現(xiàn)，造成定位失敗。為了使熱點(diǎn)無(wú)遮擋，傳統(tǒng)方法是:用鹽酸腐蝕掉芯片表面的金屬層，然后在進(jìn)行失效點(diǎn)定位時(shí)使熱點(diǎn)探針直接接觸芯片的器件的表層。由于器件非常脆弱，用力必須非常小心，稍有不慎，探針就會(huì)損壞器件，導(dǎo)致無(wú)法準(zhǔn)確有效地定位失效點(diǎn)，即嚴(yán)重影響定位的成功率及精確性。這種失效點(diǎn)定位方法，雖然解決了熱點(diǎn)可見(jiàn)性問(wèn)題，但是極易損傷器件，據(jù)實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)，其失效點(diǎn)定位成功率一般低于20%。
[0006]因此，為了保證芯片失效定位的成功率與精確性，需要提出一種新的芯片失效點(diǎn)定位方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種芯片失效點(diǎn)定位方法，該方法包括如下步驟:
[0008]步驟SlOl:提供失效芯片，所述失效芯片包括器件以及位于其上方的金屬層；
[0009]步驟S102:去除所述金屬層位于擬進(jìn)行探針接觸的位置之外的部分，形成金屬接觸點(diǎn)；[0010]步驟S103:利用探針接觸所述金屬接觸點(diǎn)，進(jìn)行失效定位。
[0011]其中，所述步驟S102包括:
[0012]步驟S1021:在所述金屬層上擬形成金屬接觸點(diǎn)的區(qū)域的四周形成隔離溝槽；
[0013]步驟S1022:在所述擬形成金屬接觸點(diǎn)的區(qū)域放置熱塑材料顆粒，加熱所述熱塑材料顆粒使其熔化以形成所述擬形成的金屬接觸點(diǎn)的保護(hù)層，其中，所述保護(hù)層覆蓋所述擬形成金屬接觸點(diǎn)的區(qū)域并填充所述隔離溝槽；
[0014]步驟S1023:去除所述金屬層位于所述保護(hù)層覆蓋的區(qū)域之外的部分，形成所述金屬接觸點(diǎn)；
[0015]步驟S1024:去除所述保護(hù)層。
[0016]進(jìn)一步的，在所述步驟S1021中，形成所述隔離溝槽的方法為:采用FIB進(jìn)行切割。
[0017]其中，在所述步驟S1021中，所述隔離溝槽的寬度為2微米，深度為所述金屬層厚度的70%?90%。
[0018]其中，在所述步驟S1021中，所述隔離溝槽與所述芯片表面的夾角為45度。
[0019]其中，在所述步驟S1022中，所述熱塑材料顆粒為石蠟顆粒。
[0020]其中，所述石蠟顆粒的直徑大于30微米且小于80微米。
[0021]其中，加熱所述石蠟顆粒分兩步進(jìn)行，第一次加熱溫度為47飛5攝氏度，第二次加熱溫度大于65攝氏度。
[0022]其中，在所述步驟S1023中，去除所述金屬層位于所述保護(hù)層覆蓋的區(qū)域之外的部分，所采用的方法為:采用濃度為37%的鹽酸浸泡所述芯片I分鐘。
[0023]進(jìn)一步的，在所述步驟S1024中，去除所述保護(hù)層的方法為:采用濃度為100%的丙酮溶液在超聲波振蕩器中浸泡所述芯片I分鐘。
[0024]其中，優(yōu)選的，在所述步驟SlOl與步驟S102之間，還包括用丙酮對(duì)所述芯片的表面進(jìn)行清潔的步驟。
[0025]本發(fā)明的芯片失效點(diǎn)定位方法，通過(guò)在芯片擬進(jìn)行探針接觸的位置保留金屬層形成金屬接觸點(diǎn)，避免了探針直接接觸芯片的器件表面，因而避免了探針對(duì)器件造成破壞，提高了芯片失效定位的成功率與精確性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
[0027]附圖中:
[0028]圖1A-圖1F為本發(fā)明提出的芯片失效點(diǎn)定位方法的各步驟的示意性剖面圖；
[0029]圖2為本發(fā)明提出的一種芯片失效點(diǎn)定位方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。[0031]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件的制造方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0032]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。。
[0033]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明提出的芯片失效點(diǎn)定位方法。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0034]下面，參照?qǐng)D1A至圖1F以及圖2來(lái)描述本發(fā)明提出的芯片失效點(diǎn)定位方法的一個(gè)示例性方法的詳細(xì)步驟。其中，IA-圖1F為本發(fā)明提出的芯片失效點(diǎn)定位方法的各步驟的示意性剖面圖(前視圖);圖2為本發(fā)明實(shí)施例提出的一種芯片失效點(diǎn)定位方法的流程圖。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片失效點(diǎn)定位方法，包括如下步驟:
[0036]步驟1、提供失效芯片，所述失效芯片包括器件以及位于其上方的金屬層。其中，所述失效芯片，是指單顆的芯片，以縮小樣品面積，進(jìn)而保證樣品在加熱時(shí)能夠均勻受熱。
[0037]得到所述失效芯片的方法，可以通過(guò)對(duì)失效的單顆芯片去除封裝得到，也可為對(duì)晶圓進(jìn)行切割以從晶圓上分離下來(lái)失效芯片，在此不做限定。
[0038]示例性的，晶圓上的芯片發(fā)生失效后，如需使用熱點(diǎn)定位法進(jìn)行失效點(diǎn)定位，一般需要對(duì)該擬進(jìn)行失效點(diǎn)定位的芯片進(jìn)行切割處理，將失效芯片從晶圓上分離下來(lái)，以避免和周?chē)酒煜⒁员愫罄m(xù)分析的操作。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例，以表面全部由金屬覆蓋的芯片，比如大功率電源芯片，為例進(jìn)行說(shuō)明。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例，也可以應(yīng)用于芯片表面的部分區(qū)域被金屬層覆蓋的情形。
[0040]本步驟I提供的所述失效芯片100，可以參見(jiàn)圖1A。關(guān)于芯片100的結(jié)構(gòu)，附圖(圖1A至圖1F)僅示出了器件(也稱(chēng)電路器件)101和位于其上方的金屬層102。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，芯片100還可以包括其他部件，在此不做限定。
[0041]其中，器件101以及金屬層102，會(huì)因芯片100的類(lèi)型不同而有所不同，在此相關(guān)附圖僅為示意之外，其示出的芯片結(jié)構(gòu)，并不代表實(shí)際的芯片結(jié)構(gòu)。
[0042]由于在對(duì)芯片的失效點(diǎn)進(jìn)行定位時(shí)，芯片的表面必須具有很高的潔凈度，因此，在步驟I之后，還可以包括對(duì)芯片100的表面(即金屬層102表面)進(jìn)行清潔的步驟。具體地，可以使用丙酮對(duì)芯片100的表面進(jìn)行清潔。顯然，對(duì)芯片表面進(jìn)行清潔，可以提高失效點(diǎn)定位的準(zhǔn)確性。
[0043]步驟2、去除金屬層102位于擬進(jìn)行探針接觸的位置之外的部分，形成金屬接觸點(diǎn)102’，如圖1F所示。
[0044]形成這一結(jié)構(gòu)后，在后續(xù)進(jìn)行失效定位時(shí)，探針接觸的是金屬層，下層的器件101可以得到保護(hù)。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行失效分析時(shí)，使探針直接接觸器件101的方案，可以避免對(duì)器件101造成破壞，提高定位成功率。
[0045]實(shí)現(xiàn)步驟2的方法，可以采用任何可行的方案來(lái)實(shí)現(xiàn)，比如用掩膜材料覆蓋擬形成金屬接觸點(diǎn)的部分，然后通過(guò)刻蝕去除其他區(qū)域的金屬層。示例性地，本發(fā)明實(shí)施例的步驟2可以通過(guò)如下步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0046]步驟201、在金屬層102上擬形成接觸點(diǎn)的區(qū)域(即擬進(jìn)行探針接觸的位置)的四周形成隔離溝槽103，如圖1B所示。其中，隔離溝槽103的橫截面(從平行于芯片表面的方向切割的截面)可以為圓形、正方形或其他形狀。
[0047]其中，隔離溝槽103的寬度為2微米，深度為金屬層102厚度的70%?90%。
[0048]優(yōu)選的，隔離溝槽103與芯片100表面成一定夾角，如圖1B所示。進(jìn)一步優(yōu)選的，該夾角為45度。
[0049]其中，形成隔離溝槽103的方法，優(yōu)選為采用FIB(聚焦離子束，F(xiàn)ocused 1n beam)進(jìn)行切割。
[0050]步驟202、在所述擬形成金屬接觸點(diǎn)的位置(即隔離溝槽103所劃定的區(qū)域)放置石蠟顆粒104，如圖1C所示；然后加熱芯片100使所述石蠟熔化，使部分熔化的石蠟流入隔離溝槽103，形成接觸點(diǎn)的保護(hù)層104’，如圖1D所示。其中，保護(hù)層104’覆蓋金屬層102上擬形成接觸點(diǎn)的區(qū)域以及隔離溝槽103。
[0051]其中，石蠟可以采用其他熱塑性材料替代，比如樹(shù)脂材料。
[0052]在本實(shí)施例中，選取石蠟作為保護(hù)層材料，其顆粒直徑大于30且小于80微米。
[0053]在本步驟中，對(duì)石蠟顆粒加熱可以分步進(jìn)行，第一次加熱溫度為47飛5攝氏度，第二次加熱溫度大于65攝氏度，以保證石蠟逐步均勻的熔化。
[0054]由于在步驟201中形成了隔離溝槽103，所以石蠟流入隔離溝槽103后可以實(shí)現(xiàn)對(duì)擬形成的金屬接觸點(diǎn)的四周進(jìn)行保護(hù)，可以保證探針觸點(diǎn)的有效接觸。在本發(fā)明實(shí)施例中，應(yīng)保證在前述步驟中形成的隔離溝槽103的長(zhǎng)度大于石蠟顆粒的直徑。
[0055]前述優(yōu)選使隔離溝槽103與芯片100表面成一定夾角，是為了防止鹽酸腐蝕擬形成的金屬接觸點(diǎn)周?chē)饘龠^(guò)快，進(jìn)而保護(hù)擬形成的金屬接觸點(diǎn)的根部。
[0056]步驟203、去除金屬層102位于所述保護(hù)層104’覆蓋的區(qū)域(即擬進(jìn)行探針接觸的位置)之外的部分，形成金屬接觸點(diǎn)102’，如圖1E所示。
[0057]其中，去除金屬層的方法可以采用類(lèi)似濕法刻蝕的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，優(yōu)選的，采用鹽酸浸泡芯片100。其中，示例性的，所采用的鹽酸的濃度為37%，浸泡時(shí)間I分鐘。當(dāng)然，選取的鹽酸的濃度及浸泡時(shí)間，需要根據(jù)金屬層102的厚度及材料等情況進(jìn)行調(diào)整，以恰好完全去除接觸點(diǎn)區(qū)域之外的金屬層為宜。
[0058]步驟204、去除所述保護(hù)層104’，形成的圖形如圖1F所示。
[0059]其中，去除保護(hù)層104’的方法可以采用有機(jī)溶劑浸泡的方式，優(yōu)選在超聲波振蕩器中進(jìn)行，以實(shí)現(xiàn)更好的去除效果。
[0060]示例性的，當(dāng)保護(hù)層104’的材料為石蠟時(shí)，可以采用對(duì)其去除方法為:選用濃度為100%的丙酮溶液20ml，在超聲波振蕩器中浸泡I分鐘。
[0061]至此，通過(guò)步驟201至204完成了金屬接觸點(diǎn)102’的形成。形成這一結(jié)構(gòu)后，在后續(xù)進(jìn)行失效定位時(shí)，探針接觸的是金屬層(金屬接觸點(diǎn)102’)，下層的器件101可以得到保護(hù)。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行失效分析時(shí)，使探針直接接觸器件101的方案，可以避免對(duì)器件101造成破壞，提高定位成功率和精確性。
[0062]步驟3:利用芯片失效點(diǎn)定位設(shè)備的探針通過(guò)所述金屬接觸點(diǎn)102’進(jìn)行失效點(diǎn)定位。[0063]具體的，比如在OBIRCH (鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測(cè)試)中，利用失效分析設(shè)備的探針，接觸金屬接觸點(diǎn)102’，以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片100的失效點(diǎn)的定位。
[0064]其中，本發(fā)明實(shí)施例所提及的探針，均指失效點(diǎn)定位設(shè)備的探針。而芯片失效點(diǎn)定位設(shè)備，為本發(fā)明對(duì)可以用于芯片失效點(diǎn)定位的一類(lèi)設(shè)備的統(tǒng)稱(chēng)。
[0065]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，由于金屬接觸點(diǎn)102’的面積極小，其遮擋熱點(diǎn)的概率很低，一般不會(huì)對(duì)熱點(diǎn)定位造成影響。并且，金屬接觸點(diǎn)102’以滿(mǎn)足探針接觸為前提，且越小越好。
[0066]至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的示例性的芯片失效點(diǎn)定位方法的介紹。實(shí)驗(yàn)表明，在采用熱點(diǎn)定位法進(jìn)行芯片失效定位時(shí)，采用本發(fā)明實(shí)施例的芯片失效點(diǎn)定位方法，失效定位成功率達(dá)95%以上。
[0067]本發(fā)明實(shí)施例的芯片失效點(diǎn)定位方法，通過(guò)在芯片擬進(jìn)行探針接觸的位置保留金屬層形成金屬接觸點(diǎn)，避免了探針直接接觸芯片的器件的表面，因而避免了探針對(duì)器件造成破壞，提高了芯片失效定位的成功率和精確性。
[0068]參照?qǐng)D2，其中示出了本發(fā)明提出的芯片失效點(diǎn)定位方法中的一種典型方法的流程圖，用于簡(jiǎn)要示出整個(gè)制造工藝的流程。該方法具體包括:
[0069]步驟SlOl:提供失效芯片，所述失效芯片包括器件以及位于其上方的金屬層；
[0070]步驟S102:去除所述金屬層位于擬進(jìn)行探針接觸的位置之外的部分，形成金屬接觸點(diǎn)；
[0071]步驟S103:利用探針接觸所述金屬接觸點(diǎn)，進(jìn)行失效定位。
[0072]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以?xún)?nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種芯片失效點(diǎn)定位方法，其特征在于，所述方法包括: 步驟SlOl:提供失效芯片，所述失效芯片包括器件以及位于其上方的金屬層； 步驟S102:去除所述金屬層位于擬進(jìn)行探針接觸的位置之外的部分，形成金屬接觸點(diǎn)。步驟S103:利用探針接觸所述金屬接觸點(diǎn)，進(jìn)行失效定位。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片失效點(diǎn)定位方法，其特征在于，所述步驟S102包括: 步驟S1021:在所述金屬層上擬形成金屬接觸點(diǎn)的區(qū)域的四周形成隔離溝槽； 步驟S1022:在所述擬形成金屬接觸點(diǎn)的區(qū)域放置熱塑材料顆粒，加熱所述熱塑材料顆粒使其熔化以形成所述擬形成的金屬接觸點(diǎn)的保護(hù)層，其中，所述保護(hù)層覆蓋所述擬形成金屬接觸點(diǎn)的區(qū)域并填充所述隔離溝槽； 步驟S1023:去除所述金屬層位于所述保護(hù)層覆蓋的區(qū)域之外的部分，形成所述金屬接觸點(diǎn)； 步驟S1024:去除所述保護(hù)層。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片失效點(diǎn)定位方法，其特征在于，在所述步驟S1021中，形成所述隔離溝槽的方法為:采用FIB進(jìn)行切割。
4.如權(quán)利要求2所述的芯片失效點(diǎn)定位方法，其特征在于，在所述步驟S1021中，所述隔離溝槽的寬度為2微米，深度為所述金屬層厚度的70%~90%。
5.如權(quán)利要求2所述的芯片失效點(diǎn)定位方法，其特征在于，在所述步驟S1021中，所述隔離溝槽與所述芯片表面的夾角為45度。
6.如權(quán)利要求2所述的芯片失效點(diǎn)定位方法，其特征在于，在所述步驟S1022中，所述熱塑材料顆粒為石蠟顆粒。
7.如權(quán)利要求6所述的芯片失效點(diǎn)定位方法，其特征在于，所述石蠟顆粒的直徑大于30微米且小于80微米。
8.如權(quán)利要求6所述的芯片失效點(diǎn)定位方法，其特征在于，加熱所述石蠟顆粒分兩步進(jìn)行，第一次加熱溫度為47飛5攝氏度，第二次加熱溫度大于65攝氏度。
9.如權(quán)利要求2所述的芯片失效點(diǎn)定位方法，其特征在于，在所述步驟S1023中，去除所述金屬層位于所述保護(hù)層覆蓋的區(qū)域之外的部分，所采用的方法為:采用濃度為37%的鹽酸浸泡所述芯片I分鐘。
10.如權(quán)利要求2所述的芯片失效點(diǎn)定位方法，其特征在于，在所述步驟S1024中，去除所述保護(hù)層的方法為:采用濃度為100%的丙酮溶液在超聲波振蕩器中浸泡所述芯片I分鐘。
11.如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的芯片失效點(diǎn)定位方法，其特征在于，在所述步驟SlOl與步驟S102之間，還包括用丙酮對(duì)所述芯片的表面進(jìn)行清潔的步驟。
【文檔編號(hào)】G01R31/28GK103809103SQ201210445693
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2012年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月8日
【發(fā)明者】李?lèi)?ài)民, 郭煒, 王瀟, 孔云龍, 何明 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司